JP3209696B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
ジ型の電子部品の製造方法に関し、特に表面実装技術に
適合した電子部品の製造方法に関するものである。
図22は、半導体チップ(電子素子)を内蔵した従来の
表面実装型電子部品の外観を示している。図22の電子
部品70は、薄くかつ細長い第1〜第3リード71,7
2,73を有するものである。これら3本のリード7
1,72,73は、半導体チップを封止した直方体状の
樹脂74の対向二側面からそれぞれ水平方向に延出し、
かつ折り曲げ加工が施されてL字型に屈曲している。樹
脂74の底面寸法は1.6mm×0.8mmであり、樹
脂74からの3本のリード71,72,73の水平方向
の突出寸法は各々0.4〜0.6mmである。リードス
タンドオフ規格は、プリント基板への電子部品70の実
装の際のリード71,72,73の半田付け不良(半田
未付着)を防止すべく、樹脂74の底面がプリント基板
から0〜0.1mmだけ浮くことを要求している。
られる従来のリードフレームの平面図である。図23の
リードフレーム80は、均一な厚みを有する矩形の金属
板で構成されており、リード形成部81を外枠82で囲
んだものである。外枠82の対向二辺を連結するように
桟部83が形成され、かつ複数組のリード部71,7
2,73が外枠82の対向二辺からそれぞれ延出してい
る。該複数組のリード部71,72,73は、リードフ
レーム80の長手方向に沿って3.0〜4.0mmピッ
チで一次元配置されている。
立てプロセスは、ダイ・ボンディング工程と、ワイヤー
・ボンディング工程と、モールド封止工程と、バリ取り
工程と、外装処理工程と、トリミング工程と、フォーミ
ング工程とを含むものである。ダイ・ボンディング工程
では、図23のリードフレーム80のうちの個々の第1
リード部71の先端部上に、半導体チップが導電性接着
剤を用いて固定される。ワイヤー・ボンディング工程で
は、個々の半導体チップ上の2電極と第2及び第3リー
ド部72,73の各々の先端部との間がAuワイヤー
(金細線)で電気的に接続される。モールド封止工程で
は、トランスファ・モールドのための金型を用いて、個
々の半導体チップと、Auワイヤーと、リード部71,
72,73の先端部とが樹脂74で一体的に封止され
る。このモールド封止工程において上型と下型との間に
形成される複数のキャビティは、リードフレーム80の
長手方向に沿って一次元配置され、かつ互いに隔絶され
ている。すなわち、共通のランナーから個別のゲートを
介して各キャビティへ樹脂が注入される。モールド封止
工程完了後のリードフレーム80を図24に示す。バリ
取り工程では、モールド封止工程で金型とリードフレー
ム80との微細な隙間からリード部71,72,73の
上にはみ出した樹脂のバリが除去される。外装処理工程
では、個々の樹脂74から延出したリード部71,7
2,73に半田メッキ処理が施される。その前工程のバ
リ取りは、半田メッキ処理が円滑に行なわれるために不
可欠である。トリミング工程では、個々の電子部品70
を取り分けるように、リード部71,72,73が切断
される。フォーミング工程では、図22に示すように、
個々のリード71,72,73に所要の折り曲げ加工が
施される。
0は、樹脂74の側面から突出した細長いリード71,
72,73を有していた。したがって、個々の電子部品
70が半導体チップ(電子素子)に比べてかなり大きな
