JPH1126670A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム - Google Patents
半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレームInfo
- Publication number
- JPH1126670A JPH1126670A JP9189274A JP18927497A JPH1126670A JP H1126670 A JPH1126670 A JP H1126670A JP 9189274 A JP9189274 A JP 9189274A JP 18927497 A JP18927497 A JP 18927497A JP H1126670 A JPH1126670 A JP H1126670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tie
- bar cutting
- lead
- semiconductor device
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＺＩＰ・ＩＣの蟹足を防止する。
【解決手段】 ＺＩＰ・ＩＣ３２の製造方法において、
アウタリード２０Ｌ、２０Ｓ群に複数段のタイバーを互
いに平行に架設しておき、アウタリード２０Ｌ、２０Ｓ
の屈曲成形に際し、各タイバーを隣合うアウタリード間
で切断し、各タイバー切断痕１５Ａ、１６Ａ、１７Ａに
て屈曲させる。アウタリード２０Ｌ、２０Ｓは両脇のタ
イバーを対称形に均等に切断されるため、アウタリード
のタイバーの両脇の切断痕１５Ａ、１６Ａ、１７Ａは対
称形に形成された状態になる。アウタリードがタイバー
切断痕１５Ａ、１６Ａ、１７Ａにて屈曲されると、アウ
タリードはそれ自体の中心線に沿って適正に屈曲された
状態になる。その結果、アウタリード群が蟹足状態に成
形されるのを防止できる。 【効果】 蟹足の防止でＺＩＰ・ＩＣをプリント配線基
板に適正に実装できる。
アウタリード２０Ｌ、２０Ｓ群に複数段のタイバーを互
いに平行に架設しておき、アウタリード２０Ｌ、２０Ｓ
の屈曲成形に際し、各タイバーを隣合うアウタリード間
で切断し、各タイバー切断痕１５Ａ、１６Ａ、１７Ａに
て屈曲させる。アウタリード２０Ｌ、２０Ｓは両脇のタ
イバーを対称形に均等に切断されるため、アウタリード
のタイバーの両脇の切断痕１５Ａ、１６Ａ、１７Ａは対
称形に形成された状態になる。アウタリードがタイバー
切断痕１５Ａ、１６Ａ、１７Ａにて屈曲されると、アウ
タリードはそれ自体の中心線に沿って適正に屈曲された
状態になる。その結果、アウタリード群が蟹足状態に成
形されるのを防止できる。 【効果】 蟹足の防止でＺＩＰ・ＩＣをプリント配線基
板に適正に実装できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、リード成形技術に関し、例えば、ジグザグ
・インライン・パッケージ（ｚｉｇｚａｇ ｉｎ−ｌｉ
ｎｅ ｐａｃｋａｇｅ。以下、ＺＩＰという。）を備え
ている半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）に利
用して有効な技術に関する。
技術、特に、リード成形技術に関し、例えば、ジグザグ
・インライン・パッケージ（ｚｉｇｚａｇ ｉｎ−ｌｉ
ｎｅ ｐａｃｋａｇｅ。以下、ＺＩＰという。）を備え
ている半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）に利
用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】高い放熱性を確保するパワーＩＣとし
て、フィン付きシングル・インライン・プラスチック・
パッケージを備えているパワーＩＣ（以下、フィン付き
パワーＩＣという。）がある。一般に、フィン付きパワ
ーＩＣは半導体ペレット（以下、ペレットという。）が
放熱体にボンディングされており、このペレットに電気
的に接続されているインナリード群が放熱体に若干の間
隙をもって対向するように配置されており、ペレットお
よびインナリード群が樹脂封止体によって樹脂封止され
ている。このようなフィン付きパワーＩＣにおいてはピ
ン数（アウタリード数）が増加すると、実装密度を高め
るために、ＺＩＰの採用が必要になる。
て、フィン付きシングル・インライン・プラスチック・
パッケージを備えているパワーＩＣ（以下、フィン付き
パワーＩＣという。）がある。一般に、フィン付きパワ
ーＩＣは半導体ペレット（以下、ペレットという。）が
放熱体にボンディングされており、このペレットに電気
的に接続されているインナリード群が放熱体に若干の間
隙をもって対向するように配置されており、ペレットお
よびインナリード群が樹脂封止体によって樹脂封止され
ている。このようなフィン付きパワーＩＣにおいてはピ
ン数（アウタリード数）が増加すると、実装密度を高め
るために、ＺＩＰの採用が必要になる。
【０００３】なお、フィン付きパワーＩＣを述べてある
例としては、特開平６−４５４７５号公報、がある。
例としては、特開平６−４５４７５号公報、がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たフィン付きパワーＩＣにおいてＺＩＰを採用した場合
には、アウタリードのジグザグ成形時に捩れ現象が発生
するため、アウタリードが不適性に成形されて所謂蟹足
と称される状態に不良成形されてしまうという問題点が
あることが、本発明者によって明らかにされた。
たフィン付きパワーＩＣにおいてＺＩＰを採用した場合
には、アウタリードのジグザグ成形時に捩れ現象が発生
するため、アウタリードが不適性に成形されて所謂蟹足
と称される状態に不良成形されてしまうという問題点が
あることが、本発明者によって明らかにされた。
【０００５】本発明の目的は、蟹足状態等の不良成形を
防止することができる半導体装置およびその製造技術を
提供することにある。
防止することができる半導体装置およびその製造技術を
提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【０００８】すなわち、半導体装置の製造方法は、アウ
タリード群に複数段のタイバーを互いに平行に架設して
おき、アウタリードの屈曲成形に際して、前記各タイバ
