JP2765278B2 - 電子装置の製造方法 - Google Patents

電子装置の製造方法

Info

Publication number
JP2765278B2
JP2765278B2 JP3157674A JP15767491A JP2765278B2 JP 2765278 B2 JP2765278 B2 JP 2765278B2 JP 3157674 A JP3157674 A JP 3157674A JP 15767491 A JP15767491 A JP 15767491A JP 2765278 B2 JP2765278 B2 JP 2765278B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
circuit board
lead
bonding
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3157674A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04354357A (ja
Inventor
恭紳 平尾
誠 小山
勇司 本山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP3157674A priority Critical patent/JP2765278B2/ja
Priority to DE69227066T priority patent/DE69227066T2/de
Priority to EP92109098A priority patent/EP0516149B1/en
Priority to KR1019920009389A priority patent/KR100238601B1/ko
Publication of JPH04354357A publication Critical patent/JPH04354357A/ja
Priority to US08/118,785 priority patent/US5408383A/en
Priority to US08/400,242 priority patent/US5586389A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2765278B2 publication Critical patent/JP2765278B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0026—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units
    • H05K5/0043—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units comprising a frame housing mating with two lids wherein the PCB is flat mounted on the frame housing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0026—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units
    • H05K5/0047—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units having a two-part housing enclosing a PCB
    • H05K5/0056—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units having a two-part housing enclosing a PCB characterized by features for protecting electronic components against vibration and moisture, e.g. potting, holders for relatively large capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/064—Hermetically-sealed casings sealed by potting, e.g. waterproof resin poured in a rigid casing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/1627—Disposition stacked type assemblies, e.g. stacked multi-cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は実装密度を向上させた電
子装置に関し、特に、回路基板が２段構造に構成された
場合の回路基板間の電気的接続の効率を改善した装置及
びその装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体集積回路を搭載した回
路基板を１つのパッケージ内に２段に実装した装置が知
られている（例えば、特開平1-147850号公報）。この装
置では、２段の回路基板間の配線は、外部に信号を取り
出すためのリードピンを介して行こなわれている。しか
し、公報においては、電子装置の具体的な製造方法は開
示されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の電子装置の従来
の製造方法は、リード片をインサート成形する場合に、
リード片が金型のキャビティ面に設置されるだけである
ので、樹脂注入時の注入圧力によりリード片が変形して
隣接したリード片同士が接触したり、リード片の姿勢が
変化してしまうという問題があった。
【０００４】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、接続リードの姿勢を安定
させると共に、接続リードの各リード間隔を適正に保持
し相互接触を防止できる製造方法を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、ケースを構成する樹脂製の枠体と、枠
体の内部において、相互に略平行に配設され、回路基板
を構成する第１の回路基板及び第２の回路基板と、枠体
の側壁内部に階段状に屈曲した状態で保持された中間部
と、枠体の側壁に階段状に形成された段付部の水平面に
露出して配設され、第１の回路基板の接合部と電気接続
された第１の接合部と、枠体の側壁に階段状に形成され
た他の段付部の水平面に露出して配設され、第２の回路
基板の接合部と電気接続された第２の接合部とから成る
多数のリードで構成された接続リードとを有する電子装
置の製造方法であって、接続リードをインサートとして
枠体を成形する時、接続リードを金型のキャビティを構
成する面に配設し、櫛歯状の支持板を、金型のキャビテ
ィを構成する面からキャビティ内部に向かって進出させ
て、進出部分の多数のリードと係合させて、接続リード
をキャビィティに固定した状態で、枠体を成形すること
を特徴とする。ここで、接続リードに、第２の接合部に
続き中間部と平行に枠体の側壁内部に向かって折れ曲が
った先端部を設け、枠体をインサート成形する際、金型
のキャビティを構成する面からキャビティ内部に向かっ
て中間部と先端部を同時に押圧して第２の接合部を金型
のキャビティを構成する面に接触させながら枠体を形成
しても良い。これにより、接続リードの第１、第２接合
部の全面が金型のキャビティを構成する面に正確に当接
することになり、その上への樹脂の回り込みを防止する
ことができる。 又、接続リードに、第２の接合部に続き
中間部と平行に枠体の側壁内部に向かって折れ曲がった
先端部と、多数のリードを互いに接続するフレーム部を
先端部に設け、フレーム部が枠体から外部に露出するよ
うに枠体をインサート成形した後、フレーム部を切断し
て多数のリードを互いに分離するようにしても良い。こ
れにより、接続リードの姿勢保持がさらに容易であり、
リード間の接触をさらに防止することができる。
【０００６】
【作用】接続リードは、階段状に屈曲された多リード構
造をしており、第１の接合部、中間部、第２の接合部を
有している。この接続リードは、枠体の内側面に形成さ
れる階段状の段付部の１つの段付部の水平面に第１の接
合部が露出し、他の段付部の水平面に第２の接合部が露
出するように配設される。尚、中間部は枠体内部に埋設
される。そして、第１の接合部と第１の回路基板の接合
部とが電気接続され、第２の接合部と第２の回路基板の
接合部とが電気接続される。接続リードは第１の回路基
板と第２の回路基板間の電気的接続を容易にするために
用いられる。
【０００７】又、電子装置の製造方法において、接続リ
ードが金型のキャビティを構成する面に配設される。そ
の後、櫛歯状の支持板が金型のキャビティを構成する面
からキャビティ内部に向かって進出する。そして、櫛歯
状の支持板と多数のリードとを係合させて、その支持板
の押圧力により、接続リードをキャビィティ面に押し付
ける。この支持板の押圧力により、階段状に屈曲した接
続リードは金型のキャビティ面に対して隙間なく、正し
い姿勢で配設されることになる。これにより、第１、第
２の接合部の上面に樹脂が回り込むことが防止され、第
１、第２の接合部の上面を完全に露出させることができ
る。又、櫛歯状の支持板が各リード間に入るため、各リ
ード間隔が適正に保持され、樹脂注入時に高圧が作用し
ても、各リード間隙が狭められて接触するということが
防止される。従って、接続リードの第１及び第２の接合
部は枠体に形成された各段付部の各水平面にその表面が
露出した状態で埋設固定されると共に各リード間隔が適
正に保持される。この結果、本電子装置の製造不良の発
生を極力防止することが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本実施例にかかる電子装置１の断面図で
あり、図２は枠体１０の斜視図であり、図３は枠体１０
に下段の第１の回路基板５０を実装した装置の斜視図で
あり、図４は枠体１０の中段に第２の回路基板５２を実
装した装置の斜視図であり、図５は枠体１０の断面図で
ある。
【０００９】（1)装置全体の構成 枠体１０は、図５に示すように、樹脂製で略直方体形状
に構成されている。その枠体１０は図示状態における上
側において外部空間に開放された上方開口１２と下側に
おいて外部空間に開放された下方開口１１とを有してい
る。又、枠体１０の内側面には、下方開口１１の側から
順に、階段状に第１の段付部２１、第２の段付部２２、
第３の段付部２３、第４の段付部２４、第５の段付部２
５が形成されている。各段付部２１，２２，２３，２
４，２５は、それぞれ、法線がＹ軸方向（垂直軸方向）
に向いた水平面２１ｈ，２２ｈ，２３ｈ，２４ｈ，２５
ｈと法線がＸ軸方向（水平軸方向）を向いた垂直面２１
ｖ，２２ｖ，２３ｖ，２４ｖ，２５ｖとで構成されてい
る。
【００１０】第１の回路基板５０は、図６に示すよう
に、アルミニウム製の金属板４０上に絶縁層を形成し、
その絶縁層の表面に回路パターンを形成したものであ
る。この金属板４０上に一体的に形成された回路基板
は、通常、金属基板と呼ばれている。そして、その第１
の回路基板５０の周辺部５０ａ（図６）が第１の段付部
２１の水平面２１ｈに接着材で接合されることにより、
下方開口１１は金属板４０により遮蔽されている。尚、
第１の段付部２１の垂直面２１ｖの高さは金属板４０と
第１の回路基板５０とが一体化された上記の金属基板の
厚さに等しく、枠体１０の底面１３と金属板４０の裏面
４１とが同一平面を構成している。
【００１１】第１の回路基板５０上には、図１、図３に
示すように、大電流を取扱い、発熱量の大きなパワーMO
S トランジスタ、パワートランジスタ等の所謂パワー素
子で構成された給電回路５１が実装されている。
【００１２】金属板４３は、図１、図１９に示すよう
に、第３の段付部２３に配設されている。即ち、第３の
段付部２３の水平面２３ｈには、金属板４３の裏面４４
の周辺部が接着剤で接合されている。その金属板４３の
表面４５には、第２の回路基板５２が接着剤により接合
されている。そして、その第２の回路基板５２の上に
は、比較的小電流を取扱い、発熱量の少ない制御回路５
３が実装されている。これらの給電回路５１、制御回路
５３は、図１に示すように、シリコーンゲル１６がコー
ティングされている。このゲルはシリコーンの他、他の
樹脂であっても良い。このゲルには断熱効果があるの
で、仮に第２の回路基板５２上に大電流を扱う素子を形
成したとすると、その上のゲルの作用によりその素子か
らの熱は第１の回路基板５０と第２の回路基板５２との
間に蓄熱され装置の外部に出ることができない。本発明
の構造によれば、第１の回路基板５０上に形成された素
子から発生した熱は、放熱効果の高い金属板４０を介し
て外部に放熱可能であり、第２の回路基板５２上に配設
さた素子からは熱があまり発生しないので、熱が装置の
内部に籠もるということはない。
【００１３】又、枠体１０の第５の段付部２５には上方
開口１２を遮蔽する金属板４６が配設されている。即
ち、第５の段付部２５の水平面２５ｈに、金属板４６の
裏面４７の周辺部が接着剤で接合されている。そして、
金属板４６の表面４８は外気に接触している。このよう
に、枠体１０、金属板４０、金属板４６とで、電子装置
１のケースが構成されている。本装置は、樹脂製の枠体
１０の下方開口１１を遮蔽するアルミニウム製の金属板
４０と枠体１０の中段にアルミニウム製の金属板４３を
配設し、その金属板４３上にセラミクス製の第２の回路
基板５２を設けたことことから、本装置が自動車のエン
ジンルーム等の高温環境下に置かれても、枠体１０の樹
脂と金属板との熱膨張係数の差に起因する反りの発生が
防止されると共に、セラミクス製の第２の回路基板５２
の割れや第２の回路基板５２上の接合部の接合不良等の
信頼性の低下が防止された。又、枠体１０の上方開口１
２にもアルミニウム製の金属板４６を設けたことから、
枠体１０の反り及びその反りに起因する回路基板上の接
合部の接合不良等ががより一層防止された。尚、特開平
1-147850の第１図の構造の装置は樹脂製の枠体と金属の
蓋部材とから成るため、樹脂と金属との間の熱膨張係数
の差により枠体に反りが発生し、枠体内部に設けられた
セラミクス製の基板が割れたり、この基板上の接合部の
信頼性が悪くなる可能性がある。
【００１４】一方、枠体１０には一方の側でコネクタケ
ース１４が形成されており、そのコネクタケース１４の
内部にはリードピン６０、６１が突出している。リード
ピン６０は図７に示す櫛型に多数のリードが形成された
金属板を図８に示すように折り曲げ加工されて、枠体１
０の内部にインサート成形により埋め込まれている。そ
して、図１に示すように、リードピン６０の一方の端部
に形成されたピン６０ａはコネクタケース１４の内部空
間に突出し、他方の端部に形成されたボンディング部６
０ｂは第２の段付部２２の水平面２２ｈ上に露出状態で
設置されている。このボンディング部６０ｂは第１の回
路基板５０における配線パターンのボンディング部８１
とワイヤボンディングにより電気的に接続される。
【００１５】又、リードピン６１もリードピン６０と同
様に、図９に示す金属板が図１０に示す形状に折り曲げ
加工されて、枠体１０の内部にインサート成形されて埋
設されている。そして、リードピン６１の一方の端部に
形成されたピン６１ａはコネクタケース１４の内部空間
に突出し、他方の端部に形成されたボンディング部６１
ｂは第４の段付部２４の水平面２４ｈ上に露出状態で設
置されている。そして、第２の回路基板５２上の配線パ
ターンのボンディング部８２とそのリードピン６１のボ
ンディング部６１ｂとがワイヤボンディングにより電気
的に接続されている。尚、リードピン６０，６１におい
て、各リードを共通に保持するフレーム部６０ｃ、６１
ｃは、それぞれ、樹脂成形後にカッターで切断され、各
リードは電気的に絶縁される。
【００１６】又、第１の回路基板５０と第２の回路基板
５２のみを電気的に接続して、外部に信号を取り出すた
めのピンを突出させない接続リード６３が、枠体１０の
内部にインサート成形により埋設されている。その接続
リード６３は、図１１に示す櫛型の金属板が図１２に示
す形状に折り曲げ加工されたものである。この接続リー
ド６３は第２の段付部２２の水平面２２ｈ上に露出した
ボンディング部６３ａと第４の段付部２４の水平面２４
ｈ上に露出したボンディング部６３ｂとを有し、その先
端部６３ｃは枠体１０の下方に向かって折曲げられてい
る。そして、各リードを共通に保持するフレーム部６３
ｄ、６３ｅは、樹脂成形後にカッターで切断され、各リ
ードは相互に絶縁される。そして、ボンディング部６３
ａは第１の回路基板５０上の配線パターンのボンディン
グ部８１とワイヤボンディングにより電気的に接続さ
れ、ボンディング部６３ｂは第２の回路基板５２上の配
線パターンのボンディング部８２とワイヤボンディング
により電気的に接続されている。この接続リード６３に
より第１の回路基板５０と第２の回路基板５２との一部
の配線の電気的接続が行われている。
【００１７】更に、枠体１０の側面には、図２に示すよ
うに、キャパシタ箱１５が形成されており、そのキャパ
シタ箱１５には、図３に示すように、キャパシタ５６、
５７が横に寝た形態で収納されている。このキャパシタ
５６、５７は実装スペースの関係上、第１の回路基板５
０と第２の回路基板５２上には配設できない。比較的容
積及び高さの大きなキャパシタ５６、５７を本実施例の
ように枠体１０の側面に別形成したキャパシタ箱１５に
収納することによって、電子装置１の全体の実装効率を
向上させることができる。このキャパシタ５６と電気的
に接続する接続リード６４が、枠体１０にインサート成
形により埋設されている。その接続リード６４は図１３
に示す金属板を図１４に示す形状に折り曲げ加工したも
のである。この接続リード６４は第２の段付部２２の水
平面２２ｈ上に露出したボンディング部６４ａとキャパ
シタ箱１５に立設された端子部６４ｂとフレーム部６４
ｃとを有している。フレーム部６４ｃは枠体１０の成形
後にカッターで切断される。又、ボンディング部６４ａ
は第１の回路基板５０の配線パターンとワイヤボンディ
ングにより電気的に接続され、端子部６４ｂはキャパシ
タ５６のリード５６ａ、５６ｂと電気溶接により接続さ
れている。
【００１８】他方、枠体１０のコネクタケース１４が形
成されている側と反対側では、図１５に示す櫛型形状の
金属板を、図１６に示すように、略直角に折り曲げその
先をＵ字形状に屈曲させた（Ｕ字溝に柄がついた形状）
接続リード６２がインサート成形により枠体１０の内部
に埋設されている。そして、接続リード６２の一方の端
部に形成されたボンディング部（第１の接合部）６２ａ
は第２の段付部２２の水平面２２ｈ上に露出状態で設置
され、中間部６２ｇは枠体内部に埋設され、接続リード
６２のボンディング部（第２の接合部）６２ｂは第４の
段付部２４の水平面２４ｈ上に露出状態で設置され、他
の先端部６２ｃは第１の段付部２１の水平面２１ｈ上に
形成された溝２６に突出している。尚、各リードを共通
に保持するフレーム部６２ｄは、枠体１０の成形直後で
は、溝２６に突出した状態であるが、その後、カッター
で切断される。同様にフレーム部６２ｅも成形後に切断
され、各リードは絶縁分離される。この時、フレーム部
６２ｄ、６２ｅには切断を容易にする切り込みが形成さ
れている。
【００１９】又、図１に示すように、接続リード６２の
ボンディング部６２ａと第１の回路基板５０の配線パタ
ーンのボンディング部（接合部）８３とがワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続され、接続リード６２のボン
ディング部６２ｂと第２の回路基板５２の配線パターン
のボンディング部（接合部）８４とがワイヤボンディン
グにより電気的に接続されている。このように、接続リ
ード６２を用いて、第１の回路基板５０と第２の回路基
板５２との間の電気的な接続が行われている。
【００２０】更に、枠体１０における接続リード６２が
配設された側には、その接続リード６２に隣接して、図
１４に示す接続リード６４と同様な形状の接続リード６
５が埋設されている。その接続リード６５は第２の段付
部２２の水平面２２ｈ上に露出して配設されたボンディ
ング部６５ａとキャパシタ箱１５内に立設された端子部
６５ｂとで構成されている。そして、ボンディング部６
５ａと第１の回路基板５０の配線パターンとがワイヤボ
ンディングにより電気的に接続され、端子部６５ｂには
キャパシタ５７のリード５７ｂが電気溶接により接続さ
れている。
【００２１】（2)金属基板（金属板４０、第１の回路基
板５０）の詳細な構成 第１の回路基板５０上には、図６に示すように、図３に
示す給電回路５１に対する回路配線が形成されている。
そして、第１の回路基板５０を第１の段付部２１に取り
付けた状態において、第１の段付部２１の水平面２１ｈ
の図５、図６に示す内側境界線２１ａより微小間隙Δ１
を隔てた内側に凸状に盛り上がったダミー配線５４が形
成されている。又、さらに、ダミー配線５４の内側には
配線の形成されていない凹部５５が形成されている。
【００２２】このダミー配線５４及び凹部５５の作用は
次の通りである。金属板４０に形成された第１の回路基
板５０が第１の段付部２１の水平面２１ｈに接着剤で接
合される時、余分な接着剤が水平面２１ｈの内側境界線
２１ａを越えて第１の回路基板５０の内側に流れ込み、
第１の回路基板５０上に搭載された集積回路５８の接続
部５９に付着して接続不良を起こしたり、ボンディング
時にボンディングパワーの異常電導を生じて、ボンディ
ングの信頼性を低下させる。又、回路配線のボンディン
グ部８１、８３等に付着してボンディング不良を引き起
こしたりする。この時、図１７に示すように、第１の回
路基板５０上に形成されたダミー配線５４が接着剤１７
の流れ込みを防止する作用をする。即ち、余分な接着剤
１７は水平面２１ｈの境界線２１ａとダミー配線５４と
の間の微小間隙Δ１で蓄えられることになる。又、余分
な接着剤が多く、ダミー配線５４を乗り越えて、更に、
第１の回路基板５０の内側に流れ込んでも、接着剤はダ
ミー配線５４の内側に形成された凹部５５にトラップさ
れて、さらに、その凹部５５の内側には流れ込まない。
この結果、接着剤による素子へのダメージが防止され、
ワイヤボンディング不良の発生が防止される。尚、ダミ
ー配線５４は電気的な配線パターンとは無関係な配線又
はアース配線である。
【００２３】（3)第１の段付部２１の詳細な構成 第１の段付部２１は、図１７に示すように、水平面２１
ｈの内側境界線２１ａ側に切欠２１ｂが形成されてい
る。この切欠２１ｂは図示のように斜めに切欠く他、図
１８の（ａ）、（ｂ）に示すように、角形、Ｕ字状に切
欠いても良い。
【００２４】切欠２１ｂの作用は次の通りである。金属
板４０に形成された第１の回路基板５０が第１の段付部
２１に接着剤で接合される時、その余分な接着剤１７が
切欠２１ｂと第１の回路基板５０の面とダミー配線５４
との間で貯留される。この結果、余分な接着剤１７が第
１の回路基板５０の内側へ流れ込むことが防止され、給
電回路５１の集積回路５８に対する接着剤の影響を防止
できる。
【００２５】又、余分な接着剤１７が第２の段付部２２
の水平面２２ｈに競り上がるのが防止され、その水平面
２２ｈ上に配設されたリードピン６０のボンディング部
６０ｂ、接続リード６３のボンディング部６３ａ、接続
リード６４のボンディング部６４ａ、接続リード６２の
ボンディング部６２ａ及び接続リード６５のボンディン
グ部６５ａに接着剤１７が付着することによるワイヤボ
ンディング不良の発生を防止することができる。
【００２６】（4)第３の段付部２３の詳細な構成 図１９に示すように、第３の段付部２３の水平面２３ｈ
の内側境界線２３ａ側に溝２３ｂが、外側境界線側２３
ｃに溝２３ｄが形成されている。この溝２３ｂ、２３ｄ
は図示する角形形状の他、三角形状であっても良い。
又、図１８と同様な構造であっても良い。
【００２７】第３の段付部２３に形成された溝２３ｂ、
２３ｄの作用は次の通りである。金属板４３が第３の段
付部２３の水平面２３ｈに接着剤で接合される時、余分
な接着剤１７がこの溝２３ｂに貯留される。この結果、
余分な接着剤１７は、水平面２３ｈより下方にある第２
の段付部２２の水平面２２ｈに垂れ下がるのを防止さ
れ、水平面２２ｈ上に配設されているリードピン６０の
ボンディング部６０ｂ、接続リード６３のボンディング
部６３ａ、接続リード６４のボンディング部６４ａ、接
続リード６２のボンディング部６２ａ及び接続リード６
５のボンディング部６５ａに接着剤が付着することによ
るワイヤボンディング不良の発生を防止することができ
る。又、溝２３ｂにより、第１の回路基板５０上に充填
されたシリコーンゲル１６の第３の段付部２３の水平面
２３ｈのはい上がりが防止され、その水平面２３ｈに接
着剤が付き易くなり、水平面２３ｈと金属板４３のとの
接着不良が防止される。尚、シリコーンゲル１６の第３
の段付部２３の水平面２３ｈのはい上がりを防止するに
は、第２の段付部２２の垂直面２２ｖにその垂直面２２
ｖに垂直に突出した段付部を形成しても良い。
【００２８】又、余分な接着剤１７は溝２３ｄにも貯留
される。この結果、余分な接着剤１７が第３の段付部２
３の垂直面２３ｖを競り上がり、金属板４３の上に接合
された第２の回路基板５２の配線パターンに付着するこ
と、又、第４の段付部２４の水平面２４ｈ上に配設され
ているリードピン６１のボンディング部６１ｂ、接続リ
ード６３のボンディング部６３ｂ及び接続リード６２の
ボンディング部６２ｂに付着することが防止され、ワイ
ヤボンディグ不良の発生を防止することができる。
【００２９】（5)金属板４３の具体的な構成 金属板４３は、図１９、図２０に示すように、第３の段
付部２３の水平面２３ｈの外側境界線２３ｃで示す形状
よりも若干小さく、金属板４３が水平面２３ｈに載置さ
れた時、垂直面２３ｖとの間に微小間隙Δ２を生じるよ
うに構成されている。そして、金属板４３の周辺端部に
は、外側（垂直面２３ｖ方向）に向かって、数個の突起
４３ａが形成されている。又、垂直面２３ｖには、内側
（金属板４３方向）に向かって数個の突起２３ｅが形成
されている。
【００３０】突起４３ａ、２３ｅの作用は次の通りであ
る。突起４３ａ、２３ｅは金属板４３が第３の段付部２
３に載置された時の位置決めのためのものであり、金属
板４３と垂直面２３ｖとの間で微小間隙Δ２を形成する
ためのものである。又、この間隙Δ２によりリードピン
６１のボンディング部６１ｂ、接続リード６３のボンデ
ィング部６３ｂ及び接続リード６２のボンディング部６
２ｂと金属板４３とが絶縁分離されている。又、この微
小間隙Δ２に余分の接着剤１７が貯留されて、接着剤１
７が垂直面２３ｖを競り上がるのが防止される。この結
果、余分な接着剤１７が第３の段付部２３の垂直面２３
ｖを競り上がり、金属板４３の上に接合された第２の回
路基板５２の配線パターンに付着すること、又、第４の
段付部２４の水平面２４ｈ上に配設されているリードピ
ン６１のボンディング部６１ｂ及び接続リード６２のボ
ンディング部６２ｂに付着することが防止され、ワイヤ
ボンディグ不良の発生を防止することができる。
【００３１】（6)第５の段付部２５の詳細な構成 図２１に示すように、第５の段付部２５の水平面２５ｈ
の内側境界線２５ａ側には、溝２５ｂが形成されてい
る。この溝２５ｂは図示する角形形状の他、三角形状で
あっても良い。更に、図１８に示す構造と同様であって
も良い。
【００３２】第５の段付部２５に形成された溝２５ｂの
作用は次の通りである。金属板４６が第５の段付部２５
の水平面２５ｈに接着剤で接合される。この時、余分な
接着剤１７がこの溝に貯留される。この結果、余分な接
着剤が水平面２５ｈから垂れ下がり、第４の段付部２４
に配設されたリードピン６１のボンディング６１ｂ及び
接続リード６２のボンディング６２ｂに付着することに
よるワイヤボンディング不良が防止される。又、接着剤
１７が第２の回路基板５２の配線パターンへ付着するこ
とも防止される。又、溝２５ｂにより、第２の回路基板
５２上に充填されたシリコーンゲル１６の第５の段付部
２５の水平面２５ｈへのはい上がりが防止され、その水
平面２５ｈに接着剤が付き易くなり、水平面２５ｈと金
属板４６のとの接着不良が防止される。尚、シリコーン
ゲル１６の第５の段付部２５の水平面２５ｈのはい上が
りを防止するには、第４の段付部２４の垂直面２４ｖに
その垂直面２４ｖに垂直に突出した段付部を形成しても
良い。
【００３３】（7)リードピン６０、６１の詳細な構成 リードピン６０、６１は、それぞれ、図７、図９に示す
平板金属を図８、図１０に示す形状に屈曲して構成され
ている。各リード片のピッチは、ボンディング部６０
ｂ，６１ｂからピン６０ａ、６１ａ側に向かって、広が
っている。このようにピン６０ａ、６１ａ側の各リード
の間隔を広くし、ボンディング部６０ｂ、６１ｂ側の各
リードの間隔を狭くしているので、枠体１０の内部が狭
くても、ピンの取り出し効率が良い。又、リードピン６
０、６１の断面形状は、図２２に示すように台形状に形
成されている。従って、リードピン６０、６１のボンデ
ィング部６０ｂ、６１ｂが、それぞれ、第２の段付部２
２の水平面２２ｈ、第４の段付部２４の水平面２４ｈに
インサート成形により形成されるが、製造時及びワイヤ
ボンディング時に、それらのボンディング部６０ｂ、６
１ｂがそれぞれの水平面２２ｈ、２４ｈから離脱するの
が防止される。
【００３４】 （8)接続リード６２、６３、６４、６５の詳細な構成 接続リード６２は、図１５に示す形状の金属板を図１６
に示す形状に屈曲させて構成されている。この接続リー
ド６２は、ボンディング部６２ｂの側の方が、ボンディ
ング部６２ａの側の方よりも、各リードのピッチが広く
なっている。この形状により、ボンディングスペースの
狭い第１の回路基板５０とボンディングスペースの広い
第２の回路基板５２の配線パターン間を、リードの数を
減少させることなく、電気的に効率的に接続することが
できる。
【００３５】又、接続リード６３は、図１１に示す平金
属板を図１２に示す形状に屈曲させたものであり、接続
リード６４は、図１３に示す平金属板を図１４に示す形
状に屈曲させたものである。又、接続リード６５は接続
リード６３と線対象の形状をしている。この構造の接続
リード６４、６５を用いて、第１の回路基板５０と枠体
１０に形成されたキャパシタ箱１５に設置されているキ
ャパシタ５６、５７とを電気的に接続することができ
る。
【００３６】又、接続リード６２、６３、６４、６５の
断面形状は、図２２に示すように台形状に形成されてい
る。従って、接続リード６２、６３、６４、６５のボン
ディング部６２ａ、６３ａ、６４ａ、６５ａが、第２の
段付部２２の水平面２２ｈにインサート成形により形成
されるが、製造時及びワイヤボンディング時に、それら
のボンディング部６２ａ、６３ａ、６４ａ、６５ａが水
平面２２ｈから離脱するのが防止される。同様に、接続
リード６２、６３のボンディング部６２ｂ、６３ｂが、
第４の段付部２４の水平面２４ｈにインサート成形によ
り形成されるが、製造時及びワイヤボンディング時に、
ボンディング部６２ｂ、６３ｂが水平面２４ｈから離脱
するのが防止される。
【００３７】（9)枠体１０の裏面の構成 枠体１０の裏面は図２３に示すように構成されている。
接続リード６２の端部６２ｃ及びフレーム部６２ｄが突
出する溝２６と、接続リード６３の端部６３ｃ及びフレ
ーム部６３ｅが突出する溝２９が形成されている。接続
リード６２、６３をインサートとした枠体１０の樹脂成
形が完了した時に、接続リード６２、６３のそれぞれの
フレーム部６２ｄ、６３ｅがこの溝２６、２９内で切断
される。
【００３８】更に、枠体１０内に埋設された接続リード
６２のボンディング部６２ａにつながる中間部６２ｆ
（図１６参照）に当たる位置及びリードピン６０のボン
ディング部６０ｂにつながる中間部６０ｄ（図８参照）
に当たる位置に、それぞれ、窓２７、２８が形成されて
いる。このうち、窓２７は、後述する製造時に接続リー
ド６２を金型に変形及び位置ずれなく支持するための支
持板６６が置かれるために形成されている。又、窓２
７、２８は枠体１０の樹脂成形が完了した時に、接続リ
ード６２及びリードピン６０の各リードが接触すること
なく形成されているか否かの確認に用いられる。
【００３９】（10) 電子装置１の製造方法 枠体１０は、リードピン６０、６１、接続リード６２、
６３、６４、６５をインサートとする樹脂成形により形
成される。金型は、図２４に示すように、上型７０、下
型７１、コア（図示略）で主として構成されている。そ
して、上型７０と下型７１との間に樹脂を射出するため
のキャビティ７２が形成されている。リードピン６０、
６１、６３、６４、６５はコネクタ箱１４を形成するた
めのコアに支持されている。
【００４０】一方、接続リード６２は、次のようにキャ
ビティ７２に配設されている。接続リード６２の先端部
６２ｃ及びフレーム部６２ｄが下型７１に形成された溝
６８に挿入され、フレーム部６２ｅが上型７０と下型７
１との間に挟持され、ボンディング部６２ｂが上型７０
のキャビティ面７２ａに当接されている。ボンディング
部６２ａに続く中間部６２ｆと中間部６２ｇはキャビテ
ィ７２に配置され、中間部６２ｆは下型７１に形成され
た溝６９から突出された櫛状の支持板６６によって支持
されている。
【００４１】支持板６６による接続リード６２の支持方
法は、図２５に詳述されている。支持板６６の各足６６
ａが接続リード６２のリード間の間隙に挿入され、接続
リード６２の各リードは支持板６６の根元部６６ｂで上
型７０の方向に押圧される。この結果、接続リード６２
の各リードの間隙は適正に保持され、樹脂成形の過程に
おいて、各リードが接触するということが防止される。
【００４２】又、支持板６６の上型７０方向への押圧力
ｆにより、ボンディング部６２ａ及び６２ｂは上型７０
から下型７１に向かう反作用ｆを受ける。この結果、接
続リード６２はキャビィティ７２内において適正な姿勢
で保持されることになり、成形後の枠体１０において、
接続リード６２のボンディグ部６２ａ及び６２ｂが、そ
れぞれ、第２の段付部２２の水平面２２ｈ及び第４の段
付部２４の水平面２４ｈに水平に露出した状態となり、
成形不良が防止される。
【００４３】尚、図２６に示すように接続リード６２０
を単にＵ字形状に構成したとすると、その接続リード６
２０には支持板６６による押圧力ｆが作用する位置にそ
の方向に伸びる中間部（図２４における６２ｇに相当す
る部分）が存在しないために、押圧力ｆが上型７０に接
触するボンディング部６２０ｂに伝達し難い。よって、
ボンディング部６２０ｂを上型７０に押しつける力が不
足して、ボンディング部６２０ｂと上型７０との間に間
隙を生じる。この場合には、その間隙に樹脂が注入され
てボンディング部６２０ｂが露出しないということがあ
る。更に、ボンディング部６２０ｂの姿勢が不適切で、
規則正しいピッチでボンディング部６２０ｂが形成され
なかったりする。
【００４４】しかしながら、接続リード６２を図１６及
び図２５に示すような形状とすることにより、ボンディ
ング部６２ｂを枠体１０の第４段付部２４の水平面２４
ｈに適正に形成することができる。支持板６６による押
圧力ｆが接続リード６２に適正に作用すれば良いことか
ら、接続リード６２の形状と支持板６６による押圧力ｆ
を作用させる位置との関係は、図２７に示すものであっ
ても良い。
【００４５】又、枠体１０の成形後は、リードピン６
０、６１、接続リード６２、６３、６４、６５の各フレ
ーム部６０ｃ、６１ｃ、６２ｅ、６２ｄ、６３ｅ、６３
ｄ、６４ｃ、が切断される。
【００４６】 （11) キャパシタ５６の接続リード６４への接続方法 接続リード６４の端子部６４ｂは図２８に示すような形
状に構成されている。この端子部６４ｂは、キャパシタ
５６のリード５６ａ、５６ｂを電気溶接する溶接領域６
４ｄが形成されており、その溶接領域６４ｄは、切欠部
６４ｆにより溶接領域６４ｄの軸方向（ｈ軸方向）の長
さが幅方向（ｄ軸方向）に比べて短くなっている。この
ような構成により、リード５６ａ、５６ｂの溶接領域６
４ｄに対する接触面積を狭くして電気溶接時の電流集中
を大きくすることができる。又、この切欠部６４ｆにリ
ード５６ａ、５６ｂを通していることからリード５６
ａ、５６ｂの位置決め及び溶接時の位置ずれが防止され
る。又、リード５６ａ、５６ｂ間の間隙保持にもなり、
振動の激しい所で本装置が使用された場合にも短絡が発
生することがない。又、切欠部６４ｆとリード５６ａ、
５６ｂとが係合していることから、振動のリード５６
ａ、５６ｂの溶接部分への伝達が緩和され、接合部の剥
離が抑制される。
【００４７】この溶接領域６４ｄと切欠部６４ｆは、図
２９に示す形状であっても良く、電気溶接時に電流集中
を大きくすることができる。図２８に示したのと同様
に、リード５６ａを図２９の(d) に示すように切欠部６
４ｆを通して折り曲げることにより、リード５６ａの位
置決め及び溶接時の位置ずれが防止される。又、同様
に、振動の激しい所で本装置が使用された場合にも、リ
ード間での短絡の発生が防止され、振動のリードの溶接
部分への伝達が緩和されることから接合部の剥離が抑制
される。又、本電子装置１が自動車のエンジンルーム等
の振動の激しい場所に設置された場合にも、このような
切欠部６４ｆを設けることで、端子部６４ｂへの振動伝
達が緩和され、電気溶接部分が剥離することが防止され
る。
【００４８】
【発明の効果】本発明は、接続リードを金型のキャビテ
ィを構成する面に配設し、櫛歯状の支持板を、金型のキ
ャビティを構成する面からキャビティに向かって進出さ
せて、進出部分の多数のリードと係合させて、接続リー
ドをキャビィティに固定した状態で、枠体を成形するこ
とを特徴とする方法である。従って、この支持板の押圧
力により、階段状に屈曲した接続リードは金型のキャビ
ティ面に対して隙間なく、正しい姿勢で配設されること
になり、この状態で成形した場合には、接続リードの第
１及び第２の接合部は枠体に形成された各段付部の各水
平面にその表面が露出した状態で埋設固定される。又、
櫛歯状の支持板が各リード間に入るため、各リード間隔
が適正に保持され、樹脂注入時に高圧が作用しても、各
リード間隙が狭められて接触するということが防止され
る。この結果、本電子装置の製造不良の発生を極力防止
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る電子装置の構
成を示した断面図。
【図２】その電子装置の枠体を示した斜視図。
【図３】第１の回路基板を実装した枠体を示した斜視
図。
【図４】第２の回路基板を実装した枠体を示した斜視
図。
【図５】枠体の構成を示した断面図。
【図６】第１の回路基板を示した平面図。
【図７】リードピンの折曲げ加工前の平面形状を示した
平面図。
【図８】そのリードピンの折曲げ加工後の立体形状を示
した斜視図。
【図９】他のリードピンの折曲げ加工前の平面形状を示
した平面図。
【図１０】そのリードピンの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
【図１１】接続リードの折曲げ加工前の平面形状を示し
た平面図。
【図１２】その接続リードの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
【図１３】他の接続リードの折曲げ加工前の平面形状を
示した平面図。
【図１４】その接続リードの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
【図１５】他の接続リードの折曲げ加工前の平面形状を
示した平面図。
【図１６】その接続リードの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
【図１７】第１の段付部の詳細な構成を示した断面図。
【図１８】第１の段付部の他の構成を示した断面図。
【図１９】第３の段付部の詳細な構成を示した断面図。
【図２０】第２の金属板を載置した第３の段付部の構成
を示した平面図。
【図２１】第５の段付部の詳細な構成を示した断面図。
【図２２】リードの断面構造を示した断面図。
【図２３】枠体の裏面の構想を示した裏面図。
【図２４】枠体の製造方法に係る金型と接続リードとの
関係を示した断面図。
【図２５】枠体の製造時における接続リードの支持方法
を示した斜視図。
【図２６】枠体の製造時における接続リードの不適切な
形状による不適切な支持を説明するための断面図。
【図２７】枠体の製造時における接続リードの他の形状
とその支持方法との関係を示した示した断面図。
【図２８】接続リードの端子部とリードとの接合関係を
示した斜視図。
【図２９】接続リードの端子部の他の構造を示した平面
図。
【符号の説明】
１…電子装置 １０…枠体 １１…下方開口 １２…上
方開口 １３…底面 １４…コネクタケース １５…キャパシタ箱 ２１…第１の段付部 ２２…第２の段付部 ２３…第３
の段付部 ２４…第４の段付部 ２５…第５の段付部 ２１ｈ，２２ｈ，２３ｈ，２４ｈ，２５ｈ…水平面 ２１ｖ，２２ｖ，２３ｖ，２４ｖ，２５ｖ…垂直面 ２１ｂ…切欠 ２３ｂ，２３ｄ…溝 ２３ｅ…突起 ２
５ｂ…溝 ２６，２９…溝 ２７，２８…窓 ４０…金属板 ４３…金属板 ４３ａ…突起 ４６…金属板 ５０…第１の回路基板 ５２…第２の回路基板 ５１…給電回路 ５３…制御回路 ５４…ダミー配線 ５５…凹部 ５６，５７…キャパシタ ５８…集積回路 ６０…リードピン６１ …リードピン ６０ａ，６１ａ…ピン ６０ｂ，６１ｂ…ボンディング部 ６２，６３，６４，６５…接続リード ６２ａ…ボンディング部（第１の接合部） ６２ｂ…ボンディング部（第２の接合部） ６２ｆ，６２ｇ…中間部 ６３ａ，ｂ，６４ａ，６５ａ…ボンディング部 ６４ｂ，６５ｂ…端子部 ６６…支持板 ７０…上型 ７１…下型 ７２…キャビティ ８１，８２─ボンディング部 ８３，８４…ボンディン
グ部（接合部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−219149（ＪＰ，Ａ) 実公 平１−43825（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 25/00 H05K 1/14

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子回路を搭載した回路基板がケースに
    ２段構造に配設された電子装置であって、 前記ケースを構成する樹脂製の枠体と、 前記枠体の内部において、相互に略平行に配設され、前
    記回路基板を構成する第１の回路基板及び第２の回路基
    板と、 前記枠体の側壁内部に階段状に屈曲した状態で保持され
    た中間部と、前記枠体の側壁に階段状に形成された段付
    部の水平面に露出して配設され、前記第１の回路基板の
    接合部と電気接続された第１の接合部と、前記枠体の側
    壁に階段状に形成された他の段付部の水平面に露出して
    配設され、前記第２の回路基板の接合部と電気接続され
    た第２の接合部とから成る多数のリードで構成された接
    続リードとを有する電子装置の製造方法であって、 前記接続リードをインサートとして前記枠体を成形する
    時、前記接続リードを金型のキャビティを構成する面に
    配設し、 櫛歯状の支持板を、前記金型のキャビティを構成する面
    からキャビティ内部に向かって進出させて、進出部分の
    前記多数のリードと係合させて、前記接続リードを前記
    キャビィティに固定した状態で、前記枠体を成形するこ
    とを特徴とする電子装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記接続リードは、前記第２の接合部に
    続き前記中間部と平行に前記枠体の側壁内部に向かって
    折れ曲がった先端部を有するものであって、前記枠体を
    インサート成形する際、前記金型のキャビティを構成す
    る面からキャビティ内部に向かって前記中間部と前記先
    端部を同時に押圧して前記第２の接合部を前記金型のキ
    ャビティを構成する面に接触させながら前記枠体を形成
    することを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造
    方法。
  3. 【請求項３】 前記接続リードは、前記第２の接合部に
    続き前記中間部と平行に前記枠体の側壁内部に向かって
    折れ曲がった先端部を有し、前記多数のリードを互いに
    接続するフレーム部を前記先端部に有するものであっ
    て、前記フレーム部が前記枠体から外部に露出するよう
    に前記枠体をインサート成形した後、前記フレーム部を
    切断して前記多数のリードを互いに分離することを特徴
    とする請 求項１に記載の電子装置の製造方法。
JP3157674A 1991-05-31 1991-05-31 電子装置の製造方法 Expired - Fee Related JP2765278B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3157674A JP2765278B2 (ja) 1991-05-31 1991-05-31 電子装置の製造方法
DE69227066T DE69227066T2 (de) 1991-05-31 1992-05-29 Elektronische Vorrichtung
EP92109098A EP0516149B1 (en) 1991-05-31 1992-05-29 Electronic device
KR1019920009389A KR100238601B1 (ko) 1991-05-31 1992-05-30 전자장치
US08/118,785 US5408383A (en) 1991-05-31 1993-09-10 Container for electronic devices having a plurality of circuit boards
US08/400,242 US5586389A (en) 1991-05-31 1995-03-06 Method for producing multi-board electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3157674A JP2765278B2 (ja) 1991-05-31 1991-05-31 電子装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04354357A JPH04354357A (ja) 1992-12-08
JP2765278B2 true JP2765278B2 (ja) 1998-06-11

Family

ID=15654908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3157674A Expired - Fee Related JP2765278B2 (ja) 1991-05-31 1991-05-31 電子装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5586389A (ja)
JP (1) JP2765278B2 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554821A (en) * 1994-07-15 1996-09-10 National Semiconductor Corporation Removable computer peripheral cards having a solid one-piece housing
JP3505908B2 (ja) * 1996-03-15 2004-03-15 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 導電ワイヤ接続端子
US6730991B1 (en) * 1996-06-11 2004-05-04 Raytheon Company Integrated circuit chip package
JP3505997B2 (ja) * 1998-03-20 2004-03-15 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 電子制御ユニット
JP2000208181A (ja) * 1999-01-08 2000-07-28 Aisin Aw Co Ltd 電子部品及びその製造装置
US6199743B1 (en) 1999-08-19 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Apparatuses for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies
US6221748B1 (en) 1999-08-19 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for providing mechanically pre-formed conductive leads
AUPQ756000A0 (en) * 2000-05-17 2000-06-08 Mcom Solutions Inc Circuit board arrangement and funds transaction device
JP4475160B2 (ja) * 2005-04-13 2010-06-09 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
JP2012069764A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 On Semiconductor Trading Ltd 回路装置およびその製造方法
JP5387620B2 (ja) * 2011-05-31 2014-01-15 株式会社安川電機 電力変換装置、半導体装置および電力変換装置の製造方法
US9293870B1 (en) * 2015-03-10 2016-03-22 Continental Automotive Systems, Inc. Electronic control module having a cover allowing for inspection of right angle press-fit pins
CN109256373A (zh) * 2018-09-29 2019-01-22 中国电子科技集团公司第四十三研究所 I/f转换系统三维立体封装结构及封装方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544857A (en) * 1966-08-16 1970-12-01 Signetics Corp Integrated circuit assembly with lead structure and method
US3710193A (en) * 1971-03-04 1973-01-09 Lambda Electronics Corp Hybrid regulated power supply having individual heat sinks for heat generative and heat sensitive components
CH560999A5 (ja) * 1973-08-16 1975-04-15 Bbc Brown Boveri & Cie
US4074342A (en) * 1974-12-20 1978-02-14 International Business Machines Corporation Electrical package for lsi devices and assembly process therefor
US4079511A (en) * 1976-07-30 1978-03-21 Amp Incorporated Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames
US4296456A (en) * 1980-06-02 1981-10-20 Burroughs Corporation Electronic package for high density integrated circuits
JPS58111166A (ja) * 1981-12-24 1983-07-02 Canon Inc Ｒｏｍパツク
US4677526A (en) * 1984-03-01 1987-06-30 Augat Inc. Plastic pin grid array chip carrier
US4584767A (en) * 1984-07-16 1986-04-29 Gregory Vernon C In-mold process for fabrication of molded plastic printed circuit boards
FR2598258B1 (fr) * 1986-04-30 1988-10-07 Aix Les Bains Composants Procede d'encapsulation de circuits integres.
US4873615A (en) * 1986-10-09 1989-10-10 Amp Incorporated Semiconductor chip carrier system
JPS63219149A (ja) * 1986-10-17 1988-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路
US4766520A (en) * 1986-12-05 1988-08-23 Capsonic Group, Inc. Injection molded circuit housing
JPS6443825U (ja) * 1987-09-14 1989-03-16
JPH0666408B2 (ja) * 1987-12-04 1994-08-24 富士電機株式会社 多層形半導体装置
US4802859A (en) * 1988-04-01 1989-02-07 Gte Products Corporation Electrical connector
US4985747A (en) * 1988-06-09 1991-01-15 Oki Electric Industry Co., Ltd. Terminal structure and process of fabricating the same
US4916575A (en) * 1988-08-08 1990-04-10 Asten Francis C Van Multiple circuit board module
JPH02170598A (ja) * 1988-12-23 1990-07-02 Mazda Motor Corp 車載用制御ユニツト構造
JPH02276257A (ja) * 1989-04-17 1990-11-13 Nec Kyushu Ltd 半導体用樹脂封止トランスファー金型
JP2612339B2 (ja) * 1989-04-18 1997-05-21 三菱電機株式会社 電子機器筐体
US5031069A (en) * 1989-12-28 1991-07-09 Sundstrand Corporation Integration of ceramic capacitor
KR940006427Y1 (ko) * 1991-04-12 1994-09-24 윤광렬 독서용 확대경

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04354357A (ja) 1992-12-08
US5586389A (en) 1996-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2705368B2 (ja) 電子装置
KR100238601B1 (ko) 전자장치
US5091341A (en) Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member
JP3793628B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2765278B2 (ja) 電子装置の製造方法
US5767527A (en) Semiconductor device suitable for testing
JP3165078B2 (ja) 表面実装部品の製造方法
EP0884781A2 (en) Power semiconductor module
US6372998B1 (en) Electrical component connecting structure of wiring board
JPH1168035A (ja) パワー半導体モジュール
JP3901038B2 (ja) 半導体装置およびそれを用いたインバータ装置
JPH03108744A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2705369B2 (ja) 電子装置
JP2768056B2 (ja) 電子装置
JP2765277B2 (ja) 電子装置
JP2560909Y2 (ja) 複合半導体装置
JP2002026195A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2705370B2 (ja) 電気溶接に適したリード及び端子の構造
JPH10242385A (ja) 電力用混合集積回路装置
JP2814776B2 (ja) 電子装置
JP2001118868A (ja) 表面実装部品及びその製造方法
JP2574605Y2 (ja) 複合半導体装置
JPS6244815B2 (ja)
JPH10242344A (ja) 電力用半導体装置
JPH11177017A (ja) 複合半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100403

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110403

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees