JP3173215B2 - ハイブリッドｉｃのリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドｉｃの製造方法 - Google Patents
ハイブリッドｉｃのリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドｉｃの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属基板に対するリー
ドフレームの位置決め精度を向上したハイブリッドＩＣ
のリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドＩＣ
の製造方法に関するものである。
ドフレームの位置決め精度を向上したハイブリッドＩＣ
のリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドＩＣ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のハイブリッドＩＣの一例として、
豊田織機技報Ｎｏ．２５，ＡＰＲ．１９９２の第８頁〜
第１２頁に示されているようなスマートパワーモジュー
ルがある。このものは、図５及び図６に示すように、金
属基板１１上にドライブＩＣ１２等の回路素子を実装す
ると共に、多数本のリード部１３を金属基板１１の配線
部１４に半田付けし、これら全体をモールド樹脂１５で
モールドした構成となっている。
豊田織機技報Ｎｏ．２５，ＡＰＲ．１９９２の第８頁〜
第１２頁に示されているようなスマートパワーモジュー
ルがある。このものは、図５及び図６に示すように、金
属基板１１上にドライブＩＣ１２等の回路素子を実装す
ると共に、多数本のリード部１３を金属基板１１の配線
部１４に半田付けし、これら全体をモールド樹脂１５で
モールドした構成となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、多数本のリ
ード部１３は、樹脂モールド終了後に、フレーム部１６
から切り離されるものであるから、リード部１３を金属
基板１１に半田付けする際には、多数本のリード部１３
はフレーム部１６によりリードフレーム１７として一体
化されている。従って、各リード部１３の配列ピッチは
正確に保たれた状態で半田付けされることになるが、金
属基板１１に対するリードフレーム１７の位置決め精度
は概して低く、位置決め治具に対するリードフレーム１
７の位置ずれと、金属基板１１の固定位置のずれとが重
なり合って、金属基板１１に対してリードフレーム１７
が例えば０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度も位置ずれした状
態で半田付けされてしまうことがある。このため、樹脂
モールド時に、金型へのリードフレーム１７のセット状
態が不完全になってしまうことがあり、これが成形不良
品の発生原因となっている。
ード部１３は、樹脂モールド終了後に、フレーム部１６
から切り離されるものであるから、リード部１３を金属
基板１１に半田付けする際には、多数本のリード部１３
はフレーム部１６によりリードフレーム１７として一体
化されている。従って、各リード部１３の配列ピッチは
正確に保たれた状態で半田付けされることになるが、金
属基板１１に対するリードフレーム１７の位置決め精度
は概して低く、位置決め治具に対するリードフレーム１
７の位置ずれと、金属基板１１の固定位置のずれとが重
なり合って、金属基板１１に対してリードフレーム１７
が例えば０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度も位置ずれした状
態で半田付けされてしまうことがある。このため、樹脂
モールド時に、金型へのリードフレーム１７のセット状
態が不完全になってしまうことがあり、これが成形不良
品の発生原因となっている。
【０００４】しかも、樹脂モールド時の熱の影響で、リ
ード部１３の接続部の半田が軟化するため、リードフレ
ーム１７をクランプする治具から加わる力でリード部１
３の半田接続が不完全になったり剥離してしまうことが
あり、これも不良品の発生原因となっている。
ード部１３の接続部の半田が軟化するため、リードフレ
ーム１７をクランプする治具から加わる力でリード部１
３の半田接続が不完全になったり剥離してしまうことが
あり、これも不良品の発生原因となっている。
【０００５】本発明は、このような事情を考慮してなさ
れたものであり、金属基板に対するリードフレームの位
置決め精度を向上できるハイブリッドＩＣのリードフレ
ームの位置決め構造を提供することを第１の目的とし、
更に、リードフレームの位置ずれに起因する成形不良を
防止できると共に、樹脂モールド時の熱でリード部が接
続不良になることを防止できて、製品の歩留りを向上で
きるハイブリッドＩＣの製造方法を提供することを第２
の目的とする。
れたものであり、金属基板に対するリードフレームの位
置決め精度を向上できるハイブリッドＩＣのリードフレ
ームの位置決め構造を提供することを第１の目的とし、
更に、リードフレームの位置ずれに起因する成形不良を
防止できると共に、樹脂モールド時の熱でリード部が接
続不良になることを防止できて、製品の歩留りを向上で
きるハイブリッドＩＣの製造方法を提供することを第２
の目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のハイブリッドＩＣのリードフレームの位置
決め構造は、金属板上に絶縁層を介して配線部を形成し
てなる金属基板に対してリードフレームを位置決め状態
に固定するものを対象とし、前記金属基板に形成された
位置決め突起と、前記リードフレームのフレーム部に形
成されて前記位置決め突起に嵌め込まれる嵌合孔を有す
る固定片部とを備え、前記位置決め突起を前記固定片部
の嵌合孔に嵌合した状態で、前記位置決め突起の先端部
をかしめ付けることにより、前記金属基板に対してリー
ドフレームを位置決め固定すると共に、前記リードフレ
ームのリード部と前記金属基板の配線部とをボンディン
グワイヤで接続するように構成したものである。
に、本発明のハイブリッドＩＣのリードフレームの位置
決め構造は、金属板上に絶縁層を介して配線部を形成し
てなる金属基板に対してリードフレームを位置決め状態
に固定するものを対象とし、前記金属基板に形成された
位置決め突起と、前記リードフレームのフレーム部に形
成されて前記位置決め突起に嵌め込まれる嵌合孔を有す
る固定片部とを備え、前記位置決め突起を前記固定片部
の嵌合孔に嵌合した状態で、前記位置決め突起の先端部
をかしめ付けることにより、前記金属基板に対してリー
ドフレームを位置決め固定すると共に、前記リードフレ
ームのリード部と前記金属基板の配線部とをボンディン
グワイヤで接続するように構成したものである。
【０００７】この位置決め構造を利用してハイブリッド
ＩＣを製造する場合には、金属板上に絶縁層を介して設
けた配線部を有する金属基板に形成した位置決め突起
を、リードフレームのフレーム部に形成した固定片部の
嵌合孔に嵌合して、前記位置決め突起の先端部をかしめ
付けることにより、前記金属基板に対してリードフレー
ムを位置決め固定した後、前記金属基板上に回路素子を
実装すると共に、前記リードフレームのリード部と前記
金属基板とをワイヤボンディングで電気的に接続し、こ
の後、全体を樹脂モールドした後、前記リードフレーム
のリード部と固定片部の根元を切断して、ハイブリッド
ＩＣを製造するようにすれば良い。
ＩＣを製造する場合には、金属板上に絶縁層を介して設
けた配線部を有する金属基板に形成した位置決め突起
を、リードフレームのフレーム部に形成した固定片部の
嵌合孔に嵌合して、前記位置決め突起の先端部をかしめ
付けることにより、前記金属基板に対してリードフレー
ムを位置決め固定した後、前記金属基板上に回路素子を
実装すると共に、前記リードフレームのリード部と前記
金属基板とをワイヤボンディングで電気的に接続し、こ
の後、全体を樹脂モールドした後、前記リードフレーム
のリード部と固定片部の根元を切断して、ハイブリッド
ＩＣを製造するようにすれば良い。
【０００８】
【作用】本発明の位置決め構造によれば、金属板上に絶
縁層を介して設けた配線部を有する金属基板に形成した
位置決め突起を、リードフレームのフレーム部に形成し
た固定片部の嵌合孔に嵌合した状態で、位置決め突起の
先端部をかしめ付けて、両者を位置決め固定するもので
あるから、両者を位置決め治具を介さずに直接位置決め
固定でき、従来の位置決め治具による位置ずれ要因を取
り除くことができる。この場合、金属基板に対するリー
ドフレームの位置決め精度は、固定片部の嵌合孔の位置
精度と位置決め突起の位置精度や両者の半径差によって
決まるが、両者の位置精度は例えばプレスの加工精度に
よって高精度に決めることができ、且つ、両者の半径差
は例えば０．０５ｍｍもあれば十分に嵌合可能であるた
め、例えば誤差±０．０５ｍｍ以下という高精度の位置
決めが可能となる。
縁層を介して設けた配線部を有する金属基板に形成した
位置決め突起を、リードフレームのフレーム部に形成し
た固定片部の嵌合孔に嵌合した状態で、位置決め突起の
先端部をかしめ付けて、両者を位置決め固定するもので
あるから、両者を位置決め治具を介さずに直接位置決め
固定でき、従来の位置決め治具による位置ずれ要因を取
り除くことができる。この場合、金属基板に対するリー
ドフレームの位置決め精度は、固定片部の嵌合孔の位置
精度と位置決め突起の位置精度や両者の半径差によって
決まるが、両者の位置精度は例えばプレスの加工精度に
よって高精度に決めることができ、且つ、両者の半径差
は例えば０．０５ｍｍもあれば十分に嵌合可能であるた
め、例えば誤差±０．０５ｍｍ以下という高精度の位置
決めが可能となる。
【０００９】更に、上記かしめによるリードフレームの
位置決め固定構造によって、リード部の固定と電気的接
続の各機能の役割分担が可能になり、リード部の電気的
接続方式として、リード部と金属基板の配線部とをボン
ディングワイヤで接続するので、接続信頼性が極めて高
く且つ高速ボンディングが可能でコストの安い“ワイヤ
ボンディング”を利用することができる。しかも、ワイ
ヤボンディングを用いれば、その後の樹脂モールド工程
等の熱処理工程での接続部の強度低下や剥離の心配が全
く無くなる。また、かしめとワイヤボンディングによる
組立は、従来の半田付けのようなフラックス洗浄が不要
であり、組立工程がクリーンであるという利点もある。
位置決め固定構造によって、リード部の固定と電気的接
続の各機能の役割分担が可能になり、リード部の電気的
接続方式として、リード部と金属基板の配線部とをボン
ディングワイヤで接続するので、接続信頼性が極めて高
く且つ高速ボンディングが可能でコストの安い“ワイヤ
ボンディング”を利用することができる。しかも、ワイ
ヤボンディングを用いれば、その後の樹脂モールド工程
等の熱処理工程での接続部の強度低下や剥離の心配が全
く無くなる。また、かしめとワイヤボンディングによる
組立は、従来の半田付けのようなフラックス洗浄が不要
であり、組立工程がクリーンであるという利点もある。
【００１０】その上、予め、一体に多数連結された各リ
ードフレームにそれぞれ金属基板をかしめ付けた状態
で、回路素子の実装とワイヤボンディングを行うことが
でき、リード部の半田付けを廃止できるので、量産性の
ある通常のモノリシックＩＣと同様の組立が可能とな
る。
ードフレームにそれぞれ金属基板をかしめ付けた状態
で、回路素子の実装とワイヤボンディングを行うことが
でき、リード部の半田付けを廃止できるので、量産性の
ある通常のモノリシックＩＣと同様の組立が可能とな
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明をＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎ
ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのハイブリッドＩＣ
に適用した一実施例について図１乃至図４を参照して説
明する。図１と図２はハイブリッドＩＣの製造途中のワ
イヤボンディング工程時（樹脂モールド前）の状態を示
す拡大平面図と断面図であり、ハイブリッドＩＣの完成
形態は図４（ｆ）に拡大断面図で示されている。
ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのハイブリッドＩＣ
に適用した一実施例について図１乃至図４を参照して説
明する。図１と図２はハイブリッドＩＣの製造途中のワ
イヤボンディング工程時（樹脂モールド前）の状態を示
す拡大平面図と断面図であり、ハイブリッドＩＣの完成
形態は図４（ｆ）に拡大断面図で示されている。
【００１２】まず、本実施例のハイブリッドＩＣの構成
を説明する。金属基板２１は金属板２２上に絶縁層２３
を介して配線部２４を形成して構成されている。この場
合、金属板２２は、プレス加工性，強度，耐応力腐食割
れ性等を考慮して例えば厚さ１．５ｍｍの合金アルミＡ
５０５２−Ｈ３４により形成されている。これ以外の金
属でも、製造するハイブリッドＩＣの構造上、強度的に
問題がなければ、金属板２２は、純アルミニウムを用い
ても良く、或は、銅や銅合金にニッケルメッキを施した
ものを用いても良い。但し、金属板２２の厚さは放熱性
を損なわないように０．５ｍｍ以上にすることが好まし
い。
を説明する。金属基板２１は金属板２２上に絶縁層２３
を介して配線部２４を形成して構成されている。この場
合、金属板２２は、プレス加工性，強度，耐応力腐食割
れ性等を考慮して例えば厚さ１．５ｍｍの合金アルミＡ
５０５２−Ｈ３４により形成されている。これ以外の金
属でも、製造するハイブリッドＩＣの構造上、強度的に
問題がなければ、金属板２２は、純アルミニウムを用い
ても良く、或は、銅や銅合金にニッケルメッキを施した
ものを用いても良い。但し、金属板２２の厚さは放熱性
を損なわないように０．５ｍｍ以上にすることが好まし
い。
【００１３】一方、絶縁層２３は、例えば約２０μｍの
厚さのポリイミド樹脂若しくは熱伝導性を改良したＳｉ
Ｏ2 フィラを含んだ例えば厚さ８０μｍのエポキシ樹脂
により形成されている。この絶縁層２３は金属板２２の
上面全体に均一の厚さで積層されている。この絶縁層２
３上に形成された配線部２４は、例えば厚さ８０μｍの
銅箔上に約５μｍのニッケルメッキを施し、その上に例
えば約３００オングストロームの厚さの金膜が無電解メ
ッキされている。
厚さのポリイミド樹脂若しくは熱伝導性を改良したＳｉ
Ｏ2 フィラを含んだ例えば厚さ８０μｍのエポキシ樹脂
により形成されている。この絶縁層２３は金属板２２の
上面全体に均一の厚さで積層されている。この絶縁層２
３上に形成された配線部２４は、例えば厚さ８０μｍの
銅箔上に約５μｍのニッケルメッキを施し、その上に例
えば約３００オングストロームの厚さの金膜が無電解メ
ッキされている。
【００１４】以上のように構成された金属基板２１上に
は、パワーＩＣやモノリシックＩＣ等のＩＣチップ２５
やコンデンサ等のその他の回路素子が実装されている。
尚、ＩＣチップ２５は、金属基板２１上に半田や銀ペー
スト等により固定され、ＩＣチップ２５と配線部２４と
がボンディングワイヤ２６で電気的に接続されている。
このボンディングワイヤ２６としては、電流容量に合わ
せて適当な太さの金線或はアルミニウム線を用いれば良
い。
は、パワーＩＣやモノリシックＩＣ等のＩＣチップ２５
やコンデンサ等のその他の回路素子が実装されている。
尚、ＩＣチップ２５は、金属基板２１上に半田や銀ペー
スト等により固定され、ＩＣチップ２５と配線部２４と
がボンディングワイヤ２６で電気的に接続されている。
このボンディングワイヤ２６としては、電流容量に合わ
せて適当な太さの金線或はアルミニウム線を用いれば良
い。
【００１５】上記金属基板２１の両サイドには、位置決
め用の孔２７（図１参照）がそれぞれ形成され、更に、
金属基板２１の４辺部のうち、リード部２９を配置する
１辺部を除く残り３辺部には、位置決め突起２８がそれ
ぞれ１個ずつ形成されている。各位置決め突起２８は、
例えば直径１ｍｍ，高さ１ｍｍ（かしめ前）の大きさに
形成され、金属基板２１の裏面（絶縁層２３が形成され
ていない面）側からパンチング加工により形成されてい
る。
め用の孔２７（図１参照）がそれぞれ形成され、更に、
金属基板２１の４辺部のうち、リード部２９を配置する
１辺部を除く残り３辺部には、位置決め突起２８がそれ
ぞれ１個ずつ形成されている。各位置決め突起２８は、
例えば直径１ｍｍ，高さ１ｍｍ（かしめ前）の大きさに
形成され、金属基板２１の裏面（絶縁層２３が形成され
ていない面）側からパンチング加工により形成されてい
る。
【００１６】一方、多数本のリード部２９は、樹脂モー
ルド工程を終了するまでは、フレーム部３０によりリー
ドフレーム３１として一体化されている。更に、各リー
ド部２９は、製造工程中の変形防止のために途中部でタ
イバー３２により連結されている。また、フレーム部３
０には、前記３箇所の位置決め突起２８に対応して、嵌
合孔３３（図２参照）を有する固定片部３４が３箇所に
形成されている。そして、この固定片部３４の嵌合孔３
３を位置決め突起２８に嵌合した状態で、位置決め突起
２８の先端部をかしめ付けることにより、金属基板２１
に対してリードフレームを位置決め固定するものであ
る。この位置決め固定状態において、各配線部２４のパ
ッド２４ａの位置が各リード部２９の延長線上に位置す
るように、各配線部２４のパッド２４ａの位置が設定さ
れている。各配線部２４のパッド２４ａと各リード部２
９とは、ボンディングワイヤ３５で電気的に接続されて
いる。このボンディングワイヤ３５としては、前述と同
じく、電流容量に合わせて適当な太さの金線或はアルミ
ニウム線を用いれば良い。
ルド工程を終了するまでは、フレーム部３０によりリー
ドフレーム３１として一体化されている。更に、各リー
ド部２９は、製造工程中の変形防止のために途中部でタ
イバー３２により連結されている。また、フレーム部３
０には、前記３箇所の位置決め突起２８に対応して、嵌
合孔３３（図２参照）を有する固定片部３４が３箇所に
形成されている。そして、この固定片部３４の嵌合孔３
３を位置決め突起２８に嵌合した状態で、位置決め突起
２８の先端部をかしめ付けることにより、金属基板２１
に対してリードフレームを位置決め固定するものであ
る。この位置決め固定状態において、各配線部２４のパ
ッド２４ａの位置が各リード部２９の延長線上に位置す
るように、各配線部２４のパッド２４ａの位置が設定さ
れている。各配線部２４のパッド２４ａと各リード部２
９とは、ボンディングワイヤ３５で電気的に接続されて
いる。このボンディングワイヤ３５としては、前述と同
じく、電流容量に合わせて適当な太さの金線或はアルミ
ニウム線を用いれば良い。
【００１７】以上説明した金属基板２１，ＩＣチップ２
５等の回路素子及びリード部２９のボンディング部分
は、モールド樹脂３６により樹脂モールドされ、この樹
脂モールド後に、リード部２９と固定片部３４の根元が
切断され、且つタイバー３２が切除されて、ハイブリッ
ドＩＣが完成される。このハイブリッドＩＣは、放熱性
を高めるために、金属基板２１の裏面側を樹脂モールド
せずに外部に露出させている。
５等の回路素子及びリード部２９のボンディング部分
は、モールド樹脂３６により樹脂モールドされ、この樹
脂モールド後に、リード部２９と固定片部３４の根元が
切断され、且つタイバー３２が切除されて、ハイブリッ
ドＩＣが完成される。このハイブリッドＩＣは、放熱性
を高めるために、金属基板２１の裏面側を樹脂モールド
せずに外部に露出させている。
【００１８】次に、上記構成のハイブリッドＩＣの製造
方法を具体的に説明する。予め、リードフレーム３１を
打ち抜き形成する際に、同時に、フレーム部３０に嵌合
孔３３を有する固定片部３４を形成しておく。更に、予
め、絶縁層２３と配線部２４が形成された金属基板２１
に、裏面（絶縁層２３が形成されていない面）側からパ
ンチング加工して位置決め突起２８を形成する［図４
（ａ）参照］。この際、金属基板２１の裏面側からパン
チ３７を用いてパンチング加工することにより、金属基
板２１の表面の絶縁層２３や配線部２４に傷が付かない
ようにする。
方法を具体的に説明する。予め、リードフレーム３１を
打ち抜き形成する際に、同時に、フレーム部３０に嵌合
孔３３を有する固定片部３４を形成しておく。更に、予
め、絶縁層２３と配線部２４が形成された金属基板２１
に、裏面（絶縁層２３が形成されていない面）側からパ
ンチング加工して位置決め突起２８を形成する［図４
（ａ）参照］。この際、金属基板２１の裏面側からパン
チ３７を用いてパンチング加工することにより、金属基
板２１の表面の絶縁層２３や配線部２４に傷が付かない
ようにする。
【００１９】この後、図４（ｂ）に示すように、金属基
板２１の位置決め突起２８をリードフレーム３１の嵌合
孔３３に嵌合して、位置決め突起２８の先端部をかしめ
付けて、両者を位置決め固定する。この際、図１及び図
３に示すように、予め、一体に多数連結された各リード
フレーム３１にそれぞれ金属基板２１をかしめ付ける。
これにより、以後の工程を、量産性のある通常のモノリ
シックＩＣの製造工程と同様の手順で能率良く行うこと
ができる。
板２１の位置決め突起２８をリードフレーム３１の嵌合
孔３３に嵌合して、位置決め突起２８の先端部をかしめ
付けて、両者を位置決め固定する。この際、図１及び図
３に示すように、予め、一体に多数連結された各リード
フレーム３１にそれぞれ金属基板２１をかしめ付ける。
これにより、以後の工程を、量産性のある通常のモノリ
シックＩＣの製造工程と同様の手順で能率良く行うこと
ができる。
【００２０】次いで、図４（ｃ）に示すように、ＩＣチ
ップ２５等の回路素子を金属基板２１上に半田や銀ペー
スト等により固定した後、図４（ｄ）に示すように、Ｉ
Ｃチップ２５と配線部２４との間及びリード部２９と配
線部２４との間をそれぞれボンディングワイヤ２６，３
５により電気的に接続する。この後、この組立品をモー
ルド金型に収納して、図４（ｅ）に示すように、金属基
板２１，ＩＣチップ２５等の回路素子及びリード部２９
のボンディング部分を、モールド樹脂３６により樹脂モ
ールドした後、リード部２９と固定片部３４の根元を切
断すると共に、タイバー３２を切除すれば、図４（ｆ）
に示すようなハイブリッドＩＣの製造が完了する。
ップ２５等の回路素子を金属基板２１上に半田や銀ペー
スト等により固定した後、図４（ｄ）に示すように、Ｉ
Ｃチップ２５と配線部２４との間及びリード部２９と配
線部２４との間をそれぞれボンディングワイヤ２６，３
５により電気的に接続する。この後、この組立品をモー
ルド金型に収納して、図４（ｅ）に示すように、金属基
板２１，ＩＣチップ２５等の回路素子及びリード部２９
のボンディング部分を、モールド樹脂３６により樹脂モ
ールドした後、リード部２９と固定片部３４の根元を切
断すると共に、タイバー３２を切除すれば、図４（ｆ）
に示すようなハイブリッドＩＣの製造が完了する。
【００２１】以上説明した本実施例によれば、金属基板
２１に形成した位置決め突起２８を、リードフレーム３
１のフレーム部３０に形成した固定片部３４の嵌合孔３
３に嵌合した状態で、位置決め突起２８の先端部をかし
め付けて、両者を位置決め固定するものであるから、両
者を位置決め治具を介さずに直接位置決め固定でき、従
来の位置決め治具による位置ずれ要因を取り除くことが
できる。この場合、金属基板２１に対するリードフレー
ム３１の位置決め精度は、嵌合孔３３の位置精度と位置
決め突起２８の位置精度や両者の半径差によって決まる
が、両者の位置精度はプレスの加工精度によって高精度
に決めることができ、且つ両者の半径差は例えば０．０
５ｍｍもあれば十分に嵌合可能であるため、例えば誤差
±０．０５ｍｍ以下という高精度の位置決めが可能とな
る。このため、樹脂モールド時に、金型へのリードフレ
ーム３１のセットが常に位置ずれなく正確に行われるよ
うになり、成形不良が発生しなくなる。
２１に形成した位置決め突起２８を、リードフレーム３
１のフレーム部３０に形成した固定片部３４の嵌合孔３
３に嵌合した状態で、位置決め突起２８の先端部をかし
め付けて、両者を位置決め固定するものであるから、両
者を位置決め治具を介さずに直接位置決め固定でき、従
来の位置決め治具による位置ずれ要因を取り除くことが
できる。この場合、金属基板２１に対するリードフレー
ム３１の位置決め精度は、嵌合孔３３の位置精度と位置
決め突起２８の位置精度や両者の半径差によって決まる
が、両者の位置精度はプレスの加工精度によって高精度
に決めることができ、且つ両者の半径差は例えば０．０
５ｍｍもあれば十分に嵌合可能であるため、例えば誤差
±０．０５ｍｍ以下という高精度の位置決めが可能とな
る。このため、樹脂モールド時に、金型へのリードフレ
ーム３１のセットが常に位置ずれなく正確に行われるよ
うになり、成形不良が発生しなくなる。
【００２２】更に、上記かしめによるリードフレーム３
１の位置決め固定構造により、リード部２９の固定と電
気的接続の各機能の役割分担が可能になり、リード部２
９の電気的接続方式として、接続信頼性が極めて高く且
つ高速ボンディングが可能でコストの安い“ワイヤボン
ディング”を利用することができる。しかも、ワイヤボ
ンディングを用いれば、その後の樹脂モールド工程での
１７０℃程度の温度では、接着部の強度低下や剥離の心
配が全く無くなって、リード部２９の接続不良が発生し
なくなり、前述した成形不良防止効果と相俟って、製品
の歩留りを向上できる。しかも、かしめとワイヤボンデ
ィングによる組立は、従来の半田付けのようなフラック
ス洗浄が不要であり、組立工程がクリーンであるという
利点もある。
１の位置決め固定構造により、リード部２９の固定と電
気的接続の各機能の役割分担が可能になり、リード部２
９の電気的接続方式として、接続信頼性が極めて高く且
つ高速ボンディングが可能でコストの安い“ワイヤボン
ディング”を利用することができる。しかも、ワイヤボ
ンディングを用いれば、その後の樹脂モールド工程での
１７０℃程度の温度では、接着部の強度低下や剥離の心
配が全く無くなって、リード部２９の接続不良が発生し
なくなり、前述した成形不良防止効果と相俟って、製品
の歩留りを向上できる。しかも、かしめとワイヤボンデ
ィングによる組立は、従来の半田付けのようなフラック
ス洗浄が不要であり、組立工程がクリーンであるという
利点もある。
【００２３】その上、予め、一体に多数連結された各リ
ードフレーム３１にそれぞれ金属基板２１をかしめ付け
た状態で、ＩＣチップ２５等の回路素子の実装とワイヤ
ボンディングを行うことができ、リード部２９の半田付
けを廃止できるので、量産性のある通常のモノリシック
ＩＣと同様の組立が可能となり、量産効果によるコスト
ダウンも可能である。これに対し、従来の半田付け法で
は、ＩＣチップのワイヤボンディング時の熱的影響を考
慮して、リード部の半田付けを最後に行う必要があるの
で、一般のモノリシックＩＣの製造工程との互換性はな
く、量産性が悪いという欠点がある。
ードフレーム３１にそれぞれ金属基板２１をかしめ付け
た状態で、ＩＣチップ２５等の回路素子の実装とワイヤ
ボンディングを行うことができ、リード部２９の半田付
けを廃止できるので、量産性のある通常のモノリシック
ＩＣと同様の組立が可能となり、量産効果によるコスト
ダウンも可能である。これに対し、従来の半田付け法で
は、ＩＣチップのワイヤボンディング時の熱的影響を考
慮して、リード部の半田付けを最後に行う必要があるの
で、一般のモノリシックＩＣの製造工程との互換性はな
く、量産性が悪いという欠点がある。
【００２４】また、本実施例では、各配線部２４のパッ
ド２４ａの位置が各リード部２９の延長線上に位置する
ように構成されているので、ワイヤボンディング時にワ
ーク又はボンディングヘッドを回転させずに、リード部
２９をワイヤボンディングすることができ、ワイヤボン
ディングを能率良く行うことができる。但し、本発明
は、上記構成に限定されず、配線スペース上の制約か
ら、各配線部２４のパッド２４ａの位置を各リード部２
９の延長線からずらした構成としても良く、この場合で
も、本発明の所期の目的は十分に達成できる。
ド２４ａの位置が各リード部２９の延長線上に位置する
ように構成されているので、ワイヤボンディング時にワ
ーク又はボンディングヘッドを回転させずに、リード部
２９をワイヤボンディングすることができ、ワイヤボン
ディングを能率良く行うことができる。但し、本発明
は、上記構成に限定されず、配線スペース上の制約か
ら、各配線部２４のパッド２４ａの位置を各リード部２
９の延長線からずらした構成としても良く、この場合で
も、本発明の所期の目的は十分に達成できる。
【００２５】尚、本発明は、位置決め突起２８（嵌合孔
３３）の個数は３個に限定されず、２個若しくは４個以
上であっても良く、また、リードフレーム３１と同じ
く、金属基板２１も多数連結して、樹脂モールド後に１
個ずつ金属基板２１を分断するようにしても良い。ま
た、本実施例では、ハイブリッドＩＣの放熱性を高める
ために、金属基板２１の裏面側を樹脂モールドせずに外
部に露出させているが、発熱量の少ないハイブリッドＩ
Ｃについては、金属基板の裏面側も樹脂モールドしても
良い。
３３）の個数は３個に限定されず、２個若しくは４個以
上であっても良く、また、リードフレーム３１と同じ
く、金属基板２１も多数連結して、樹脂モールド後に１
個ずつ金属基板２１を分断するようにしても良い。ま
た、本実施例では、ハイブリッドＩＣの放熱性を高める
ために、金属基板２１の裏面側を樹脂モールドせずに外
部に露出させているが、発熱量の少ないハイブリッドＩ
Ｃについては、金属基板の裏面側も樹脂モールドしても
良い。
【００２６】その他、本発明は、上記実施例のようなＳ
ＩＰタイプのハイブリッドＩＣに限らず、ＤＩＰ（Ｄｕ
ａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのハイブ
リッドＩＣにも適用して実施できる等、要旨を逸脱しな
い範囲内で種々変更して実施できることは言うまでもな
い。
ＩＰタイプのハイブリッドＩＣに限らず、ＤＩＰ（Ｄｕ
ａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのハイブ
リッドＩＣにも適用して実施できる等、要旨を逸脱しな
い範囲内で種々変更して実施できることは言うまでもな