ーを隣合うアウタリード間でそれぞれ切断するととも
に、各切断箇所でそれぞれ屈曲させることを特徴とす
る。
タリード群に複数段のタイバーを互いに平行に架設して
おき、アウタリードの屈曲成形に際して、前記各タイバ
ーを隣合うアウタリード間でそれぞれ切断するととも
に、各切断箇所でそれぞれ屈曲させることを特徴とす
る。
【０００９】前記した手段において、アウタリードは両
脇のタイバーを対称形に均等に切断されるため、アウタ
リードのタイバーの両脇の切断痕は対称形にそれぞれ形
成された状態になる。そして、アウタリードがタイバー
切断痕において屈曲されると、アウタリードはそのアウ
タリード自体の中心線に沿って適正に屈曲された状態に
なる。その結果、アウタリード群が蟹足状に成形される
のを防止することができる。
脇のタイバーを対称形に均等に切断されるため、アウタ
リードのタイバーの両脇の切断痕は対称形にそれぞれ形
成された状態になる。そして、アウタリードがタイバー
切断痕において屈曲されると、アウタリードはそのアウ
タリード自体の中心線に沿って適正に屈曲された状態に
なる。その結果、アウタリード群が蟹足状に成形される
のを防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
フィン付きパワーＩＣを示しており、（ａ）は一部切断
正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図で
ある。図２以降はその製造方法を説明するための各説明
図である。
フィン付きパワーＩＣを示しており、（ａ）は一部切断
正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図で
ある。図２以降はその製造方法を説明するための各説明
図である。
【００１１】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、ＺＩＰを備えているフィン付きパワーＩＣ（以
下、ＺＩＰ・ＩＣという。）として構成されている。Ｚ
ＩＰ・ＩＣ３２は、高出力の集積回路が作り込まれてい
る半導体ペレット（以下、ペレットという。）２６と、
ペレット２６がボンディングされている放熱体２２と、
ペレット２６に電気的に接続されているインナリード１
９群と、各インナリード１９にそれぞれ一体的に連結さ
れているアウタリード２０群と、樹脂封止体３０とを備
えており、放熱体２２の一部であるヘッダ部２３が樹脂
封止体３０の側面から露出されている。アウタリード２
０群は第１段タイバー切断痕１５Ａ、第２段タイバー切
断痕１６Ａ、第３段タイバー切断痕１７Ａにおいてそれ
ぞれ略クランク形状に屈曲されて、ジグザグ形状に配列
されている。
装置は、ＺＩＰを備えているフィン付きパワーＩＣ（以
下、ＺＩＰ・ＩＣという。）として構成されている。Ｚ
ＩＰ・ＩＣ３２は、高出力の集積回路が作り込まれてい
る半導体ペレット（以下、ペレットという。）２６と、
ペレット２６がボンディングされている放熱体２２と、
ペレット２６に電気的に接続されているインナリード１
９群と、各インナリード１９にそれぞれ一体的に連結さ
れているアウタリード２０群と、樹脂封止体３０とを備
えており、放熱体２２の一部であるヘッダ部２３が樹脂
封止体３０の側面から露出されている。アウタリード２
０群は第１段タイバー切断痕１５Ａ、第２段タイバー切
断痕１６Ａ、第３段タイバー切断痕１７Ａにおいてそれ
ぞれ略クランク形状に屈曲されて、ジグザグ形状に配列
されている。
【００１２】ＺＩＰ・ＩＣは以下に説明される製造方法
によって製造されている。以下、本発明の一実施形態で
あるＺＩＰ・ＩＣの製造方法を説明する。この説明によ
り、前記ＺＩＰ・ＩＣの構成の詳細が明らかにされる。
によって製造されている。以下、本発明の一実施形態で
あるＺＩＰ・ＩＣの製造方法を説明する。この説明によ
り、前記ＺＩＰ・ＩＣの構成の詳細が明らかにされる。
【００１３】本実施形態において、ＺＩＰ・ＩＣの製造
方法には、図２に示されている多連リードフレーム１１
が使用される。多連リードフレーム１１は銅系材料や鉄
系材料等の導電性を有する板材が使用されて、プレス加
工やエッチング加工によって略長方形の板形状に一体成
形されている。多連リードフレーム１１は実質的に同一
のパターンに形成された単位リードフレーム１２が複数
個、一方向に繰り返すように隣り合わせに並べられて連
設されている。但し、以下の説明並びに図面において
は、繰り返しが理解される一単位のみが示されている。
これは他の構成についても同様である。
方法には、図２に示されている多連リードフレーム１１
が使用される。多連リードフレーム１１は銅系材料や鉄
系材料等の導電性を有する板材が使用されて、プレス加
工やエッチング加工によって略長方形の板形状に一体成
形されている。多連リードフレーム１１は実質的に同一
のパターンに形成された単位リードフレーム１２が複数
個、一方向に繰り返すように隣り合わせに並べられて連
設されている。但し、以下の説明並びに図面において
は、繰り返しが理解される一単位のみが示されている。
これは他の構成についても同様である。
【００１４】単位リードフレーム１２は細長い板形状に
形成された外枠１３を備えており、外枠１３の両端部に
は一対のセクション枠１４、１４が直角に突設されてい
る。両セクション枠１４、１４間には第１段タイバー１
５、第２段タイバー１６および第３段タイバー１７が外
枠１３と平行にそれぞれ架設されている。外枠１３から
最も離れた位置の第１段タイバー１５の外枠１３と反対
側の端辺にはインナリード１９が複数本、長手方向に等
間隔に配置されて直角にそれぞれ突設されており、各イ
ンナリード１９の先端部はペレット配置空所１８を取り
囲むようにそれぞれ配線されている。
形成された外枠１３を備えており、外枠１３の両端部に
は一対のセクション枠１４、１４が直角に突設されてい
る。両セクション枠１４、１４間には第１段タイバー１
５、第２段タイバー１６および第３段タイバー１７が外
枠１３と平行にそれぞれ架設されている。外枠１３から
最も離れた位置の第１段タイバー１５の外枠１３と反対
側の端辺にはインナリード１９が複数本、長手方向に等
間隔に配置されて直角にそれぞれ突設されており、各イ
ンナリード１９の先端部はペレット配置空所１８を取り
囲むようにそれぞれ配線されている。
【００１５】第１段タイバー１５の外枠１３側の端辺に
はアウタリード２０がインナリード１９と同数本、各イ
ンナリード１９とそれぞれ連続するように配置されて直
角に突設されており、各アウタリード２０の先端部は外
枠１３にそれぞれ連結されている。第１段タイバー１５
における隣合うアウタリード２０、２０間の部分によっ
てダム１５ａがそれぞれ構成されている。第２段タイバ
ー１６および第３段タイバー１７は各アウタリード２０
に両脇から直角に一体的にそれぞれ接続した状態になっ
ている。両セクション枠１４、１４には放熱体２２を連
結するための放熱体連結部２１がそれぞれ突設されてい
る。
はアウタリード２０がインナリード１９と同数本、各イ
ンナリード１９とそれぞれ連続するように配置されて直
角に突設されており、各アウタリード２０の先端部は外
枠１３にそれぞれ連結されている。第１段タイバー１５
における隣合うアウタリード２０、２０間の部分によっ
てダム１５ａがそれぞれ構成されている。第２段タイバ
ー１６および第３段タイバー１７は各アウタリード２０
に両脇から直角に一体的にそれぞれ接続した状態になっ
ている。両セクション枠１４、１４には放熱体２２を連
結するための放熱体連結部２１がそれぞれ突設されてい
る。
【００１６】放熱体２２は放熱体成形工程において、銅
等の熱伝導性の良好な導電材料が用いられてプレス加工
により一体成形される。図３に示されているように、放
熱体２２はヘッダ部２３と搭載部２４とから構成されて
いる。ヘッダ部２３は略長方形の板形状に形成されてお
り、ヘッダ部２３の両端部には取付孔２３ａが、ＺＩＰ
・ＩＣ３２を電気機器等に実装する際にねじ部材等を挿
通し得るようにそれぞれ開設されている。搭載部２４は
略長方形の板形状に形成されている。搭載部２４の一主
面（以下、上面とする。）にはペレット２６が略中央部
に配されて、半田材料による接着等の適当な手段で形成
されたボンディング層２５によってボンディングされて
いる。ヘッダ部２３の両端部にはリードフレームと連結
するためのリードフレーム連結部２７、２７が突設され
ており、各リードフレーム連結部２７の上面は搭載部２
４の上面から若干隆起されている。
等の熱伝導性の良好な導電材料が用いられてプレス加工
により一体成形される。図３に示されているように、放
熱体２２はヘッダ部２３と搭載部２４とから構成されて
いる。ヘッダ部２３は略長方形の板形状に形成されてお
り、ヘッダ部２３の両端部には取付孔２３ａが、ＺＩＰ
・ＩＣ３２を電気機器等に実装する際にねじ部材等を挿
通し得るようにそれぞれ開設されている。搭載部２４は
略長方形の板形状に形成されている。搭載部２４の一主
面（以下、上面とする。）にはペレット２６が略中央部
に配されて、半田材料による接着等の適当な手段で形成
されたボンディング層２５によってボンディングされて
いる。ヘッダ部２３の両端部にはリードフレームと連結
するためのリードフレーム連結部２７、２７が突設され
ており、各リードフレーム連結部２７の上面は搭載部２
４の上面から若干隆起されている。
【００１７】以上のように構成されている放熱体２２
は、前記構成に係る単位リードフレーム１２に図４に示
されているように組み付けられる。すなわち、放熱体２
２の上には単位リードフレーム１２が、放熱体２２のペ
レット２６に単位リードフレーム１２のペレット配置空
所１８が一致された状態で重ねられるとともに、放熱体
２２の両リードフレーム連結部２７、２７と単位リード
フレーム１２の両放熱体連結部２１、２１とがそれぞれ
整合され、スポット溶接やかしめ加工等の適当な手段で
固着される。この状態において、放熱体２２の搭載部２
４と単位リードフレーム１２のインナリード１９群と
は、リードフレーム連結部２７が規定する間隙を置いて
対向した状態になる。また、インナリード１９群の先端
部はペレット２６の三辺を取り囲んだ状態になる。
は、前記構成に係る単位リードフレーム１２に図４に示
されているように組み付けられる。すなわち、放熱体２
２の上には単位リードフレーム１２が、放熱体２２のペ
レット２６に単位リードフレーム１２のペレット配置空
所１８が一致された状態で重ねられるとともに、放熱体
２２の両リードフレーム連結部２７、２７と単位リード
フレーム１２の両放熱体連結部２１、２１とがそれぞれ
整合され、スポット溶接やかしめ加工等の適当な手段で
固着される。この状態において、放熱体２２の搭載部２
４と単位リードフレーム１２のインナリード１９群と
は、リードフレーム連結部２７が規定する間隙を置いて
対向した状態になる。また、インナリード１９群の先端
部はペレット２６の三辺を取り囲んだ状態になる。
【００１８】以上のように放熱体２２が単位リードフレ
ーム１２に組み付けられた後に、図４に示されているよ
うに、各インナリード１９の先端部とペレット２６の各
電極パッド２６ａとの間にはワイヤ２８が、両端部をワ
イヤボンディングされてそれぞれ橋絡される。これによ
り、ペレット２６に作り込まれた集積回路は各電極パッ
ド２６ａ、ワイヤ２８およびインナリード１９を通じて
アウタリード２０に電気的に引き出された状態になる。
ーム１２に組み付けられた後に、図４に示されているよ
うに、各インナリード１９の先端部とペレット２６の各
電極パッド２６ａとの間にはワイヤ２８が、両端部をワ
イヤボンディングされてそれぞれ橋絡される。これによ
り、ペレット２６に作り込まれた集積回路は各電極パッ
ド２６ａ、ワイヤ２８およびインナリード１９を通じて
アウタリード２０に電気的に引き出された状態になる。
【００１９】ワイヤボンディングされた多連リードフレ
ーム１１および放熱体２２の組立体２９は、トランスフ
ァ成形装置（図示せず）により図５に示されているよう
に樹脂封止体３０を成形される。
ーム１１および放熱体２２の組立体２９は、トランスフ
ァ成形装置（図示せず）により図５に示されているよう
に樹脂封止体３０を成形される。
【００２０】樹脂封止体３０が図５に示されているよう
に成形されると、ペレット２６、インナリード１９群、
ワイヤ２８および放熱体２２の搭載部２４は樹脂封止体
３０によって樹脂封止される。この状態において、アウ
タリード２０群は樹脂封止体３０の一側面から１列に整
列された状態で突出された状態になっている。ペレット
２６の集積回路はワイヤ２８群、インナリード１９群お
よびアウタリード２０群を通じて樹脂封止体３０の外部
に引き出された状態になっている。放熱体２２のヘッダ
部２３はアウタリード２０群と反対側の側面において樹
脂封止体３０から突出した状態になっており、搭載部２
４の裏面は樹脂封止体３０の裏面において露出した状態
になっている。
に成形されると、ペレット２６、インナリード１９群、
ワイヤ２８および放熱体２２の搭載部２４は樹脂封止体
３０によって樹脂封止される。この状態において、アウ
タリード２０群は樹脂封止体３０の一側面から１列に整
列された状態で突出された状態になっている。ペレット
２６の集積回路はワイヤ２８群、インナリード１９群お
よびアウタリード２０群を通じて樹脂封止体３０の外部
に引き出された状態になっている。放熱体２２のヘッダ
部２３はアウタリード２０群と反対側の側面において樹
脂封止体３０から突出した状態になっており、搭載部２
４の裏面は樹脂封止体３０の裏面において露出した状態
になっている。
【００２１】その後、図５に示されている成形品３１は
リード成形工程に送られて、リード成形工程において、
多連リードフレーム１１の外枠１３、セクション枠１
４、第１段タイバー１５、第２段タイバー１６および第
３段タイバー１７が切り落とされるとともに、アウタリ
ード２０群がジグザグ形状に成形される。以下、リード
成形工程を説明する。
リード成形工程に送られて、リード成形工程において、
多連リードフレーム１１の外枠１３、セクション枠１
４、第１段タイバー１５、第２段タイバー１６および第
３段タイバー１７が切り落とされるとともに、アウタリ
ード２０群がジグザグ形状に成形される。以下、リード
成形工程を説明する。
【００２２】まず、図６に示されているように、単位リ
ードフレーム１２における第１段タイバー１５、第２段
タイバー１６および第３段タイバー１７が隣合うアウタ
リード２０、２０の間でそれぞれ切断されるとともに、
アウタリード２０群が１本置きにそれぞれ短くそれぞれ
切断されて長いアウタリード２０Ｌと短いアウタリード
２０Ｓとが交互に成形される。なお、アウタリード２０
群の切断は、第１段タイバー１５、第２段タイバー１６
および第３段タイバー１７の切断と同時に実行してもよ
いし、第１段タイバー１５、第２段タイバー１６および
第３段タイバー１７の切断後に実行してもよい。切断後
にアウタリード２０群が切断される場合には、図６に示
されているように、短いアウタリード２０Ｓに差し込み
口部を容易かつ精密に形成することができる。
ードフレーム１２における第１段タイバー１５、第２段
タイバー１６および第３段タイバー１７が隣合うアウタ
リード２０、２０の間でそれぞれ切断されるとともに、
アウタリード２０群が１本置きにそれぞれ短くそれぞれ
切断されて長いアウタリード２０Ｌと短いアウタリード
２０Ｓとが交互に成形される。なお、アウタリード２０
群の切断は、第１段タイバー１５、第２段タイバー１６
および第３段タイバー１７の切断と同時に実行してもよ
いし、第１段タイバー１５、第２段タイバー１６および
第３段タイバー１７の切断後に実行してもよい。切断後
にアウタリード２０群が切断される場合には、図６に示
されているように、短いアウタリード２０Ｓに差し込み
口部を容易かつ精密に形成することができる。
【００２３】ちなみに、図６に示されているように、長
いアウタリード２０Ｌが外枠１３に連結されていると、
多連リードフレーム１１の状態で半田めっき処理を一括
して実行することができるため、半田めっき処理の作業
効率を高めることができる。なお、短いアウタリード２
０Ｓの切断と同時に長いアウタリード２０Ｌも外枠１３
から切り離す場合には、以降の処理は一個毎に実行され
ることになる。
いアウタリード２０Ｌが外枠１３に連結されていると、
多連リードフレーム１１の状態で半田めっき処理を一括
して実行することができるため、半田めっき処理の作業
効率を高めることができる。なお、短いアウタリード２
０Ｓの切断と同時に長いアウタリード２０Ｌも外枠１３
から切り離す場合には、以降の処理は一個毎に実行され
ることになる。
【００２４】その後、図７に示されているリード成形型
４０が使用されて、長いアウタリード２０Ｌは第１段タ
イバー切断痕１５Ａおよび第３段タイバー切断痕１７Ａ
において、また、短いアウタリード２０Ｓは第１段タイ
バー切断痕１５Ａおよび第２段タイバー切断痕１６Ａに
おいて図７に示されているようにそれぞれ屈曲される。
リード成形型４０は上型４１および下型４２を備えてい
る。上型４１および下型４２の第１段タイバー切断痕１
５Ａに対向する各位置には、上型第１段屈曲部４３ａお
よび下型第１段屈曲部４３ｂがそれぞれ形成されてい
る。上型４１および下型４２の第２段タイバー切断痕１
６Ａに対向する各位置には、上型第２段屈曲部４４ａお
よび下型第２段屈曲部４４ｂがそれぞれ形成されてい
る。上型４１および下型４２の第３段タイバー切断痕１
７Ａに対向する各位置には、上型第３段屈曲部４５ａお
よび下型第３段屈曲部４５ｂがそれぞれ形成されてい
る。
４０が使用されて、長いアウタリード２０Ｌは第１段タ
イバー切断痕１５Ａおよび第３段タイバー切断痕１７Ａ
において、また、短いアウタリード２０Ｓは第１段タイ
バー切断痕１５Ａおよび第２段タイバー切断痕１６Ａに
おいて図７に示されているようにそれぞれ屈曲される。
リード成形型４０は上型４１および下型４２を備えてい
る。上型４１および下型４２の第１段タイバー切断痕１
５Ａに対向する各位置には、上型第１段屈曲部４３ａお
よび下型第１段屈曲部４３ｂがそれぞれ形成されてい
る。上型４１および下型４２の第２段タイバー切断痕１
６Ａに対向する各位置には、上型第２段屈曲部４４ａお
よび下型第２段屈曲部４４ｂがそれぞれ形成されてい
る。上型４１および下型４２の第３段タイバー切断痕１
７Ａに対向する各位置には、上型第３段屈曲部４５ａお
よび下型第３段屈曲部４５ｂがそれぞれ形成されてい
る。
【００２５】図６に示されている成形品３１におけるア
ウタリード２０群の領域が、図７に示されているリード
成形型４０の上型４１と下型４２との合わせ面間に挟み
込まれると、上型第１段屈曲部４３ａと下型第１段屈曲
部４３ｂ、上型第２段屈曲部４４ａと下型第２段屈曲部
４４ｂおよび上型第３段屈曲部４５ａと下型第３段屈曲
部４５ｂによって、長いアウタリード２０Ｌは第１段タ
イバー切断痕１５Ａおよび第３段タイバー切断痕１７Ａ
において、また、短いアウタリード２０Ｓは第１段タイ
バー切断痕１５Ａおよび第２段タイバー切断痕１６Ａに
おいて図７に示されているようにそれぞれ大略クランク
形状に屈曲される。
ウタリード２０群の領域が、図７に示されているリード
成形型４０の上型４１と下型４２との合わせ面間に挟み
込まれると、上型第１段屈曲部４３ａと下型第１段屈曲
部４３ｂ、上型第２段屈曲部４４ａと下型第２段屈曲部
４４ｂおよび上型第３段屈曲部４５ａと下型第３段屈曲
部４５ｂによって、長いアウタリード２０Ｌは第１段タ
イバー切断痕１５Ａおよび第３段タイバー切断痕１７Ａ
において、また、短いアウタリード２０Ｓは第１段タイ
バー切断痕１５Ａおよび第２段タイバー切断痕１６Ａに
おいて図７に示されているようにそれぞれ大略クランク
形状に屈曲される。
【００２６】次いで、図８に示されている立ち上げ成形
装置５０が使用されて、長いアウタリード２０Ｌおよび
短いアウタリード２０Ｓが略直角に立ち上げられ、アウ
タリード２０群がジグザグ形状に整形される。立ち上げ
成形装置５０は上側押さえ型５１と、下側押さえ型５２
と、立ち上げロールユニット５３とを備えている。上側
押さえ型５１と下側押さえ型５２とはアウタリード２０
群の根元を挟んで押さえる。この状態で、立ち上げロー
ルユニット５３は長いアウタリード２０Ｌおよび短いア
ウタリード２０Ｓを第１段タイバー切断痕１５Ａの屈曲
部を起点にして所定の角度だけ屈曲させて立ち上げる。
装置５０が使用されて、長いアウタリード２０Ｌおよび
短いアウタリード２０Ｓが略直角に立ち上げられ、アウ
タリード２０群がジグザグ形状に整形される。立ち上げ
成形装置５０は上側押さえ型５１と、下側押さえ型５２
と、立ち上げロールユニット５３とを備えている。上側
押さえ型５１と下側押さえ型５２とはアウタリード２０
群の根元を挟んで押さえる。この状態で、立ち上げロー
ルユニット５３は長いアウタリード２０Ｌおよび短いア
ウタリード２０Ｓを第１段タイバー切断痕１５Ａの屈曲
部を起点にして所定の角度だけ屈曲させて立ち上げる。
【００２７】その後、切断装置（図示せず）によって、
外枠１３が長いアウタリード２０Ｌ群から切り離される
とともに、各長いアウタリード２０Ｌ群の先端部に差し
込み口部が適宜に形成される。以上のようにして、図１
に示されているＺＩＰ・ＩＣ３２が製造されたことにな
る。
外枠１３が長いアウタリード２０Ｌ群から切り離される
とともに、各長いアウタリード２０Ｌ群の先端部に差し
込み口部が適宜に形成される。以上のようにして、図１
に示されているＺＩＰ・ＩＣ３２が製造されたことにな
る。
【００２８】ところで、例えば、エッチング加工によっ
て成形されたアウタリード２０の断面形状が図９（ａ）
に示されているように平行四辺形に歪んでいる場合にお
いて、厚さ方向に屈曲されたアウタリード２０は図９
（ｂ）に示されているように中心に対して傾いた状態に
なってしまう。このようにアウタリード２０が中心線に
対して傾いた状態に屈曲されると、例えば、図９（ｃ）
に示されているように、短いアウタリード２０Ｓは蟹足
状態になってしまう。ＺＩＰ・ＩＣにおいて、アウタリ
ードが蟹足状態に成形されてしまうと、プリント配線基
板のスルーホールに挿入することができなくなるため、
実装することができない。
て成形されたアウタリード２０の断面形状が図９（ａ）
に示されているように平行四辺形に歪んでいる場合にお
いて、厚さ方向に屈曲されたアウタリード２０は図９
（ｂ）に示されているように中心に対して傾いた状態に
なってしまう。このようにアウタリード２０が中心線に
対して傾いた状態に屈曲されると、例えば、図９（ｃ）
に示されているように、短いアウタリード２０Ｓは蟹足
状態になってしまう。ＺＩＰ・ＩＣにおいて、アウタリ
ードが蟹足状態に成形されてしまうと、プリント配線基
板のスルーホールに挿入することができなくなるため、
実装することができない。
【００２９】本実施形態においては、エッチング加工に
よって成形されたアウタリード２０の断面形状が平行四
辺形に歪んでいる場合において、図９（ｄ）に示されて
いるように、例えば、第２段タイバー１６がアウタリー
ド２０の両脇に一体的にそれぞれ連設されて、第２段タ
イバー１６が図９（ｅ）に示されているように左右対称
形に切断されるため、厚さ方向に屈曲されたアウタリー
ド２０は図９（ｅ）に示されているように中心線が揃っ
た状態になる。すなわち、アウタリード２０の屈曲部で
ある第２段タイバー切断痕１６Ａが左右対称形である
と、アウタリード２０を屈曲させようとする応力が中心
線と一致して作用するため、屈曲後のアウタリード２０
はそれ自体の中心線に揃うように適正に屈曲されること
になる。したがって、ジグザグ形状に配列されたアウタ
リード群が蟹足状態に成形されるのを防止することがで
きるため、ＺＩＰ・ＩＣをプリント配線基板に適正に実
装することができる。
よって成形されたアウタリード２０の断面形状が平行四
辺形に歪んでいる場合において、図９（ｄ）に示されて
いるように、例えば、第２段タイバー１６がアウタリー
ド２０の両脇に一体的にそれぞれ連設されて、第２段タ
イバー１６が図９（ｅ）に示されているように左右対称
形に切断されるため、厚さ方向に屈曲されたアウタリー
ド２０は図９（ｅ）に示されているように中心線が揃っ
た状態になる。すなわち、アウタリード２０の屈曲部で
ある第２段タイバー切断痕１６Ａが左右対称形である
と、アウタリード２０を屈曲させようとする応力が中心
線と一致して作用するため、屈曲後のアウタリード２０
はそれ自体の中心線に揃うように適正に屈曲されること
になる。したがって、ジグザグ形状に配列されたアウタ
リード群が蟹足状態に成形されるのを防止することがで
きるため、ＺＩＰ・ＩＣをプリント配線基板に適正に実
装することができる。
【００３０】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 アウタリード群に第１段タイバー、第２段タイバー
および第３段タイバーを互いに平行に架設しておき、ア
ウタリードの屈曲成形に際して、第１段タイバー、第２
段タイバーおよび第３段タイバーを隣合うアウタリード
間でそれぞれ切断するとともに、各切断箇所でそれぞれ
屈曲することにより、アウタリードの各タイバー切断痕
を対称形にそれぞれ形成させることによってアウタリー
ドを各アウタリード自体の中心線に沿って適正に屈曲さ
せることができるため、ジグザグ形状に配列されたアウ
タリード群が蟹足状態に成形されるのを防止することが
できる。
る。 アウタリード群に第１段タイバー、第２段タイバー
および第３段タイバーを互いに平行に架設しておき、ア
ウタリードの屈曲成形に際して、第１段タイバー、第２
段タイバーおよび第３段タイバーを隣合うアウタリード
間でそれぞれ切断するとともに、各切断箇所でそれぞれ
屈曲することにより、アウタリードの各タイバー切断痕
を対称形にそれぞれ形成させることによってアウタリー
ドを各アウタリード自体の中心線に沿って適正に屈曲さ
せることができるため、ジグザグ形状に配列されたアウ
タリード群が蟹足状態に成形されるのを防止することが
できる。
【００３１】 ジグザグ形状に配列されたアウタリー
ド群が蟹足状態に成形されるのを防止することができる
ため、ＺＩＰ・ＩＣをプリント配線基板に適正に実装す
ることができる。
ド群が蟹足状態に成形されるのを防止することができる
ため、ＺＩＰ・ＩＣをプリント配線基板に適正に実装す
ることができる。
【００３２】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３３】例えば、アウタリードの屈曲手段として
は、前記実施形態に係るリード成形型および立ち上げ成
形装置を使用するに限らない。
は、前記実施形態に係るリード成形型および立ち上げ成
形装置を使用するに限らない。
【００３４】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＺＩＰ
を備えているフィン付きパワーＩＣに適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、通常
のＺＩＰ・ＩＣやガルウイングリードを備えているＩ
Ｃ、Ｊリードを備えているＩＣ等の屈曲部位が複数段設
定されたアウタリードを備えている半導体装置全般に適
用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるＺＩＰ
を備えているフィン付きパワーＩＣに適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、通常
のＺＩＰ・ＩＣやガルウイングリードを備えているＩ
Ｃ、Ｊリードを備えているＩＣ等の屈曲部位が複数段設
定されたアウタリードを備えている半導体装置全般に適
用することができる。
【００３５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００３６】アウタリード群に複数段のタイバーを互い
に平行に架設しておき、アウタリードの屈曲成形に際し
て、各段のタイバーを隣合うアウタリード間でそれぞれ
切断するとともに、各切断箇所でそれぞれ屈曲すること
により、アウタリードの各タイバー切断痕を対称形にそ
れぞれ形成させることによってアウタリードを各アウタ
リード自体の中心線に沿って適正に屈曲させることがで
きる。
に平行に架設しておき、アウタリードの屈曲成形に際し
て、各段のタイバーを隣合うアウタリード間でそれぞれ
切断するとともに、各切断箇所でそれぞれ屈曲すること
により、アウタリードの各タイバー切断痕を対称形にそ
れぞれ形成させることによってアウタリードを各アウタ
リード自体の中心線に沿って適正に屈曲させることがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態であるＺＩＰ・ＩＣを示し
ており、（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ
−ｂ線に沿う側面断面図である。
ており、（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ
−ｂ線に沿う側面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態であるＺＩＰ・ＩＣの製造
方法に使用される多連リードフレームを示す平面図であ
る。
方法に使用される多連リードフレームを示す平面図であ
る。
【図３】同じく放熱体を示しており、（ａ）は正面図、
（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図４】リードフレームと放熱体の組立体を示してお
り、（ａ）は一部省略正面図、（ｂ）は側面図である。
り、（ａ）は一部省略正面図、（ｂ）は側面図である。
【図５】樹脂封止体成形工程後を示しており、（ａ）は
一部省略正面断面図、（ｂ）は側面断面図である。
一部省略正面断面図、（ｂ）は側面断面図である。
【図６】リード成形工程における切断ステップを示して
おり、（ａ）は一部省略正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ線に沿う側面断面図である。
おり、（ａ）は一部省略正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ線に沿う側面断面図である。
【図７】同じく屈曲ステップを示す一部省略分解斜視図
である。
である。
【図８】同じく立ち上げステップを示しており、（ａ）
は立ち上げ前の一部省略側面図、（ｂ）は立ち上げ後の
一部省略側面図である。
は立ち上げ前の一部省略側面図、（ｂ）は立ち上げ後の
一部省略側面図である。
【図９】作用を説明する説明図であり、（ａ）〜（ｃ）
は比較例を示しており、（ａ）はアウタリードの拡大断
面図、（ｂ）はアウタリードの屈曲後の状態を示す正面
図、（ｃ）は蟹足状態を示す部分斜視図、（ｄ）は本発
明の一実施形態を示すアウタリード部分の拡大断面図、
（ｅ）はアウタリードの屈曲後の状態を示す正面図であ
る。
は比較例を示しており、（ａ）はアウタリードの拡大断
面図、（ｂ）はアウタリードの屈曲後の状態を示す正面
図、（ｃ）は蟹足状態を示す部分斜視図、（ｄ）は本発
明の一実施形態を示すアウタリード部分の拡大断面図、
（ｅ）はアウタリードの屈曲後の状態を示す正面図であ
る。
１１…多連リードフレーム、１２…単位リードフレー
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…第１段タ
イバー、１５Ａ…第１段タイバー切断痕、１６…第２段
タイバー、１６Ａ…第２段タイバー切断痕、１７…第３
段タイバー、１７Ａ…第３段タイバー切断痕、１８…ペ
レット配置空所、１９…インナリード、２０…アウタリ
ード、２０Ｌ…長いアウタリード、２０Ｓ…短いアウタ
リード、２１…放熱体連結部、２２…放熱体、２３…ヘ
ッダ部、２３ａ…取付孔、２４…搭載部、２５…ボンデ
ィング層、２６…ペレット（半導体ペレット）、２６ａ
…電極パッド、２７…リードフレーム連結部、２８…ワ
イヤ、２９…リードフレームと放熱体の組立体、３０…
樹脂封止体、３１…成形品、３２…ＺＩＰ・ＩＣ（半導
体装置）、４０…リード成形型、４１…上型、４２…下
型、４３ａ…上型第１段屈曲部、４３ｂ…下型第１段屈
曲部、４４ａ…上型第２段屈曲部、４４ｂ…下型第２段
屈曲部、４５ａ…上型第３段屈曲部、４５ｂ…下型第３
段屈曲部、５０…立ち上げ成形装置、５１…上側押さえ
型、５２…下側押さえ型、５３…立ち上げロールユニッ
ト。
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…第１段タ
イバー、１５Ａ…第１段タイバー切断痕、１６…第２段
タイバー、１６Ａ…第２段タイバー切断痕、１７…第３
段タイバー、１７Ａ…第３段タイバー切断痕、１８…ペ
レット配置空所、１９…インナリード、２０…アウタリ
ード、２０Ｌ…長いアウタリード、２０Ｓ…短いアウタ
リード、２１…放熱体連結部、２２…放熱体、２３…ヘ
ッダ部、２３ａ…取付孔、２４…搭載部、２５…ボンデ
ィング層、２６…ペレット（半導体ペレット）、２６ａ
…電極パッド、２７…リードフレーム連結部、２８…ワ
イヤ、２９…リードフレームと放熱体の組立体、３０…
樹脂封止体、３１…成形品、３２…ＺＩＰ・ＩＣ（半導
体装置）、４０…リード成形型、４１…上型、４２…下
型、４３ａ…上型第１段屈曲部、４３ｂ…下型第１段屈
曲部、４４ａ…上型第２段屈曲部、４４ｂ…下型第２段
屈曲部、４５ａ…上型第３段屈曲部、４５ｂ…下型第３
段屈曲部、５０…立ち上げ成形装置、５１…上側押さえ
型、５２…下側押さえ型、５３…立ち上げロールユニッ
ト。
Claims (10)
- 【請求項１】 電子回路が作り込まれた半導体ペレット
に電気的に接続されている複数本のインナリードと、各
インナリードにそれぞれ連結されているアウタリード群
と、前記半導体ペレットおよびインナリード群を樹脂封
止した樹脂封止体とを備えている半導体装置において、 前記各アウタリードの複数段の屈曲部が複数段のタイバ
ー切断痕にそれぞれ設定されていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 前記アウタリード群が長いアウタリード
と短いアウタリードとが交互に配置されているとともに
ジグザグ形状に配列されており、前記長いアウタリード
群および短いアウタリード群における前記樹脂封止体付
近に第１段タイバー切断痕が一列に配列され、前記短い
アウタリード群における前記樹脂封止体から前記第１タ
イバー切断痕よりも離れた位置に第２段タイバー切断痕
が一列に配列され、前記長いアウタリード群における前
記樹脂封止体から前記第２タイバー切断痕よりも離れた
位置に第３段タイバー切断痕が一列に配列されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体ペレットが放熱体にボンディ
ングされており、前記アウタリード群が前記樹脂封止体
の一側面に配列されていることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
であって、 アウタリード群に複数段のタイバーが互いに平行に架設
されているリードフレームが製造されるリードフレーム
製造工程と、 前記リードフレームの各インナリードに半導体ペレット
が電気的に接続される接続工程と、 前記リードフレームに前記インナリードおよび前記半導
体ペレットを樹脂封止する樹脂封止体が成形される樹脂
封止体成形工程と、 前記各タイバーが隣合う前記アウタリード間でそれぞれ
切断されるとともに各切断箇所でそれぞれ屈曲されるリ
ード成形工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記リードフレーム製造工程においては
前記アウタリード群に３段のタイバーが架設されている
リードフレームが製造され、 前記リード成形工程において、前記３段のタイバーが隣
合う前記アウタリード間でそれぞれ切断され、前記アウ
タリード群が１本置きにそれぞれ短くそれぞれ切断され
て長いアウタリードと短いアウタリードとが交互に成形
され、次いで、前記長いアウタリード群および前記短い
アウタリード群における前記樹脂封止体付近に配置され
た第１段タイバー切断痕、前記短いアウタリード群にお
ける前記樹脂封止体から前記第１タイバー切断痕よりも
離れた位置に配置された第２段タイバー切断痕、前記長
いアウタリード群における前記樹脂封止体から前記第２
タイバー切断痕よりも離れた位置に配置された第３段切
断痕がそれぞれ屈曲され、前記長いアウタリードと前記
短いアウタリードとがジグザグ形状に成形されることを
特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記複数段のタイバー切断痕が同時に屈
曲されることを特徴とする請求項４または５に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記複数段のタイバー切断痕が屈曲され
た後に、前記樹脂封止体付近に配置された第１段タイバ
ー切断痕がさらに深く屈曲されることを特徴とする請求
項４、５または６に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記半導体ペレットが放熱体にボンディ
ングされ、放熱体が前記リードフレームに隙間を取って
重ねられて結合されることを特徴とする請求項４、５、
６または７に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項４に記載の半導体装置の製造方法
に使用されるリードフレームであって、 アウタリード群に複数段のタイバーが互いに平行に架設
されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項１０】 前記アウタリード群に３段のタイバー
が架設されていることを特徴とする請求項９に記載のリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189274A JPH1126670A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189274A JPH1126670A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126670A true JPH1126670A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16238581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9189274A Pending JPH1126670A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126670A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104641466A (zh) * | 2012-11-19 | 2015-05-20 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
| CN107275308A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-10-20 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 半导体封装装置、半导体引线框架及其切筋方法 |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP9189274A patent/JPH1126670A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104641466A (zh) * | 2012-11-19 | 2015-05-20 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
| US9728475B2 (en) | 2012-11-19 | 2017-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lead portion of semiconductor device |
| CN107275308A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-10-20 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 半导体封装装置、半导体引线框架及其切筋方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100390094B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR101388328B1 (ko) | 통합 ｔｈｔ 히트 스프레더 핀을 구비한 리드 프레임 기반 오버-몰딩 반도체 패키지와 그 제조 방법 | |
| US20040100772A1 (en) | Packaged microelectronic component assemblies | |
| US7456049B2 (en) | Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same | |
| JPS61269345A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0677354A (ja) | 半導体装置 | |
| US6780679B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US5395800A (en) | Method for assembling semiconductor devices with lead frame containing common lead arrangement | |
| JPH11145364A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5245880B2 (ja) | 電力用半導体モジュールとその製造方法 | |
| JP2000058739A (ja) | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム | |
| JPH1126670A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム | |
| JP2001035985A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH1187591A (ja) | 半導体装置の製造方法およびリード成形装置 | |
| JP2001135767A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP5145596B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11233709A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置 | |
| JPH1154685A (ja) | 半導体装置およびそれに使用されるリードフレーム | |
| JP3599566B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3036597B1 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH11340400A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム | |
| JPH05259343A (ja) | 半導体モジュールの製造方法 | |
| JPH02288258A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにモールド型 | |
| JPH01262649A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003318315A (ja) | トランジスタベアチップ実装配線基板およびその製造方法 |