面積を占める結果、プリント基板への実装密度をあまり
上げられない問題があった。また、樹脂74から突出し
たリード71,72,73が脆弱であるため、プリント
基板への電子部品70の実装の際に予期しないリード変
形が生じ、その結果半田付け不良が発生することがあっ
た。
リ取り工程と、フォーミング工程とを必要とした。バリ
取り工程は、製品に何の付加価値をも生み出さないもの
であるので、省略が望まれる工程である。フォーミング
工程では、樹脂74から突出したリード71,72,7
3が脆弱であるため、予期しないリード変形や、リード
切れが発生する問題があった。また、フォーミング工程
でリードスタンドオフ規格を常に満たすことは難しく、
歩留まりの低下が問題となっていた。
のリード部71,72,73が大きいピッチで一次元配
置されていたので、1枚のリードフレーム80から取れ
る電子部品70の数が少なく、リードフレーム80を構
成する金属材料の利用効率が悪いという問題があった。
0に対応した大きいピッチで一次元配置された複数のキ
ャビティを上型と下型との間に形成するものであったの
で、1回のモールド封止工程で取れる電子部品70の数
が少なく、生産性が悪いという問題があった。
ング工程とを省略できる生産性の高い樹脂封止パッケー
ジ型電子部品の製造方法を提供することにある。
に、本発明の電子部品の製造方法は、リード部を有する
板状のリードフレームの上に電子素子を固定する工程
と、電子素子をリード部に電気的に接続する工程と、電
子素子とリード部とを樹脂で一体的に封止する工程と、
電子部品のパッケージ側面に樹脂切断面とリード切断面
とが同時に形成されるようにリードフレームを樹脂とと
もに切断する工程とを備えた構成を採用したものであ
る。この構成によれば、パッケージ側面に樹脂切断面と
リード切断面とが同時に形成されるので、バリ取り工程
を省略できる。また、従来とは違って細長いリードに折
り曲げ加工を施すフォーミング工程は不要であるから、
歩留まりが向上する。
複数の電子部品を効率良く製造するために、格子状に形
成された桟部と、該桟部により縦横に二次元配置された
複数の格子空間の各々へ延出する複数組のリード部とを
有する板状のリードフレームの上において、複数の電子
素子を各々前記複数の格子空間のうちの対応する格子空
間に固定する工程と、前記複数の電子素子の各々を前記
複数組のリード部のうちの対応するリード部に電気的に
接続する工程と、前記複数の電子素子と、前記複数組の
リード部とを樹脂部で樹脂封止するとともに、前記樹脂
部が樹脂で連結されるように前記桟部を付加的な樹脂部
で樹脂封止する工程と、前記リードフレームの前記複数
組のリード部が前記桟部からそれぞれ切り離されるよう
に、かつ前記複数の電子部品の個々のパッケージ側面に
樹脂切断面とリード切断面とが同時に形成されるよう
に、前記付加的な樹脂部を挟んで互いに隣接する前記樹
脂部の間を切断する工程とを備えた方法を採用し、前記
樹脂部と前記付加的な樹脂部の間の樹脂には溝底幅より
広い上溝幅を有する複数の溝が形成され、当該複数の溝
が前記切断工程におけるダイシングのための刃をガイド
することとする。
明の具体例を詳細に説明する。
子部品の外観及び内部構造を示している。図1は平面
図、図2は正面図、図3はIII−III断面図、図4
はIV−IV断面図である。図1〜図4の電子部品10
は、第1〜第3リード11,12,13と、半導体チッ
プ(電子素子)15と、樹脂18とを有するものであ
る。直方体状の樹脂18の底面寸法は1.6mm×0.
8mmであり、第1〜第3リード11,12,13の長
さはいずれも0.65mmである。
0.2mm、厚さ0.2mmの厚肉部11aと、長さ
0.5mm、幅0.5mm、厚さ0.1mmの薄片部1
1bとを備えている。0.1mmの段差は第1リード1
1の底面側に形成されており、該第1リード11の上面
は平坦である。樹脂18からの第1リード11の抜け出
しを防止するように、薄片部11bの上面(0.5mm
×0.5mm)は、厚肉部11aより幅広に形成されて
おり、かつ半導体チップ15より大きい面積を有する。
薄片部11bの上には、半導体チップ15が導電性接着
剤14を用いて固定されている。これにより、半導体チ
ップ15の裏面が第1リード11に電気的に接続されて
いる。厚肉部11aの側面(0.2mm×0.2mm)
は、樹脂18の一側面の切断と同時に該樹脂側面の下端
部に同切断により形成されて、該樹脂側面と同等面に露
出している。
0.2mm、厚さ0.2mmの厚肉部12aと、長さ
0.5mm、幅0.3mm、厚さ0.1mmの薄片部1
2bとを備えている。第3リード13も同様に、長さ
0.15mm、幅0.2mm、厚さ0.2mmの厚肉部
13aと、長さ0.5mm、幅0.3mm、厚さ0.1
mmの薄片部13bとを備えている。0.1mmの段差
は第2及び第3リード12,13の底面側にそれぞれ形
成されており、該第2及び第3リード12,13の上面
は平坦である。樹脂18からの第2及び第3リード1
2,13の抜け出しを防止するように、第2及び第3リ
ードの各々の薄片部12b,13bの上面は、厚肉部1
2a,13aより幅広に形成されている。更に、薄片部
12b,13bは、樹脂18からのリード抜け防止手段
となる切り欠き12c,13cをそれぞれ有する。両切
り欠き12c,13cの深さは0.08mmである。厚
肉部12a,13aの側面(0.2mm×0.2mm)
は、樹脂18の他の側面の切断と同時に該樹脂側面の下
端部に同切断により形成されて、該樹脂側面と同等面に
それぞれ露出している。また、半導体チップ15の上の
2電極と第2及び第3リードの各々の薄片部12b,1
3bとの間がAuワイヤー16,17で電気的に接続さ
れている。なお、第1〜第3リード11,12,13
は、いずれも切断が容易な柔らかい材料、例えばFeN
i合金、Cu、Alのうちのいずれかで構成されてい
る。
2,13の大部分と、半導体チップ15と、Auワイヤ
ー16,17とを封止している。樹脂上面の周縁部18
aには、面取り成形が施されている。また、樹脂上面の
一隅には、直径0.2〜0.3mmの凹部が極性マーク
18bとして形成されている。第1〜第3リードの各々
の厚肉部11a,12a,13aの底面(0.15mm
×0.2mm)は、いずれも樹脂底面18cから露出
し、かつリードスタンドオフ規格を満たすように0.0
3〜0.05mmだけ突出している。この突出寸法は個
々のリードの厚肉部11a,12a,13aと薄片部1
1b,12b,13bとの厚みの差、すなわち0.1m
mより小さいので、第1〜第3リードの各々の薄片部1
1b,12b,13bの底面は樹脂18で完全に覆われ
ている。なお、第1〜第3リード11,12,13の各
々の露出面には半田メッキ処理が施されている。半田の
メッキ膜厚は、4〜15μmが適当である。
への実装に際して、個々のリードの厚肉部11a,12
a,13aの側面と底面とで構成された角部が外部接続
に供される。この角部には半田メッキ処理が施されてい
るので、実装の際の半田濡れ性が良い。また、この電子
部品10がプリント基板上に占める面積は、樹脂底面1
8cの面積と同等である。したがって、プリント基板へ
の実装密度を高めることができる。しかも、実装の際に
リード変形が生じるおそれもない。
用いられるリードフレームを示している。図5は平面
図、図6は拡大平面図、図7はVII−VII断面図、
図8はVIII−VIII断面図である。図5〜図8の
リードフレーム30は、矩形の金属板で構成されてお
り、リード形成部31を外枠32で囲んだものである。
外枠32の寸法は、縦20mm、横50mm、厚さ0.
