JPH02288258A - 半導体装置およびその製造方法ならびにモールド型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造技術、たとえばトランスファ
モールドによって直接ＺＩＰ型半導体装置等を製造でき
る半導体装置の製造技術に関する。

〔従来の技術］ ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導
体装置は、チップ（半導体素子）の配線パターンやリー
ド（端子：ピン）ピッチの微細化を図ることによって、
高集積化を図るとともに、製品の小型化を図っている。

Ｄ　ＲＡ　Ｍ　（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　ＡＣ
ｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等の大容量メモリの実装にお
いて、高密度実装を目的として、従来多用されているＤ
　Ｉ　Ｐ　（Ｄｕａｌ　ＩｎｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）
構造の半導体装置に代わって、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ　０
ｕｔｌｉｎｅ　Ｊ　ｌ、ｅａｄｅｄ）、　　Ｚ　Ｉ　Ｐ
　（ＺｉｇｚａｇＩｎｌｉｎｅ　ＰａＣｋａｇｅ）　　
、　　Ｓ　Ｉ　Ｐ　（Ｓｉｎｇｌｅ　ＩｎｌｉｎｅＰａ
ｃｋａｇｅ）等の構造の半導体装置の使用比率が高くな
ってきている。これらの半導体装置は、実装効率を向上
させるために基板の両面にも実装される。大容量メモリ
の実装については、日経フグロウヒル社発行「日経エレ
クトロニクスＪ　１９８７年９月７日号Ｐ９９〜Ｐ１０
７に記載されている。

上記の各半導体装置は、いずれもＩｃ等の半導体素子（
チップ）やリードの内端等をパッケージで封止したレジ
ンパンケージ構造となっている。

レジンパンケージ技術については、特ｒ５：１昭６Ｉ２
８７２３７号公報に記載されている。

前記レジンパッケージは一般にトランスファモールドで
形成される。このトランスファモールドにあっては、ト
ランスファモールドプレスが用いられている。この装置
では、チップ搭載、ワイヤ張りが終了したリードフレー
ムをモールド型（金型）の上型と下型との間に挟んで型
締めした後、上型のポット内に投入されかつ下型のカル
上に載るレジンタプレントを、プランジャで加圧加熱し
て溶融させ、溶けたレジンを上・下型によって形成され
たレジン流路（メインランナー、サブランナー、ゲート
）を通してキャビティ内に送り込み、キャビティ内に位
置するリードフレーム部分をレジンで被うようになって
いる。また、キャビティおよびレジン流路内のレジンは
キュア処理されて硬化するので、硬化した成形品は上型
と下型とが引き離された（型開き）後取り出される。な
お、トランスファモールド（トランスファ成形）につい
ては、工業調査会発行「電子材料」１９８７年８月号、
昭和６２年８月１日発行、Ｐ７３〜Ｐ７９に記載されて
いる。

〔発明が解決しようとする課題］ 半導体パッケージの一つに前述のようにＺＩＰ型半導体
装置がある。このＺＩＰ型半導体装置は、パンケージの
一面から同一方向にリードが突出する構造となるととも
に、各リード（端子：ビン）の先端部分の配列は千鳥状
となっている。そして、このＺＩＰ型半導体装置は、そ
の実装時プリント基板などの基板の孔に１１１記リード
が挿入される。

このＺＩＰ型半導体装置は、その実装面積が従来の同一
ピン数のＤＩＰ型半導体装置に比べて、たとえば１／３
でよいなどの利点を持つ。

しかし、このＺＩＰ型半導体装置は、ＤＩＰ型半導体装
置を縦にした構造であることから、パッケージの幅は、
たとえばｌ／３に縮小できるが、リードピンチを同一に
した場合、ＺＩＰ型半導体装ｌはリード配列が千鳥状配
列であることから、リードピ・ンチの半分の長さだけＤ
ＩＰ型半導体装置よりも長くなってしまう。

すなわち、現在、ＤＩＰ型半導体装置のリードピンチは
通常１００ミル（２５，４ｍｍ）であることから、ＺＩ
Ｐ型半導体装胃はリード配列方向のパッケージの長さが
、５０ミル（１，２７ｍｍ）とＤＩＰ型半導体装置のパ
ンケージの長さよりも長くなってしまう。

ところで、このようなＺＩＰ型半導体装置にあっては、
各リードの先端部分は千鳥状配列構造となっているが、
パッケージの付は根部分では一列となっている。したが
って、各列におけるリードピッチを小さくするには、パ
ッケージの付は根におけるリードピッチを狭くする必要
がある。このリードピッチは、各リードが折り曲げられ
ない平坦なリードフレーム状態での本来のリードピンチ
であり、リードフレームの厚さ、リードパターンの形成
余裕度、さらには各リードを連結しモールド後に切断除
去されるダムの切断時の位置合わせ余裕度等を加味して
決定される。一般には、半導体装置を実装するための基
板（配線基板）の厚さは１ｍｍとなり、かつリードを挿
入するための孔（ランド）の孔径は０．８ｍｍ、ランド
ピッチは１００ミルとなっている。

一方、前記基板の厚さを０．５ｍｍとするとともに、孔
径を０．５ｍｍ、　　ランドピッチを５０ミルとする要
請も強い、このような場合、リード（リードフレーム）
の厚さも従来の０．２５ｍｍから０．１５ｍｍあるいは
それ以下の厚さとなる。

しかし、いずれにしても、リードピンチの縮小化を図る
ためには、リードフレームの薄板化、より一層の精緻パ
ターン技術の確立、ダム切断時の高精度位置合わせ技術
が要求される。

そこで、本発明者は前記ダム切断を廃止すれば、ダム切
断時の位置合わせ余裕度を考慮する必要もなく、その分
リードピンチの縮小化が図れるのではないか、との観点
から本発明を成した。

本発明の目的はリードピンチの縮小化が達成できる半導
体装置の製造技術を提供することにある。

本発明の他の目的はリードピンチの小さいＺＩＰ型半導
体装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりであすなわち、本発
明にあっては、レジンの流出を防止するダムがなくかつ
タブ、リード、タブ吊りリードおよびこれらを連結支持
する枠およびタイバーからなるリードフレームを形成し
た後、平坦なリードフレームの状態でチップ搭載、ワイ
ヤボンディングを行ない、その後、前記各リードが前記
枠またはタイバーから切断されても各リードがばらばら
とならないように各リードを絶縁性のテープで連結し、
かつ前記リードを前記枠またはタイバーから切断分離し
、ついで前記リードを成形してリード先端側を千鳥状配
列構造にした後、前記リードの屈曲部分をも含めてレジ
ンでモールドしてリード内端、タブ、半導体素子等をパ
ッケージで封止し、さらに前記パッケージから突出する
不要リードフレーム部分を切断してＺＩＰ型の半導体装
置を製造する。

また、本発明にあっては、前記リードフレームにおいて
、モールド時レジンの流出を防ぐダムが設けられていな
いことから、モールド型は、千鳥状配列構造となる各リ
ード部分を上型と下型に設けられた相互に隙間なく噛み
合う歯の先端部と歯と歯の間の谷部部間に挟持して各リ
ードを上・下型のみでシールする状態でモールドを行な
うようになっている。

〔作用］ 上記のように、本発明によれば、リードフレームにあっ
ては、各リードを連結するダムが設けられないことから
、リードパターン形成時、その後のダム切断の位置合わ
せ余裕度を考慮することなく、できる限り最小寸法でリ
ードパターン形成ができるため、リードピッチを従来に
比較して狭くすることができ、リードピッチの小さい小
型のＺＩＰ型半導体装置あるいはリード数の多いＺＩＰ
型半導体装置を提供することができる。

また、本発明によれば、モールド工程後、ダム切断工程
が不要となることから、工数の低減によって生産性向上
、製品コスト低減が達成できるとともに、ダム切断に付
随するトラブルも発生しなくなる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

第１図は本発明の一実施例によるＺＩＰ型半導体装置の
製造におけるモールド状態を示す断面図、第２図は同し
くＺＩＰ型半導体装置の外観を示す斜視図、第３図〜第
９図は同しくＺＩＰ型半導体装置の製造各工程における
図であって、第３図は製造手順を示すフローチャート、
第４図はリードフレームを示す平面図、第５図はテープ
で各リードを連結支持するとともにチンプボンディング
。

ワイヤボンディングが成されたリードフレームを示す平
面図、第６図はリード外端が切断された状態を示すリー
ドフレームの平面図、第７図はリードの成形が行われた
後モールドが成されたリードフレームを示す平面図、第
８図はリードの成形状態を示す斜視図、第９図はモール
ド型を示す正面図、第１０図は実装状態のＺＩＰ型半導
体装置を示す模式図である。

この実施例にあっては、第３図のフローチャートで示さ
れるように、リードフレーム形成、テープによるリード
支持、チンプボンディング、ワイヤボンディング、リー
ドの外端切断、リード成形。

モールド、支持部切断の各工程を経て、第２図に示され
るようなＺＩＰ型の半導体装置が製造される。

この実施例のＺＩＰ型半導体装置１は、第２図に示され
るように、略矩形状レジンからなるパッケージ２と、こ
のパッケージ２の底面から二列となって突出する複数の
リード３とからなっている。

前記リード列の間隔Ｗは、たとえば、２．５４ｍｍ（１
００ミル）となるとともに、各列のリードピッチａは１
．２７ｍｍ　（５０ミル）となっている。また、相互に
対面する二列のリードは相互に対面するリードの中間に
位置し、隣り合うリード列の投影寸法すは、前記リード
ピンチの１／２、すなわち、２５ミルとなっている。ま
た、リードの厚さは０．２５ｍｍとなっている。また、
このＺＩＰ型半導体装置１の二列のり一ドピッチ群は、
いわゆる千鳥状配列構造、すなわち、ジグザグ状配列構
造となっている。そして、このジグザグ状態は、従来の
ＺＩＰ型の半導体装置とは異なり、前記リード３が途中
で折り曲げられて千鳥状配列を構成するのではなく、前
記パッケージ２から突出する状態で既に千鳥状配列とな
っていることである。

これにより、この実施例のＺＩＰ型半導体装直１はその
外観からもわかるように、従来各リードを連結していた
ダムがリードフレームの状態で存在していないこともあ
って、前記リードピンチａを狭くできるため、製品の小
型化あるいはリード（ビン）の多数化（多ピン化）が図
れる。この点については後で詳細に説明する。

また、このＺＩＰ型半導体装置１にあっては、前記リー
ド３は、途中で折り曲げら′れた従来の半導体装置の場
合に比較して、リード３がパッケージ２から真っ直ぐ延
在する構造となっているため、リード列先端の位置関係
が高精度なものとなる。

なお、このようなＺＩＰ型半導体装置Ｉは、第１０図に
示されるように、基板（配線載板）４に、そのリード３
を挿し込むようにして並べて実装されるため、実装効率
が高くなる。

つぎに、半導体装置の製造方法について説明する。この
実施例のＺＩＰ型半導体装置１の製造においては、第４
図に示されるようなモールド時レジンの流出を防ぐダム
のないリードフレーム１０が用いられる。

リードフレーム１０は同圓に示されるように、一対の平
行に延在する枠１１と、これら枠１１を所定間隔で連結
する細いタイバー１２とからなる矩形領域が単位リード
パターンを構成している。

また、前記枠１１およびタイバー１２によって形成され
る枠内において、一方のタイバー１２に寄った側に矩形
のタブ１３が設けられている。このタブ１３は前記タイ
バー１２に沿って延在するとともに、前記一対の枠１１
からそれぞれ延在するタブ吊りリード１４および遠い位
置にあるタイバー１２の中央から延在するタブ吊りリー
ド１５で支持されている。また、前記タブ吊りリード１
５が設けられるタイバー１２の内縁から複数のり−ド３
が前記タブ１３の方向に延在している。これらリード３
は、前記枠１１に対して平行に延在するとともに、途中
で屈曲して先端を前記タブ１３の周辺に臨ませている。

このリードフレーム１０は各リードを連結したり、ある
いはリードと枠を連結するダムは設けられておらず、最
外側のリードを除く他のり−ド３は片持梁構造となって
いる。前記最外側のり一ド３は、前記枠１１から延在す
る支持部１６によって、その先端側が支持されている。

また、前記枠１１の内縁からは、前記パンケージ２を形
成するためのモールド領域１７内に先端が入り込む支持
補助片１８が延在している。さらに、前記枠１１には、
リードフレーム１０の搬送や位置決め等に使用されるガ
イド孔１９が設けられている。リードフレーム１０は鉄
−ニッケル系あるいは銅系合金からなるとともに、厚さ
は０．２５ｍｍとなっている。また、各リードの平行部
分でのピッチは２５ミルとなっている。また、リードピ
ッチがこのように狭くできるのは、モールド後に従来行
なわれているダムの切断がないことによる。

つぎに、前記リードフレーム１０の各リード３は絶縁体
、すなわち、細い絶縁性のテープ２０で連結される。す
なわち、このリードフレームｌＯにあっては、各リード
３は殆ど片持梁構造であることから撓み易い。そこで、
第５回に示されるように、絶縁性の細いテープ２０をリ
ード３を横切るように配し、このテープ２０を各リード
３に貼り付けることによって、各リード３を一体化させ
る。このテープ２０は前記モールド領域１７内る位置す
るように設けられる。なお、モールド後不要部分を切断
除去するならば、テープの両端部分はそれぞれ前記枠１
１にまで延在するようにして、さらにテープ２０による
リード３の支持強度向上を高めるようにしてもよい。

つぎに、チップボンディング（チップ搭載）が行われ、
第５図に示されるように、前記タブ１３上に半導体素子
（チップ）２５がボンディングされる。また、その後、
ワイヤボンディングが行われ、前記チップ２５の電橋と
、これら電極に対応するり−ド３の内端とがワイヤ２６
で接続される。

前記チップボンディングおよびワイヤボンディングは、
リードフレームＩＯが平坦な状態で行なわれることから
高精度に行なえる。

つぎに、第６図に示されるように、各リード３は支持さ
れているタイバー１２の付は根部分で切断される。これ
らリード３は、テープ２０によって全体が連結されてい
るため、バラバラとはならない。

つぎに、第７図および第８図に示されるように、リード
３の成形が行なわれる。このリード成形は、−本おきの
リード３を階段状に一段折り曲げた後、前記リードフレ
ーム１０を裏返し、ついで折り曲げが成されていない真
直ぐ伸びたリードフレーム１０を前記同様に一段折り曲
げることによって、リード３の先端側を千鳥状配列にす
る。第８図に示されるように、折り曲げられないリード
部分のピッチｂは２５ミル、二列となったリード列の各
列のり一ドビソチａは５０ミルＮ、２７ｍｍ）となる、
二列のリード列の間隔Ｗは１００ミル（２，５４ｍｍ）
となる。

つぎに、チップボンディング、ワイヤボンディングが終
了したリードフレーム１０は、第１図に示されるように
、トランスファモールドプレスのモールド型２７に型締
めされる。モールド型２７は、下型２８と上型２９とか
らなり、型締めによって、レジン３０が流れる図示しな
いランナーゲート３１（第９図参照）、キャビティ３２
およびエアーベント３３（第９図参照）等を形成するよ
うになっている。そこで、前記ランナーからゲート３１
を通してキャビティ３２内に点々で示されるようにレジ
ン３０を圧入させ、がっレジンのキュアによってレジン
３０を硬化させる。なお、前記モールド型２７は千鳥状
配列状にリード３が並ぶため、下型２８と上型２９のリ
ード３に対するパーティング面部分は、第９図に示され
るような相互に噛み合う山状の歯４０．４１を存する構
造となっている０、また、各歯４０，４１の先端には、
リード３の周面の一面または隣り合う二面に密着する締
付部４２．４３が設けられるとともに、前記歯４０．４
１と歯４０．４１の間の谷底には、前記リード３の周面
の二面または三面に密着する受部４４．４５が設けられ
ている。そして、前記下型２８と上型２９との型締めに
よって、各り一ド３は対面する締付部４２．４３と受部
４４，４５とによって、周面四面が被われる（シール）
。

すなわち、このモールド型２７では、前記キャビティ３
２から外れるリード３は、下型２８と上型２９でシール
される結果、レジン流出は殆どなく、したがって、隣接
するリード間に従来発生していたレノンバリは発生しな
くなる。

また、モールド時、第１図および第９図に示されるよう
に、前記リード３は下型２８．上型２９でその延在方向
を規定されてモールドされるため、各リード３のリード
ピッチａおよび二列のリード列の間隔Ｗは常に再現性良
く一定に形成される。

つぎに、モールドが完了したリードフレーム１０は、前
記モールド型２７から取り出される。その後、タブ吊り
リード１４８支持部１６．支持補助片１８が、前記パッ
ケージ２の付は根で切断され、第２図に示されるような
ＺＩＰ型半型半導体装置架造される。なお、前記モール
ドにおいて、前記枠１１から突出する支持補助片１８の
先端部分がＺＩＰ型半導体装置１内に臨んでいることか
ら、パッケージ２と枠１１とは強固に接続されているた
め、前記モールド型２７からリードフレーム１０を取り
出す際、取り出しが確実となる。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明のＺＩＰ型半導体装置の製造方法で用いら
れるモールド型は、リードが千鳥状配列構造となったリ
ードフレームをモールドすることができるという効果が
得られる。

（２）上記（１）により、本発明のＺＩＰ型半導体装置
の製造方法にあっては、リードが千鳥状配列構造となっ
たリードフレームのモールドが可能となることから、リ
ードを千鳥状配列に成形する前のリードフレームにおい
ては、レジンモールド時のレジンの流出を抑止するダム
を設ける必要がなくなるという効果が得られる。

（３）上記（２）により、本発明のＺＩＰ型半導体装置
の製造方法にあっては、リードフレームにおいてはダム
を設けなくとも良くなることから、ダム切断の位置決め
余裕度を考慮に入れる必要もなくリードパターンが形成
できるため、リードピンチを極限まで狭くすることがで
きるという効果が得られる。

（４）上記（３）により、本発明によれば、リードピン
チの小さい半導体装置、たとえばＺＩＰ型半導体装置を
提供することができるという効果が得られる。

（５）上記（４）により、本発明によれば、リードピン
チの狭小化が図れることから、単位長さ当たりのリード
本数（ピン本数）の増大が可能となり多ピン化が達成で
きるという効果が得られる。

（６）上記（２）により、本発明のＺＩＰ型半導体装置
の製造にあっては、リードフレームにダムが設けられて
いないことから、モールド後ダムを切断する作業が不要
となり工数の低減が達成できるという効果が得られる。

（７）上記（６）により、本発明によればダム切断に派
生するトラブルが解消することから、品質の優れた半導
体装置を高歩留りで生産できるという効果が得られる。

（８）上記（１）〜（７）により、本発明によれば、リ
ードピッチの狭い半導体装置を安価に製造できるという
相乗効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、前記実施例に
おいて、モールド前にチップ２５とリード３の内端側（
インナーリード）をボ・ンティングによって絶縁性樹脂
で仮り封止し、その後、リード３の外端側（アウターリ
ード）を成形しても前記実施例同様な効果が得られる。

また、前記実施例では、リードの厚さを０゜２５ｍｍと
したが、薄くすればさらにリードピンチを小会くできる
。

第１１図は本発明の他の実施例による半導体装置の外観
を示す斜視図である。同図に示されるように、この例で
は矩形状のパンケージ２の周面４面からそれぞれ千鳥状
配列構造のリード３を突出させた半導体装置４６を示す
、この構造では、パンケージ２の４面からそれぞれリー
ド３が突出する構造となることから、面実装により基板
に実装される。この場合、二列のリード列において、上
列のリード３は、下列のリード３よりもパッケージ２か
ら長く突出させることによって、下列のリード３との接
触を防ぐことができ、高集積化が達成できる。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＺＩＰ型半導体装置
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。

本発明は少なくともリードフレーム等の精緻なパターン
に対してレジンモールドを行う技術には適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明によれば、ダムを設けないリードフレームを用い
てモールドが行えることから、リードフレーム形成時、
リードピッチを狭くすることができ、リードピッチの小
さいＺＩＰ型半導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるＺＩＰ型半導体装置の
製造におけるモールド状態を示す断面図、第２図は同じ
＜ＺＩＰ型半導体装置の外観を示す斜視図、 第３図は同じ＜ｚｒｐ型半導体装置の製造手順を示すフ
ローチャート、 第４図は同じくリードフレームを示す平面図、第５図は
同じくテープで各リードを連結支持するとともにチップ
ボンディング、ワイヤボンディングが成されたリードフ
レームを示す平面図、第６図は同じくリード外端が切断
された状態を示すリードフレームの平面図、 第７図は同じくリードの成形が行われた後モールドが成
されたリードフレームを示す平面図、第８図は同じくリ
ードの成形状態を示す斜視図、第９図は同じくモールド
型を示す正面図、第１θ図は同じく実装状態のＺＩＰ型
半導体装置を示す模式図である。 第１１図は本発明の他の実施例による半導体装置の外観
を示す斜視図である。 ｌ・・・ＺＩＰ型半導体装置、２・・・パッケージ、３
・・・リード、４・・・基板、１０・・・リードフレー
ム、ｌｌ・・・枠、１２・・・タイバー、１３・・・タ
ブ、１４．１５・・・タブ吊りリード、１６・・・支持
部、１７・・・モールド領域、１８・・・支持補助片、
１９・・・ガイド孔、２０・・・テープ、２５・・・半
導体素子（チップ）、２６・・・ワイヤ、２７・・・モ
ールド型、２８・・・下型、２９・・・上型、３０・・
・レジン、３１・・・ゲート、３２・・・キャビティ、
３３・・・エアーベント、４０．４１・・・歯、４２．
４３・・・締付部、４４．４５・・・受部、４６・・・
半導体装置。 第　　１ 図 第　　２　　図 １−　ＺＺＰ　型１４礫イ＄グｆ【 ２−ハ′１リケーシ ３ｏ−レジン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、パッケージと、このパッケージの少なくとも一面か
   ら突出する複数のリードとを有する半導体装置であって
   、前記リードはパッケージから突出する部分が多列構造
   となっていることを特徴とする半導体装置。 ２、前記リードはパッケージから突出する部分が二列の
   千鳥状配列構造となっていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、レジンの流出を防止するダムがなくかつタブ、リー
   ド、タブ吊りリードおよびこれらを連結支持する枠およ
   びタイバーからなるリードフレームを形成する工程と、
   前記タブ上に半導体素子を搭載するとともにこの半導体
   素子の電極とリードとをワイヤで接続する工程と、前記
   各リードが前記枠またはタイバーから切断されても各リ
   ードがばらばらとならないように各リードを絶縁体で連
   結する工程と、前記リードを前記枠またはタイバーから
   切断分離する工程と、前記リードを成形する工程と、前
   記リードの成形による屈曲部分をも含めてレジンでモー
   ルドしてリード内端、タブ、半導体素子等をパッケージ
   で封止する工程と、前記パッケージから突出する不要リ
   ードフレーム部分を切断する工程と、を有する半導体装
   置の製造方法。 ４、下型と上型とによってキャビティを形成するととも
   にこの下型と上型との間に被モールド物を型締めするモ
   ールド型であって、前記下型と上型のパーティング面は
   少なくともキャビティの一側面において屈曲した面とな
   っていることを特徴とするモールド型。 ５、前記下型と上型のパーティング面は相互に噛み合う
   歯を複数有するとともに、被モールド物に対面する部分
   では前記被モールド物の１面乃至３面に密着する構造と
   なっていることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
   のモールド型。 ６、前記被モールド物が半導体装置製造用のリードフレ
   ームである場合であって、前記リードフレームの各リー
   ドは前記歯の先端部と谷部間にそれぞれ挟持され、かつ
   各リードは千鳥状配列となるように構成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第５項記載のモールド型。 ７、前記キャビティから外方に延在する被モールド物部
   分の周面が上型と下型に密着するような形状となってい
   ることを特徴とするモールド型。