JP2000156433A - 電子装置 - Google Patents

電子装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂パッケージの縦、横、高さがいずれも１
ｍｍ以下とすることが可能な電子装置を提供する。 【解決手段】 電子素子と、電子素子を載置する素子載
置部を備えた厚さｔが０．１ｍｍ未満の第１外部導出リ
ードと、素子載置部と離間して配置された第２外部導出
リードとを有し、第１外部導出リードは略Ｓ字形に折り
曲げられ、その折り曲げ深さｄを第１外部導出リードの
厚さｔ以上とし、素子載置部の非電子素子側の封止樹脂
の厚さＴを折り曲げ深さｄより小さくする。そして、電
子素子、素子載置部、第１外部導出リードの一部、及び
第２外部導出リードの一部を樹脂封止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面実装用樹脂封止
型電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化に伴いダイオード、ト
ランジスタに代表される半導体装置は面実装タイプが増
加しており、その小型化が進められている。
【０００３】図３に、従来の小型面実装ダイオードの概
略構造例を示す。図３において、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のII-II線での矢印方向から見た断面図
である。
【０００４】図示した電子装置１００は、電子素子載置
部（ダイパッド）１１１を備えた第１外部導出リード１
１０と、電子素子載置部１１１と離間して配置された第
２外部導出リード１２０を有する。電子素子載置部１１
１上には半導体素子１３０が搭載されている。半導体素
子１３０の外部接続端子と第２外部導出リード１２０と
はボンディングワイヤ１５０で接続されている。半導体
素子１３０と、電子素子載置部１１１と、第１外部導出
リード１１０のインナーリード部と、第２外部導出リー
ド１２０ンナーリード部と、ボンディングワイヤ１５０
とは封止樹脂１４０で封止される。図示したように、第
１外部導出リード１１０と、第２外部導出リード１２０
とは略Ｓ字状に折り曲げられ、リード１１０，１２０の
一方の端部が封止樹脂１４０の外部に露出してアウター
リード部を形成している。アウターリード部の下面は封
止樹脂１４０の底面１４１と略同一平面をなすように、
底面１４１と略平行に延伸されている。
【０００５】上記の電子装置は、金属薄板を打ち抜き、
所定形状に折り曲げられたリードフレームに半導体素子
を載置し、所定の配線を行なった後、封止樹脂で封入し
て製造される。封止樹脂１４０の封入は、所定形状の金
型内に、半導体素子１３０と、電子素子載置部１１１
と、第１外部導出リード１１０のインナーリード部と、
第２外部導出リード１２０のインナーリード部を納め、
短辺側側面の２点鎖線で示した位置に樹脂注入口１９０
を設置して、矢印方向に樹脂を注入することで行なう。
【０００６】従来の一般的な電子装置の樹脂パッケージ
の大きさは、縦（図３においてＸ軸方向長さＬX）１．
３ｍｍ、横（図３においてＹ軸方向長さＬY）０．８ｍ
ｍ、高さ（図３においてＺ軸方向長さＨ）０．７ｍｍ程
度であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電子装
置では、リードフレームの厚みが０．１ｍｍ以上のもの
が使われていたので、樹脂パッケージ寸法の縦，横，高
さがいずれも約１ｍｍ以下の樹脂封止型電子装置、中で
も半導体基板を用いた樹脂封止型半導体装置を得ること
が困難であった。
【０００８】即ち、リードフレームの厚みが０．１ｍｍ
以上であるために、第１外部導出リード１１０の素子載
置部１１１と第２外部導出リード１２０との間隔がリー
ド成型することにより０．２ｍｍ程度となる。リードの
曲げ深さと、そのために必要な素子載置部１１１の下部
の樹脂厚さ、更に曲げに必要なリード長さ、素子載置部
の平坦面の確保等の関係から、特にダイオードでは縦方
向の長さを１．０ｍｍ以下にすることができなかった。
【０００９】また、電子装置を小型化していくと、外部
導出リードの封止樹脂底面付近の折り曲げ部１１２，１
２２の微妙な折り曲げ形状により、封止樹脂の回り込
み、リード自体の強度、リードと封止樹脂との付着強
度、及び実装用半田の付着・回り込み等が不良となりや
すく、これらの点が良好な電子部品が得られない傾向が
あった。
【００１０】本発明は、従来の面実装用樹脂封止型電子
装置の小型化の限界を解消し、樹脂パッケージの縦、
横、高さがいずれも１ｍｍ以下とすることが可能な電子
装置を提供することを目的とする。
【００１１】また、本発明は、電子装置を小型化して
も、外部導出リードの封止樹脂底面付近の折り曲げ部１
１２，１２２への封止樹脂の回り込みや、リードと封止
樹脂との付着強度が良好で、リード自体の強度が十分に
高く維持でき、更に実装用半田の付着・回り込みも良好
な面実装用樹脂封止型電子装置を提供することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の電子装置は、上
記の目的を達成するために以下の構成とする。
【００１３】即ち、本発明の第１の構成にかかる電子装
置は、電子素子と、前記電子素子を載置するための素子
載置部を備えた厚さｔが０．１ｍｍ未満の第１外部導出
リードと、前記素子載置部と離間して配置された第２外
部導出リードとを有し、前記電子素子、前記素子載置
部、前記第１外部導出リードの一部、及び前記第２外部
導出リードの一部を樹脂封止してなる電子装置であっ
て、前記第１外部導出リードは略Ｓ字形に折り曲げら
れ、その折り曲げ深さｄが前記第１外部導出リードの厚
さｔ以上であり、前記素子載置部の非電子素子側の封止
樹脂の厚さＴが前記折り曲げ深さｄより小さいことを特
徴とする。
【００１４】上記の第１の構成にかかる電子装置によれ
ば、第１外部導出リードの厚みｔと、厚みｔと折り曲げ
深さｄの関係と、素子載置部下部の封止樹脂の厚さＴと
折り曲げ深さｄとの関係とを規定している。これによ
り、電子装置の高さを低く抑えることができ、素子載置
部として必要な平坦領域を確保することができる。ま
た、素子載置部と第２外部導出リードとの間隔を短くで
きるので、縦方向の寸法を小さく抑えることができる。
【００１５】上記の第１の構成において、前記素子載置
部と前記第２外部導出リードとの間隔が０．１２ｍｍ以
下であるのが好ましい。かかる好ましい構成によれば、
電子装置の縦方向の寸法を更に小さくすることが可能と
なる。
【００１６】また、上記の構成において、封止樹脂の
縦，横，及び高さの各外形寸法がいずれも１．０ｍｍ以
下であるのが好ましい。かかる好ましい構成によれば、
従来実現し得なかった小型の電子装置を提供することが
でき、電子機器の小型化に貢献できる。
【００１７】また、上記の第１の構成において、前記第
１及び第２外部導出リードの封止樹脂内のインナーリー
ド部の幅が露出部より広がっておらず、ほぼ一定である
ことが好ましい。かかる好ましい構成によれば、電子装
置の幅（Ｙ軸方向寸法）が大きくならず、小型の電子装
置が実現できる。特に、端子数が３以上の電子装置に適
用した場合、パッケージの小型化効果が顕著に発現す
る。
【００１８】また、上記の第１の構成において、前記電
子素子の厚さが前記第１外部導出リードの厚さｔとほぼ
等しいことが好ましい。かかる好ましい構成によれば、
ボンディングワイヤの高さをチップと同じにできる。
【００１９】また、上記の第１の構成において、前記封
止樹脂が、長辺側側面のいずれか一方の短辺寄りの位置
から注入されてなるのが好ましい。このような位置に樹
脂注入口を設けることにより、注入された樹脂がパッケ
ージ金型内で良好に広がり、渦や樹脂溜まりが発生しに
くく、封止樹脂の未充填不良を防止できる。
【００２０】また、上記の第１の構成において、前記第
１外部導出リードの封止樹脂底面近傍の折り曲げ部の外
表面の曲率半径Ｒが、０．０５ｍｍ以上前記リード厚さ
ｔ以下であるのが好ましい。かかる好ましい構成によれ
ば、リード成型時の材料のくびれが防止でき、リード折
れを防止できる。また、その後の加工においてもフレー
ムが応力に対して柔軟に対応できる。
【００２１】また、上記の第１の構成において、封止樹
脂中に、前記リードの折り曲げ深さｄの半分以下の粒径
を有するフィラーを含有するのが好ましい。かかる好ま
しい構成によれば、折り曲げられたリードの下面側に樹
脂及びフィラーが容易に回り込み、十分な成形強度を保
持することが可能になる。
【００２２】また、本発明の第２の構成にかかる電子装
置は、電子素子と、前記電子素子を載置するための素子
載置部を備えた厚さｔが０．１ｍｍ未満の第１外部導出
リードと、前記素子載置部と離間して配置された第２外
部導出リードとを有し、前記電子素子、前記素子載置
部、前記第１外部導出リードの一部、及び前記第２外部
導出リードの一部を樹脂封止してなる電子装置であっ
て、前記第１外部導出リードと前記第２外部導出リード
は、封止樹脂の底面で折り曲げられて封止樹脂の底面と
略平行に延伸して露出しており、前記第１外部導出リー
ド及び前記第２外部導出リードの前記折り曲げ部の底面
側に凹み部が形成され、前記凹み部ではリード厚さが薄
く形成されており、前記第１及び第２外部導出リードの
前記凹み部の底面と、前記封止樹脂の底面は、外部に延
伸された前記第１外部導出リード及び前記第２外部導出
リードの最下面より高く形成されていることを特徴とす
る。
【００２３】上記の第２の構成にかかる電子装置によれ
ば、第１及び第２外部導出リードの折り曲げ部の底面側
に凹み部が形成されているので、該折り曲げ部近傍の封
止樹脂の回り込みが良好になり、リードと封止樹脂との
付着強度が向上する。これにより、リード自体の強度も
向上する。また、凹み部の底面と封止樹脂の底面が、外
部に延伸された第１及び第２外部導出リードの最下面よ
り高く形成されているので、回路基板への実装時に半田
の付着・回り込み等が良好になる。
【００２４】上記の第２の構成において、前記凹み部
は、封止樹脂の上方からの投影領域内に形成されている
のが好ましい。かかる好ましい構成によれば、凹み部を
形成後に樹脂封止する際に、凹み部周辺の樹脂金型の形
状設計が容易になり、樹脂注入時に樹脂がリードの凹み
部周囲から漏れるのを防止するのが容易になる。また、
凹み部の形成はリードの厚みの減少を伴うので、凹み部
を上記領域内に形成することにより、リード厚みの減少
に伴うリードの強度低下を周囲の封止樹脂で補強するこ
とができる。更に、封止樹脂の上方からの投影領域内
に、第１及び第２外部導出リードの最下面が形成できる
ことになるので、封止樹脂より露出した第１及び第２外
部導出リードの長さを短くしても配線基盤とリードとの
接触面を十分に確保できる。従って、電子部品の実装面
積を小さくでき、電子機器の小型化に貢献できる。
【００２５】また、上記の第２の構成において、前記封
止樹脂の側面下側に逃げ部が形成されており、前記逃げ
部の下端位置が前記凹み部の形成位置と略同一であり、
前記封止樹脂の上方からの投影領域の境界部とこれらの
位置との距離が、いずれも前記リードの厚さ以下である
のが好ましい。かかる好ましい構成によれば、封止樹脂
の側面下側に逃げ部が形成されているので、樹脂封止
後、樹脂金型からの抜けをよくすることができる。そし
て、凹み部の形成位置を逃げ部の下端位置と略同一とす
ることにより、封止樹脂の上方からの投影領域内に、第
１及び第２外部導出リードの最下面が形成できる。この
結果、封止樹脂より露出した第１及び第２外部導出リー
ドの長さを短くしても配線基盤とリードとの接触面を十
分に確保できる。従って、電子部品の実装面積を小さく
でき、電子機器の小型化に貢献できる。更に、前記封止
樹脂の上方からの投影領域の境界部と、逃げ部の下端位
置及び凹み部の形成位置との距離が、いずれも前記リー
ドの厚さ以下であるので、必要な素子載置部を形成しな
がら、装置の小型化とリードの折り曲げ角度と素子載置
部の下側の封止樹脂厚さを最適化することができる。
【００２６】また、上記の第２の構成において、前記第
１外部導出リード及び前記第２外部導出リードの各下面
の、前記封止樹脂の上方からの投影領域の内側に、前記
凹み部より突出した平坦部を有することが好ましい。第
１及び第２外部導出リードの下面の平坦部は配線基盤と
の接触面となり、かかる接触面が封止樹脂の上方からの
投影領域の内側に有ることにより、封止樹脂より露出し
た第１及び第２外部導出リードの長さを短くすることが
できる。従って、電子部品の実装面積を小さくでき、電
子機器の小型化に貢献できる。
【００２７】また、上記の第２の構成において、前記封
止樹脂の底面が、外部に延伸された前記第１外部導出リ
ード及び前記第２外部導出リードの最下面より０．００
１〜０．０２ｍｍ高いことが好ましい。かかる好ましい
構成によれば、上記の凹み部の効果と電子部品の小型化
とをバランスよく達成することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
実施の形態１に係わる電子装置の概略構成を示した図で
あり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線での
矢印方向から見た断面図である。
【００２９】図示したように、本実施の形態の電子装置
１は、素子載置部（ダイパッド）１１を備えた第１外部
導出リード１０と、素子載置部１１と離間して配置され
た第２外部導出リード２０を有する。素子載置部１１上
には電子素子である半導体素子３０がダイボンディング
等で搭載されている。半導体素子３０の外部接続端子と
第２外部導出リード２０とはボンディングワイヤ５０で
接続されている。半導体素子３０と、素子載置部１１
と、第１外部導出リード１０のインナーリード部と、第
２外部導出リード２０のインナーリード部と、ボンディ
ングワイヤ５０とは封止樹脂４０で封止される。
【００３０】図示したように、第１外部導出リード１０
と、第２外部導出リード２０とは略Ｓ字状（略階段状）
に折り曲げられ、リード１０，２０の一方の端部は封止
樹脂４０の外部に露出し、封止樹脂４０の底面と略平行
に延伸されて、アウターリード部を形成している。
【００３１】ここで、第１外部導出リードの厚みｔは
０．１ｍｍ未満である。厚みｔがこれより厚いと電子装
置の小型化を達成できない。ここで、厚みｔとは、封止
樹脂の内部のインナーリード部と封止樹脂の外部のアウ
ターリード部とで厚みが異なる場合（例えば、アウター
リード部に半田メッキ等が施されている場合）は、イン
ナーリード部の厚みをいう。
【００３２】図１に示した第１外部導出リード１０の折
り曲げ深さをｄとしたとき、その厚みｔとの間にｄ≧ｔ
を満足する必要がある。また、第１外部導出リード１０
の素子載置部１１の非電子素子側の封止樹脂の厚みをＴ
としたとき、Ｔ＜ｄを満足する必要がある。これらの関
係を満足することにより、電子装置の縦方向（Ｘ軸方
向）寸法ＬX及び高さ方向（Ｚ軸方向）寸法Ｈを小さく
することができる。
【００３３】本実施の形態の電子装置は、第１及び第２
外部導出リードの封止樹脂内のインナーリード部の幅が
露出部より広がっておらず、ほぼ一定であることが好ま
しい。従来は、厚みの厚いリードを樹脂内で曲げている
ので、リードのフレームや共通接続部からの切断等によ
る製造工程での外部ストレスでリード抜けや封止樹脂の
破損が生じるおそれがあった。従って、これを防止する
ため、外部導出リードの封止樹脂内のリード先端の幅を
広くしていた。しかし、本実施の形態のようにリードを
０．１ｍｍより薄くすることで、機械的にバランスが取
れるので、外部導出リードの形状（幅）は、インナーリ
ード部で拡大しておらず、ほぼ同一幅にすることが可能
である。これにより、樹脂パッケージの横方向（Ｙ軸方
向）寸法ＬYを小さくすることが可能になる。
【００３４】また、樹脂封止されたパッケージ内部の強
度のバランスを保つために、半導体素子の厚みとインナ
ーリードの厚みｔとはほぼ等しくするのが好ましい。
【００３５】本実施の形態の電子装置の封止樹脂の注入
口の位置は、図１に２点差線で示したように、長辺側側
面の中心からいずれか一方の短辺側に偏った位置に注入
口９０を設け、矢印方向に注入するのが好ましい。樹脂
パッケージが小型化することにより、従来のように短辺
側側面に注入口を設けることが困難になる。また、樹脂
金型の内壁とインナーリードとの隙間が狭くなるので、
インナーリードの下面側にも十分に樹脂を回り込ませる
のが困難になる。そこで、上記のように長辺側側面のい
ずれか一方の短辺よりの位置から注入すると樹脂がなめ
らかに流動して充填され、封止樹脂の未充填部の発生を
抑えることができる。
【００３６】また、封止樹脂内部の第１外部導出リード
１０のインナーリードの封止樹脂底面近傍の折り曲げ部
の外表面の曲率半径Ｒが０．０５ｍｍ以上前記リード厚
さｔ以下であるのが好ましい。具体的には、図１（Ｂ）
において、第１外部導出リード１０の封止樹脂底面近傍
の折り曲げ部１２の外表面の曲率半径Ｒ11，Ｒ12が、
０．０５ｍｍ以上前記リード厚さｔ以下であるのが好ま
しい。更に、Ｒ13，Ｒ14についても同様に上記の条件を
満足しているとより好ましい。また、第２外部導出リー
ド２０の封止樹脂底面近傍の折り曲げ部２２の外表面の
曲率半径Ｒ21，Ｒ 22が、０．０５ｍｍ以上、第２外部導
出リードの厚さ以下であるのが好ましい。更に、Ｒ23，
Ｒ24についても同様に上記の条件を満足しているとより
好ましい。この条件を満足すると、リード成型時の材料
のくびれが防止でき、リード折れを防止できる。また、
その後の加工においてもフレームが応力に対して柔軟に
対応できる。
【００３７】本実施の形態の電子装置の具体的な実施例
を説明する。
【００３８】厚みｔが０．０８ｍｍのリードフレームを
用いて、第１外部導出リード１０の曲げ深さｄを０．１
２ｍｍ、素子載置部１１の下部の樹脂厚さＴを０．１１
ｍｍとしたとき、半導体素子３０として一辺が０．３ｍ
ｍのチップサイズのものを載置することができ、素子載
置部１１と、第２外部導出リード２０との間隔Ｌ1は
０．１１ｍｍであった。インナーリードの曲げ部の表面
の曲率半径Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14，Ｒ21，Ｒ22，
Ｒ23，Ｒ24はいずれも０．０５〜０．１ｍｍとした。こ
のときの樹脂パッケージの縦（図１においてＸ軸方向長
さ）ＬX，横（図１においてＹ軸方向長さ）ＬY，及び高
さ（図１においてＺ軸方向長さ）Ｈは、それぞれ１ｍ
ｍ，０．５ｍｍ，０．５ｍｍで極めて小型のものであっ
た。
【００３９】次に、電子装置の製造方法の一例について
説明する。
【００４０】まず、厚みｔが０．０８ｍｍの平面状のリ
ードフレームをプレスして０．１２ｍｍの深さの曲げを
成形し、第１外部導出リードに素子載置部領域を、第２
外部導出リードにワーヤーボンド領域をそれぞれ形成す
る。次に、素子載置部をリードフレーム加熱用ヒーター
上に置き、加熱しながら半導体素子をダイボンディング
する。引き続き、半導体素子の外部接続用電極と外部導
出リードの一端をボンディングワイヤで結線する。その
後、素子載置部、半導体素子、及び外部導出リードの一
端をモールド樹脂で封止する。この時、樹脂注入口はパ
ッケージの長辺側の側面の中央部から一方の短辺側に偏
った位置に設ける。樹脂に含有するフィラー粒径をリー
ド曲げ深さｄの約半分以下の約５０μｍ以下としてリー
ド下部への充填性を高める。
【００４１】なお、リード厚みｔが０．０８ｍｍのとき
に、リード曲げ深さｄをリード厚さｔより浅くすると、
リードとリードを固定するリード下部の樹脂厚さとの強
度バランスが崩れて、パッケージ割れが発生しやすくな
った。
【００４２】また、リード厚みｔが０．０８ｍｍのとき
に、リード曲げ深さｄを０．１３ｍｍより大きく成形
し、縦方向（Ｘ軸方向）の寸法ＬXを短縮しようとする
と、ダイボンディングのための素子載置部の平坦面の確
保が困難となり、これ以上小型の電子装置を提供するこ
とが困難であった。従って、この条件では、ｄ≦０．１
３ｍｍとするのが好ましい。
【００４３】次に、素子載置部を有する第１外部導出リ
ードと、第２外部導出リードのアウターリード部に半田
メッキを行う。よって、半田メッキ後の外部導出リード
の厚さは、０．１ｍｍ以上になる場合もあるが差し支え
ない。最後にリードフレームを樹脂パッケージの外周端
から０．２ｍｍの長さで切断し完成する。
【００４４】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２に係わる電子装置の概略構成を示した図であり、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は底面図である。
【００４５】実施の形態１で説明した図１と同一の機能
を有する部材には同一の符号を付して詳細な説明を省略
する。
【００４６】本実施の形態の電子装置２においては、封
止樹脂４０の底面４１の近傍の第１外部導出リード１０
及び第２外部導出リード２０の折り曲げ部１２，２２の
底面側に、凹み部１３，２３がそれぞれ形成されてい
る。凹み部１３，２３はコイニング等により形成され、
凹み部１３，２３が形成された部分のリード１０，２０
の厚みはいずれもインナーリード部の厚みより薄くな
る。そして、第１外部導出リード１０のアウターリード
部の最下面１４、及び第２外部導出リード２０のアウタ
ーリード部の最下面２４に対して、凹み部１３，２３の
下面及び封止樹脂４０の底面４１が高くなるように形成
されている。
【００４７】アウターリード部の最下面１４，２４に対
する凹み部１３，２３の下面及び封止樹脂４０の底面４
１の高さは、０．００１ｍｍ〜０．０２ｍｍ程度が好ま
しく、より好ましくは０．０１ｍｍ以下で高くするのが
よい。このような高さを保つことにより、回路基板への
実装時にアウターリードへの半田の付着・回り込み等が
良好になる。また、封止樹脂４０の底面４１の高さを上
記の範囲より高くすると、素子載置部１１の下側の樹脂
層厚みが薄なり、一方、必要な厚みを確保しようとする
と樹脂パッケージの高さが大きくなる。また、凹み部１
３，２３の下面を上記の範囲より高くすると、凹み部が
形成された部分のリードの厚みが薄くなりすぎて、リー
ドの強度が低下する。リードの強度の観点からは、凹み
部が形成された部分のリード厚みは、インナーリード部
のリード厚みの９割以上であるのが好ましい。なお、凹
み部１３，２３の下面と封止樹脂４０の底面４１とは同
一平面を形成する必要はないが、同一平面とすると樹脂
金型の設計が容易となるので好ましい。
【００４８】このようにリード曲げ部１２，２２に凹み
部１３，２３を設けることで、リード曲げ部１２，２２
の封止樹脂底面４１の近傍におけるリードの下側表面と
封止樹脂底面４１とがなす角度、即ち、インナーリード
の封止樹脂底面４１に対する立ち上がり角度が大きくな
る。このため、インナーリードの下側の、封止樹脂底面
４１の近傍の樹脂厚みが薄い部分が少なくなる。この結
果、折り曲げ部１１，２２の周囲の封止樹脂の回り込み
が良好になって、折り曲げ部１１，２２の周囲の樹脂底
面の形成が安定化する。従って、リードと封止樹脂との
付着強度が向上し、リード自体の強度も向上する。
【００４９】凹み部１３，２３は、上方又は下方から見
たときの樹脂パッケージの外周端より内側に形成するの
が好ましい。このような構成とすれば、樹脂封止の際の
金型の封止樹脂底面４１となる面が凹み部１３，２３と
同一面をなすように設計することにより、樹脂注入時に
樹脂がリードの凹み部周囲から漏れるのを容易に防止で
きる。また、凹み部の形成はリードの厚みの減少を伴う
ので、凹み部を上記領域内に形成することにより、リー
ド厚みの減少した部分を全て封止樹脂で支持することが
でき、リードの強度の低下を防止できる。更に、封止樹
脂の上方からの投影領域内に、第１及び第２外部導出リ
ードの最下面が形成できることになるので、封止樹脂よ
り露出した第１及び第２外部導出リードの長さを短くし
ても配線基盤とリードとの接触面を十分に確保できる。
従って、電子部品の実装面積を小さくでき、電子機器の
小型化に貢献できる。
【００５０】一般に、樹脂封止の際の金型は、樹脂注入
後の金型抜けをよくするために、上下の金型の合わせ面
に対して所定の傾斜角を有する逃げ部を設ける。本実施
の形態においては、図２（Ｂ）に示すように、封止樹脂
のリード露出側側面の下側に形成された傾斜角θを有す
る逃げ部４２の下端位置４３が凹み部１３，２３の形成
端部１５，２５と略同一位置であることが好ましい。こ
のようにすることは、凹み部１３，２３を樹脂パッケー
ジの外周端より内側に形成することを意味し、上記の効
果が達成される。
【００５１】また、樹脂パッケージの外周端と逃げ部４
２の下端位置４３及び凹み部１３，２３の形成端部１
５，２５との距離Ｌ2がリードの厚さ以下であるのが好
ましい。距離Ｌ2が上記の範囲より大きいと、素子載置
部１１として十分な領域が確保できない。また、必要な
大きさの素子載置部１１を確保しようとすると、樹脂パ
ッケージが大型化したり、リードの折り曲げ角度を大き
くしたり、素子載置部１１の下側の樹脂層厚みＴを薄く
したりする必要が生じる。
【００５２】なお、アウターリード部は、樹脂封止後に
メッキ処理してもよく、これによってリード厚さが厚く
なっても差し支えない。
【００５３】
【発明の効果】本発明の第１の構成にかかる電子装置に
よれば、第１外部導出リードの厚みｔと、厚みｔと折り
曲げ深さｄの関係と、素子載置部下部の封止樹脂の厚さ
Ｔと折り曲げ深さｄとの関係とを規定している。これに
より、電子装置の高さを低く抑えることができ、素子載
置部として必要な平坦領域を確保することができる。ま
た、素子載置部と第２外部導出リードとの間隔を短くで
きるので、縦方向の寸法を小さく抑えることができる。
【００５４】また、本発明の第２の構成にかかる電子装
置によれば、第１及び第２外部導出リードの折り曲げ部
の底面側に凹み部が形成されているので、該折り曲げ部
近傍の封止樹脂の回り込みが良好になり、リードと封止
樹脂との付着強度が向上する。これにより、リード自体
の強度も向上する。また、凹み部の底面と封止樹脂の底
面が、外部に延伸された第１及び第２外部導出リードの
最下面より高く形成されているので、回路基板への実装
時に半田の付着・回り込み等が良好になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係る電子装置の一例
の概略構成を示した図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）
は（Ａ）のＩ−Ｉ線での矢印方向から見た断面図であ
る。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る電子装置の一例
の概略構成を示した図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）
は底面図である。
【図３】 従来の電子装置の一例の概略構成を示した図
であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のII-II線で
の矢印方向から見た断面図である。
【符号の説明】
１、２ 電子装置 １０ 第１外部導出リード １１ 素子載置部（ダイパッド） １２ 折り曲げ部 １３ 凹み部 １４ アウターリード部の最下面 ２０ 第２外部導出リード ２２ 折り曲げ部 ２３ 凹み部 ２４ アウターリード部の最下面 ３０ 半導体素子 ４０ 封止樹脂 ４１ 封止樹脂の底面 ４２ 逃げ部 ５０ ボンディングワイヤ ９０ 封止樹脂注入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇都宮 哲 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 FA04

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子素子と、前記電子素子を載置するた
    めの素子載置部を備えた厚さｔが０．１ｍｍ未満の第１
    外部導出リードと、前記素子載置部と離間して配置され
    た第２外部導出リードとを有し、 前記電子素子、前記素子載置部、前記第１外部導出リー
    ドの一部、及び前記第２外部導出リードの一部を樹脂封
    止してなる電子装置であって、 前記第１外部導出リードは略Ｓ字形に折り曲げられ、そ
    の折り曲げ深さｄが前記第１外部導出リードの厚さｔ以
    上であり、 前記素子載置部の非電子素子側の封止樹脂の厚さＴが前
    記折り曲げ深さｄより小さいことを特徴とする電子装
    置。
  2. 【請求項２】 前記素子載置部と前記第２外部導出リー
    ドとの間隔が０．１２ｍｍ以下である請求項１に記載の
    電子装置。
  3. 【請求項３】 封止樹脂の縦，横，及び高さの各外形寸
    法がいずれも１．０ｍｍ以下である請求項１に記載の電
    子装置。
  4. 【請求項４】 前記第１及び第２外部導出リードの封止
    樹脂内のインナーリード部の幅がほぼ一定である請求項
    １に記載の電子装置。
  5. 【請求項５】 前記電子素子の厚さが前記第１外部導出
    リードの厚さｔとほぼ等しい請求項１に記載の電子装
    置。
  6. 【請求項６】 前記封止樹脂が、長辺側側面のいずれか
    一方の短辺寄りの位置から注入されてなる請求項１に記
    載の電子装置。
  7. 【請求項７】 前記第１外部導出リードの封止樹脂底面
    近傍の折り曲げ部の外表面の曲率半径Ｒが、０．０５ｍ
    ｍ以上前記リード厚さｔ以下である請求項１に記載の電
    子装置。
  8. 【請求項８】 封止樹脂中に、前記リードの折り曲げ深
    さｄの半分以下の粒径を有するフィラーを含有する請求
    項１に記載の電子装置。
  9. 【請求項９】 電子素子と、前記電子素子を載置するた
    めの素子載置部を備えた厚さｔが０．１ｍｍ未満の第１
    外部導出リードと、前記素子載置部と離間して配置され
    た第２外部導出リードとを有し、 前記電子素子、前記素子載置部、前記第１外部導出リー
    ドの一部、及び前記第２外部導出リードの一部を樹脂封
    止してなる電子装置であって、 前記第１外部導出リードと前記第２外部導出リードは、
    封止樹脂の底面で折り曲げられて封止樹脂の底面と略平
    行に延伸して露出しており、 前記第１外部導出リード及び前記第２外部導出リードの
    前記折り曲げ部の底面側に凹み部が形成され、前記凹み
    部ではリード厚さが薄く形成されており、 前記第１及び第２外部導出リードの前記凹み部の底面
    と、前記封止樹脂の底面は、外部に延伸された前記第１
    外部導出リード及び前記第２外部導出リードの最下面よ
    り高く形成されていることを特徴とする電子装置。
  10. 【請求項１０】 前記凹み部は、封止樹脂の上方からの
    投影領域内に形成されている請求項９に記載の電子装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記封止樹脂の側面下側に逃げ部が形
    成されており、前記逃げ部の下端位置が前記凹み部の形
    成位置と略同一であり、前記封止樹脂の上方からの投影
    領域の境界部とこれらの位置との距離が、いずれも前記
    リードの厚さ以下である請求項９に記載の電子装置。
  12. 【請求項１２】 前記第１外部導出リード及び前記第２
    外部導出リードの各下面の、前記封止樹脂の上方からの
    投影領域の内側に、前記凹み部より突出した平坦部を有
    する請求項９に記載の電子装置。
  13. 【請求項１３】 前記封止樹脂の底面が、外部に延伸さ
    れた前記第１外部導出リード及び前記第２外部導出リー
    ドの最下面より０．００１〜０．０２ｍｍ高い請求項９
    に記載の電子装置。
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EP02016041A EP1276150B8 (en) 1998-11-19 1999-10-16 Resin-encapsulated electronic device
DE69935016T DE69935016T2 (de) 1998-11-19 1999-10-16 Ein mit Kunststoff umhülltes elektronisches Bauelement
EP99120581A EP1005085B1 (en) 1998-11-19 1999-10-16 Resin-encapsulated electronic device
CNB031409059A CN1307717C (zh) 1998-11-19 1999-11-19 电子器件
CNB991244664A CN100359677C (zh) 1998-11-19 1999-11-19 电子器件
US09/834,153 US6504097B2 (en) 1998-11-19 2001-04-12 Electronic device

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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW567714B (en) * 2001-07-09 2003-12-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd Light-emitting unit and illumination device and image reading device using light-emitting unit
JP2003204027A (ja) * 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US20040264139A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Nokia Corporation Process for manufacturing a cover
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
JP5038623B2 (ja) * 2005-12-27 2012-10-03 株式会社東芝 光半導体装置およびその製造方法
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US20080054420A1 (en) * 2006-08-23 2008-03-06 Semiconductor Components Industries, Llc. Semiconductor package structure and method of manufacture
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
GB2451077A (en) * 2007-07-17 2009-01-21 Zetex Semiconductors Plc Semiconductor chip package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
JP2009289969A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Nec Electronics Corp リードフレーム
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
JP5572622B2 (ja) 2009-05-15 2014-08-13 ローム株式会社 半導体装置
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US20110163432A1 (en) * 2009-11-26 2011-07-07 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8916957B2 (en) * 2011-07-20 2014-12-23 Aptos Technology Inc. Package structure and package process
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
CN102856281A (zh) * 2012-02-17 2013-01-02 三星半导体(中国)研究开发有限公司 半导体封装件及其制造方法
US9576884B2 (en) * 2013-03-09 2017-02-21 Adventive Ipbank Low profile leaded semiconductor package
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
EP3331007A1 (en) * 2016-12-05 2018-06-06 Melexis Technologies SA Integrated circuit package comprising lead frame
CN108540086A (zh) * 2018-01-18 2018-09-14 浙江人和光伏科技有限公司 一种太阳能电池接线盒的导电模块
TWI712129B (zh) * 2020-01-21 2020-12-01 強茂股份有限公司 半導體封裝結構以及其製作方法
JP7528042B2 (ja) * 2021-09-17 2024-08-05 株式会社東芝 半導体装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4805009A (en) 1985-03-11 1989-02-14 Olin Corporation Hermetically sealed semiconductor package
CN1023675C (zh) * 1985-03-25 1994-02-02 株式会社日立制作所 半导体器件的制造方法
FR2598258B1 (fr) * 1986-04-30 1988-10-07 Aix Les Bains Composants Procede d'encapsulation de circuits integres.
JPS63239851A (ja) 1987-03-27 1988-10-05 Hitachi Ltd 電子装置
JPH04206764A (ja) 1990-11-30 1992-07-28 Toshiba Corp 半導体素子用リードフレーム
US5172214A (en) 1991-02-06 1992-12-15 Motorola, Inc. Leadless semiconductor device and method for making the same
JPH0547954A (ja) 1991-08-20 1993-02-26 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JP3044872B2 (ja) * 1991-09-25 2000-05-22 ソニー株式会社 半導体装置
JP2747634B2 (ja) 1992-10-09 1998-05-06 ローム株式会社 面実装型ダイオード
JP3905208B2 (ja) 1997-02-27 2007-04-18 富士通株式会社 半導体装置及びその実装構造
JP3243116B2 (ja) 1994-05-17 2002-01-07 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH0837252A (ja) * 1994-07-22 1996-02-06 Nec Corp 半導体装置
FR2733630B1 (fr) 1995-04-27 1997-05-30 Imphy Sa Pattes de connexion pour composant electronique
US6277225B1 (en) * 1996-03-13 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Stress reduction feature for LOC lead frame
JPH09312367A (ja) * 1996-05-23 1997-12-02 Mitsubishi Electric Corp 高周波半導体装置
JP3611066B2 (ja) 1996-08-29 2005-01-19 株式会社ルネサステクノロジ 無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物の製造方法
US5894108A (en) 1997-02-11 1999-04-13 National Semiconductor Corporation Plastic package with exposed die
JP2805471B2 (ja) * 1997-03-17 1998-09-30 ローム株式会社 面実装型ダイオードの製造方法
JP3727446B2 (ja) 1997-08-19 2005-12-14 沖電気工業株式会社 半導体装置の樹脂封止成形金型

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