JPS58218149A - 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム - Google Patents

樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS58218149A
JPS58218149A JP57086940A JP8694082A JPS58218149A JP S58218149 A JPS58218149 A JP S58218149A JP 57086940 A JP57086940 A JP 57086940A JP 8694082 A JP8694082 A JP 8694082A JP S58218149 A JPS58218149 A JP S58218149A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sections
lead frame
resin
lead
crosspieces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57086940A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Takemura
竹村 成市
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP57086940A priority Critical patent/JPS58218149A/ja
Publication of JPS58218149A publication Critical patent/JPS58218149A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/37124Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、外部導出リードを除去しチップ部品化した
樹脂封止ダイオードに用いらnるリードフレームは、現
在でも量産されているDHD型ダイオードから、さらに
量産性を増すとともに、第1図に示すように、ペレット
マウント基部1と外部導出リード2,3とを多連にタイ
バー接続したリードフレーム4を利用して、ダイオード
ペレット5をペレットマ、ラント基部lへ固着し、ペレ
ット5上の電極と外部導出リード2.3の各近接先端部
6.7とを内部金属細線8,9にて橋架接続して組立構
体を作り、ペレット5及びその固着部分を、一点鎖Mv
cて示すように樹脂lOで固着封止した樹脂封止型へと
移行しつつある。そしてさらに、最近では、ハイブリッ
ドICの部品や、プリント基板への自動取付を行う必要
等の理由から、外部導出リードを除去した、いわゆるチ
ップ部品化が進む傾向にある。
ところで、樹脂封止ダイオードにおいては、その量産性
、特に、ペレットのマウント作業、配線゛接続作業等の
能率は、リードフレームの設計に左右される場合が非常
に多い。しかしながら、現状では、単に板体を打抜きし
た程度のものしか製作さnておらず、確立したリードフ
レームが嘱望されていた。
この発明は、上記事情に鑑み検討・考察の結果提案され
たもので、板体に所定間隔で平行なスリットを形成し、
残部である桟部の一行置きに、多数のペレット固着四部
を形成し、隣接している平坦な桟部の対応箇所と一組の
日出導体を構成するようにしたことを特徴とする樹脂封
止ダイオード用リードフレームを提供するものである。
以下に、この発明の一実施例を紹介する。
第2図は、この発明の一実施例を示すリードフレームの
拡大斜視図で、板体に所定の間隔tで平行な蛸形状スリ
ツ) 11,11.・・・・ を打抜きL1残部となっ
た桟部12 、12 、・・・ の−行置きに、後述の
ダイオード形成に必須のペレットを固着させる凹部13
 、13 、・・・・・を設けて、それ、らの凹部13
,13.・・・ の底部14 、14 、・・・・・・
K半田被膜、、15,15.・・・ を付着させ□ たものである。さらにこのリードフレーム16の幅広の
端縁部17には、ペレットマウント時の位置決め透孔1
8,18.・・・・が設けられている。
つぎに、上述のり−ドフJ−ム16,16.・・・ を
用いる樹脂封止ダイオードの組立製造について説明する
と、第3図のように、スリット11,11.・・・ に
は、下側より貫挿する突条19,19.・・・・ を、
そして位置決め透孔1B 、 18 、・・・・には突
出ピン20,2Q、・・・・・を嵌入させる位置、決め
支承治具21を使用して、次の手順でペレットマウント
及び配線接続を行う。
まずダイオードペレット22,22.・・・ を全ての
凹部13 、13 、・・・・ へ載置する。この時に
は、突条19 、19 。
・・・・ は桟部12 、12 、・・・・ の平坦面
まで上昇してスリブ) 11,11.・・・・・ へ貫
挿させておくので、ペレット22.22.・・・ がス
リブ) 11,11.・・・・ へ誤って落下すること
はない。つぎに、図に示すように、ベレン) 22,2
2.・・ と当接する裏面上にペレット載置間隔で半田
被膜を蒸着したアルミニウム製テープ23を、各列に沿
って、つまりペレット22.平坦対応部121.ペレッ
ト22.平坦対応部12〆、・・・・・の通りテーピン
グ:する。この時にも突条19,19.・・・・・・・
・ はアルミニウム製テープ23が、不要になるん・で
、底部14 、 x4.・・・・ と接触するのを防止
する。
1 その後、治具21i配線した状態のリードフレーム16
を搭載したままの状態で公知の熱圧着を行い、更にトラ
ンスファー成形法によって樹脂封止を行い、第2図及び
第5図に示すX−X線に沿って切断して個々のダイオー
ドを得る。第4図は、完成した樹脂封止ダイオードの拡
大透視図で、ペレット22を固着の四部13を有する桟
の断片24及び隣接平坦対応部の断片25が夫々−組の
日出導体となり、26は封止樹脂である。
以上の通りの実施例から、このリードフレーム16は、
樹脂封止ダイオニドあペレットマウント作業において、
治具21と協働させて、ペレットの落下防止及び金属テ
ープを用いてテーピング配線を可能とするので、ベレッ
トマウント作業や配線作業が、従来の単純打抜きリード
フレームをマウント、ワイヤ配線を行うものに比べて、
作業イ  1ンデツクスを1/2oに大幅低減すること
ができた≧また従来のリードフレームが樹脂封止部分を
区画限定していたのに対して、このリードフレーム16
は、金属テープ23を張架貼着させるので、リードフレ
ーム全体に亘り樹脂封止して個々のダイオードに切断分
離することができ、封止作業性も向上する。
上記実施例のリードフレームは、日出導体となる断片2
4と25とが同一面上になるように設計したが、この発
明はこれに限定されず、金属テープのテーピング作業性
や、ダイオードの特性上の都合で、異る平面上になるよ
うに、屈曲した板体にスリットを形成し、桟部に四部の
加工を施すようにしてもさしつかえない0 この発明によれば、リードフレームとしては著しく簡単
な構造で、治具と協働して、ペレットマウントや配線接
続作業能率を向上させ、量産性を伸長させることができ
る優れた効果がある。・
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の樹脂封止ダイオードのペレットマウン
ト構体の平面図、第2図は、この発明の一実施例を示す
リードフレームの拡大斜視図、第3図はそのペレットマ
ウント構体の製作中の要部拡大斜視図、第4図は、その
リードフレームを用いて得られた樹脂封止ダイオードの
拡大透視図である。 。 11111、・・・・拳・・スリット、12,12.・
・・ ・会・桟部、 13 、13 、・ ・・・凹部、 161・リードフレーム、 23・・・金属テープ、 24.25 @・・口出導体、 26・・・封止樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 板体に所足間隔で平行なスリットを形成し、残部である
    桟部の一行置きに、多数のペレット固着四部を形成し、
    隣接している平坦な桟部の対応箇所と一組の日出導体を
    構成するようにしたことを′   特徴とする樹脂封止
    ダイオード用リードフレーム。
JP57086940A 1982-05-21 1982-05-21 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム Pending JPS58218149A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57086940A JPS58218149A (ja) 1982-05-21 1982-05-21 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57086940A JPS58218149A (ja) 1982-05-21 1982-05-21 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58218149A true JPS58218149A (ja) 1983-12-19

Family

ID=13900861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57086940A Pending JPS58218149A (ja) 1982-05-21 1982-05-21 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58218149A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042655A1 (en) * 1999-01-11 2000-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device
ITMI20111214A1 (it) * 2011-06-30 2012-12-31 St Microelectronics Srl Dispositivo di potenza a spessore ridotto
US8723311B2 (en) 2011-06-30 2014-05-13 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common heat sink on mounting surface
US8755188B2 (en) 2011-06-30 2014-06-17 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common auxiliary heat sink
US8817475B2 (en) 2011-06-30 2014-08-26 Stmicroelectronics S.R.L. System with shared heatsink
US8837154B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. System with stabilized heatsink
US8837153B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. Power electronic device having high heat dissipation and stability
US8860192B2 (en) 2011-06-30 2014-10-14 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having high switching speed
US9105598B2 (en) 2011-06-30 2015-08-11 Stmicroelectronics S.R.L. Package/heatsink system for electronic device
CN106583980A (zh) * 2017-01-09 2017-04-26 成都冶恒电子有限公司 一种yh‑ribbon导线器

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042655A1 (en) * 1999-01-11 2000-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device
ITMI20111214A1 (it) * 2011-06-30 2012-12-31 St Microelectronics Srl Dispositivo di potenza a spessore ridotto
US8723311B2 (en) 2011-06-30 2014-05-13 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common heat sink on mounting surface
US8755188B2 (en) 2011-06-30 2014-06-17 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common auxiliary heat sink
US8817475B2 (en) 2011-06-30 2014-08-26 Stmicroelectronics S.R.L. System with shared heatsink
US8837154B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. System with stabilized heatsink
US8837153B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. Power electronic device having high heat dissipation and stability
US8860192B2 (en) 2011-06-30 2014-10-14 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having high switching speed
US9105598B2 (en) 2011-06-30 2015-08-11 Stmicroelectronics S.R.L. Package/heatsink system for electronic device
US9275943B2 (en) 2011-06-30 2016-03-01 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having reduced thickness
US9786516B2 (en) 2011-06-30 2017-10-10 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having reduced thickness
CN106583980A (zh) * 2017-01-09 2017-04-26 成都冶恒电子有限公司 一种yh‑ribbon导线器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5600178A (en) Semiconductor package having interdigitated leads
US3839782A (en) Method for using a lead frame for the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face-to-face relation
JP2009170932A (ja) 半導体装置
JPS58218149A (ja) 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム
US4881117A (en) Semiconductor power device formed of a multiplicity of identical parallel-connected elements
JP3120575B2 (ja) 半導体装置
JP3214619B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP4450800B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US3679946A (en) Strip mounted semiconductor device
JPS62134945A (ja) モ−ルドトランジスタ
JP3173215B2 (ja) ハイブリッドicのリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドicの製造方法
JPS58134450A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS5986251A (ja) 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH01120856A (ja) リードフレーム
JPS6070752A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH056666Y2 (ja)
JP2536568B2 (ja) リ―ドフレ―ム
JPH0777248B2 (ja) 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法
JP2522657B2 (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS6343897B2 (ja)
JP2753713B2 (ja) リードフレーム集合シート
JPH0432774Y2 (ja)
JPS6046059A (ja) リ−ド・フレ−ム
JPH02288258A (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびにモールド型
JPS59158545A (ja) リ−ドフレ−ム