2mmである。外枠32は、図5に示すように、直径1
mmの位置決め用の穴33を四隅に、直径2mmの7個
の送り穴34を一長辺にそれぞれ備えている。
示すように、外枠32の上下二長辺を連結する縦桟部3
5と、該外枠32の左右二短辺を連結する横桟部36と
を備えている。縦桟部35及び横桟部36の寸法は、幅
0.2mm、厚さ0.2mmである。これら縦桟部35
及び横桟部36は、11行20列に二次元配置された2
20個の格子空間を形成している。格子空間のピッチ
は、縦1.3mm、横2.1mmである。該220個の
格子空間の各々へ、第1〜第3リード部11,12,1
3がそれぞれ延出している。つまり、220組のリード
部11,12,13が、縦1.3mm、横2.1mmの
ピッチで二次元配置されている。このリードピッチは、
従来の1/2〜1/3である。第1リード部11は外枠
32及び横桟部36から下方へ、第2及び第3リード部
12,13は外枠32及び横桟部36から上方へそれぞ
れ0.8mmだけ延出している。
m、幅0.2mm、厚さ0.2mmの基端部11aと、
長さ0.5mm、幅0.5mm、厚さ0.1mmの先端
部11bとを備えている。0.1mmの段差は、第1リ
ード部11の底面側に形成されている。先端部11bの
上面(0.5mm×0.5mm)は、基端部11aの上
面より幅広に形成されている。
m、幅0.2mm、厚さ0.2mmの基端部12aと、
長さ0.5mm、幅0.3mm、厚さ0.1mmの先端
部12bとを備えている。個々の第3リード部13も同
様に、長さ0.3mm、幅0.2mm、厚さ0.2mm
の基端部13aと、長さ0.5mm、幅0.3mm、厚
さ0.1mmの先端部13bとを備えている。0.1m
mの段差は、第2及び第3リード部12,13の底面側
にそれぞれ形成されている。第2及び第3リード部の各
々の先端部12b,13bの上面は、基端部12a,1
3aの上面より幅広に形成されている。しかも、第2及
び第3リード部の各々の先端部12b,13bは、深さ
0.08mmの切り欠き12c,13cをそれぞれ有す
る。
の底面側の段差は、コイニング、エッチング又はプレス
により形成可能である。上記7個の送り穴34は、11
行20列の格子空間の左から第2、5、8、11、1
3、16及び19番目の列に対応する位置に設けられて
いる(図5参照)。
1枚のリードフレーム30の上に220組のリード部1
1,12,13を密に二次元配置することができる。し
たがって、1枚のリードフレーム30から取れる電子部
品10の数が従来に比べて増加し、リードフレーム30
を構成する金属材料の利用効率が向上する。
立てプロセスは、ダイ・ボンディング工程と、ワイヤー
・ボンディング工程と、モールド封止工程と、ダイシン
グ工程(切断工程)と、外装処理工程とを含むものであ
る。ダイ・ボンディング工程では、上記リードフレーム
30のうちの第1リード部11の先端部11bの上に、
半導体チップ15が導電性接着剤14を用いて固定され
る。ワイヤー・ボンディング工程では、半導体チップ1
5の上の2電極と第2及び第3リード部12,13の各
々の先端部12b,13bとの間がAuワイヤー16,
17で電気的に接続される。これらダイ・ボンディング
工程及びワイヤー・ボンディング工程では、220個の
半導体チップ15を1枚のリードフレーム30の上に搭
載すべく、該リードフレームの外枠32に設けられた送
り穴34が用いられる。モールド封止工程では、トラン
スファ・モールドのための金型を用いて、リード部1
1,12,13の大部分と、半導体チップ15と、Au
ワイヤー16,17とが樹脂18で一体的に封止され
る。
のモールド封止工程完了後の状態を示している。図9は
平面図、図10は拡大平面図、図11はXI−XI断面
図、図12はXII−XII断面図である。図9におい
て、41は樹脂注入のための10個の共通ゲートを、4
2は上下金型により成形されたモールド部をそれぞれ示
している。10個の共通ゲート41は、リードフレーム
30の11行20列の格子空間の左から第1、3、5、
7、9、12、14、16、18及び20番目の列に対
応する位置に設けられる。
細を示すように、リード部11,12,13の大部分
と、半導体チップ15と、Auワイヤー16,17とを
封止した樹脂18が個々の格子空間に成形されるのと同
時に、縦桟部35及び横桟部36の上に付加的な樹脂4
3,44,45が成形される。付加的な樹脂43,4
4,45は、封止樹脂18と同等の高さを有するもので
ある。個々の封止樹脂18は、付加的な樹脂43,4
4,45を介して縦横に互いに連結されており、周縁部
18aに面取り成形が施され、かつ上平面の一隅に直径
0.2〜0.3mmの極性マーク18bが形成されてい
る。縦桟部35の上に凸条として形成された付加的な樹
脂43は、周縁部に面取り成形が施され、かつ上平面の
幅が縦桟部35の幅(0.2mm)と一致するようにな
っている。つまり、付加的な樹脂43を挟んで互いに隣
接する2個の封止樹脂18の間には、各々溝底幅より広
い上溝幅を有する2本の溝が縦桟部35に沿って形成さ
れている。横桟部36の上に凸条として形成された付加
的な樹脂44も同様に、周縁部に面取り成形が施され、
かつ上平面の幅が横桟部36の幅(0.2mm)と一致
するようになっている。つまり、付加的な樹脂44を挟
んで互いに隣接する2個の封止樹脂18の間には、各々
溝底幅より広い上溝幅を有する2本の溝が横桟部36に
沿って形成されている。縦桟部35と横桟部36との交
差箇所の上に形成された付加的な樹脂45は、周縁部に
面取り成形が施され、上平面の寸法が0.2mm×0.
2mmとなっている。なお、図10〜図12は、リード
フレームの外枠32の上にも一連の付加的な樹脂43,
44,45が成形された例を示している。
に用いられる上型51及び下型52が示されている。下
型52は、縦横に二次元配置された220個の半導体チ
ップ15を搭載したリードフレーム30が載置されるも
のである。この下型52の成形面には、第1〜第3リー
ド部の各々の基端部11a,12a,13aの底面
(0.3mm×0.2mm)と、外枠32、縦桟部35
及び横桟部36の各々の底面とが樹脂底面18cから
0.03〜0.05mmだけ突出できるように、多数の
凹部が設けられている。上型51と下型52との間に
は、封止樹脂18の成形のための縦横に二次元配置され
た220個のキャビティと、付加的な樹脂43,44,
45の成形のための該キャビティと同等の高さを有する
空間とが形成される。これらの空間を介して、220個
のキャビティは縦横に互いに連結されている。上型51
の成形面には、個々のキャビティの大部分と該キャビテ
ィの連結空間の大部分とを形成できる深さをそれぞれ有
する多数の凹部が設けられている。共通のランナーから
前記10個の共通ゲート41を介して注入された樹脂
は、全てのキャビティ及び該キャビティの連結空間に容
易に充填される。個々の共通ゲート41は、角度30
°、寸法0.4mm×0.2mmである。なお、上型5
1及び下型52のうちの少なくとも一方は、リードフレ
ームの外枠32に設けられた位置決め用の穴33に嵌入
されるピン(不図示)を備えている。これにより、金型
に対するリードフレーム30の位置ずれを防止できる。
体チップ15と220組の第1〜第3リード部11,1
2,13とが一括して樹脂封止される。したがって、1
回のモールド封止工程で取れる電子部品10の数が従来
に比べて増加し、生産性が向上する。なお、上型51を
取り替えるだけで、封止樹脂18の大部分の外観を任意
に変更できる。
の半導体チップ15に対応した2個の電子部品10の各
々のパッケージ側面に樹脂切断面とリード切断面とが同
時に形成されるように、0.5mmの幅を有する1枚の
刃でリードフレーム30が樹脂18,43,44,45
とともに切断される。刃の幅は、リードフレームの縦桟
部35及び横桟部36の幅(0.2mm)より0.3m
mだけ広くなっている。図10〜図12中のW1及びW
2は、0.5mmのカット幅を示している。リードフレ
ームの外枠32に設けられた位置決め用の穴33は、カ
ット位置の認識に用いられる。また、付加的な樹脂4
3,44,45の各々の上面(幅0.2mm)はカット
幅W1,W2の中心に位置しており、面取りによって縦
横に形成された溝がダイシングのための刃をその進行方
向にガイドする。その結果、1.6mm×0.8mmの
底面寸法を有する直方体状の樹脂18と、各々0.65
mmの長さを有する第1〜第3リード11,12,13
とを備えた個々の電子部品10が取り分けられる。この
際、リードフレーム30において、個々のリード部の基
端部11a,12a,13aのうちの長さ0.15mm
の基部はそれぞれ切り捨てられる。したがって、樹脂1
8の一側面の下端部に第1リード11の切断面(0.2
mm×0.2mm)が該側面と同等面に露出し、かつ該
樹脂18の対向側面の下端部に第2及び第3リード1
2,13の各々の切断面(0.2mm×0.2mm)が
該対向側面と同等面に露出する。また、パッケージ底面
には、第1〜第3リード11,12,13の各々の突出
面(0.15mm×0.2mm)がそれぞれ形成され
る。なお、第1〜第3リード部11,12,13を含む
リードフレーム30に前記のような切断が容易な柔らか
い材料を採用すれば、ダイシングのための刃の磨耗が軽
減される結果、カット幅の変動やカット速度の低減が抑
制される。
1,12,13の各々の露出面に、膜厚4〜15μmの
半田メッキ処理が施される。この結果、パッケージ側面
に形成された第1〜第3リード11,12,13の各々
の切断面(0.2mm×0.2mm)と、パッケージ底
面に形成された第1〜第3リード11,12,13の各
々の突出面(0.15mm×0.2mm)とにそれぞれ
半田膜が形成される。なお、半田メッキ処理に代えて他
の種類のメッキ処理を採用してもよい。また、リードフ
レーム30の材質によっては、メッキ処理を省略でき
る。
ッケージ側面に樹脂切断面とリード切断面とが同時に形
成されるので、バリ取り工程を省略できる。また、従来
とは違って細長いリードに折り曲げ加工を施すフォーミ
ング工程は不要であるから、歩留まりが向上する。
観を図13及び図14に示す。図13の電子部品20
は、樹脂上面の周縁部18aに面取りに代えて段差を設
けたものである。前述のように、モールド封止工程にお
いて上型51を取り替えるだけで、樹脂18の外観を任
意に変更できる。図14の電子部品21は、樹脂18を
完全な直方体形状とし、かつ個々のリードの厚肉部11
a,12a,13aの底面を樹脂底面18cと同等面に
それぞれ露出させたものである。この場合には、下型5
2の成形面は平坦でよい。図14の構成でも、第1〜第
3リード11,12,13の各々の露出面に膜厚4〜1
5μmの半田メッキ処理を施せば、リードスタンドオフ
規格を満たすことができる。ただし、図1〜図4の電子
部品10又は図13の電子部品20によれば、樹脂上面
の周縁部18aに面取り又は段差が設けられているの
で、樹脂18の4側面の切断に際し、図14の電子部品
21の場合に比べて切断すべき樹脂厚が小さく、好都合
である。
ド厚肉部11a,12a,13aの底面を樹脂底面18
cと同等面にそれぞれ露出させることとする場合には、
特にリードフレームの中央部において、モールド封止工
程で注入された樹脂が下型の平坦な成形面とリード厚肉
部11a,12a,13aの底面との間に侵入するおそ
れがある。図15及び図16は、その解決策の例を示し
ている。図15の電子部品22は、樹脂底面18cにT
字状の溝18dを設けたものである。図16の電子部品
23は、樹脂底面18cに3個のU字溝18e,18
f,18gを設けたものである。これらの溝18e,1
8f,18gは、個々のリード厚肉部11a,12a,
13aの露出底面を取り囲むようにそれぞれ形成されて
いる。これらの例によれば、モールド封止工程におい
て、溝18d,18e,18f,18gの各々に対応し
た下型の凸条が樹脂圧力を低減するので、上記樹脂の侵
入を防止できる。
表面実装型電子部品の外観及び内部構造を示している。
図17は正面図、図18はXVIII−XVIII断面
図、図19はXIX−XIX断面図である。図17〜図
19の電子部品24は、樹脂上面の周縁部18aに面取
り成形を施し、かつ個々のリード厚肉部11a,12
a,13aの底面を樹脂底面18cと同等面にそれぞれ
露出させたものである。この電子部品24の樹脂側面
は、ダイシング工程で該樹脂側面の下端部にリード切断
面と同時に形成された切断面18xと、モールド封止工
程で形成された非切断面18yとで構成されている。樹
脂側面の切断面18xは樹脂底面18cに対して垂直で
あり、かつその一部は共通ゲート切断面18zである。
共通ゲート切断面18zは、第2及び第3リード厚肉部
12a,13aの各々の切断側面の間に位置している。
樹脂側面の非切断面18yは、金型から封止樹脂18を
容易に抜き出せるように、樹脂底面18cに対して3°
だけ傾斜がつけられている。なお、第1〜第3リード1
1,12,13の各々の露出面には半田メッキ処理が施
されている。図5〜図8のリードフレーム30は、この
電子部品24の製造にも用いられる。
係るモールド封止工程完了後の状態を示しており、図1
1及び図12にそれぞれ対応している。図20及び図2
1において、51は上型を、52は下型を、41は樹脂
注入のための共通ゲートをそれぞれ示している。上型5
1と下型52との間には、封止樹脂18の成形のための
縦横に二次元配置された220個のキャビティが形成さ
れる。ただし、これらのキャビティは、共通ゲート41
を介して列方向にのみ互いに連結されている。共通ゲー
ト41は、11行20列のキャビティの各列に対応する
位置に設けられるのである。下型52の成形面は平坦で
ある。したがって、注入樹脂の侵入を防止してリード底
面を保護するために、下型52とリードフレームとの間
に弾性シート53が挟み込まれる。この際、個々の電子
部品の第2及び第3リード部の基端部12a,13a
が、共通ゲート41から離れた位置で上型51により押
さえられる。したがって、樹脂圧力によっては、弾性シ
ート53を使用しなくても注入樹脂の侵入を防止でき
る。
の下端部に第1リード11の切断面が樹脂切断面18x
と同等面に露出し、かつ該樹脂18の対向側面の下端部
に第2及び第3リード12,13の各々の切断面が樹脂
切断面18xと同等面に露出している。また、第1〜第
3リード11,12,13の各々の底面が樹脂底面18
cと同等面に露出するように、モールド封止がなされて
いる。しかも、各リード11,12,13の露出切断面
と露出底面とが連続しており、ここに外部接続のための
リード角部が形成されている。したがって、上記電子部
品24は表面実装技術に最適な超小型の部品である。
(電子素子)15と第2及び第3リード12,13との
電気接続は、Auワイヤー16,17による接続に限ら
ない。板状のリードフレーム30に代えて、同様のリー
ド部を絶縁性基板にパターニングしたものを使用しても
よい。上記各例において、第1〜第3リード11,1
2,13の各々の露出底面にのみ半田メッキ処理を施す
こととしてもよい。
半導体チップ15に代えて、任意の電子素子を本発明の
電子部品10,20,21,22,23,24に内蔵さ
せることもできる。
部品の製造方法によれば、電子部品のパッケージ側面に
樹脂切断面とリード切断面とが同時に形成されるように
リードフレームを樹脂とともに切断する構成を採用し、
しかも樹脂で連結されるように 一括成型された複数個の
電子部品を切り分ける際に、樹脂の溝に沿ってリードフ
レームを樹脂とともに切断することとしたので、従来の
バリ取り工程とフォーミング工程とを省略でき、かつ生
産性が向上する。
ームの平面図である。
である。
後の平面図である。
である。
る。
る。
る。
る。
る。
断面図である。
断面図である。
完了後の平面図である。
き) 13 第3リード(第3リード部) 13a 第3リードの厚肉部(第3リード部の基端部) 13b 第3リードの薄片部(第3リード部の先端部) 13c 第3リードの切り欠き(第3リード部の切り欠
き) 14 導電性接着剤 15 半導体素子(電子素子) 16,17 Auワイヤー 18 樹脂 18a 樹脂上面の周縁部 18b 樹脂上面の極性マーク 18c 樹脂底面 18d,18e,18f,18g 樹脂底面の溝 18x 樹脂側面の切断面 18y 樹脂側面の非切断面 18z 樹脂側面の共通ゲート切断面 20,21,22,23,24 電子部品 30 リードフレーム 31 リード形成部 32 外枠 33 位置決め用の穴 34 送り穴 35 縦桟部 36 横桟部 41 共通ゲート 42 モールド部 43,44,45 ダイシング刃のガイド用樹脂 51 上型 52 下型 53 弾性シート 70 電子部品 71 第1リード(第1リード部) 72 第2リード(第2リード部) 73 第3リード(第3リード部) 74 樹脂 80 リードフレーム 81 リード形成部 82 外枠 83 桟部 W1,W2 カット幅
Claims (7)
- 【請求項1】 樹脂封止パッケージ型の複数の電子部品
を製造するための方法であって、 格子状に形成された桟部と、該桟部により縦横に二次元
配置された複数の格子空間の各々へ延出する複数組のリ
ード部とを有する板状のリードフレームの上において、
複数の電子素子を各々前記複数の格子空間のうちの対応
する格子空間に固定する工程と、 前記複数の電子素子の各々を前記複数組のリード部のう
ちの対応するリード部に電気的に接続する工程と、 前記複数の電子素子と、前記複数組のリード部とを樹脂
部で樹脂封止するとともに、前記樹脂部が樹脂で連結さ
れるように前記桟部を付加的な樹脂部で樹脂封止する工
程と、 前記リードフレームの前記複数組のリード部が前記桟部
からそれぞれ切り離されるように、かつ前記複数の電子
部品の個々のパッケージ側面に樹脂切断面とリード切断
面とが同時に形成されるように、前記付加的な樹脂部を
挟んで互いに隣接する前記樹脂部の間を切断する工程と
を備え、 前記樹脂部と前記付加的な樹脂部の間の樹脂には溝底幅
より広い上溝幅を有する複数の溝が形成され、当該複数
の溝が前記切断工程におけるダイシングのための刃をガ
イドする ことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記複数の溝は、少なくとも前記複数の電子部品の前記
樹脂切断面とリード切断面との同時形成位置にそれぞれ
形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記複数の溝は、前記リードフレームの桟部に沿って縦
横に形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記複数の溝の各々は、少なくとも2本の互いに並行な
細溝であることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記切断工程における刃の位置決めのための複数の凸条
を前記リードフレームの桟部に沿って前記樹脂の表面に
形成する工程を備えたことを特徴とする電子部品の製造
方法。 - 【請求項6】 請求項5記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記複数の凸条は、前記リードフレームの桟部に沿って
縦横に形成されることを特徴とする電子部品の製造方
法。 - 【請求項7】 請求項5記載の電子部品の製造方法にお
いて、 前記複数の凸条の各々の最大幅は、前記桟部の幅より広
いことを特徴とする電子部品の製造方法。
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