JPS6334289Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6334289Y2 JPS6334289Y2 JP1983076730U JP7673083U JPS6334289Y2 JP S6334289 Y2 JPS6334289 Y2 JP S6334289Y2 JP 1983076730 U JP1983076730 U JP 1983076730U JP 7673083 U JP7673083 U JP 7673083U JP S6334289 Y2 JPS6334289 Y2 JP S6334289Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- terminals
- semiconductor device
- package
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は複数の外部端子を有する樹脂封止型パ
ツケージ半導体装置に関する。
ツケージ半導体装置に関する。
半導体装置のパツケージ方式の代表的なものと
して、樹脂封止型パツケージがある。これは、リ
ード・フレームと呼ばれる基体に半導体チツプを
接続し、熱硬化性樹脂をもつて低圧成形し、さら
に基体の一部を切断し、各々に分離した外部端子
を形成したものである。第１図はリード・フレー
ムの平面図で、図中１はダイ支持バー、２はダイ
フラツグ、３は外部端子、４はガイド孔、５はリ
ード支持バーである。第２図は従来の一部切り開
いた完成した樹脂封止型パツケージ半導体装置の
斜視図で、６は熱硬化性樹脂で形成される封止の
樹脂である。
して、樹脂封止型パツケージがある。これは、リ
ード・フレームと呼ばれる基体に半導体チツプを
接続し、熱硬化性樹脂をもつて低圧成形し、さら
に基体の一部を切断し、各々に分離した外部端子
を形成したものである。第１図はリード・フレー
ムの平面図で、図中１はダイ支持バー、２はダイ
フラツグ、３は外部端子、４はガイド孔、５はリ
ード支持バーである。第２図は従来の一部切り開
いた完成した樹脂封止型パツケージ半導体装置の
斜視図で、６は熱硬化性樹脂で形成される封止の
樹脂である。
近年の高密度実装の要求から、パツケージの小
型化がはかられ、SOP（Small Outjine
Package）と呼ばれる小型の樹脂封止型パツケー
ジなどが現われている。これに使用されるリー
ド・フレームは板厚が150μｍで、外部端子の線
幅は430μｍ、ピツチは1.27mmが一般的である。今
後、さらにピツチが0.63mm以下になると予想され
る。しかし、リード・フレームの加工上線間およ
び線幅の最小寸法は板厚と同等が限度である。し
たがつて、微細化するには、板厚を小さくするこ
とが必要である。しかるに、板厚を100μｍ以下
にすると、外部端子として性能上不都合を生じ
る。特に変形しやすいために、外部端子が不揃い
になつたり、曲がつたりして、検査や実装上著し
く取扱いにくくなる。したがつて、リード・フレ
ームの諸寸法を微細化してゆくには、現状では限
界がある。
型化がはかられ、SOP（Small Outjine
Package）と呼ばれる小型の樹脂封止型パツケー
ジなどが現われている。これに使用されるリー
ド・フレームは板厚が150μｍで、外部端子の線
幅は430μｍ、ピツチは1.27mmが一般的である。今
後、さらにピツチが0.63mm以下になると予想され
る。しかし、リード・フレームの加工上線間およ
び線幅の最小寸法は板厚と同等が限度である。し
たがつて、微細化するには、板厚を小さくするこ
とが必要である。しかるに、板厚を100μｍ以下
にすると、外部端子として性能上不都合を生じ
る。特に変形しやすいために、外部端子が不揃い
になつたり、曲がつたりして、検査や実装上著し
く取扱いにくくなる。したがつて、リード・フレ
ームの諸寸法を微細化してゆくには、現状では限
界がある。
本考案の目的は、したがつて、微細な外部端子
でありながら、取扱い容易な半導体装置を提供す
ることである。
でありながら、取扱い容易な半導体装置を提供す
ることである。
上記目的を達成するために、本考案による半導
体装置は、チツプを囲む樹脂部から突き出た複数
の端子の根元に各々の端子間隙を埋め、端子相互
間および端子と上記樹脂部を固定する樹脂であつ
て、上記樹脂部側面の複数の端子に突設された樹
脂を有することを要旨とする。
体装置は、チツプを囲む樹脂部から突き出た複数
の端子の根元に各々の端子間隙を埋め、端子相互
間および端子と上記樹脂部を固定する樹脂であつ
て、上記樹脂部側面の複数の端子に突設された樹
脂を有することを要旨とする。
以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて
本考案を一層詳細に説明するが、それらは例示に
過ぎず、本考案の枠を越えることなしにいろいろ
な変形や改良があり得ることは勿論である。
本考案を一層詳細に説明するが、それらは例示に
過ぎず、本考案の枠を越えることなしにいろいろ
な変形や改良があり得ることは勿論である。
第３図および第４図は本考案による半導体装置
の外部端子附近のそれぞれ斜視図および平面図
で、７が本考案による補強樹脂で、図示のよう
に、本考案では通常の低圧成形樹脂封止法におい
て、樹脂部６から出ている複数の端子の根元のそ
れぞれの間隙が端子と端子を補強するために樹脂
で充填されて樹脂部６の側面に突設される。この
部分への樹脂の成形は通常技術で、困難なしに行
なわれる。この補強樹脂７は、チツプを封止して
いる材料と同じでよい。
の外部端子附近のそれぞれ斜視図および平面図
で、７が本考案による補強樹脂で、図示のよう
に、本考案では通常の低圧成形樹脂封止法におい
て、樹脂部６から出ている複数の端子の根元のそ
れぞれの間隙が端子と端子を補強するために樹脂
で充填されて樹脂部６の側面に突設される。この
部分への樹脂の成形は通常技術で、困難なしに行
なわれる。この補強樹脂７は、チツプを封止して
いる材料と同じでよい。
補強樹脂は外部端子３の間隙に限られることは
なく、第５図に示すように、それらの上下にあつ
てもよいことは勿論である。
なく、第５図に示すように、それらの上下にあつ
てもよいことは勿論である。
以上説明した通り、本考案によれば、チツプを
囲む樹脂パツケージの側面の一部において導出さ
れる端子の根元に各端子間隙を埋めてその側面よ
り突設される補強樹脂を備えているので、端子間
だけでなく、端子と樹脂パツケージとの間の補強
も行われる。また補強樹脂は端子の根元部分に突
設されているので、端子の先端側に加わつた力に
より樹脂パツケージの封止部を悪化させることを
有効に防止できる。しかも補強樹脂はパツケージ
側面の全体ではなくその一部である端子導出部に
沿つて突出しているので、樹脂封止型パツケージ
半導体装置を大型化させることなく高密度実装に
支障をきたさないようにすることが可能となるば
かりでなく、端子の曲げ加工の作業も容易となる
ので、微細な形状の外部端子を有する半導体装置
においても、外部端子の不揃いや変形を防ぎ、高
密度パツケージを提供することができ、かつプリ
ント配線基板への実装の位置決め性を向上させ、
高密度実装を可能にするという利点が得られる。
囲む樹脂パツケージの側面の一部において導出さ
れる端子の根元に各端子間隙を埋めてその側面よ
り突設される補強樹脂を備えているので、端子間
だけでなく、端子と樹脂パツケージとの間の補強
も行われる。また補強樹脂は端子の根元部分に突
設されているので、端子の先端側に加わつた力に
より樹脂パツケージの封止部を悪化させることを
有効に防止できる。しかも補強樹脂はパツケージ
側面の全体ではなくその一部である端子導出部に
沿つて突出しているので、樹脂封止型パツケージ
半導体装置を大型化させることなく高密度実装に
支障をきたさないようにすることが可能となるば
かりでなく、端子の曲げ加工の作業も容易となる
ので、微細な形状の外部端子を有する半導体装置
においても、外部端子の不揃いや変形を防ぎ、高
密度パツケージを提供することができ、かつプリ
ント配線基板への実装の位置決め性を向上させ、
高密度実装を可能にするという利点が得られる。
第１図はリード・フレームの平面図、第２図は
従来の樹脂封止型パツケージ半導体装置の斜視
図、第３図および第４図は本考案による半導体装
置の外部端子附近のそれぞれ斜視図および平面
図、第５図本考案の他の一つの実施の態様による
半導体装置の斜視図である。 １……ダイ支持バー、２……ダイフラツグ、３
……外部端子、４……ガイド孔、５……リード支
持バー、６……封止の樹脂、７……補強樹脂。
従来の樹脂封止型パツケージ半導体装置の斜視
図、第３図および第４図は本考案による半導体装
置の外部端子附近のそれぞれ斜視図および平面
図、第５図本考案の他の一つの実施の態様による
半導体装置の斜視図である。 １……ダイ支持バー、２……ダイフラツグ、３
……外部端子、４……ガイド孔、５……リード支
持バー、６……封止の樹脂、７……補強樹脂。
Claims (1)
- 複数の外部端子を有する樹脂封止型パツケージ
半導体装置において、チツプを囲む樹脂部側面か
ら突き出た複数の端子の根元に各々の端子間隙を
埋め、端子相互間および端子と上記樹脂部を固定
する樹脂であつて、上記樹脂部側面の複数の端子
に突設された樹脂を有することを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7673083U JPS59182944U (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7673083U JPS59182944U (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182944U JPS59182944U (ja) | 1984-12-06 |
| JPS6334289Y2 true JPS6334289Y2 (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=30206778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7673083U Granted JPS59182944U (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182944U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572068A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-30 | Fujitsu Ltd | Lead parts and package of the same |
| JPS5587469A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP7673083U patent/JPS59182944U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572068A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-30 | Fujitsu Ltd | Lead parts and package of the same |
| JPS5587469A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59182944U (ja) | 1984-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3334864B2 (ja) | 電子装置 | |
| US6410979B2 (en) | Ball-grid-array semiconductor device with protruding terminals | |
| JP2875139B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5703407A (en) | Resin-sealed type semiconductor device | |
| JP2001015668A (ja) | 樹脂封止型半導体パッケージ | |
| JP2002515176A (ja) | 集積回路パッケージ及びその製造方法 | |
| JPS6334289Y2 (ja) | ||
| JPH11191562A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63296252A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11186481A (ja) | リードフレーム | |
| JP2503360Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路装置 | |
| JP3303825B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3061715B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0514516Y2 (ja) | ||
| JPH0653399A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2990455B2 (ja) | 集積回路装置とその製造方法及び製造装置及び梱包ケース | |
| KR100537893B1 (ko) | 리드 프레임과 이를 이용한 적층 칩 패키지 | |
| GB2115220A (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
| JPH0750380A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH046859A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2001127233A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS59189662A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR20010087444A (ko) | 적층형 비엘피 패키지 및 제조방법 | |
| KR900001988B1 (ko) | 반도체장치에 사용되는 리이드 프레임 | |
| JPH0831556B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム |