JPS62105458A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents

半導体装置用パツケ−ジ

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Publication number
JPS62105458A
JPS62105458A JP24584285A JP24584285A JPS62105458A JP S62105458 A JPS62105458 A JP S62105458A JP 24584285 A JP24584285 A JP 24584285A JP 24584285 A JP24584285 A JP 24584285A JP S62105458 A JPS62105458 A JP S62105458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
parts
bent
resin part
resin
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24584285A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukiharu Takeuchi
之治 竹内
Kuniyuki Hori
堀 邦行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP24584285A priority Critical patent/JPS62105458A/ja
Publication of JPS62105458A publication Critical patent/JPS62105458A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置用パッケージに関するものである。
(従来の技術) 樹脂モールド型半導体装置用パッケージ(以下単にパッ
ケージという)は、第5図に示すように金属製のリード
フレーム10を樹脂部12中にインサート成形した構造
からなっている。14は半導体素子搭載部であり、この
半導体素子搭載部14に半導体素子を搭載し、半導体素
子と内部リード部16とをワイヤで接続してのち半導体
素子収納穴を気密封止して用いられる。
またこのタイプのパンケージは、図示のごとく外部リー
ド部18を樹脂部12の外方でほぼ直角に曲折して、こ
の外部リード部18によって、PC基板等に接続して用
いられる。
(発明が解決しようとする問題点) しかるに、上記従来のタイプのパッケージは、外部リー
ド部18が樹脂部12の外方でほぼ直角に曲折するため
、この曲折時の歪が外部リード部18の樹脂部12との
境界部にまで及んで、該境界部における外部リード部1
8と樹脂部12との間に隙間が生じやすく、該隙間から
湿気が侵入して半導体素子の特性を低下させる問題点が
ある。
また外部リード部18を複数列に曲折して、いわゆると
ングリソドアレイクイブのパッケージとして用いる場合
(第5図図示の例)、複数例に曲折した外部リード部1
8が何らかの外力が作用した場合に、その基部から変形
して互いに接触し、ショートを起こす問題点がある。
そこで本発明は上記の問題点をIM′消ずべくなされた
ものであり、その目的とするところは、気密特性に優れ
、また外部リード部の変形が生しにくい半導体装置用パ
ッケージを12供するにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は」1記問題点を解消するため次の構成を備える
すなわち、外部リード部が内部リード部との境界部で下
方に曲折され、この曲折部が樹脂部中に位置するよう、
かつ外部リード部の先端部が樹脂部下面から突出するよ
うに、リードフレームが樹脂部中にインサートされて成
ることを特徴とする。
(実施例) 以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。
第1図は本発明に係るパッケージ20の第1実施例を示
す。
22は樹脂部であり、中央に2段に低くなる凹陥部24
が形成されている。
凹陥部24の下段は半導体素子搭載部26となる。また
凹陥部24中段の段差部上にはリードフレーム28の内
部リード部30が露出される。
リードフレーム28は図示のごとく樹脂部22と一体的
にインサート成形されている。そして本実施例において
特徴となるのは、リードフレーム28が、その内部リー
ド部30と外部リード部32との境界部であらかじめ外
部リード部32が内部リード部30に対してほぼ直角に
下方に曲折され、該曲折部へが樹脂部22中に位置する
ようにインサート成形されているところにある。したが
って外部リード部32はその先端部が樹脂部22下面か
ら下方に突出するのであるが、その曲折部Aおよび曲折
部近傍の所定長部分が樹脂部22中に堅固に支持されて
いるから、外力を受けても容易に変形することはない。
またリードフレーム28が」二記の部位であらかじめ曲
折されてインサート成形されているから、折曲げによる
樹脂部とリードフレームとの間に隙間が生じる問題が解
消され、気密特性に優れる。
第2図は第2実施例を示す。
本実施例はピングリソドアレイクイブに形成した例を示
す。すなわち外部リード部32が多数列に曲折されてい
るのであるが、本実施例においても該曲折部Aが樹脂部
22中に位置するようにリードフレーム28がインサー
I・成形されているのである。
本実施例においても前記と同様の作用効果を奏する。
第3図は第3の実施例を示す。
本実施例においては外部リード部に相当するリードピン
34が、リードフレーム28の内部リード部と外部リー
ド部との境界部に垂直に、スポット溶接、ろう付けある
いははんだ付は等によって固定され、該リードピン34
が固定された状態のリードフレーム28が樹脂部22中
にインサート成形されている。そしてリードピン34の
固定位置Bが樹脂部22中に位置するように設定されて
いる。
インサート成形後樹脂部22側壁から突出するリードフ
レーム部分(破線部)は切断して除去す本実施例におい
てもリードピン34の変形が防止される。また樹脂部側
壁のリードフレーム切断端には適宜なコーティングを施
すことによって湿気の侵入を防止できる。
なお第4図のごとく、リードフレーム端部が樹脂部22
中に位置するようにあらかしめ切断して後インサート成
形すれば気密性は完璧である。
本発明において、[外部リード部が曲折され」とは、上
記のようにリードピン32をろう付は等によりリードフ
レーム28に固定した場合をも含む概念である。
(発明の効果) 以上のように本発明に係るパッケージによれば、外部リ
ード部の内部リード部との境界部における曲折部が樹脂
部中に位置するように、リードフレームが樹脂部にイン
サートされているから、外部リード部基部が樹脂部に堅
固に支持され、樹脂部下面に突出する外部リード部先端
部の変形が防止でき、特に外部リード部が密に突出する
ビングリソトアレイタイプのものにあってその変形によ
るショートの問題が解消される。
またインサート成形後外部リード部を樹脂部外方で曲折
するのと異なり、曲折部が樹脂部中に固定されてしまう
ものであるため、曲折時の応力が樹脂部に加わることに
よるリードフレームと樹脂部との間に隙間が生じる問題
が解消され、気密特性に優れる。
さらには外部リード部が樹脂部中で曲折されるからパッ
ケージの小型化が達成されるという著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し社lるの
はもちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るパッケージの第1実施例を示す断
面図、第2図は第2実施例の断面図、第3図および第4
図は第3実施例を示す断面図である。第5図は従来のパ
ッケージを示ず断面図を示10・・・リードフレーム、 12・・・樹脂部、 14・・・半導体素子搭載部、 
16・・・内部リード部、 18・・・外部リード部、
  20・・・パッケージ、22・・・樹脂部、 24
・・・凹陥部、26・・・半導体素子搭載部、 28・
・・リードフレーム、  30・・・内部リード部、3
2・・・外部リード部、  34・・・リードピン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、外部リード部が内部リード部との境界部で下方に曲
    折され、この曲折部が樹脂部中に位置するよう、かつ外
    部リード部の先端部が樹脂部下面から突出するように、
    リードフレームが樹脂部中にインサートされて成る半導
    体装置用パッケージ。
JP24584285A 1985-10-31 1985-10-31 半導体装置用パツケ−ジ Pending JPS62105458A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01149442A (ja) * 1987-12-05 1989-06-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 回路基板およびその製造方法
US7009166B2 (en) 2002-03-26 2006-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Photocoupler, method for producing the same, and electronic device equipped with the photocoupler

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JPS55115339A (en) * 1979-02-26 1980-09-05 Fujitsu Ltd Ic stem
JPS5856446B2 (ja) * 1978-09-05 1983-12-15 東北金属工業株式会社 感温リ−ドスイツチ
JPS5941860A (ja) * 1982-09-01 1984-03-08 Nec Corp 半導体装置用ケ−スの製造方法

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