い。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、金属板上に絶縁層を介して設けた配線部を有
する金属基板に形成した位置決め突起を、リードフレー
ムのフレーム部に形成した固定片部の嵌合孔に嵌合した
状態で、位置決め突起の先端部をかしめ付けて、両者を
位置決め固定するものであるから、両者を位置決め治具
を介さずに直接位置決め固定できて、位置決め精度を高
精度化でき、樹脂モールド時に、金型へのリードフレー
ムのセットが常に位置ずれなく正確に行われるようにな
り、成形不良が発生しなくなる。
によれば、金属板上に絶縁層を介して設けた配線部を有
する金属基板に形成した位置決め突起を、リードフレー
ムのフレーム部に形成した固定片部の嵌合孔に嵌合した
状態で、位置決め突起の先端部をかしめ付けて、両者を
位置決め固定するものであるから、両者を位置決め治具
を介さずに直接位置決め固定できて、位置決め精度を高
精度化でき、樹脂モールド時に、金型へのリードフレー
ムのセットが常に位置ずれなく正確に行われるようにな
り、成形不良が発生しなくなる。
【００２８】しかも、かしめ構造によって、リード部の
固定と電気的接続の各機能の役割分担が可能になるの
で、リード部の電気的接続方式として、リード部と金属
基板の配線部とをボンディングワイヤで接続するので、
接続信頼性が極めて高く且つ高速ボンディングが可能で
コストの安い“ワイヤボンディング”を利用することが
できて、樹脂モールド工程等の熱処理工程での接続部の
強度低下や剥離の心配が全く無くなり、リード部の接続
不良が発生しなくなる。しかも、かしめとワイヤボンデ
ィングによる組立は、従来の半田付けのようなフラック
ス洗浄が不要であり、組立工程がクリーンであるという
利点もある。
固定と電気的接続の各機能の役割分担が可能になるの
で、リード部の電気的接続方式として、リード部と金属
基板の配線部とをボンディングワイヤで接続するので、
接続信頼性が極めて高く且つ高速ボンディングが可能で
コストの安い“ワイヤボンディング”を利用することが
できて、樹脂モールド工程等の熱処理工程での接続部の
強度低下や剥離の心配が全く無くなり、リード部の接続
不良が発生しなくなる。しかも、かしめとワイヤボンデ
ィングによる組立は、従来の半田付けのようなフラック
ス洗浄が不要であり、組立工程がクリーンであるという
利点もある。
【００２９】その上、予め、一体に多数連結された各リ
ードフレームにそれぞれ金属基板をかしめ付けた状態
で、回路素子の実装とワイヤボンディングを行うことが
でき、リード部の半田付けを廃止できるので、量産性の
ある通常のモノリシックＩＣと同様の組立が可能とな
り、量産効果によるコストダウンも可能である。
ードフレームにそれぞれ金属基板をかしめ付けた状態
で、回路素子の実装とワイヤボンディングを行うことが
でき、リード部の半田付けを廃止できるので、量産性の
ある通常のモノリシックＩＣと同様の組立が可能とな
り、量産効果によるコストダウンも可能である。
【図１】本発明の一実施例におけるワイヤボンディング
工程時（樹脂モールド前）の状態を示す拡大平面図
工程時（樹脂モールド前）の状態を示す拡大平面図
【図２】図１のII−II線に沿って示す拡大断面図
【図３】多数連結されたリードフレームに多数の金属基
板をかしめ付けた状態を示す拡大側面図
板をかしめ付けた状態を示す拡大側面図
【図４】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれハイブリッドＩＣの
製造手順を説明する工程図
製造手順を説明する工程図
【図５】従来例を説明するための図１相当図
【図６】図５のVI−VI線に沿って示す拡大断面図
２１…金属基板、２２…金属板、２３…絶縁層、２４…
配線部、２５…ＩＣチップ（回路素子）、２６…ボンデ
ィングワイヤ、２８…位置決め突起、２９…リード部、
３０…フレーム部、３１…リードフレーム、３２…ダイ
バ、３３…嵌合孔、３４…固定片部、３５…ボンディン
グワイヤ、３６…モールド樹脂。
配線部、２５…ＩＣチップ（回路素子）、２６…ボンデ
ィングワイヤ、２８…位置決め突起、２９…リード部、
３０…フレーム部、３１…リードフレーム、３２…ダイ
バ、３３…嵌合孔、３４…固定片部、３５…ボンディン
グワイヤ、３６…モールド樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 初幸 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−92354（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29539（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−110666（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 25/04
Claims (2)
- 【請求項１】 金属板上に絶縁層を介して配線部を形成
してなるハイブリッドＩＣの金属基板に対してリードフ
レームを位置決め状態に固定するものであって、 前記金属基板に形成された位置決め突起と、 前記リードフレームのフレーム部に形成され、前記位置
決め突起に嵌め込まれる嵌合孔を有する固定片部とを備
え、 前記位置決め突起を前記固定片部の嵌合孔に嵌合した状
態で、前記位置決め突起の先端部をかしめ付けることに
より、前記金属基板に対してリードフレームを位置決め
固定すると共に、 前記リードフレームのリード部と前記金属基板の配線部
とをボンディングワイヤで接続する ように構成したこと
を特徴とするハイブリッドＩＣのリードフレームの位置
決め構造。 - 【請求項２】 金属板上に絶縁層を介して設けた配線部
を有する金属基板に形成した位置決め突起を、リードフ
レームのフレーム部に形成した固定片部の嵌合孔に嵌合
して、前記位置決め突起の先端部をかしめ付けることに
より、前記金属基板に対してリードフレームを位置決め
固定した後、前記金属基板上に回路素子を実装すると共
に、前記リードフレームのリード部と前記金属基板の配
線部とをワイヤボンディングで電気的に接続し、この
後、全体を樹脂モールドした後、前記リードフレームの
リード部と固定片部の根元を切断して、ハイブリッドＩ
Ｃを製造するハイブリッドＩＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8066293A JP3173215B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | ハイブリッドｉｃのリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドｉｃの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8066293A JP3173215B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | ハイブリッドｉｃのリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドｉｃの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295972A JPH06295972A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3173215B2 true JP3173215B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=13724581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8066293A Expired - Fee Related JP3173215B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | ハイブリッドｉｃのリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドｉｃの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3173215B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4610426B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2011-01-12 | 三洋電機株式会社 | 回路装置の製造方法 |
| DE102006028816B4 (de) * | 2006-06-21 | 2008-05-15 | Hansatronic Gmbh | Verfahren zum getakteten, kontinuierlichen Herstellen von beidseitig umspritzten flexiblen Leiterplatten |
| JP2008124136A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Denso Corp | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
| JP7388912B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2023-11-29 | ダイヤゼブラ電機株式会社 | イグナイタ |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP8066293A patent/JP3173215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06295972A (ja) | 1994-10-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 10 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |