JPH05326801A - 半導体装置及びそのリードフレーム - Google Patents
半導体装置及びそのリードフレームInfo
- Publication number
- JPH05326801A JPH05326801A JP13374092A JP13374092A JPH05326801A JP H05326801 A JPH05326801 A JP H05326801A JP 13374092 A JP13374092 A JP 13374092A JP 13374092 A JP13374092 A JP 13374092A JP H05326801 A JPH05326801 A JP H05326801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- width
- package
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】変形し難いリードを備えた導体装置を得ること
を目的とする。 【構成】半導体チップを封止したパッケージ１２の周辺
部から導出しているリード１３の各基部１３Ａの幅Ｗａ
をそのリード１３の他の先端部１３Ｂや折り曲げ部１３
Ｃの幅Ｗｂよりも広く形成したことを特徴とした半導体
装置及びそのリードフレームである。 【効果】リードの先端部に加わった力でリードが変形し
ようとする支点がパッケージの周辺部から遠ざかり、そ
れだけリードが変形し難くなって、その平行度、平坦度
を出しやすくなる。
を目的とする。 【構成】半導体チップを封止したパッケージ１２の周辺
部から導出しているリード１３の各基部１３Ａの幅Ｗａ
をそのリード１３の他の先端部１３Ｂや折り曲げ部１３
Ｃの幅Ｗｂよりも広く形成したことを特徴とした半導体
装置及びそのリードフレームである。 【効果】リードの先端部に加わった力でリードが変形し
ようとする支点がパッケージの周辺部から遠ざかり、そ
れだけリードが変形し難くなって、その平行度、平坦度
を出しやすくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、リードの曲げ強度を
向上させた半導体装置及びそのリードフレームに関する
ものである。
向上させた半導体装置及びそのリードフレームに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３及び図４を用いて、従来技術の半導
体装置のリードを説明する。図３は従来技術の半導体装
置の好ましくない変形が生じているリードの一部を示し
たもので、同図Ａは平行度が出ていない一部のリードを
説明するための平面図であり、同図Ｂは平坦度が出てい
ない一部のリードを説明するための側面図であり、図４
は図３に示した変形が生じるメカニズムを説明するため
の半導体装置の一部断面図である。
体装置のリードを説明する。図３は従来技術の半導体装
置の好ましくない変形が生じているリードの一部を示し
たもので、同図Ａは平行度が出ていない一部のリードを
説明するための平面図であり、同図Ｂは平坦度が出てい
ない一部のリードを説明するための側面図であり、図４
は図３に示した変形が生じるメカニズムを説明するため
の半導体装置の一部断面図である。
【０００３】半導体装置１のパッケージ２から導出され
ている複数のリード３の平行度及び平坦度はＥＩＡＪ規
格で定められており、更に、ユーザからそれらの精度に
対しより厳しく要求される。これらのリード３の幅は全
長にわたって等しく形成されている。
ている複数のリード３の平行度及び平坦度はＥＩＡＪ規
格で定められており、更に、ユーザからそれらの精度に
対しより厳しく要求される。これらのリード３の幅は全
長にわたって等しく形成されている。
【０００４】外形の最終工程であるフォーミング工程
で、リード３が規格内に折り曲げ加工されたとしても、
現実には、その後のテスト工程、マーク工程などの製造
工程で半導体装置１を取り扱っている内に、たとえ微小
ながらも力が加わると、図３Ａに示したリード３ａのよ
うに平行度が失われたり、同図Ｂに示したリード３ｂの
ように平坦度が失われて変形する。
で、リード３が規格内に折り曲げ加工されたとしても、
現実には、その後のテスト工程、マーク工程などの製造
工程で半導体装置１を取り扱っている内に、たとえ微小
ながらも力が加わると、図３Ａに示したリード３ａのよ
うに平行度が失われたり、同図Ｂに示したリード３ｂの
ように平坦度が失われて変形する。
【０００５】この変形するメカニズムは、図４に示した
ように、リード３の先端部３Ｂに何らかの力Ｆが加わる
と、リード３の幅は全長にわたって等しいので、てこの
作用により、先端部３Ｂの力が加わった点に最も遠い位
置にあるリード３の基部３Ａのパッケージ２の外周部を
支点に変形する。この場合の変形量Ｄは、加わる力Ｆが
同じでも、リード３のパッケージ２からの張出長さＬが
長いと大きくなる。
ように、リード３の先端部３Ｂに何らかの力Ｆが加わる
と、リード３の幅は全長にわたって等しいので、てこの
作用により、先端部３Ｂの力が加わった点に最も遠い位
置にあるリード３の基部３Ａのパッケージ２の外周部を
支点に変形する。この場合の変形量Ｄは、加わる力Ｆが
同じでも、リード３のパッケージ２からの張出長さＬが
長いと大きくなる。
【０００６】現在、半導体装置１は高集積化され、その
リード３のピッチも狭くなり、このような変形が少しで
も発生していると、そのような半導体装置１を電気回路
配線基板に実装した場合に、半田付け不良やリードの短
絡が発生し、その電子機器の信頼性を損なうことにな
る。
リード３のピッチも狭くなり、このような変形が少しで
も発生していると、そのような半導体装置１を電気回路
配線基板に実装した場合に、半田付け不良やリードの短
絡が発生し、その電子機器の信頼性を損なうことにな
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】それため、このリード
の平行度及び平坦度を確保するため、或いはユーザの要
求を満たすために、現在は、作業従事者へ一層注意深く
作業を行うように指導している他、 １．フォーミング金型の精度向上、その保守の充実 ２．ハンドラーなどの設備精度向上 ３．リードの平行度、平坦度を最終にて検査する などが行われているが、このような行為には大掛かりな
設備投資を伴い、従って、それだけ製品のコストに跳ね
返っている。この発明はこのようなコスト高にならず、
リードに変形がない信頼性のある半導体装置をうること
を課題とするものである。
の平行度及び平坦度を確保するため、或いはユーザの要
求を満たすために、現在は、作業従事者へ一層注意深く
作業を行うように指導している他、 １．フォーミング金型の精度向上、その保守の充実 ２．ハンドラーなどの設備精度向上 ３．リードの平行度、平坦度を最終にて検査する などが行われているが、このような行為には大掛かりな
設備投資を伴い、従って、それだけ製品のコストに跳ね
返っている。この発明はこのようなコスト高にならず、
リードに変形がない信頼性のある半導体装置をうること
を課題とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのため、この発明の半
導体装置では、半導体チップを封止したパッケージから
導出しているリードの各基部の幅をその他の部分の幅よ
りも広く形成した。そのように構成するには、例えば、
ダイパッドの周辺部に所定の間隔で配列した複数のリー
ドのパッケージライン近傍における各リードの幅をその
他の部分の幅よりも広くしたリードフレームを用いるこ
とにより実現することができる。
導体装置では、半導体チップを封止したパッケージから
導出しているリードの各基部の幅をその他の部分の幅よ
りも広く形成した。そのように構成するには、例えば、
ダイパッドの周辺部に所定の間隔で配列した複数のリー
ドのパッケージライン近傍における各リードの幅をその
他の部分の幅よりも広くしたリードフレームを用いるこ
とにより実現することができる。
【０００９】
【作用】従って、リードの先端部に加わった力でリード
が変形しようとする支点がパッケージの周辺部から遠ざ
かり、それだけリードが変形し難くなる。
が変形しようとする支点がパッケージの周辺部から遠ざ
かり、それだけリードが変形し難くなる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１乃至図３を用
いて説明する。図１はこの発明の半導体装置の要部拡大
図であって、同図Ａは一部のパッケージとリードとを示
した平面図であり、同図Ｂは図Ａの一本のリード部分を
更に拡大して示した平面図であり、図２はこの発明のリ
ードフレームの要部を拡大したところを示した平面図で
ある。なお、図３及び図４に示した従来技術と同一の構
成部分には同一の符号を付し、それらの詳細な説明を省
略する。
いて説明する。図１はこの発明の半導体装置の要部拡大
図であって、同図Ａは一部のパッケージとリードとを示
した平面図であり、同図Ｂは図Ａの一本のリード部分を
更に拡大して示した平面図であり、図２はこの発明のリ
ードフレームの要部を拡大したところを示した平面図で
ある。なお、図３及び図４に示した従来技術と同一の構
成部分には同一の符号を付し、それらの詳細な説明を省
略する。
【００１１】先ず、図１を用いて、この発明の半導体装
置１Ａを説明する。この半導体装置１０のパッケージ１
２の周辺部から導出されている複数のリード１３の各基
部１３Ａの幅Ｗａをその他の折り曲げ部１３Ｃや先端部
１３Ｂの幅Ｗｂよりも広く形成した。この基部１３Ａの
形状は、パッケージ１２側を幅広く、折り曲げ部１３Ｃ
側を幅狭くした、図Ｂの状態では、逆台形状に構成し
た。この形状の形成はタイバー６からダイパッド１４側
で行った。角度θはリードフレームの弾性により決めれ
ばよく、また、幅Ｗｘはパッケージ１２の形状により決
められる。
置１Ａを説明する。この半導体装置１０のパッケージ１
２の周辺部から導出されている複数のリード１３の各基
部１３Ａの幅Ｗａをその他の折り曲げ部１３Ｃや先端部
１３Ｂの幅Ｗｂよりも広く形成した。この基部１３Ａの
形状は、パッケージ１２側を幅広く、折り曲げ部１３Ｃ
側を幅狭くした、図Ｂの状態では、逆台形状に構成し
た。この形状の形成はタイバー６からダイパッド１４側
で行った。角度θはリードフレームの弾性により決めれ
ばよく、また、幅Ｗｘはパッケージ１２の形状により決
められる。
【００１２】リード１３をこのような形状に構成するこ
とにより、リード１３の支点を元来存在していてパッケ
ージ１２の周辺部（矢印Ｐａ）から前記逆台形部の底辺
相当部、即ち折り曲げ部１３Ｃの上端（矢印Ｐｂ）に移
動させることができ、実質的にそのリード１３の長さが
短くなった形になるので、リード１３が変形しにくくな
って、そのリード１３の平行度折り曲げ部１３Ｃ平坦度
を確保し易くなる。
とにより、リード１３の支点を元来存在していてパッケ
ージ１２の周辺部（矢印Ｐａ）から前記逆台形部の底辺
相当部、即ち折り曲げ部１３Ｃの上端（矢印Ｐｂ）に移
動させることができ、実質的にそのリード１３の長さが
短くなった形になるので、リード１３が変形しにくくな
って、そのリード１３の平行度折り曲げ部１３Ｃ平坦度
を確保し易くなる。
【００１３】このようなリード１３を有する半導体装置
１０を得るには、図２に示したようなリードフレーム２
０を用いることで実現することができる。通常、ＱＦＰ
型やＳＯＰ型の半導体装置に用いるリードフレーム２０
は、ダイパッド１４と、このダイパッド１４の周縁部か
ら所定の間隔を開けて所定のピッチで配列された複数の
リード１３と、それらのリード１３を接続したタイバー
１５と、図示していないが、前記ダイパッド１４をフレ
ームに接続する吊りリードや、リード１３を接続するス
テー或いはフレームなどから構成されている。
１０を得るには、図２に示したようなリードフレーム２
０を用いることで実現することができる。通常、ＱＦＰ
型やＳＯＰ型の半導体装置に用いるリードフレーム２０
は、ダイパッド１４と、このダイパッド１４の周縁部か
ら所定の間隔を開けて所定のピッチで配列された複数の
リード１３と、それらのリード１３を接続したタイバー
１５と、図示していないが、前記ダイパッド１４をフレ
ームに接続する吊りリードや、リード１３を接続するス
テー或いはフレームなどから構成されている。
【００１４】符号Ｍはパッケージラインを指し、このパ
ッケージラインＭ上の、或いはその近傍の各リード１３
の幅が前記基部１３Ａの幅Ｗａになるように、そしてパ
ッケージした場合に、そのパッケージの内部に隠れてし
まう上辺をそれよりやや広い幅で、また底辺の幅をリー
ド１３の先端部１３Ｂの幅Ｗｂになる逆台形状に形成し
た。
ッケージラインＭ上の、或いはその近傍の各リード１３
の幅が前記基部１３Ａの幅Ｗａになるように、そしてパ
ッケージした場合に、そのパッケージの内部に隠れてし
まう上辺をそれよりやや広い幅で、また底辺の幅をリー
ド１３の先端部１３Ｂの幅Ｗｂになる逆台形状に形成し
た。
【００１５】このような構成のリードフレーム２０は、
通常、一枚の、例えば、厚さ０．１〜０．３ｍｍの４２
％Ｎｉ−Ｆｅ合金を打ち抜き、或いはエッチングして製
作することができる。そして、この実施例では、前記リ
ード１３の基部１３Ａの幅Ｗａを０．６ｍｍに、先端部
１３Ｂの幅Ｗｂを０．３５ｍｍに、そしてピッチＰを
０．６５ｍｍに定めた。
通常、一枚の、例えば、厚さ０．１〜０．３ｍｍの４２
％Ｎｉ−Ｆｅ合金を打ち抜き、或いはエッチングして製
作することができる。そして、この実施例では、前記リ
ード１３の基部１３Ａの幅Ｗａを０．６ｍｍに、先端部
１３Ｂの幅Ｗｂを０．３５ｍｍに、そしてピッチＰを
０．６５ｍｍに定めた。
【００１６】このようなリードフレーム２０の前記ダイ
パッド１４に半導体チップを接着、固定し、半導体チッ
プの各電極をリード１３の各内端部に接続した後、例え
ば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂で、前記パッケー
ジラインＭの所まで封止すると、図１に示したような、
この発明の半導体装置１０を得ることができる。
パッド１４に半導体チップを接着、固定し、半導体チッ
プの各電極をリード１３の各内端部に接続した後、例え
ば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂で、前記パッケー
ジラインＭの所まで封止すると、図１に示したような、
この発明の半導体装置１０を得ることができる。
【００１７】前記実施例ではＱＦＰ型やＳＯＰ型の半導
体装置のリードを例に挙げて説明したが、この発明はＤ
ＩＰ型などの半導体装置にに対しても適用できることは
容易に理解されよう。
体装置のリードを例に挙げて説明したが、この発明はＤ
ＩＰ型などの半導体装置にに対しても適用できることは
容易に理解されよう。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、パッケージの周辺部から導出されているリードの基
部の幅を広く形成したことにより、リードの先端部に加
わった力で変形しようとする支点をその先端部の方へ移
動させることができ、従って、リードが曲がり難くな
る。それ故に、製造工程内の管理、維持などのコストを
削減でき、しかも品質の向上、歩留りの向上が得られ
た。
ば、パッケージの周辺部から導出されているリードの基
部の幅を広く形成したことにより、リードの先端部に加
わった力で変形しようとする支点をその先端部の方へ移
動させることができ、従って、リードが曲がり難くな
る。それ故に、製造工程内の管理、維持などのコストを
削減でき、しかも品質の向上、歩留りの向上が得られ
た。
【図１】この発明の半導体装置の要部拡大図であって、
同図Ａは一部のパッケージとリードとを示した平面図で
あり、同図Ｂは図Ａの一本のリード部分を更に拡大して
示した平面図である。
同図Ａは一部のパッケージとリードとを示した平面図で
あり、同図Ｂは図Ａの一本のリード部分を更に拡大して
示した平面図である。
【図２】この発明のリードフレームの要部を拡大したと
ころを示した平面図である。
ころを示した平面図である。
【図３】従来技術の半導体装置の好ましくない変形が生
じているリードの一部を示したもので、同図Ａは平行度
が出ていない一部のリードを説明するための平面図であ
り、同図Ｂは平坦度が出ていない一部のリードを説明す
るための側面図である。
じているリードの一部を示したもので、同図Ａは平行度
が出ていない一部のリードを説明するための平面図であ
り、同図Ｂは平坦度が出ていない一部のリードを説明す
るための側面図である。
【図４】図３に示した変形が生じるメカニズムを説明す
るための半導体装置の一部断面図である。
るための半導体装置の一部断面図である。
１１ 半導体装置 １２ パッケージ １３ リード １３Ａ 基部 １３Ｂ 先端部 １３Ｃ 折り曲げ部 １４ ダイパッド １５ タイバー ２０ リードフレーム Ｌ 張出長さ Ｍ パッケージライン Ｐ ピッチ Ｗａ リードの先端部の幅 Ｗｂ リードの基部の幅
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップを封止したパッケージの周辺
部から導出しているリードの各基部の幅をその他の部分
の幅よりも広く形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】ダイパッド、その周辺部に所定の間隔で配
列された複数のリード、それらのリードを接続したタイ
バーなどからなるリードフレームにおいて、前記複数の
リードのパッケージライン近傍の各リードの幅をその他
の部分の幅よりも広くしたことを特徴とするリードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13374092A JPH05326801A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体装置及びそのリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13374092A JPH05326801A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体装置及びそのリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326801A true JPH05326801A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15111817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13374092A Pending JPH05326801A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体装置及びそのリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326801A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688835B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 도금 리드선을 포함하는 기판의 가공 방법 |
| JP2011222613A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Seiko Epson Corp | 電子装置および電子装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP13374092A patent/JPH05326801A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688835B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 도금 리드선을 포함하는 기판의 가공 방법 |
| JP2011222613A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Seiko Epson Corp | 電子装置および電子装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH098205A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4615282B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| US6642082B2 (en) | Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| JP3893624B2 (ja) | 半導体装置用基板、リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2000294711A (ja) | リードフレーム | |
| JP3999780B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3036498B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH05326801A (ja) | 半導体装置及びそのリードフレーム | |
| US20020135050A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH06236956A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2006269719A (ja) | 電子装置 | |
| JP2002353395A (ja) | リードフレームの製造方法、リードフレーム、及び半導体装置 | |
| JPH046859A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0758273A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2822446B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2007294637A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR200141173Y1 (ko) | 리드돌출형 반도체 패키지 | |
| JP3076948B2 (ja) | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2000315763A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP3116940B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH087644Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2557732B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH06244335A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06112394A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH02198147A (ja) | Ｉｃパッケージ |