JPH046859A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH046859A JPH046859A JP2109483A JP10948390A JPH046859A JP H046859 A JPH046859 A JP H046859A JP 2109483 A JP2109483 A JP 2109483A JP 10948390 A JP10948390 A JP 10948390A JP H046859 A JPH046859 A JP H046859A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 63
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
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- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
A、産業上の利用分野
B0発明の概要
C2従来技術[第7図乃至第10図]
D9発明が解決しようとする問題点
E0問題点を解決するための手段
F9作用
G、実施例[第1図乃至第6図]
H2発明の効果
(C,従来技術)[第7図乃至第10園]樹脂封止型半
導体装置は、半導体チップ複数個分のリードを一体に連
結したリードフレームを用意し、リードフレームのグイ
パッドに半導体チップをグイボンディングし、更にワイ
ヤボンディングし、その後樹脂封止をする方法で製造さ
れるものが多い。
導体装置は、半導体チップ複数個分のリードを一体に連
結したリードフレームを用意し、リードフレームのグイ
パッドに半導体チップをグイボンディングし、更にワイ
ヤボンディングし、その後樹脂封止をする方法で製造さ
れるものが多い。
また、グイパッドがなく半導体チップの電極を直接リー
ドの先端に接続したり、あるいは半導体チップの電極と
リードをワイヤによってボンディングするに留めた状態
で樹脂封止する樹脂封止型半導体装置もある。
ドの先端に接続したり、あるいは半導体チップの電極と
リードをワイヤによってボンディングするに留めた状態
で樹脂封止する樹脂封止型半導体装置もある。
これ等従来の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止によっ
てリード間に生じた樹脂をパリとして除去していた。こ
の点について詳しく説明すると次のとおりである。
てリード間に生じた樹脂をパリとして除去していた。こ
の点について詳しく説明すると次のとおりである。
第7図は樹脂封止用金型のリード・・・を押えた部分を
示す断面図であり、図においてaは上型、bは下型、C
,C1・・・はリード、d、d、・・・はリード間の隙
間である。このように、金型は、上型aと下型すとの間
にリードC−C間において隙間d、d、・・・が生じる
構造になっているのが普通である。そして、この各隙間
d、d、・・・は当然に金型の樹脂パッケージが形成さ
れる樹脂注入空間と連通している。従って、第8図に示
すようにリード間の隙間d、d、・・・に樹脂e、e、
・・・(解りやすくするため梨地で示す)が生じてしま
うのである。該樹脂e、e、・・・は、リードフレーム
gに樹脂パッケージ外側面と比較的近接するように設け
られていたタイバーhによって塞き止められるので、長
さはリードC,C1・・・の長さよりも短かかった。そ
して、このリードC,C1・・・間に介在した樹脂e、
e、・・・はバリとして除去されていた。
示す断面図であり、図においてaは上型、bは下型、C
,C1・・・はリード、d、d、・・・はリード間の隙
間である。このように、金型は、上型aと下型すとの間
にリードC−C間において隙間d、d、・・・が生じる
構造になっているのが普通である。そして、この各隙間
d、d、・・・は当然に金型の樹脂パッケージが形成さ
れる樹脂注入空間と連通している。従って、第8図に示
すようにリード間の隙間d、d、・・・に樹脂e、e、
・・・(解りやすくするため梨地で示す)が生じてしま
うのである。該樹脂e、e、・・・は、リードフレーム
gに樹脂パッケージ外側面と比較的近接するように設け
られていたタイバーhによって塞き止められるので、長
さはリードC,C1・・・の長さよりも短かかった。そ
して、このリードC,C1・・・間に介在した樹脂e、
e、・・・はバリとして除去されていた。
ところで、樹脂封止型半導体装置には樹脂パッケージか
ら外部へ突出するリードに曲り、変形が生じるという問
題が生じつつある。というのは、ICの高集積化に伴っ
て多ビン化しリードピッチが例えば1.0mm以下と極
めて小さくそれとの関連でリードフレームの厚さが1.
5mm以下ときわめて薄いものが要求されるようになっ
たからである。
ら外部へ突出するリードに曲り、変形が生じるという問
題が生じつつある。というのは、ICの高集積化に伴っ
て多ビン化しリードピッチが例えば1.0mm以下と極
めて小さくそれとの関連でリードフレームの厚さが1.
5mm以下ときわめて薄いものが要求されるようになっ
たからである。
即ち、従来のものは一般にリードピッチが1.27mm
以上あり、リードフレームの厚さが2mm程度あったの
でリードの変形が生じる場合が少な(、仮にリードに変
形があったとしても機械的修正が可能であったが、多ビ
ン化に対応した樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
ムは必然的にリードピッチを小さくしなければならない
ので僅かな変形によってリード間ショートという問題が
起きてしまう。また、リードピッチを小さくするために
は微細加工が必要であり、微細加工にはリードフレーム
の板厚を薄くすることが必要であるのでリードC,C1
・・・を細くせざるを得ない。従ってリードの強度が弱
くなり、僅かな力を受けて曲ってしまう。そして、この
ように曲るとショートしたり、ソケットに差し込むこと
ができなくなったり、折れたりするので好ましくないの
である。
以上あり、リードフレームの厚さが2mm程度あったの
でリードの変形が生じる場合が少な(、仮にリードに変
形があったとしても機械的修正が可能であったが、多ビ
ン化に対応した樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
ムは必然的にリードピッチを小さくしなければならない
ので僅かな変形によってリード間ショートという問題が
起きてしまう。また、リードピッチを小さくするために
は微細加工が必要であり、微細加工にはリードフレーム
の板厚を薄くすることが必要であるのでリードC,C1
・・・を細くせざるを得ない。従ってリードの強度が弱
くなり、僅かな力を受けて曲ってしまう。そして、この
ように曲るとショートしたり、ソケットに差し込むこと
ができなくなったり、折れたりするので好ましくないの
である。
そこで、第9図に示すようにし、樹脂封止及びリードフ
レームの不要部分のカットを終えた後、例えばポリイミ
ドからなる絶縁テープiをリードC,C1・・・列に接
着するということが考えられる。
レームの不要部分のカットを終えた後、例えばポリイミ
ドからなる絶縁テープiをリードC,C1・・・列に接
着するということが考えられる。
また、第10図に示すようにポリイミド等の絶縁体から
なるシートjにメツキ技術を駆使してリードC,C1・
・・を形成したものをリードフレームに代えて用いるこ
とも考えられた。
なるシートjにメツキ技術を駆使してリードC,C1・
・・を形成したものをリードフレームに代えて用いるこ
とも考えられた。
(D、発明が解決しようとする問題点)ところで、第9
図に示すような樹脂封止型半導体装置は、リードフレー
ムの不要部分をカットした後、絶縁テープiをリードc
、c、・・・列に接着する必要があり、材料費の増加、
製造工数の増加を招(という問題を有する。しかも、リ
ードフレームの不要部分をカットした後、絶縁テープi
を接着するまでの間にリードCに変形が生じた場合には
絶縁テープiを接着する意義がなくなる。
図に示すような樹脂封止型半導体装置は、リードフレー
ムの不要部分をカットした後、絶縁テープiをリードc
、c、・・・列に接着する必要があり、材料費の増加、
製造工数の増加を招(という問題を有する。しかも、リ
ードフレームの不要部分をカットした後、絶縁テープi
を接着するまでの間にリードCに変形が生じた場合には
絶縁テープiを接着する意義がなくなる。
また、第10図に示すような樹脂封止型半導体装置は、
ポリイミド等のシート状絶縁体の材料費がきわめて高い
ので高価格化するという問題があるし、また、ポリイミ
ド等のシート状絶縁体の加工精度を高くすることが難し
く、しかも、シート状絶縁体のリードと半導体チップの
電極との位置合せが難しいので、ICの多ピン化に対応
することが難しいという問題があった。
ポリイミド等のシート状絶縁体の材料費がきわめて高い
ので高価格化するという問題があるし、また、ポリイミ
ド等のシート状絶縁体の加工精度を高くすることが難し
く、しかも、シート状絶縁体のリードと半導体チップの
電極との位置合せが難しいので、ICの多ピン化に対応
することが難しいという問題があった。
そこで、本発明は材料費の増大や製造工数の増大を伴う
ことなくリードの変形を防止することのできる樹脂封止
型半導体装置を提供することを目的とする。
ことなくリードの変形を防止することのできる樹脂封止
型半導体装置を提供することを目的とする。
(E、問題点を解決するための手段)
本発明樹脂封止型半導体装置は上記問題点を解決するた
め、リード間に樹脂を介在させてなることを特徴とする
。
め、リード間に樹脂を介在させてなることを特徴とする
。
(F、作用)
本発明樹脂封止型半導体装置によれば、各リード間に介
在する樹脂がリードの変形を防止する役割を果すので、
リードの変形を防止することができる。
在する樹脂がリードの変形を防止する役割を果すので、
リードの変形を防止することができる。
そして、各リード間の樹脂は、樹脂封止によってリード
間に自然に生じたものをパリとして除去することなくそ
のまま利用することにより特別の工程を設けることな(
形成することができる。
間に自然に生じたものをパリとして除去することなくそ
のまま利用することにより特別の工程を設けることな(
形成することができる。
(G、実施例)[第1図乃至第6図コ
以下、本発明樹脂封止型半導体装置を図示実施例に従っ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第1図乃至第5図は本発明樹脂封止型半導体装置の一つ
の実施例を説明するためのもので、第1図は樹脂封止型
半導体装置の斜視図、第2図は第1図の■−■線に沿う
断面図、第3図は樹脂封止前における斜視図、第4図は
樹脂封止時の状態を示す断面図、第5図はリードフレー
ムカット前の状態を示す平面図である。
の実施例を説明するためのもので、第1図は樹脂封止型
半導体装置の斜視図、第2図は第1図の■−■線に沿う
断面図、第3図は樹脂封止前における斜視図、第4図は
樹脂封止時の状態を示す断面図、第5図はリードフレー
ムカット前の状態を示す平面図である。
図面において、1は樹脂パッケージ、2.2、・・・は
樹脂パッケージ1の両側面から突出したリード、3.3
、・・・は各リード2・2間に介在せしめられた樹脂で
あり、樹脂パッケージ1と一体に形成されている。4.
4、・・・はリード2.2、・・・の表面にメツキされ
た半田である。
樹脂パッケージ1の両側面から突出したリード、3.3
、・・・は各リード2・2間に介在せしめられた樹脂で
あり、樹脂パッケージ1と一体に形成されている。4.
4、・・・はリード2.2、・・・の表面にメツキされ
た半田である。
この樹脂封止型半導体装置は第3図、第5図に示すよう
なリードフレーム5、即ち、ダイパー6の樹脂パッケー
ジ1の側面からの距離をリード2.2、・・・の最終的
な長さ(樹脂パッケージ1から突出している部分の長さ
)と同じになるようにしたリードフレーム5を用いて樹
脂封止型半導体装置の製造を行うことにより得ることが
できる。
なリードフレーム5、即ち、ダイパー6の樹脂パッケー
ジ1の側面からの距離をリード2.2、・・・の最終的
な長さ(樹脂パッケージ1から突出している部分の長さ
)と同じになるようにしたリードフレーム5を用いて樹
脂封止型半導体装置の製造を行うことにより得ることが
できる。
7はリードフレーム5のダイパッド8にボンディングさ
れた半導体チップ、9.9、・・・は半導体チップ7の
電極とリード2.2、・・・の先端との間を接続するワ
イヤである。第3図に示すようにダイボンディング及び
ワイヤボンディングを終えた状態のリードフレームを樹
脂封止用金型にセットして第4図に示すように樹脂封止
を行うのである。
れた半導体チップ、9.9、・・・は半導体チップ7の
電極とリード2.2、・・・の先端との間を接続するワ
イヤである。第3図に示すようにダイボンディング及び
ワイヤボンディングを終えた状態のリードフレームを樹
脂封止用金型にセットして第4図に示すように樹脂封止
を行うのである。
第4図はリードとリードの間の部分で切断して樹脂封止
時の状態を示す断面図であり、同図において9は樹脂封
止用金型の下型、10は同じ(上型、dは下型9と上型
10との間の隣接リード2・2間における間隙である。
時の状態を示す断面図であり、同図において9は樹脂封
止用金型の下型、10は同じ(上型、dは下型9と上型
10との間の隣接リード2・2間における間隙である。
この間隙dはり−ド2.2、・・・の厚さに略等しく、
樹脂封止時にこの間隙dに樹脂3が入り込むのである。
樹脂封止時にこの間隙dに樹脂3が入り込むのである。
この樹脂3は従来における場合のように短か(はな(最
終段階(リードフレーム切断後の段階)におけるリード
2.2、・・・と同じ長さを有しているが、それはタイ
バー5を樹脂パッケージ1の側面から最終段階における
リード2.2、・・・の長さだけ離したからである。
終段階(リードフレーム切断後の段階)におけるリード
2.2、・・・と同じ長さを有しているが、それはタイ
バー5を樹脂パッケージ1の側面から最終段階における
リード2.2、・・・の長さだけ離したからである。
尚、樹脂封止はフラッシュレスモールドにより行って薄
パリを防止するようにすると良い。
パリを防止するようにすると良い。
第5図は樹脂封止後リードフレームカット前の状態を示
している。尚、この図においても第8図と同様にリード
間樹脂の部分を梨地にして解り易くした。
している。尚、この図においても第8図と同様にリード
間樹脂の部分を梨地にして解り易くした。
この第5図に示す状態になった後、リードフレームの不
要部分を除去し、その後リード2.2、・・・に対して
半田メツキ処理をすると樹脂封止型半導体装置が完成す
る。
要部分を除去し、その後リード2.2、・・・に対して
半田メツキ処理をすると樹脂封止型半導体装置が完成す
る。
このような樹脂封止型半導体装置によれば、各リード2
・2間に介在する樹脂3.3、・・・がり−ド2.2、
・・・の変形を防止する役割を果すのでリード2.2、
・・・の変形を防止することができる。
・2間に介在する樹脂3.3、・・・がり−ド2.2、
・・・の変形を防止する役割を果すのでリード2.2、
・・・の変形を防止することができる。
そして、各リード間の樹脂3.3、・・・は樹脂封止に
よってリード間に自然に生じたものであり、特別の工程
を設けなくても形成できる。従って、リード2.2、・
・・の変形防止を材料費の増大、製造工数の増大を伴う
ことなく行うことができる。
よってリード間に自然に生じたものであり、特別の工程
を設けなくても形成できる。従って、リード2.2、・
・・の変形防止を材料費の増大、製造工数の増大を伴う
ことなく行うことができる。
そして、リードフレーム5がエツチングにより加工され
たものである場合には、リード2の断面が中央部におい
て幅が広く上面及び下面側の方が幅が狭い形状になる(
第2図参照)。これはサイドエツチングが生じるためで
ある。その結果、リード2・2間の樹脂3.3、・・・
は、中間部分にリード2の中間部分が食い込まれて(び
れた形状になり樹脂3.3、・・・がとれる虞れがなく
なる。
たものである場合には、リード2の断面が中央部におい
て幅が広く上面及び下面側の方が幅が狭い形状になる(
第2図参照)。これはサイドエツチングが生じるためで
ある。その結果、リード2・2間の樹脂3.3、・・・
は、中間部分にリード2の中間部分が食い込まれて(び
れた形状になり樹脂3.3、・・・がとれる虞れがなく
なる。
従って、補強材としての役割を果し続けることができる
。
。
第6図(A)、(B)は封止用の樹脂として弾性率の高
いものを用いてリード2.2、・・・を折り曲げ得るよ
うにした樹脂封止型半導体装置を示し、同図(A)はリ
ード折り曲げ前の状態を示し、同図(B)はリード折り
曲げ後の状態を示す。
いものを用いてリード2.2、・・・を折り曲げ得るよ
うにした樹脂封止型半導体装置を示し、同図(A)はリ
ード折り曲げ前の状態を示し、同図(B)はリード折り
曲げ後の状態を示す。
尚、リード2.2、・・・を折り曲げる必要のある場合
において、樹脂封止後にリード2.2、・・・の折り曲
げをするのではなく、リード2.2、・・・を折り曲げ
た形状で樹脂封止ができるような形の樹脂封止金型を用
いて樹脂封止をするようにしても良い。
において、樹脂封止後にリード2.2、・・・の折り曲
げをするのではなく、リード2.2、・・・を折り曲げ
た形状で樹脂封止ができるような形の樹脂封止金型を用
いて樹脂封止をするようにしても良い。
上記実施例は本発明をDILPタイプの樹脂封止型半導
体装置に適用したものであったが、本発明はl0LPタ
イプの樹脂封止型半導体装置に限らず、例えばQFPタ
イプの樹脂封止型半導体装置等、種々のタイプの樹脂封
止型半導体装置に適用することができることはいうまで
もない。
体装置に適用したものであったが、本発明はl0LPタ
イプの樹脂封止型半導体装置に限らず、例えばQFPタ
イプの樹脂封止型半導体装置等、種々のタイプの樹脂封
止型半導体装置に適用することができることはいうまで
もない。
(H,発明の効果)
以上に述べたように、本発明樹脂封止型半導体装置は、
樹脂パッケージから突出したリードの開に樹脂を介在せ
しめたことを特徴とするものである。
樹脂パッケージから突出したリードの開に樹脂を介在せ
しめたことを特徴とするものである。
従って、本発明樹脂封止型半導体装置によれば、各リー
ド間に介在する樹脂がリードの変形を防止する役割を果
すので、リードの変形を防止することができる。
ド間に介在する樹脂がリードの変形を防止する役割を果
すので、リードの変形を防止することができる。
そして、各リード間の樹脂は、樹脂封止によってリード
間に自然に生じたものをパリとして除去することなくそ
のまま利用することにより特別の工程を設けることな(
形成することができる。
間に自然に生じたものをパリとして除去することなくそ
のまま利用することにより特別の工程を設けることな(
形成することができる。
従って、コスト増を伴うことなくリードの変形を防止す
ることができる。
ることができる。
第1図乃至第5図は本発明樹脂封止型半導体装置の一つ
の実施例を説明するためのもので、第1図は樹脂封止型
半導体装置の斜視図、第2図は第1図の■−■線に沿う
断面図、第3図は樹脂封止前の状態を示す斜視図、第4
図は樹脂封止時の状態を示す断面図、第5図はリードフ
レームカット前の状態を示す平面図、第6図(A)、C
B)は変形例を示す正面図で、同図(A)はリード折り
曲げ前の状態を示し、同図(B)はリード折り曲げ後の
状態を示し、第7図は樹脂封止用金型のリードを押えた
部分を示す断面図、第8図は樹脂からなるパリの出た状
態を示す従来例の平面図、第9図及び第10図は他の各
別の従来例を示す斜視図である。 符号の説明 1・・・樹脂パッケージ、 2・ ・ ・リード、 3・・・リード間の樹脂。 魁現図 第1図 第 図 (A) (B) 変形例の正面図 第6図 樹脂封止時の状態を示旧析面図 第4図 cd / / l 金型f)1ノートを押えた部分ガ断面図第7図 平面図(従来f!AI ) 第8図
の実施例を説明するためのもので、第1図は樹脂封止型
半導体装置の斜視図、第2図は第1図の■−■線に沿う
断面図、第3図は樹脂封止前の状態を示す斜視図、第4
図は樹脂封止時の状態を示す断面図、第5図はリードフ
レームカット前の状態を示す平面図、第6図(A)、C
B)は変形例を示す正面図で、同図(A)はリード折り
曲げ前の状態を示し、同図(B)はリード折り曲げ後の
状態を示し、第7図は樹脂封止用金型のリードを押えた
部分を示す断面図、第8図は樹脂からなるパリの出た状
態を示す従来例の平面図、第9図及び第10図は他の各
別の従来例を示す斜視図である。 符号の説明 1・・・樹脂パッケージ、 2・ ・ ・リード、 3・・・リード間の樹脂。 魁現図 第1図 第 図 (A) (B) 変形例の正面図 第6図 樹脂封止時の状態を示旧析面図 第4図 cd / / l 金型f)1ノートを押えた部分ガ断面図第7図 平面図(従来f!AI ) 第8図
Claims (1)
- (1)樹脂パッケージから突出したリードの間に樹脂を
介在せしめた ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2109483A JPH046859A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2109483A JPH046859A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH046859A true JPH046859A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14511387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2109483A Pending JPH046859A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH046859A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0671763A2 (en) * | 1994-03-07 | 1995-09-13 | Texas Instruments Incorporated | Ultrasonically welded plastic support ring for handling and testing semiconductor devices |
EP0999586A2 (en) * | 1998-11-05 | 2000-05-10 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of producing same |
JP2007079749A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Hitachi Ltd | ストレージ装置およびディスク制御方法 |
US10882680B2 (en) | 2018-07-24 | 2021-01-05 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Container for both cryopreservation and transportation |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP2109483A patent/JPH046859A/ja active Pending
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