JPH04354357A - 電子装置の製造方法 - Google Patents
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- JPH04354357A JPH04354357A JP3157674A JP15767491A JPH04354357A JP H04354357 A JPH04354357 A JP H04354357A JP 3157674 A JP3157674 A JP 3157674A JP 15767491 A JP15767491 A JP 15767491A JP H04354357 A JPH04354357 A JP H04354357A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は実装密度を向上させた電
子装置に関し、特に、回路基板が2段構造に構成された
場合の回路基板間の電気的接続の効率を改善した装置及
びその装置の製造方法に関する。
子装置に関し、特に、回路基板が2段構造に構成された
場合の回路基板間の電気的接続の効率を改善した装置及
びその装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体集積回路を搭載した回
路基板を1つのパッケージ内に2段に実装した装置が知
られている(例えば、特開平1−147850号公報)
。この装置では、2段の回路基板間の配線は、外部に信
号を取り出すためのリードピンを介して行こなわれてい
る。
路基板を1つのパッケージ内に2段に実装した装置が知
られている(例えば、特開平1−147850号公報)
。この装置では、2段の回路基板間の配線は、外部に信
号を取り出すためのリードピンを介して行こなわれてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、外部に信号
を取り出すためのリードピンを介して、2段の回路基板
間の電気的接続が行われているため、外部に共通に信号
を取り出さない場合には、このリードピンをダミーピン
とする必要がある。このため、外部に取り出すことがで
きる有効なピンの数が少なくなるという問題がある。 又、2段の回路基板間の電気配線をリードピンと共通に
しているため、回路基板間の接続線数が多くとれないと
いう問題がある。素子の実装密度を向上させた電子装置
では2段の回路基板間を接続する配線数も多く、上記の
問題を解決することは重要である。
を取り出すためのリードピンを介して、2段の回路基板
間の電気的接続が行われているため、外部に共通に信号
を取り出さない場合には、このリードピンをダミーピン
とする必要がある。このため、外部に取り出すことがで
きる有効なピンの数が少なくなるという問題がある。 又、2段の回路基板間の電気配線をリードピンと共通に
しているため、回路基板間の接続線数が多くとれないと
いう問題がある。素子の実装密度を向上させた電子装置
では2段の回路基板間を接続する配線数も多く、上記の
問題を解決することは重要である。
【0004】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、2段構成の回路基板を実
装した電子装置における回路基板間の電気的接続を容易
にすることである。
れたものであり、その目的は、2段構成の回路基板を実
装した電子装置における回路基板間の電気的接続を容易
にすることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、ケースを構成する樹脂製の枠体と、枠
体の内部において、相互に略平行に配設され、回路基板
を構成する第1の回路基板及び第2の回路基板と、枠体
の側壁内部に階段状に屈曲した状態で保持された中間部
と、側壁に階段状に形成された段付部の水平面に露出し
て配設され、第1の回路基板の接合部と電気接続された
第1の接合部と、枠体の側壁に階段状に形成された他の
段付部の水平面に露出して配設され、第2の回路基板の
接合部と電気接続された第2の接合部とから成る多リー
ド構造の接続リードとを設けたことである。又、他の発
明の構成は、上記の電子装置を製造する方法において、
接続リードをインサートとして枠体を成型する時、接続
リードを金型のキャビティを構成する面に配設し、櫛歯
状の支持板を、金型のキャビティを構成する面からキャ
ビティ内部に向かって進出させて、進出部分の多数の金
属リードと係合させて、接続リードを前記キャビィティ
に固定した状態で、枠体を成形することを特徴とする。
の発明の構成は、ケースを構成する樹脂製の枠体と、枠
体の内部において、相互に略平行に配設され、回路基板
を構成する第1の回路基板及び第2の回路基板と、枠体
の側壁内部に階段状に屈曲した状態で保持された中間部
と、側壁に階段状に形成された段付部の水平面に露出し
て配設され、第1の回路基板の接合部と電気接続された
第1の接合部と、枠体の側壁に階段状に形成された他の
段付部の水平面に露出して配設され、第2の回路基板の
接合部と電気接続された第2の接合部とから成る多リー
ド構造の接続リードとを設けたことである。又、他の発
明の構成は、上記の電子装置を製造する方法において、
接続リードをインサートとして枠体を成型する時、接続
リードを金型のキャビティを構成する面に配設し、櫛歯
状の支持板を、金型のキャビティを構成する面からキャ
ビティ内部に向かって進出させて、進出部分の多数の金
属リードと係合させて、接続リードを前記キャビィティ
に固定した状態で、枠体を成形することを特徴とする。
【0006】
【作用】枠体の側壁内部には、階段状に屈曲された多リ
ード構造の接続リードが埋設されている。そして、その
接続リードは第1の接合部、中間部、第2の接合部を有
している。又、枠体の内側面には階段状の段付部が形成
されており、1つの段付部の水平面に第1の接合部が露
出し、他の段付部の水平面に第2の接合部が露出するよ
うに配設されている。尚、中間部は枠体内部に埋設され
ている。そして、第1の接合部と第1の回路基板の接合
部とが電気接続され、第2の接合部と第2の回路基板の
接合部とが電気接続されている。このような枠体の一方
の側で、枠体内に埋設された接続リードにより、第1の
回路基板と第2の回路基板間の電気的接続を容易にする
ことができる。
ード構造の接続リードが埋設されている。そして、その
接続リードは第1の接合部、中間部、第2の接合部を有
している。又、枠体の内側面には階段状の段付部が形成
されており、1つの段付部の水平面に第1の接合部が露
出し、他の段付部の水平面に第2の接合部が露出するよ
うに配設されている。尚、中間部は枠体内部に埋設され
ている。そして、第1の接合部と第1の回路基板の接合
部とが電気接続され、第2の接合部と第2の回路基板の
接合部とが電気接続されている。このような枠体の一方
の側で、枠体内に埋設された接続リードにより、第1の
回路基板と第2の回路基板間の電気的接続を容易にする
ことができる。
【0007】又、上記の電子装置の製造方法においては
、接続リードが金型のキャビティを構成する面に配設さ
れる。その後、櫛歯状の支持板が金型のキャビティを構
成する面からキャビティ内部に向かって進出する。そし
て、櫛歯状の支持板と多数の金属リードとを係合させて
、その支持板の押圧力により、接続リードをキャビィテ
ィ面に押し付ける。この支持板の押圧力により、階段状
に屈曲した接続リードは金型のキャビティ面に対して隙
間なく、正しい姿勢で配設されることになる。この状態
で枠体が成形される。従って、接続リードの第1及び第
2の接合部は枠体に形成された各段付部の各水平面にそ
の表面が露出した状態で埋設固定される。この結果、本
電子装置の製造不良の発生を極力防止することが可能と
なる。
、接続リードが金型のキャビティを構成する面に配設さ
れる。その後、櫛歯状の支持板が金型のキャビティを構
成する面からキャビティ内部に向かって進出する。そし
て、櫛歯状の支持板と多数の金属リードとを係合させて
、その支持板の押圧力により、接続リードをキャビィテ
ィ面に押し付ける。この支持板の押圧力により、階段状
に屈曲した接続リードは金型のキャビティ面に対して隙
間なく、正しい姿勢で配設されることになる。この状態
で枠体が成形される。従って、接続リードの第1及び第
2の接合部は枠体に形成された各段付部の各水平面にそ
の表面が露出した状態で埋設固定される。この結果、本
電子装置の製造不良の発生を極力防止することが可能と
なる。
【0008】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図1は本実施例にかかる電子装置1の断面図で
あり、図2は枠体10の斜視図であり、図3は枠体10
に下段の第1の回路基板50を実装した装置の斜視図で
あり、図4は枠体10の中段に第2の回路基板52を実
装した装置の斜視図であり、図5は枠体10の断面図で
ある。
明する。図1は本実施例にかかる電子装置1の断面図で
あり、図2は枠体10の斜視図であり、図3は枠体10
に下段の第1の回路基板50を実装した装置の斜視図で
あり、図4は枠体10の中段に第2の回路基板52を実
装した装置の斜視図であり、図5は枠体10の断面図で
ある。
【0009】(1)装置全体の構成
枠体10は、図5に示すように、樹脂製で略直方体形状
に構成されている。その枠体10は図示状態における上
側において外部空間に開放された上方開口12と下側に
おいて外部空間に開放された下方開口11とを有してい
る。又、枠体10の内側面には、下方開口11の側から
順に、階段状に第1の段付部21、第2の段付部22、
第3の段付部23、第4の段付部24、第5の段付部2
5が形成されている。各段付部21,22,23,24
,25は、それぞれ、法線がY軸方向(垂直軸方向)に
向いた水平面21h,22h,23h,24h,25h
と法線がX軸方向(水平軸方向)を向いた垂直面21v
,22v,23v,24v,25vとで構成されている
。
に構成されている。その枠体10は図示状態における上
側において外部空間に開放された上方開口12と下側に
おいて外部空間に開放された下方開口11とを有してい
る。又、枠体10の内側面には、下方開口11の側から
順に、階段状に第1の段付部21、第2の段付部22、
第3の段付部23、第4の段付部24、第5の段付部2
5が形成されている。各段付部21,22,23,24
,25は、それぞれ、法線がY軸方向(垂直軸方向)に
向いた水平面21h,22h,23h,24h,25h
と法線がX軸方向(水平軸方向)を向いた垂直面21v
,22v,23v,24v,25vとで構成されている
。
【0010】第1の回路基板50は、図6に示すように
、アルミニウム製の金属板40上に絶縁層を形成し、そ
の絶縁層の表面に回路パターンを形成したものである。 この金属板40上に一体的に形成された回路基板は、通
常、金属基板と呼ばれている。そして、その第1の回路
基板50の周辺部50a(図6)が第1の段付部21の
水平面21hに接着材で接合されることにより、下方開
口11は金属板40により遮蔽されている。尚、第1の
段付部21の垂直面21vの高さは金属板40と第1の
回路基板50とが一体化された上記の金属基板の厚さに
等しく、枠体10の底面13と金属板40の裏面41と
が同一平面を構成している。
、アルミニウム製の金属板40上に絶縁層を形成し、そ
の絶縁層の表面に回路パターンを形成したものである。 この金属板40上に一体的に形成された回路基板は、通
常、金属基板と呼ばれている。そして、その第1の回路
基板50の周辺部50a(図6)が第1の段付部21の
水平面21hに接着材で接合されることにより、下方開
口11は金属板40により遮蔽されている。尚、第1の
段付部21の垂直面21vの高さは金属板40と第1の
回路基板50とが一体化された上記の金属基板の厚さに
等しく、枠体10の底面13と金属板40の裏面41と
が同一平面を構成している。
【0011】第1の回路基板50上には、図1、図3に
示すように、大電流を取扱い、発熱量の大きなパワーM
OS トランジスタ、パワートランジスタ等の所謂パワ
ー素子で構成された給電回路51が実装されている。
示すように、大電流を取扱い、発熱量の大きなパワーM
OS トランジスタ、パワートランジスタ等の所謂パワ
ー素子で構成された給電回路51が実装されている。
【0012】金属板43は、図1、図19に示すように
、第3の段付部23に配設されている。即ち、第3の段
付部23の水平面23hには、金属板43の裏面44の
周辺部が接着剤で接合されている。その金属板43の表
面45には、第2の回路基板52が接着剤により接合さ
れている。そして、その第2の回路基板52の上には、
比較的小電流を取扱い、発熱量の少ない制御回路53が
実装されている。これらの給電回路51、制御回路53
は、図1に示すように、シリコーンゲル16がコーティ
ングされている。このゲルはシリコーンの他、他の樹脂
であっても良い。このゲルには断熱効果があるので、仮
に第2の回路基板52上に大電流を扱う素子を形成した
とすると、その上のゲルの作用によりその素子からの熱
は第1の回路基板50と第2の回路基板52との間に蓄
熱され装置の外部に出ることができない。本発明の構造
によれば、第1の回路基板50上に形成された素子から
発生した熱は、放熱効果の高い金属板40を介して外部
に放熱可能であり、第2の回路基板52上に配設さた素
子からは熱があまり発生しないので、熱が装置の内部に
籠もるということはない。
、第3の段付部23に配設されている。即ち、第3の段
付部23の水平面23hには、金属板43の裏面44の
周辺部が接着剤で接合されている。その金属板43の表
面45には、第2の回路基板52が接着剤により接合さ
れている。そして、その第2の回路基板52の上には、
比較的小電流を取扱い、発熱量の少ない制御回路53が
実装されている。これらの給電回路51、制御回路53
は、図1に示すように、シリコーンゲル16がコーティ
ングされている。このゲルはシリコーンの他、他の樹脂
であっても良い。このゲルには断熱効果があるので、仮
に第2の回路基板52上に大電流を扱う素子を形成した
とすると、その上のゲルの作用によりその素子からの熱
は第1の回路基板50と第2の回路基板52との間に蓄
熱され装置の外部に出ることができない。本発明の構造
によれば、第1の回路基板50上に形成された素子から
発生した熱は、放熱効果の高い金属板40を介して外部
に放熱可能であり、第2の回路基板52上に配設さた素
子からは熱があまり発生しないので、熱が装置の内部に
籠もるということはない。
【0013】又、枠体10の第5の段付部25には上方
開口12を遮蔽する金属板46が配設されている。即ち
、第5の段付部25の水平面25hに、金属板46の裏
面47の周辺部が接着剤で接合されている。そして、金
属板46の表面48は外気に接触している。このように
、枠体10、金属板40、金属板46とで、電子装置1
のケースが構成されている。本装置は、樹脂製の枠体1
0の下方開口11を遮蔽するアルミニウム製の金属板4
0と枠体10の中段にアルミニウム製の金属板43を配
設し、その金属板43上にセラミクス製の第2の回路基
板52を設けたことことから、本装置が自動車のエンジ
ンルーム等の高温環境下に置かれても、枠体10の樹脂
と金属板との熱膨張係数の差に起因する反りの発生が防
止されると共に、セラミクス製の第2の回路基板52の
割れや第2の回路基板52上の接合部の接合不良等の信
頼性の低下が防止された。又、枠体10の上方開口12
にもアルミニウム製の金属板46を設けたことから、枠
体10の反り及びその反りに起因する回路基板上の接合
部の接合不良等ががより一層防止された。尚、特開平1
−147850の第1図の構造の装置は樹脂製の枠体と
金属の蓋部材とから成るため、樹脂と金属との間の熱膨
張係数の差により枠体に反りが発生し、枠体内部に設け
られたセラミクス製の基板が割れたり、この基板上の接
合部の信頼性が悪くなる可能性がある。
開口12を遮蔽する金属板46が配設されている。即ち
、第5の段付部25の水平面25hに、金属板46の裏
面47の周辺部が接着剤で接合されている。そして、金
属板46の表面48は外気に接触している。このように
、枠体10、金属板40、金属板46とで、電子装置1
のケースが構成されている。本装置は、樹脂製の枠体1
0の下方開口11を遮蔽するアルミニウム製の金属板4
0と枠体10の中段にアルミニウム製の金属板43を配
設し、その金属板43上にセラミクス製の第2の回路基
板52を設けたことことから、本装置が自動車のエンジ
ンルーム等の高温環境下に置かれても、枠体10の樹脂
と金属板との熱膨張係数の差に起因する反りの発生が防
止されると共に、セラミクス製の第2の回路基板52の
割れや第2の回路基板52上の接合部の接合不良等の信
頼性の低下が防止された。又、枠体10の上方開口12
にもアルミニウム製の金属板46を設けたことから、枠
体10の反り及びその反りに起因する回路基板上の接合
部の接合不良等ががより一層防止された。尚、特開平1
−147850の第1図の構造の装置は樹脂製の枠体と
金属の蓋部材とから成るため、樹脂と金属との間の熱膨
張係数の差により枠体に反りが発生し、枠体内部に設け
られたセラミクス製の基板が割れたり、この基板上の接
合部の信頼性が悪くなる可能性がある。
【0014】一方、枠体10には一方の側でコネクタケ
ース14が形成されており、そのコネクタケース14の
内部にはリードピン60、61が突出している。リード
ピン60は図7に示す櫛型に多数のリードが形成された
金属板を図8に示すように折り曲げ加工されて、枠体1
0の内部にインサート成形により埋め込まれている。そ
して、図1に示すように、リードピン60の一方の端部
に形成されたピン60aはコネクタケース14の内部空
間に突出し、他方の端部に形成されたボンディング部6
0bは第2の段付部22の水平面22h上に露出状態で
設置されている。このボンディング部60bは第1の回
路基板50における配線パターンのボンディング部81
とワイヤボンディングにより電気的に接続される。
ース14が形成されており、そのコネクタケース14の
内部にはリードピン60、61が突出している。リード
ピン60は図7に示す櫛型に多数のリードが形成された
金属板を図8に示すように折り曲げ加工されて、枠体1
0の内部にインサート成形により埋め込まれている。そ
して、図1に示すように、リードピン60の一方の端部
に形成されたピン60aはコネクタケース14の内部空
間に突出し、他方の端部に形成されたボンディング部6
0bは第2の段付部22の水平面22h上に露出状態で
設置されている。このボンディング部60bは第1の回
路基板50における配線パターンのボンディング部81
とワイヤボンディングにより電気的に接続される。
【0015】又、リードピン61もリードピン60と同
様に、図9に示す金属板が図10に示す形状に折り曲げ
加工されて、枠体10の内部にインサート成形されて埋
設されている。そして、リードピン61の一方の端部に
形成されたピン61aはコネクタケース14の内部空間
に突出し、他方の端部に形成されたボンディング部61
bは第4の段付部24の水平面24h上に露出状態で設
置されている。そして、第2の回路基板52上の配線パ
ターンのボンディング部82とそのリードピン61のボ
ンディング部61bとがワイヤボンディングにより電気
的に接続されている。尚、リードピン60,61におい
て、各リードを共通に保持するフレーム部60c、61
cは、それぞれ、樹脂成形後にカッターで切断され、各
リードは電気的に絶縁される。
様に、図9に示す金属板が図10に示す形状に折り曲げ
加工されて、枠体10の内部にインサート成形されて埋
設されている。そして、リードピン61の一方の端部に
形成されたピン61aはコネクタケース14の内部空間
に突出し、他方の端部に形成されたボンディング部61
bは第4の段付部24の水平面24h上に露出状態で設
置されている。そして、第2の回路基板52上の配線パ
ターンのボンディング部82とそのリードピン61のボ
ンディング部61bとがワイヤボンディングにより電気
的に接続されている。尚、リードピン60,61におい
て、各リードを共通に保持するフレーム部60c、61
cは、それぞれ、樹脂成形後にカッターで切断され、各
リードは電気的に絶縁される。
【0016】又、第1の回路基板50と第2の回路基板
52のみを電気的に接続して、外部に信号を取り出すた
めのピンを突出させない接続リード63が、枠体10の
内部にインサート成形により埋設されている。その接続
リード63は、図11に示す櫛型の金属板が図12に示
す形状に折り曲げ加工されたものである。この接続リー
ド63は第2の段付部22の水平面22h上に露出した
ボンディング部63aと第4の段付部24の水平面24
h上に露出したボンディング部63bとを有し、その先
端部63cは枠体10の下方に向かって折曲げられてい
る。そして、各リードを共通に保持するフレーム部63
d、63eは、樹脂成形後にカッターで切断され、各リ
ードは相互に絶縁される。そして、ボンディング部63
aは第1の回路基板50上の配線パターンのボンディン
グ部81とワイヤボンディングにより電気的に接続され
、ボンディング部63bは第2の回路基板52上の配線
パターンのボンディング部82とワイヤボンディングに
より電気的に接続されている。この接続リード63によ
り第1の回路基板50と第2の回路基板52との一部の
配線の電気的接続が行われている。
52のみを電気的に接続して、外部に信号を取り出すた
めのピンを突出させない接続リード63が、枠体10の
内部にインサート成形により埋設されている。その接続
リード63は、図11に示す櫛型の金属板が図12に示
す形状に折り曲げ加工されたものである。この接続リー
ド63は第2の段付部22の水平面22h上に露出した
ボンディング部63aと第4の段付部24の水平面24
h上に露出したボンディング部63bとを有し、その先
端部63cは枠体10の下方に向かって折曲げられてい
る。そして、各リードを共通に保持するフレーム部63
d、63eは、樹脂成形後にカッターで切断され、各リ
ードは相互に絶縁される。そして、ボンディング部63
aは第1の回路基板50上の配線パターンのボンディン
グ部81とワイヤボンディングにより電気的に接続され
、ボンディング部63bは第2の回路基板52上の配線
パターンのボンディング部82とワイヤボンディングに
より電気的に接続されている。この接続リード63によ
り第1の回路基板50と第2の回路基板52との一部の
配線の電気的接続が行われている。
【0017】更に、枠体10の側面には、図2に示すよ
うに、キャパシタ箱15が形成されており、そのキャパ
シタ箱15には、図3に示すように、キャパシタ56、
57が横に寝た形態で収納されている。このキャパシタ
56、57は実装スペースの関係上、第1の回路基板5
0と第2の回路基板52上には配設できない。比較的容
積及び高さの大きなキャパシタ56、57を本実施例の
ように枠体10の側面に別形成したキャパシタ箱15に
収納することによって、電子装置1の全体の実装効率を
向上させることができる。このキャパシタ56と電気的
に接続する接続リード64が、枠体10にインサート成
形により埋設されている。その接続リード64は図13
に示す金属板を図14に示す形状に折り曲げ加工したも
のである。この接続リード64は第2の段付部22の水
平面22h上に露出したボンディング部64aとキャパ
シタ箱15に立設された端子部64bとフレーム部64
cとを有している。フレーム部64cは枠体10の成形
後にカッターで切断される。又、ボンディング部64a
は第1の回路基板50の配線パターンとワイヤボンディ
ングにより電気的に接続され、端子部64bはキャパシ
タ56のリード56a、56bと電気溶接により接続さ
れている。
うに、キャパシタ箱15が形成されており、そのキャパ
シタ箱15には、図3に示すように、キャパシタ56、
57が横に寝た形態で収納されている。このキャパシタ
56、57は実装スペースの関係上、第1の回路基板5
0と第2の回路基板52上には配設できない。比較的容
積及び高さの大きなキャパシタ56、57を本実施例の
ように枠体10の側面に別形成したキャパシタ箱15に
収納することによって、電子装置1の全体の実装効率を
向上させることができる。このキャパシタ56と電気的
に接続する接続リード64が、枠体10にインサート成
形により埋設されている。その接続リード64は図13
に示す金属板を図14に示す形状に折り曲げ加工したも
のである。この接続リード64は第2の段付部22の水
平面22h上に露出したボンディング部64aとキャパ
シタ箱15に立設された端子部64bとフレーム部64
cとを有している。フレーム部64cは枠体10の成形
後にカッターで切断される。又、ボンディング部64a
は第1の回路基板50の配線パターンとワイヤボンディ
ングにより電気的に接続され、端子部64bはキャパシ
タ56のリード56a、56bと電気溶接により接続さ
れている。
【0018】他方、枠体10のコネクタケース14が形
成されている側と反対側では、図15に示す櫛型形状の
金属板を、図16に示すように、略直角に折り曲げその
先をU字形状に屈曲させた(U字溝に柄がついた形状)
接続リード62がインサート成形により枠体10の内部
に埋設されている。そして、接続リード62の一方の端
部に形成されたボンディング部(第1の接合部)62a
は第2の段付部22の水平面22h上に露出状態で設置
され、中間部62gは枠体内部に埋設され、接続リード
62のボンディング部(第2の接合部)62bは第4の
段付部24の水平面24h上に露出状態で設置され、他
の先端部62cは第1の段付部21の水平面21h上に
形成された溝26に突出している。尚、各リードを共通
に保持するフレーム部62dは、枠体10の成形直後で
は、溝26に突出した状態であるが、その後、カッター
で切断される。同様にフレーム部62eも成形後に切断
され、各リードは絶縁分離される。この時、フレーム部
62d、62eには切断を容易にする切り込みが形成さ
れている。
成されている側と反対側では、図15に示す櫛型形状の
金属板を、図16に示すように、略直角に折り曲げその
先をU字形状に屈曲させた(U字溝に柄がついた形状)
接続リード62がインサート成形により枠体10の内部
に埋設されている。そして、接続リード62の一方の端
部に形成されたボンディング部(第1の接合部)62a
は第2の段付部22の水平面22h上に露出状態で設置
され、中間部62gは枠体内部に埋設され、接続リード
62のボンディング部(第2の接合部)62bは第4の
段付部24の水平面24h上に露出状態で設置され、他
の先端部62cは第1の段付部21の水平面21h上に
形成された溝26に突出している。尚、各リードを共通
に保持するフレーム部62dは、枠体10の成形直後で
は、溝26に突出した状態であるが、その後、カッター
で切断される。同様にフレーム部62eも成形後に切断
され、各リードは絶縁分離される。この時、フレーム部
62d、62eには切断を容易にする切り込みが形成さ
れている。
【0019】又、図1に示すように、接続リード62の
ボンディング部62aと第1の回路基板50の配線パタ
ーンのボンディング部(接合部)83とがワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続され、接続リード62のボン
ディング部62bと第2の回路基板52の配線パターン
のボンディング部(接合部)84とがワイヤボンディン
グにより電気的に接続されている。このように、接続リ
ード62を用いて、第1の回路基板50と第2の回路基
板52との間の電気的な接続が行われている。
ボンディング部62aと第1の回路基板50の配線パタ
ーンのボンディング部(接合部)83とがワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続され、接続リード62のボン
ディング部62bと第2の回路基板52の配線パターン
のボンディング部(接合部)84とがワイヤボンディン
グにより電気的に接続されている。このように、接続リ
ード62を用いて、第1の回路基板50と第2の回路基
板52との間の電気的な接続が行われている。
【0020】更に、枠体10における接続リード62が
配設された側には、その接続リード62に隣接して、図
14に示す接続リード64と同様な形状の接続リード6
5が埋設されている。その接続リード65は第2の段付
部22の水平面22h上に露出して配設されたボンディ
ング部65aとキャパシタ箱15内に立設された端子部
65bとで構成されている。そして、ボンディング部6
5aと第1の回路基板50の配線パターンとがワイヤボ
ンディングにより電気的に接続され、端子部65bには
キャパシタ57のリード57bが電気溶接により接続さ
れている。
配設された側には、その接続リード62に隣接して、図
14に示す接続リード64と同様な形状の接続リード6
5が埋設されている。その接続リード65は第2の段付
部22の水平面22h上に露出して配設されたボンディ
ング部65aとキャパシタ箱15内に立設された端子部
65bとで構成されている。そして、ボンディング部6
5aと第1の回路基板50の配線パターンとがワイヤボ
ンディングにより電気的に接続され、端子部65bには
キャパシタ57のリード57bが電気溶接により接続さ
れている。
【0021】(2)金属基板(金属板40、第1の回路
基板50)の詳細な構成 第1の回路基板50上には、図6に示すように、図3に
示す給電回路51に対する回路配線が形成されている。 そして、第1の回路基板50を第1の段付部21に取り
付けた状態において、第1の段付部21の水平面21h
の図5、図6に示す内側境界線21aより微小間隙Δ1
を隔てた内側に凸状に盛り上がったダミー配線54が形
成されている。又、さらに、ダミー配線54の内側には
配線の形成されていない凹部55が形成されている。
基板50)の詳細な構成 第1の回路基板50上には、図6に示すように、図3に
示す給電回路51に対する回路配線が形成されている。 そして、第1の回路基板50を第1の段付部21に取り
付けた状態において、第1の段付部21の水平面21h
の図5、図6に示す内側境界線21aより微小間隙Δ1
を隔てた内側に凸状に盛り上がったダミー配線54が形
成されている。又、さらに、ダミー配線54の内側には
配線の形成されていない凹部55が形成されている。
【0022】このダミー配線54及び凹部55の作用は
次の通りである。金属板40に形成された第1の回路基
板50が第1の段付部21の水平面21hに接着剤で接
合される時、余分な接着剤が水平面21hの内側境界線
21aを越えて第1の回路基板50の内側に流れ込み、
第1の回路基板50上に搭載された集積回路58の接続
部59に付着して接続不良を起こしたり、ボンディング
時にボンディングパワーの異常電導を生じて、ボンディ
ングの信頼性を低下させる。又、回路配線のボンディン
グ部81、83等に付着してボンディング不良を引き起
こしたりする。この時、図17に示すように、第1の回
路基板50上に形成されたダミー配線54が接着剤17
の流れ込みを防止する作用をする。即ち、余分な接着剤
17は水平面21hの境界線21aとダミー配線54と
の間の微小間隙Δ1で蓄えられることになる。又、余分
な接着剤が多く、ダミー配線54を乗り越えて、更に、
第1の回路基板50の内側に流れ込んでも、接着剤はダ
ミー配線54の内側に形成された凹部55にトラップさ
れて、さらに、その凹部55の内側には流れ込まない。 この結果、接着剤による素子へのダメージが防止され、
ワイヤボンディング不良の発生が防止される。尚、ダミ
ー配線54は電気的な配線パターンとは無関係な配線又
はアース配線である。
次の通りである。金属板40に形成された第1の回路基
板50が第1の段付部21の水平面21hに接着剤で接
合される時、余分な接着剤が水平面21hの内側境界線
21aを越えて第1の回路基板50の内側に流れ込み、
第1の回路基板50上に搭載された集積回路58の接続
部59に付着して接続不良を起こしたり、ボンディング
時にボンディングパワーの異常電導を生じて、ボンディ
ングの信頼性を低下させる。又、回路配線のボンディン
グ部81、83等に付着してボンディング不良を引き起
こしたりする。この時、図17に示すように、第1の回
路基板50上に形成されたダミー配線54が接着剤17
の流れ込みを防止する作用をする。即ち、余分な接着剤
17は水平面21hの境界線21aとダミー配線54と
の間の微小間隙Δ1で蓄えられることになる。又、余分
な接着剤が多く、ダミー配線54を乗り越えて、更に、
第1の回路基板50の内側に流れ込んでも、接着剤はダ
ミー配線54の内側に形成された凹部55にトラップさ
れて、さらに、その凹部55の内側には流れ込まない。 この結果、接着剤による素子へのダメージが防止され、
ワイヤボンディング不良の発生が防止される。尚、ダミ
ー配線54は電気的な配線パターンとは無関係な配線又
はアース配線である。
【0023】(3)第1の段付部21の詳細な構成第1
の段付部21は、図17に示すように、水平面21hの
内側境界線21a側に切欠21bが形成されている。こ
の切欠21bは図示のように斜めに切欠く他、図18の
(a)、(b)に示すように、角形、U字状に切欠いて
も良い。
の段付部21は、図17に示すように、水平面21hの
内側境界線21a側に切欠21bが形成されている。こ
の切欠21bは図示のように斜めに切欠く他、図18の
(a)、(b)に示すように、角形、U字状に切欠いて
も良い。
【0024】切欠21bの作用は次の通りである。金属
板40に形成された第1の回路基板50が第1の段付部
21に接着剤で接合される時、その余分な接着剤17が
切欠21bと第1の回路基板50の面とダミー配線54
との間で貯留される。この結果、余分な接着剤17が第
1の回路基板50の内側へ流れ込むことが防止され、給
電回路51の集積回路58に対する接着剤の影響を防止
できる。
板40に形成された第1の回路基板50が第1の段付部
21に接着剤で接合される時、その余分な接着剤17が
切欠21bと第1の回路基板50の面とダミー配線54
との間で貯留される。この結果、余分な接着剤17が第
1の回路基板50の内側へ流れ込むことが防止され、給
電回路51の集積回路58に対する接着剤の影響を防止
できる。
【0025】又、余分な接着剤17が第2の段付部22
の水平面22hに競り上がるのが防止され、その水平面
22h上に配設されたリードピン60のボンディング部
60b、接続リード63のボンディング部63a、接続
リード64のボンディング部64a、接続リード62の
ボンディング部62a及び接続リード65のボンディン
グ部65aに接着剤17が付着することによるワイヤボ
ンディング不良の発生を防止することができる。
の水平面22hに競り上がるのが防止され、その水平面
22h上に配設されたリードピン60のボンディング部
60b、接続リード63のボンディング部63a、接続
リード64のボンディング部64a、接続リード62の
ボンディング部62a及び接続リード65のボンディン
グ部65aに接着剤17が付着することによるワイヤボ
ンディング不良の発生を防止することができる。
【0026】(4)第3の段付部23の詳細な構成図1
9に示すように、第3の段付部23の水平面23hの内
側境界線23a側に溝23bが、外側境界線側23cに
溝23dが形成されている。この溝23b、23dは図
示する角形形状の他、三角形状であっても良い。 又、図18と同様な構造であっても良い。
9に示すように、第3の段付部23の水平面23hの内
側境界線23a側に溝23bが、外側境界線側23cに
溝23dが形成されている。この溝23b、23dは図
示する角形形状の他、三角形状であっても良い。 又、図18と同様な構造であっても良い。
【0027】第3の段付部23に形成された溝23b、
23dの作用は次の通りである。金属板43が第3の段
付部23の水平面23hに接着剤で接合される時、余分
な接着剤17がこの溝23bに貯留される。この結果、
余分な接着剤17は、水平面23hより下方にある第2
の段付部22の水平面22hに垂れ下がるのを防止され
、水平面22h上に配設されているリードピン60のボ
ンディング部60b、接続リード63のボンディング部
63a、接続リード64のボンディング部64a、接続
リード62のボンディング部62a及び接続リード65
のボンディング部65aに接着剤が付着することによる
ワイヤボンディング不良の発生を防止することができる
。又、溝23bにより、第1の回路基板50上に充填さ
れたシリコーンゲル16の第3の段付部23の水平面2
3hのはい上がりが防止され、その水平面23hに接着
剤が付き易くなり、水平面23hと金属板43のとの接
着不良が防止される。尚、シリコーンゲル16の第3の
段付部23の水平面23hのはい上がりを防止するには
、第2の段付部22の垂直面22vにその垂直面22v
に垂直に突出した段付部を形成しても良い。
23dの作用は次の通りである。金属板43が第3の段
付部23の水平面23hに接着剤で接合される時、余分
な接着剤17がこの溝23bに貯留される。この結果、
余分な接着剤17は、水平面23hより下方にある第2
の段付部22の水平面22hに垂れ下がるのを防止され
、水平面22h上に配設されているリードピン60のボ
ンディング部60b、接続リード63のボンディング部
63a、接続リード64のボンディング部64a、接続
リード62のボンディング部62a及び接続リード65
のボンディング部65aに接着剤が付着することによる
ワイヤボンディング不良の発生を防止することができる
。又、溝23bにより、第1の回路基板50上に充填さ
れたシリコーンゲル16の第3の段付部23の水平面2
3hのはい上がりが防止され、その水平面23hに接着
剤が付き易くなり、水平面23hと金属板43のとの接
着不良が防止される。尚、シリコーンゲル16の第3の
段付部23の水平面23hのはい上がりを防止するには
、第2の段付部22の垂直面22vにその垂直面22v
に垂直に突出した段付部を形成しても良い。
【0028】又、余分な接着剤17は溝23dにも貯留
される。この結果、余分な接着剤17が第3の段付部2
3の垂直面23vを競り上がり、金属板43の上に接合
された第2の回路基板52の配線パターンに付着するこ
と、又、第4の段付部24の水平面24h上に配設され
ているリードピン61のボンディング部61b、接続リ
ード63のボンディング部63b及び接続リード62の
ボンディング部62bに付着することが防止され、ワイ
ヤボンディグ不良の発生を防止することができる。
される。この結果、余分な接着剤17が第3の段付部2
3の垂直面23vを競り上がり、金属板43の上に接合
された第2の回路基板52の配線パターンに付着するこ
と、又、第4の段付部24の水平面24h上に配設され
ているリードピン61のボンディング部61b、接続リ
ード63のボンディング部63b及び接続リード62の
ボンディング部62bに付着することが防止され、ワイ
ヤボンディグ不良の発生を防止することができる。
【0029】(5)金属板43の具体的な構成金属板4
3は、図19、図20に示すように、第3の段付部23
の水平面23hの外側境界線23cで示す形状よりも若
干小さく、金属板43が水平面23hに載置された時、
垂直面23vとの間に微小間隙Δ2を生じるように構成
されている。そして、金属板43の周辺端部には、外側
(垂直面23v方向)に向かって、数個の突起43aが
形成されている。又、垂直面23vには、内側(金属板
43方向)に向かって数個の突起23eが形成されてい
る。
3は、図19、図20に示すように、第3の段付部23
の水平面23hの外側境界線23cで示す形状よりも若
干小さく、金属板43が水平面23hに載置された時、
垂直面23vとの間に微小間隙Δ2を生じるように構成
されている。そして、金属板43の周辺端部には、外側
(垂直面23v方向)に向かって、数個の突起43aが
形成されている。又、垂直面23vには、内側(金属板
43方向)に向かって数個の突起23eが形成されてい
る。
【0030】突起43a、23eの作用は次の通りであ
る。突起43a、23eは金属板43が第3の段付部2
3に載置された時の位置決めのためのものであり、金属
板43と垂直面23vとの間で微小間隙Δ2を形成する
ためのものである。又、この間隙Δ2によりリードピン
61のボンディング部61b、接続リード63のボンデ
ィング部63b及び接続リード62のボンディング部6
2bと金属板43とが絶縁分離されている。又、この微
小間隙Δ2に余分の接着剤17が貯留されて、接着剤1
7が垂直面23vを競り上がるのが防止される。この結
果、余分な接着剤17が第3の段付部23の垂直面23
vを競り上がり、金属板43の上に接合された第2の回
路基板52の配線パターンに付着すること、又、第4の
段付部24の水平面24h上に配設されているリードピ
ン61のボンディング部61b及び接続リード62のボ
ンディング部62bに付着することが防止され、ワイヤ
ボンディグ不良の発生を防止することができる。
る。突起43a、23eは金属板43が第3の段付部2
3に載置された時の位置決めのためのものであり、金属
板43と垂直面23vとの間で微小間隙Δ2を形成する
ためのものである。又、この間隙Δ2によりリードピン
61のボンディング部61b、接続リード63のボンデ
ィング部63b及び接続リード62のボンディング部6
2bと金属板43とが絶縁分離されている。又、この微
小間隙Δ2に余分の接着剤17が貯留されて、接着剤1
7が垂直面23vを競り上がるのが防止される。この結
果、余分な接着剤17が第3の段付部23の垂直面23
vを競り上がり、金属板43の上に接合された第2の回
路基板52の配線パターンに付着すること、又、第4の
段付部24の水平面24h上に配設されているリードピ
ン61のボンディング部61b及び接続リード62のボ
ンディング部62bに付着することが防止され、ワイヤ
ボンディグ不良の発生を防止することができる。
【0031】(6)第5の段付部25の詳細な構成図2
1に示すように、第5の段付部25の水平面25hの内
側境界線25a側には、溝25bが形成されている。こ
の溝25bは図示する角形形状の他、三角形状であって
も良い。更に、図18に示す構造と同様であっても良い
。
1に示すように、第5の段付部25の水平面25hの内
側境界線25a側には、溝25bが形成されている。こ
の溝25bは図示する角形形状の他、三角形状であって
も良い。更に、図18に示す構造と同様であっても良い
。
【0032】第5の段付部25に形成された溝25bの
作用は次の通りである。金属板46が第5の段付部25
の水平面25hに接着剤で接合される。この時、余分な
接着剤17がこの溝に貯留される。この結果、余分な接
着剤が水平面25hから垂れ下がり、第4の段付部24
に配設されたリードピン61のボンディング61b及び
接続リード62のボンディング62bに付着することに
よるワイヤボンディング不良が防止される。又、接着剤
17が第2の回路基板52の配線パターンへ付着するこ
とも防止される。又、溝25bにより、第2の回路基板
52上に充填されたシリコーンゲル16の第5の段付部
25の水平面25hへのはい上がりが防止され、その水
平面25hに接着剤が付き易くなり、水平面25hと金
属板46のとの接着不良が防止される。尚、シリコーン
ゲル16の第5の段付部25の水平面25hのはい上が
りを防止するには、第4の段付部24の垂直面24vに
その垂直面24vに垂直に突出した段付部を形成しても
良い。
作用は次の通りである。金属板46が第5の段付部25
の水平面25hに接着剤で接合される。この時、余分な
接着剤17がこの溝に貯留される。この結果、余分な接
着剤が水平面25hから垂れ下がり、第4の段付部24
に配設されたリードピン61のボンディング61b及び
接続リード62のボンディング62bに付着することに
よるワイヤボンディング不良が防止される。又、接着剤
17が第2の回路基板52の配線パターンへ付着するこ
とも防止される。又、溝25bにより、第2の回路基板
52上に充填されたシリコーンゲル16の第5の段付部
25の水平面25hへのはい上がりが防止され、その水
平面25hに接着剤が付き易くなり、水平面25hと金
属板46のとの接着不良が防止される。尚、シリコーン
ゲル16の第5の段付部25の水平面25hのはい上が
りを防止するには、第4の段付部24の垂直面24vに
その垂直面24vに垂直に突出した段付部を形成しても
良い。
【0033】(7)リードピン60、61の詳細な構成
リードピン60、61は、それぞれ、図7、図9に示す
平板金属を図8、図10に示す形状に屈曲して構成され
ている。各リード片のピッチは、ボンディング部60b
,61bからピン60a、61a側に向かって、広がっ
ている。このようにピン60a、61a側の各リードの
間隔を広くし、ボンディング部60b、61b側の各リ
ードの間隔を狭くしているので、枠体10の内部が狭く
ても、ピンの取り出し効率が良い。又、リードピン60
、61の断面形状は、図22に示すように台形状に形成
されている。従って、リードピン60、61のボンディ
ング部60b、61bが、それぞれ、第2の段付部22
の水平面22h、第4の段付部24の水平面24hにイ
ンサート成形により形成されるが、製造時及びワイヤボ
ンディング時に、それらのボンディング部60b、61
bがそれぞれの水平面22h、24hから離脱するのが
防止される。
リードピン60、61は、それぞれ、図7、図9に示す
平板金属を図8、図10に示す形状に屈曲して構成され
ている。各リード片のピッチは、ボンディング部60b
,61bからピン60a、61a側に向かって、広がっ
ている。このようにピン60a、61a側の各リードの
間隔を広くし、ボンディング部60b、61b側の各リ
ードの間隔を狭くしているので、枠体10の内部が狭く
ても、ピンの取り出し効率が良い。又、リードピン60
、61の断面形状は、図22に示すように台形状に形成
されている。従って、リードピン60、61のボンディ
ング部60b、61bが、それぞれ、第2の段付部22
の水平面22h、第4の段付部24の水平面24hにイ
ンサート成形により形成されるが、製造時及びワイヤボ
ンディング時に、それらのボンディング部60b、61
bがそれぞれの水平面22h、24hから離脱するのが
防止される。
【0034】
(8)接続リード62、63、64、65の詳細な構成
接続リード62は、図15に示す形状の金属板を図16
に示す形状に屈曲させて構成されている。この接続リー
ド62は、ボンディング部62bの側の方が、ボンディ
ング部62aの側の方よりも、各リードのピッチが広く
なっている。この形状により、ボンディングスペースの
狭い第1の回路基板50とボンディングスペースの広い
第2の回路基板52の配線パターン間を、リードの数を
減少させることなく、電気的に効率的に接続することが
できる。
接続リード62は、図15に示す形状の金属板を図16
に示す形状に屈曲させて構成されている。この接続リー
ド62は、ボンディング部62bの側の方が、ボンディ
ング部62aの側の方よりも、各リードのピッチが広く
なっている。この形状により、ボンディングスペースの
狭い第1の回路基板50とボンディングスペースの広い
第2の回路基板52の配線パターン間を、リードの数を
減少させることなく、電気的に効率的に接続することが
できる。
【0035】又、接続リード63は、図11に示す平金
属板を図12に示す形状に屈曲させたものであり、接続
リード64は、図13に示す平金属板を図14に示す形
状に屈曲させたものである。又、接続リード65は接続
リード63と線対象の形状をしている。この構造の接続
リード64、65を用いて、第1の回路基板50と枠体
10に形成されたキャパシタ箱15に設置されているキ
ャパシタ56、57とを電気的に接続することができる
。
属板を図12に示す形状に屈曲させたものであり、接続
リード64は、図13に示す平金属板を図14に示す形
状に屈曲させたものである。又、接続リード65は接続
リード63と線対象の形状をしている。この構造の接続
リード64、65を用いて、第1の回路基板50と枠体
10に形成されたキャパシタ箱15に設置されているキ
ャパシタ56、57とを電気的に接続することができる
。
【0036】又、接続リード62、63、64、65の
断面形状は、図22に示すように台形状に形成されてい
る。従って、接続リード62、63、64、65のボン
ディング部62a、63a、64a、65aが、第2の
段付部22の水平面22hにインサート成形により形成
されるが、製造時及びワイヤボンディング時に、それら
のボンディング部62a、63a、64a、65aが水
平面22hから離脱するのが防止される。同様に、接続
リード62、63のボンディング部62b、63bが、
第4の段付部24の水平面24hにインサート成形によ
り形成されるが、製造時及びワイヤボンディング時に、
ボンディング部62b、63bが水平面24hから離脱
するのが防止される。
断面形状は、図22に示すように台形状に形成されてい
る。従って、接続リード62、63、64、65のボン
ディング部62a、63a、64a、65aが、第2の
段付部22の水平面22hにインサート成形により形成
されるが、製造時及びワイヤボンディング時に、それら
のボンディング部62a、63a、64a、65aが水
平面22hから離脱するのが防止される。同様に、接続
リード62、63のボンディング部62b、63bが、
第4の段付部24の水平面24hにインサート成形によ
り形成されるが、製造時及びワイヤボンディング時に、
ボンディング部62b、63bが水平面24hから離脱
するのが防止される。
【0037】(9)枠体10の裏面の構成枠体10の裏
面は図23に示すように構成されている。 接続リード62の端部62c及びフレーム部62dが突
出する溝26と、接続リード63の端部63c及びフレ
ーム部63eが突出する溝29が形成されている。接続
リード62、63をインサートとした枠体10の樹脂成
形が完了した時に、接続リード62、63のそれぞれの
フレーム部62d、63eがこの溝26、29内で切断
される。
面は図23に示すように構成されている。 接続リード62の端部62c及びフレーム部62dが突
出する溝26と、接続リード63の端部63c及びフレ
ーム部63eが突出する溝29が形成されている。接続
リード62、63をインサートとした枠体10の樹脂成
形が完了した時に、接続リード62、63のそれぞれの
フレーム部62d、63eがこの溝26、29内で切断
される。
【0038】更に、枠体10内に埋設された接続リード
62のボンディング部62aにつながる中間部62f(
図16参照)に当たる位置及びリードピン60のボンデ
ィング部60bにつながる中間部60d(図8参照)に
当たる位置に、それぞれ、窓27、28が形成されてい
る。このうち、窓27は、後述する製造時に接続リード
62を金型に変形及び位置ずれなく支持するための支持
板66が置かれるために形成されている。又、窓27、
28は枠体10の樹脂成形が完了した時に、接続リード
62及びリードピン60の各リードが接触することなく
形成されているか否かの確認に用いられる。
62のボンディング部62aにつながる中間部62f(
図16参照)に当たる位置及びリードピン60のボンデ
ィング部60bにつながる中間部60d(図8参照)に
当たる位置に、それぞれ、窓27、28が形成されてい
る。このうち、窓27は、後述する製造時に接続リード
62を金型に変形及び位置ずれなく支持するための支持
板66が置かれるために形成されている。又、窓27、
28は枠体10の樹脂成形が完了した時に、接続リード
62及びリードピン60の各リードが接触することなく
形成されているか否かの確認に用いられる。
【0039】(10) 電子装置1の製造方法枠体10
は、リードピン60、61、接続リード62、63、6
4、65をインサートとする樹脂成形により形成される
。金型は、図24に示すように、上型70、下型71、
コア(図示略)で主として構成されている。そして、上
型70と下型71との間に樹脂を射出するためのキャビ
ティ72が形成されている。リードピン60、61、6
3、64、65はコネクタ箱14を形成するためのコア
に支持されている。
は、リードピン60、61、接続リード62、63、6
4、65をインサートとする樹脂成形により形成される
。金型は、図24に示すように、上型70、下型71、
コア(図示略)で主として構成されている。そして、上
型70と下型71との間に樹脂を射出するためのキャビ
ティ72が形成されている。リードピン60、61、6
3、64、65はコネクタ箱14を形成するためのコア
に支持されている。
【0040】一方、接続リード62は、次のようにキャ
ビティ72に配設されている。接続リード62の先端部
62c及びフレーム部62dが下型71に形成された溝
68に挿入され、フレーム部62eが上型70と下型7
1との間に挟持され、ボンディング部62bが上型70
のキャビティ面72aに当接されている。ボンディング
部62aに続く中間部62fと中間部62gはキャビテ
ィ72に配置され、中間部62fは下型71に形成され
た溝69から突出された櫛状の支持板66によって支持
されている。
ビティ72に配設されている。接続リード62の先端部
62c及びフレーム部62dが下型71に形成された溝
68に挿入され、フレーム部62eが上型70と下型7
1との間に挟持され、ボンディング部62bが上型70
のキャビティ面72aに当接されている。ボンディング
部62aに続く中間部62fと中間部62gはキャビテ
ィ72に配置され、中間部62fは下型71に形成され
た溝69から突出された櫛状の支持板66によって支持
されている。
【0041】支持板66による接続リード62の支持方
法は、図25に詳述されている。支持板66の各足66
aが接続リード62のリード間の間隙に挿入され、接続
リード62の各リードは支持板66の根元部66bで上
型70の方向に押圧される。この結果、接続リード62
の各リードの間隙は適正に保持され、樹脂成形の過程に
おいて、各リードが接触するというこが防止される。
法は、図25に詳述されている。支持板66の各足66
aが接続リード62のリード間の間隙に挿入され、接続
リード62の各リードは支持板66の根元部66bで上
型70の方向に押圧される。この結果、接続リード62
の各リードの間隙は適正に保持され、樹脂成形の過程に
おいて、各リードが接触するというこが防止される。
【0042】又、支持板66の上型70方向への押圧力
fにより、ボンディング部62a及び62bは上型70
から下型71に向かう反作用fを受ける。この結果、接
続リード62はキャビィティ72内において適正な姿勢
で保持されることになり、成形後の枠体10において、
接続リード62のボンディグ部62a及び62bが、そ
れぞれ、第2の段付部22の水平面22h及び第4の段
付部24の水平面24hに水平に露出した状態となり、
成形不良が防止される。
fにより、ボンディング部62a及び62bは上型70
から下型71に向かう反作用fを受ける。この結果、接
続リード62はキャビィティ72内において適正な姿勢
で保持されることになり、成形後の枠体10において、
接続リード62のボンディグ部62a及び62bが、そ
れぞれ、第2の段付部22の水平面22h及び第4の段
付部24の水平面24hに水平に露出した状態となり、
成形不良が防止される。
【0043】尚、図26に示すように接続リード620
を単にU字形状に構成したとすると、その接続リード6
20には支持板66による押圧力fが作用する位置にそ
の方向に伸びる中間部(図24における62gに相当す
る部分)が存在しないために、押圧力fが上型70に接
触するボンディング部620bに伝達し難い。よって、
ボンディング部620bを上型70に押しつける力が不
足して、ボンディング部620bと上型70との間に間
隙を生じる。この場合には、その間隙に樹脂が注入され
てボンディング部620bが露出しないということがあ
る。更に、ボンディング部620bの姿勢が不適切で、
規則正しいピッチでボンディング部620bが形成され
なかったりする。
を単にU字形状に構成したとすると、その接続リード6
20には支持板66による押圧力fが作用する位置にそ
の方向に伸びる中間部(図24における62gに相当す
る部分)が存在しないために、押圧力fが上型70に接
触するボンディング部620bに伝達し難い。よって、
ボンディング部620bを上型70に押しつける力が不
足して、ボンディング部620bと上型70との間に間
隙を生じる。この場合には、その間隙に樹脂が注入され
てボンディング部620bが露出しないということがあ
る。更に、ボンディング部620bの姿勢が不適切で、
規則正しいピッチでボンディング部620bが形成され
なかったりする。
【0044】しかしながら、接続リード62を図16及
び図25に示すような形状とすることにより、ボンディ
ング部62bを枠体10の第4段付部24の水平面24
hに適正に形成することができる。支持板66による押
圧力fが接続リード62に適正に作用すれば良いことか
ら、接続リード62の形状と支持板66による押圧力f
を作用させる位置との関係は、図27に示すものであっ
ても良い。
び図25に示すような形状とすることにより、ボンディ
ング部62bを枠体10の第4段付部24の水平面24
hに適正に形成することができる。支持板66による押
圧力fが接続リード62に適正に作用すれば良いことか
ら、接続リード62の形状と支持板66による押圧力f
を作用させる位置との関係は、図27に示すものであっ
ても良い。
【0045】又、枠体10の成形後は、リードピン60
、61、接続リード62、63、64、65の各フレー
ム部60c、61c、62e、62d、63e、63d
、64c、が切断される。
、61、接続リード62、63、64、65の各フレー
ム部60c、61c、62e、62d、63e、63d
、64c、が切断される。
【0046】
(11) キャパシタ56の接続リード64への接続方
法接続リード64の端子部64bは図28に示すよな形
状に構成されている。この端子部64bは、キャパシタ
56のリード56a、56bを電気溶接する溶接領域6
4dが形成されており、その溶接領域64dは、切欠部
64fにより溶接領域64dの軸方向(h軸方向)の長
さが幅方向(d軸方向)に比べて短くなっている。この
ような構成により、リード56a、56bの溶接領域6
4dに対する接触面積を狭くして電気溶接時の電流集中
を大きくすることができる。又、この切欠部64fにリ
ード56a、56bを通していることからリード56a
、56bの位置決め及び溶接時の位置ずれが防止される
。 又、リード56a、56b間の間隙保持にもなり、振動
の激しい所で本装置が使用された場合にも短絡が発生す
ることがない。又、切欠部64fとリード56a、56
bとが係合していることから、振動のリード56a、5
6bの溶接部分への伝達が緩和され、接合部の剥離が抑
制される。
法接続リード64の端子部64bは図28に示すよな形
状に構成されている。この端子部64bは、キャパシタ
56のリード56a、56bを電気溶接する溶接領域6
4dが形成されており、その溶接領域64dは、切欠部
64fにより溶接領域64dの軸方向(h軸方向)の長
さが幅方向(d軸方向)に比べて短くなっている。この
ような構成により、リード56a、56bの溶接領域6
4dに対する接触面積を狭くして電気溶接時の電流集中
を大きくすることができる。又、この切欠部64fにリ
ード56a、56bを通していることからリード56a
、56bの位置決め及び溶接時の位置ずれが防止される
。 又、リード56a、56b間の間隙保持にもなり、振動
の激しい所で本装置が使用された場合にも短絡が発生す
ることがない。又、切欠部64fとリード56a、56
bとが係合していることから、振動のリード56a、5
6bの溶接部分への伝達が緩和され、接合部の剥離が抑
制される。
【0047】この溶接領域64dと切欠部64fは、図
29に示す形状であっても良く、電気溶接時に電流集中
を大きくすることができる。図28に示したのと同様に
、リード56aを図29の(d) に示すように切欠部
64fを通して折り曲げることにより、リード56aの
位置決め及び溶接時の位置ずれが防止される。又、同様
に、振動の激しい所で本装置が使用された場合にも、リ
ード間での短絡の発生が防止され、振動のリードの溶接
部分への伝達が緩和されることから接合部の剥離が抑制
される。又、本電子装置1が自動車のエンジンルーム等
の振動の激しい場所に設置された場合にも、このような
切欠部64fを設けることで、端子部64bへの振動伝
達が緩和され、電気溶接部分が剥離することが防止され
る。
29に示す形状であっても良く、電気溶接時に電流集中
を大きくすることができる。図28に示したのと同様に
、リード56aを図29の(d) に示すように切欠部
64fを通して折り曲げることにより、リード56aの
位置決め及び溶接時の位置ずれが防止される。又、同様
に、振動の激しい所で本装置が使用された場合にも、リ
ード間での短絡の発生が防止され、振動のリードの溶接
部分への伝達が緩和されることから接合部の剥離が抑制
される。又、本電子装置1が自動車のエンジンルーム等
の振動の激しい場所に設置された場合にも、このような
切欠部64fを設けることで、端子部64bへの振動伝
達が緩和され、電気溶接部分が剥離することが防止され
る。
【0048】
【発明の効果】本発明は、枠体の側壁内部に、階段状に
屈曲した状態で保持された中間部と、枠体の側壁に階段
状に形成された段付部の水平面に露出して配設され第1
の回路基板の接合部と電気接続された第1の接合部と、
枠体の側壁に階段状に形成された他の段付部の水平面に
露出して配設され第2の回路基板の接合部と電気接続さ
れた第2の接合部とから成る多リード構造の接続リード
を設けたことである。従って、枠体に階段状に屈曲して
埋設された多リード構造の接続リードを用いて、2段構
成の第1の回路基板と第2の回路基板とを容易に電気的
に接続することができ、その接続する線の数も装置の寸
法から決定される数までに増加させることができる。 又、製造方法の発明は、上記の電子装置を製造する方法
であって、接続リードを金型のキャビティを構成する面
に配設し、櫛歯状の支持板を、金型のキャビティを構成
する面からキャビティに向かって進出させて、進出部分
の多数の金属リードと係合させて、接続リードをキャビ
ィティに固定した状態で、枠体を成形することを特徴と
する方法である。従って、この支持板の押圧力により、
階段状に屈曲した接続リードは金型のキャビティ面に対
して隙間なく、正しい姿勢で配設されることになり、こ
の状態で成形した場合には、接続リードの第1及び第2
の接合部は枠体に形成された各段付部の各水平面にその
表面が露出した状態で埋設固定される。この結果、本電
子装置の製造不良の発生を極力防止することが可能とな
る。
屈曲した状態で保持された中間部と、枠体の側壁に階段
状に形成された段付部の水平面に露出して配設され第1
の回路基板の接合部と電気接続された第1の接合部と、
枠体の側壁に階段状に形成された他の段付部の水平面に
露出して配設され第2の回路基板の接合部と電気接続さ
れた第2の接合部とから成る多リード構造の接続リード
を設けたことである。従って、枠体に階段状に屈曲して
埋設された多リード構造の接続リードを用いて、2段構
成の第1の回路基板と第2の回路基板とを容易に電気的
に接続することができ、その接続する線の数も装置の寸
法から決定される数までに増加させることができる。 又、製造方法の発明は、上記の電子装置を製造する方法
であって、接続リードを金型のキャビティを構成する面
に配設し、櫛歯状の支持板を、金型のキャビティを構成
する面からキャビティに向かって進出させて、進出部分
の多数の金属リードと係合させて、接続リードをキャビ
ィティに固定した状態で、枠体を成形することを特徴と
する方法である。従って、この支持板の押圧力により、
階段状に屈曲した接続リードは金型のキャビティ面に対
して隙間なく、正しい姿勢で配設されることになり、こ
の状態で成形した場合には、接続リードの第1及び第2
の接合部は枠体に形成された各段付部の各水平面にその
表面が露出した状態で埋設固定される。この結果、本電
子装置の製造不良の発生を極力防止することが可能とな
る。
【図1】本発明の具体的な一実施例に係る電子装置の構
成を示した断面図。
成を示した断面図。
【図2】その電子装置の枠体を示した斜視図。
【図3】第1の回路基板を実装した枠体を示した斜視図
。
。
【図4】第2の回路基板を実装した枠体を示した斜視図
。
。
【図5】枠体の構成を示した断面図。
【図6】第1の回路基板を示した平面図。
【図7】リードピンの折曲げ加工前の平面形状を示した
平面図。
平面図。
【図8】そのリードピンの折曲げ加工後の立体形状を示
した斜視図。
した斜視図。
【図9】他のリードピンの折曲げ加工前の平面形状を示
した平面図。
した平面図。
【図10】そのリードピンの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
示した斜視図。
【図11】接続リードの折曲げ加工前の平面形状を示し
た平面図。
た平面図。
【図12】その接続リードの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
示した斜視図。
【図13】他の接続リードの折曲げ加工前の平面形状を
示した平面図。
示した平面図。
【図14】その接続リードの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
示した斜視図。
【図15】他の接続リードの折曲げ加工前の平面形状を
示した平面図。
示した平面図。
【図16】その接続リードの折曲げ加工後の立体形状を
示した斜視図。
示した斜視図。
【図17】第1の段付部の詳細な構成を示した断面図。
【図18】第1の段付部の他の構成を示した断面図。
【図19】第3の段付部の詳細な構成を示した断面図。
【図20】第2の金属板を載置した第3の段付部の構成
を示した平面図。
を示した平面図。
【図21】第5の段付部の詳細な構成を示した断面図。
【図22】リードの断面構造を示した断面図。
【図23】枠体の裏面の構想を示した裏面図。
【図24】枠体の製造方法に係る金型と接続リードとの
関係を示した断面図。
関係を示した断面図。
【図25】枠体の製造時における接続リードの支持方法
を示した斜視図。
を示した斜視図。
【図26】枠体の製造時における接続リードの不適切な
形状による不適切な支持を説明するための斜視図。
形状による不適切な支持を説明するための斜視図。
【図27】枠体の製造時における接続リードの他の形状
とその支持方法との関係を示した示した斜視図。
とその支持方法との関係を示した示した斜視図。
【図28】接続リードの端子部とリードとの接合関係を
示した斜視図。
示した斜視図。
【図29】接続リードの端子部の他の構造を示した平面
図。
図。
1…電子装置 10…枠体 11…下方開口 1
2…上方開口 13…底面 14…コネクタケース 15…キャパシタ箱21…第
1の段付部 22…第2の段付部 23…第3の段
付部 24…第4の段付部 25…第5の段付部21h,2
2h,23h,24h,25h…水平面21v,22v
,23v,24v,25v…垂直面21b…切欠 2
3b,23d…溝 23e…突起 25b…溝 26,29…溝 27,28…窓 40…金属板4
3…金属板 43
a…突起46…金属板
50…第1の回路基板52…第2の回路基板
51…給電回路53…制御回路
54…ダミー配線55…凹部 5
6,57…キャパシタ 58…集積回路60…リード
ピン 62…リードピン 60a,61a…ピン 60b,61b…ボンディング部 62,63,64,65…接続リード 62a…ボンディング部(第1の接合部)62b…ボン
ディング部(第2の接合部)62f,62g…中間部 63a,b,64a,65a…ボンディング部64b,
65b…端子部 66…支持板70…上型 71…
下型 72…キャビティ81,82─ボンディング部
83,84…ボンディング部(接合部)
2…上方開口 13…底面 14…コネクタケース 15…キャパシタ箱21…第
1の段付部 22…第2の段付部 23…第3の段
付部 24…第4の段付部 25…第5の段付部21h,2
2h,23h,24h,25h…水平面21v,22v
,23v,24v,25v…垂直面21b…切欠 2
3b,23d…溝 23e…突起 25b…溝 26,29…溝 27,28…窓 40…金属板4
3…金属板 43
a…突起46…金属板
50…第1の回路基板52…第2の回路基板
51…給電回路53…制御回路
54…ダミー配線55…凹部 5
6,57…キャパシタ 58…集積回路60…リード
ピン 62…リードピン 60a,61a…ピン 60b,61b…ボンディング部 62,63,64,65…接続リード 62a…ボンディング部(第1の接合部)62b…ボン
ディング部(第2の接合部)62f,62g…中間部 63a,b,64a,65a…ボンディング部64b,
65b…端子部 66…支持板70…上型 71…
下型 72…キャビティ81,82─ボンディング部
83,84…ボンディング部(接合部)
Claims (3)
- 【請求項1】 電子回路を搭載した回路基板がケース
に2段構造に配設された電子装置において、前記ケース
を構成する樹脂製の枠体と、前記枠体の内部において、
相互に略平行に配設され、前記回路基板を構成する第1
の回路基板及び第2の回路基板と、前記枠体の側壁内部
に階段状に屈曲した状態で保持された中間部と、前記枠
体の側壁に階段状に形成された段付部の水平面に露出し
て配設され、前記第1の回路基板の接合部と電気接続さ
れた第1の接合部と、前記枠体の側壁に階段状に形成さ
れた他の段付部の水平面に露出して配設され、前記第2
の回路基板の接合部と電気接続された第2の接合部とか
ら成る多リード構造の接続リードとを有する電子装置。 - 【請求項2】 前記接続リードは、前記第2の接合部
に続き、前記中間部と平行に前記枠体の側壁内部に向か
って折れ曲がった先端部を有する請求項1に記載の電子
装置。 - 【請求項3】 電子回路を搭載した回路基板がケース
に2段構造に配設された電子装置であって、前記ケース
を構成する樹脂製の枠体と、前記枠体の内部において、
相互に平行に配設され、前記回路基板を構成する第1の
回路基板及び第2の回路基板と、前記枠体の側壁内部に
階段状に屈曲した状態で保持された中間部と、前記枠体
の側壁に階段状に形成された段付部の水平面に露出して
配設され、前記第1の回路基板の接合部と電気接続され
た第1の接合部と、前記枠体の側壁に階段状に形成され
た段付部の水平面に露出して配設され、前記第2の回路
基板の接合部と電気接続された第2の接合部とから成る
多数の金属リードで構成された接続リードとを有する電
子装置の製造方法において、前記接続リードをインサー
トとして前記枠体を成型する時、前記接続リードを金型
のキャビティを構成する面に配設し、櫛歯状の支持板を
、前記金型のキャビティを構成する面からキャビティ内
部に向かって進出させて、進出部分の多数の金属リード
と係合させて、前記接続リードを前記キャビィティに固
定した状態で、前記枠体を成形することを特徴とする製
造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3157674A JP2765278B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 電子装置の製造方法 |
EP92109098A EP0516149B1 (en) | 1991-05-31 | 1992-05-29 | Electronic device |
DE69227066T DE69227066T2 (de) | 1991-05-31 | 1992-05-29 | Elektronische Vorrichtung |
KR1019920009389A KR100238601B1 (ko) | 1991-05-31 | 1992-05-30 | 전자장치 |
US08/118,785 US5408383A (en) | 1991-05-31 | 1993-09-10 | Container for electronic devices having a plurality of circuit boards |
US08/400,242 US5586389A (en) | 1991-05-31 | 1995-03-06 | Method for producing multi-board electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3157674A JP2765278B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 電子装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04354357A true JPH04354357A (ja) | 1992-12-08 |
JP2765278B2 JP2765278B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=15654908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3157674A Expired - Fee Related JP2765278B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5586389A (ja) |
JP (1) | JP2765278B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09259956A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Aisin Aw Co Ltd | 導電ワイヤ接続端子 |
JPH11273769A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Aisin Aw Co Ltd | 電子制御ユニット |
JP2001189580A (ja) * | 1999-01-08 | 2001-07-10 | Aisin Aw Co Ltd | 電子部品 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5554821A (en) * | 1994-07-15 | 1996-09-10 | National Semiconductor Corporation | Removable computer peripheral cards having a solid one-piece housing |
US6730991B1 (en) * | 1996-06-11 | 2004-05-04 | Raytheon Company | Integrated circuit chip package |
US6221748B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for providing mechanically pre-formed conductive leads |
US6199743B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-03-13 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies |
AUPQ756000A0 (en) * | 2000-05-17 | 2000-06-08 | Mcom Solutions Inc | Circuit board arrangement and funds transaction device |
JP4475160B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2010-06-09 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法 |
JP2012069764A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP5387620B2 (ja) | 2011-05-31 | 2014-01-15 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置、半導体装置および電力変換装置の製造方法 |
US9293870B1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-03-22 | Continental Automotive Systems, Inc. | Electronic control module having a cover allowing for inspection of right angle press-fit pins |
CN109256373A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-22 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | I/f转换系统三维立体封装结构及封装方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63219149A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
JPS6443825U (ja) * | 1987-09-14 | 1989-03-16 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3544857A (en) * | 1966-08-16 | 1970-12-01 | Signetics Corp | Integrated circuit assembly with lead structure and method |
US3710193A (en) * | 1971-03-04 | 1973-01-09 | Lambda Electronics Corp | Hybrid regulated power supply having individual heat sinks for heat generative and heat sensitive components |
CH560999A5 (ja) * | 1973-08-16 | 1975-04-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
US4074342A (en) * | 1974-12-20 | 1978-02-14 | International Business Machines Corporation | Electrical package for lsi devices and assembly process therefor |
US4079511A (en) * | 1976-07-30 | 1978-03-21 | Amp Incorporated | Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames |
US4296456A (en) * | 1980-06-02 | 1981-10-20 | Burroughs Corporation | Electronic package for high density integrated circuits |
JPS58111166A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Canon Inc | Romパツク |
US4677526A (en) * | 1984-03-01 | 1987-06-30 | Augat Inc. | Plastic pin grid array chip carrier |
US4584767A (en) * | 1984-07-16 | 1986-04-29 | Gregory Vernon C | In-mold process for fabrication of molded plastic printed circuit boards |
FR2598258B1 (fr) * | 1986-04-30 | 1988-10-07 | Aix Les Bains Composants | Procede d'encapsulation de circuits integres. |
US4873615A (en) * | 1986-10-09 | 1989-10-10 | Amp Incorporated | Semiconductor chip carrier system |
US4766520A (en) * | 1986-12-05 | 1988-08-23 | Capsonic Group, Inc. | Injection molded circuit housing |
JPH0666408B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1994-08-24 | 富士電機株式会社 | 多層形半導体装置 |
US4802859A (en) * | 1988-04-01 | 1989-02-07 | Gte Products Corporation | Electrical connector |
US4985747A (en) * | 1988-06-09 | 1991-01-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Terminal structure and process of fabricating the same |
US4916575A (en) * | 1988-08-08 | 1990-04-10 | Asten Francis C Van | Multiple circuit board module |
JPH02170598A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Mazda Motor Corp | 車載用制御ユニツト構造 |
JPH02276257A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体用樹脂封止トランスファー金型 |
JP2612339B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1997-05-21 | 三菱電機株式会社 | 電子機器筐体 |
US5031069A (en) * | 1989-12-28 | 1991-07-09 | Sundstrand Corporation | Integration of ceramic capacitor |
KR940006427Y1 (ko) * | 1991-04-12 | 1994-09-24 | 윤광렬 | 독서용 확대경 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3157674A patent/JP2765278B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-06 US US08/400,242 patent/US5586389A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63219149A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
JPS6443825U (ja) * | 1987-09-14 | 1989-03-16 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09259956A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Aisin Aw Co Ltd | 導電ワイヤ接続端子 |
JPH11273769A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Aisin Aw Co Ltd | 電子制御ユニット |
JP2001189580A (ja) * | 1999-01-08 | 2001-07-10 | Aisin Aw Co Ltd | 電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5586389A (en) | 1996-12-24 |
JP2765278B2 (ja) | 1998-06-11 |
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