JPS60121749A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS60121749A JPS60121749A JP15289484A JP15289484A JPS60121749A JP S60121749 A JPS60121749 A JP S60121749A JP 15289484 A JP15289484 A JP 15289484A JP 15289484 A JP15289484 A JP 15289484A JP S60121749 A JPS60121749 A JP S60121749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- lead
- leads
- frame
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームに関する。
レジンモールド型手導体装置の組立には金属製のリード
フレームが用いられている。このリードフレームは薄い
金属板をプレスで打ち抜いたり、エツチングによって形
成し、その形状は、第１図で示すように、半導体素子ｌ
を取り付ける矩形のタブ２をその内端で支持するタブリ
ード３と、タブ２０周縁に内端を臨ませる複数のり一ド
４と、これらリード４およびタブリード３の外端を支持
する矩形枠からなる枠部５と、枠部５．各リード４、タ
ブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶けたレジンの流
出を防止するダム片６とからなっている。また、枠部５
０両側縁に沿って定間隔にガイド孔７が設けられ、リー
ドフレームを用いての組立、搬送にはこのガイド孔７が
位置決め孔や引掛移送孔として用いられる。四方からリ
ードを取り出すリードフレームは特開昭５３−８０９６
９号に開示されている。
フレームが用いられている。このリードフレームは薄い
金属板をプレスで打ち抜いたり、エツチングによって形
成し、その形状は、第１図で示すように、半導体素子ｌ
を取り付ける矩形のタブ２をその内端で支持するタブリ
ード３と、タブ２０周縁に内端を臨ませる複数のり一ド
４と、これらリード４およびタブリード３の外端を支持
する矩形枠からなる枠部５と、枠部５．各リード４、タ
ブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶けたレジンの流
出を防止するダム片６とからなっている。また、枠部５
０両側縁に沿って定間隔にガイド孔７が設けられ、リー
ドフレームを用いての組立、搬送にはこのガイド孔７が
位置決め孔や引掛移送孔として用いられる。四方からリ
ードを取り出すリードフレームは特開昭５３−８０９６
９号に開示されている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置を組み立
てるには、まずタブ２上に半導体素子１を取り付けた後
、半導体素子ｌの各電極とこれに対応するリード４の内
端をワイヤ８で接続し、その後、矩形枠随に配列された
ダム片６の内側領域をレジンでモールドし、モールド部
９で半導体素子１等を被う。ついで、ダム片６および枠
部５を切断除去しフラットリードの半導体装置を得る。
てるには、まずタブ２上に半導体素子１を取り付けた後
、半導体素子ｌの各電極とこれに対応するリード４の内
端をワイヤ８で接続し、その後、矩形枠随に配列された
ダム片６の内側領域をレジンでモールドし、モールド部
９で半導体素子１等を被う。ついで、ダム片６および枠
部５を切断除去しフラットリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モールド
部９から突出１°るリード４を途中で折り曲げる。
部９から突出１°るリード４を途中で折り曲げる。
ところで、タブはその両側を細いタブリードで支持され
る構造であることから、強度的には弱い。
る構造であることから、強度的には弱い。
特に、最近のようにリード数が増加しかつ小型化を維持
するためにはリード（タブリード）の幅も狭くならざる
を得ない。また、リードの幅を狭くする（たとえば０．
３ ｔｎｍ幅）ためには打抜加工上の問題からリードフ
レームを作る素材は従来に較べてより薄くなる（たとえ
ばｏ、ｘｓｗｍ）。この結果、タブはリードと同様に小
さい外力でも簡単に傾いたり、浮き上がったりして組立
に支障を来たしてしまう。たとえば、半導体素子の取付
時にはタブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンディング時には接合の不完全性とともにワイヤ
が切れたりする。また、レジンモールド時には流れるレ
ジンによってタブが傾いて動き、ワイヤが破断じたり、
タブが傾くことによる渦の発生によって気泡がモールド
内部や表面に残留して耐湿性が低下したりあるいは窪み
ができて外観が悪くなってしまう。
するためにはリード（タブリード）の幅も狭くならざる
を得ない。また、リードの幅を狭くする（たとえば０．
３ ｔｎｍ幅）ためには打抜加工上の問題からリードフ
レームを作る素材は従来に較べてより薄くなる（たとえ
ばｏ、ｘｓｗｍ）。この結果、タブはリードと同様に小
さい外力でも簡単に傾いたり、浮き上がったりして組立
に支障を来たしてしまう。たとえば、半導体素子の取付
時にはタブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンディング時には接合の不完全性とともにワイヤ
が切れたりする。また、レジンモールド時には流れるレ
ジンによってタブが傾いて動き、ワイヤが破断じたり、
タブが傾くことによる渦の発生によって気泡がモールド
内部や表面に残留して耐湿性が低下したりあるいは窪み
ができて外観が悪くなってしまう。
したがって、本発明の目的はタブが組立時に簡単に動か
ない剛性の優れたリードフレームを提供するとともに、
組立の歩留を向上することのできるリードフレームを提
供することにある。
ない剛性の優れたリードフレームを提供するとともに、
組立の歩留を向上することのできるリードフレームを提
供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、半導体素子
を取り付ける４角形のタブの４隅をタブリードで支持す
るリードフレームを用いて半導体装置を組み立てるもの
であって、以下実施例により本発明の詳細な説明する。
を取り付ける４角形のタブの４隅をタブリードで支持す
るリードフレームを用いて半導体装置を組み立てるもの
であって、以下実施例により本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明のリードフレームの一実施例を示す平面
図であり、第３図は第２図で示す本発明によるリードフ
レームを用いて組立てた半導体装置の平面図、第４図（
ａｌ 、 （ｂ）は同じくその組立の一作業工程時の状
態を示す平面図および一部拡大図である。まず、リード
フレームの形状について説明すると、このリードフレー
ムは０，１５の厚さの金属板を打抜加工や工・チング加
工によって作られる。そして、その形状は部分的には幅
の異なる箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠部１
０の中央に半導体素子（ベレット）１１を取り付ける矩
形のタブ１２を有する形状となっている。そし７て、こ
のタブ１２はその４隅を外端を枠部１０の隅部にそれぞ
れ連結する細いタブリード１３の内端で支持されて℃・
る。また、４方向からこのタブ１２に向かって複数のリ
ード１４が延び、その先端（内端）はタブ１２０周縁近
傍に臨んでいる。
図であり、第３図は第２図で示す本発明によるリードフ
レームを用いて組立てた半導体装置の平面図、第４図（
ａｌ 、 （ｂ）は同じくその組立の一作業工程時の状
態を示す平面図および一部拡大図である。まず、リード
フレームの形状について説明すると、このリードフレー
ムは０，１５の厚さの金属板を打抜加工や工・チング加
工によって作られる。そして、その形状は部分的には幅
の異なる箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠部１
０の中央に半導体素子（ベレット）１１を取り付ける矩
形のタブ１２を有する形状となっている。そし７て、こ
のタブ１２はその４隅を外端を枠部１０の隅部にそれぞ
れ連結する細いタブリード１３の内端で支持されて℃・
る。また、４方向からこのタブ１２に向かって複数のリ
ード１４が延び、その先端（内端）はタブ１２０周縁近
傍に臨んでいる。
また、４方向に延びるリード１４の後端はそれぞれ枠部
１０の内側に連結されている。また、レジンモールド時
に溶けたレジンの流出を阻止すべ（各リード間およびリ
ードと枠部１０間に延びるダム片１５がタブ１２を取り
囲むように配設されている。また、枠部１０には従来と
同様にガイド孔１６が穿たれている。
１０の内側に連結されている。また、レジンモールド時
に溶けたレジンの流出を阻止すべ（各リード間およびリ
ードと枠部１０間に延びるダム片１５がタブ１２を取り
囲むように配設されている。また、枠部１０には従来と
同様にガイド孔１６が穿たれている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置を組み立
てる場合には、第２図で示すように、タブ１２上に半導
体素子１１を固定し、この半導体素子１１の電極とり−
ド１４の内端とをワイヤ（第３図に示されている。）で
接続し、その後、第４図（ａｔで示すように、ダム片１
５の内側をレジンでモールドし、レジンからなるモール
ド部１７で半導体素子１１等を被う。この際、第４図（
ｂｌで示すように、タブリード１３と交差するモールド
部１７０角部（隅部）はタブリード１３と直交するよう
に切り欠いた面１８を有する面取状態にモールドする。
てる場合には、第２図で示すように、タブ１２上に半導
体素子１１を固定し、この半導体素子１１の電極とり−
ド１４の内端とをワイヤ（第３図に示されている。）で
接続し、その後、第４図（ａｔで示すように、ダム片１
５の内側をレジンでモールドし、レジンからなるモール
ド部１７で半導体素子１１等を被う。この際、第４図（
ｂｌで示すように、タブリード１３と交差するモールド
部１７０角部（隅部）はタブリード１３と直交するよう
に切り欠いた面１８を有する面取状態にモールドする。
これは、その後モールド部の付は根でタブリードを切断
する際、モールド部の角部が切断時に欠けたりしないよ
うにするために配慮された結果である。つぎに、タブリ
ード１３をモールド部１７の付は根部分で切断するとと
もに不要となるダム片１５および枠部１０を切断除去し
、フラットリードの半導体装置を得る。また、必要なら
ば、モールド部１７から長（突出するリード１４をその
途中から折り曲げてインライン形の半導体装置を作る。
する際、モールド部の角部が切断時に欠けたりしないよ
うにするために配慮された結果である。つぎに、タブリ
ード１３をモールド部１７の付は根部分で切断するとと
もに不要となるダム片１５および枠部１０を切断除去し
、フラットリードの半導体装置を得る。また、必要なら
ば、モールド部１７から長（突出するリード１４をその
途中から折り曲げてインライン形の半導体装置を作る。
このような実施例においては、タブ１２はその４隅をタ
ブリード１３で支持されているため動きに（（剛性が優
れている。このため、各組立作業時においても傾いたり
、作業テーブルから浮き上がったりしない。したがって
、ペレットボンディングやワイヤボンディング時には確
実な接続（ボンディング）ができる。また、レジンモー
ルド時においては流入するレジンによってタブが傾くこ
ともないので、流れの陰による渦も発生しないので、気
泡が生じない。また、タブが傾くこともないのでワイヤ
に強い力が働いてワイヤが破断することもない。
ブリード１３で支持されているため動きに（（剛性が優
れている。このため、各組立作業時においても傾いたり
、作業テーブルから浮き上がったりしない。したがって
、ペレットボンディングやワイヤボンディング時には確
実な接続（ボンディング）ができる。また、レジンモー
ルド時においては流入するレジンによってタブが傾くこ
ともないので、流れの陰による渦も発生しないので、気
泡が生じない。また、タブが傾くこともないのでワイヤ
に強い力が働いてワイヤが破断することもない。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。たとえば、
タブリードにはモールド部との境界となる位置にモール
ド部周縁に沿うようなり字溝を設け、タブリード切断時
に簡単にタブリードが７字溝から分断するよ５にしても
よい。
タブリードにはモールド部との境界となる位置にモール
ド部周縁に沿うようなり字溝を設け、タブリード切断時
に簡単にタブリードが７字溝から分断するよ５にしても
よい。
また、複数のタブリードの１乃至数本をリードとして用
いてもよい。
いてもよい。
また、モールド部の角部を面取りしない構造の場合には
、第５図および第６図で示すように、枠部１０の隅部に
延びるタブリード１３をふたまたにして分離リード１９
となし、この分離リード１９の途中をモールド部の外周
面と交差させ、タブリードの切断時モールド部の隅部が
破損しないようにしてもよい。第６図（ａ）で示す一点
鎖線部分で分離リード１９を切断する。また、この切断
箇所にも第６図（ａｌで示すように分断し易いようにＶ
字溝２０を設けてもよい。
、第５図および第６図で示すように、枠部１０の隅部に
延びるタブリード１３をふたまたにして分離リード１９
となし、この分離リード１９の途中をモールド部の外周
面と交差させ、タブリードの切断時モールド部の隅部が
破損しないようにしてもよい。第６図（ａ）で示す一点
鎖線部分で分離リード１９を切断する。また、この切断
箇所にも第６図（ａｌで示すように分断し易いようにＶ
字溝２０を設けてもよい。
また、第７図（ａｌに示すように、７字形に延びる２本
の分離リード１９と枠部１０（ダム片１５）とによって
形成される空間部を枠部側に広げて太キくシ、レジンモ
ールド時のレジン注入用ゲート２１とすれは、第７図（
ｂ）で示すように、ランナ２２に段差が付き、モールド
部とランナとの分離時にこの段差部に応力集中が働いて
、この段差部で分離する（分離は第７図（ｂ）で示す鎖
線部分となる。）。
の分離リード１９と枠部１０（ダム片１５）とによって
形成される空間部を枠部側に広げて太キくシ、レジンモ
ールド時のレジン注入用ゲート２１とすれは、第７図（
ｂ）で示すように、ランナ２２に段差が付き、モールド
部とランナとの分離時にこの段差部に応力集中が働いて
、この段差部で分離する（分離は第７図（ｂ）で示す鎖
線部分となる。）。
このため、モールド品におけるランナ分離部の形状が一
定し、分離部が不整となる弊害が防止できる。
定し、分離部が不整となる弊害が防止できる。
さらに、このリードフレームはタブ部分を一段と低くし
た構造にしても、強度（調性）は太きい。
た構造にしても、強度（調性）は太きい。
以上のように、本発明によれば、タブの強度が大きいこ
とから、組立時には簡単に動いたりしない。このため、
ワイヤボンディング、ペレットボンディング等のボンデ
ィングにあっては確実かつ信頼性の高いボンディングが
できる。また、レジンモールド時にはモールド内部や表
面に気泡が発生しないことから、耐湿性が優れ、外観も
損なわれない。また、レジンモールド時にタブが傾いた
り動いたりしないことから、ワイヤに大きな力が加わる
こともないので、ワイヤの破断も生じない。
とから、組立時には簡単に動いたりしない。このため、
ワイヤボンディング、ペレットボンディング等のボンデ
ィングにあっては確実かつ信頼性の高いボンディングが
できる。また、レジンモールド時にはモールド内部や表
面に気泡が発生しないことから、耐湿性が優れ、外観も
損なわれない。また、レジンモールド時にタブが傾いた
り動いたりしないことから、ワイヤに大きな力が加わる
こともないので、ワイヤの破断も生じない。
これらのことから、特性的に優れた半導体装置を組立て
ることができるとともに、組立における歩留も向上する
。また、リードフレームの厚さも従来に較べて薄く、か
つレジンモ・−ルビ時にタブが動かないことからモール
ドの厚さも薄（でも所望の封止ができるので、製品の小
型化も図れる等長（の効果を奏する。
ることができるとともに、組立における歩留も向上する
。また、リードフレームの厚さも従来に較べて薄く、か
つレジンモ・−ルビ時にタブが動かないことからモール
ドの厚さも薄（でも所望の封止ができるので、製品の小
型化も図れる等長（の効果を奏する。
第１図は従来のリードフレームを示す平面図、第２図は
本発明のリードフレームの一実施例を示す平面図、第３
図は本発明のリードフレームを用いた半導体装置の一実
施例を示す平面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明
のリードフレームを用いた半導体装置を製造する際の一
作業工程における半完成品の平面図および部分拡大図、
第５図は本発明のリードフレームの他の実施例による平
面図、第６図（ａ） 、 （ｂ）は同じ（モールド状態
の説明図およびタブリードの部分拡大斜視図、第７図（
ａｌ 、 （ｂ）はリードフレームのレジン注入用ゲー
ト部の拡大平面図およびモールド時の状態を示す説明図
である。 １・・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・タブリー
ド、４・・・リード、５・・・枠部、６・・・ダム片、
７・・・ガイド孔、８・・・ワイヤ、９・・・モールド
部、１０・・・枠部、１１・・・半導体素子、１２・・
・タブ、１３・・・タブリード、１４・・・リード、１
５・・・ダム片、１６・・・ガイド孔、１７・・・モー
ルド部、１８・・・切り欠いた面、１９・・・分離リー
ド、２０・・・７字溝、２１・・・レジン注入用ゲート
、２２・・・ランチ。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
本発明のリードフレームの一実施例を示す平面図、第３
図は本発明のリードフレームを用いた半導体装置の一実
施例を示す平面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明
のリードフレームを用いた半導体装置を製造する際の一
作業工程における半完成品の平面図および部分拡大図、
第５図は本発明のリードフレームの他の実施例による平
面図、第６図（ａ） 、 （ｂ）は同じ（モールド状態
の説明図およびタブリードの部分拡大斜視図、第７図（
ａｌ 、 （ｂ）はリードフレームのレジン注入用ゲー
ト部の拡大平面図およびモールド時の状態を示す説明図
である。 １・・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・タブリー
ド、４・・・リード、５・・・枠部、６・・・ダム片、
７・・・ガイド孔、８・・・ワイヤ、９・・・モールド
部、１０・・・枠部、１１・・・半導体素子、１２・・
・タブ、１３・・・タブリード、１４・・・リード、１
５・・・ダム片、１６・・・ガイド孔、１７・・・モー
ルド部、１８・・・切り欠いた面、１９・・・分離リー
ド、２０・・・７字溝、２１・・・レジン注入用ゲート
、２２・・・ランチ。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子を取り付ける４角形のタブを支持するタ
ブリードと、前記タブの周縁近傍に内端を突出させる複
数のリードと、前記タブリード及び複数のリードを支持
するダム片と、前記ダム片の外側で少なくとも前記複数
のリードを支持する枠部とを有するリードフレームにお
いて、前記タブリードのうち少な（とも２本は前記タブ
の隅から延びていることを特徴とするリードフレーム。 ２、特許請求の範囲第１項記載のタブリードは、前記タ
ブの４隅から延びていることを特徴とするリードクレー
ム。 ３、特許請求の範囲第１項記載のリードクレームにおい
て、前記タブリードは、前記ダム片近傍において溝を有
することを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15289484A JPS60121749A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15289484A JPS60121749A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360778A Division JPS5521128A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121749A true JPS60121749A (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0470778B2 JPH0470778B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=15550451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15289484A Granted JPS60121749A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121749A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100312A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 光半導体装置および測距モジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15289484A patent/JPS60121749A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100312A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 光半導体装置および測距モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470778B2 (ja) | 1992-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS639378B2 (ja) | ||
| US6281566B1 (en) | Plastic package for electronic devices | |
| JP3535328B2 (ja) | リードフレームとこれを用いた半導体装置 | |
| JPH0429580Y2 (ja) | ||
| JPH05291467A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| JPS60121749A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS60121747A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58218149A (ja) | 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム | |
| JPS60121750A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS60121748A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2751896B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60121751A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP2697743B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6217381B2 (ja) | ||
| JP2772897B2 (ja) | リ−ドフレ−ム、およびリ−ドフレ−ムを用いた接続端子の作製方法 | |
| JP2592181B2 (ja) | 固体撮像素子のサーディップ型パッケージ | |
| JPH02302068A (ja) | トランスファーモールド型混成集積回路 | |
| JPH06334109A (ja) | 半導体装置用リードフレームと半導体装置の製造方法 | |
| JPH043508Y2 (ja) | ||
| JPS625650A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH04164357A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS62105458A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JPH01262649A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0228353A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03219663A (ja) | 半導体装置用リードフレーム |