JPH04206764A - 半導体素子用リードフレーム - Google Patents
半導体素子用リードフレームInfo
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- JPH04206764A JPH04206764A JP2336703A JP33670390A JPH04206764A JP H04206764 A JPH04206764 A JP H04206764A JP 2336703 A JP2336703 A JP 2336703A JP 33670390 A JP33670390 A JP 33670390A JP H04206764 A JPH04206764 A JP H04206764A
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-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はフォトカプラーなどの光半導体素子に利用する
リードフレームに係わり、特にフォトカプラーなどのゲ
ートブレイクＣＧａｔｅＢｒ−ａｋｅ）技術に好適する
。
リードフレームに係わり、特にフォトカプラーなどのゲ
ートブレイクＣＧａｔｅＢｒ−ａｋｅ）技術に好適する
。
（従来の技術）
光半導体素子の中の受動素子及び能動素子により形成す
るフォトカプラーは各種機器に利用されており、画素子
を保護する外囲器を形成する樹脂封止工程は画素子をマ
ウントした各リードフレームに別のリードを溶接する工
程後に行われている。
るフォトカプラーは各種機器に利用されており、画素子
を保護する外囲器を形成する樹脂封止工程は画素子をマ
ウントした各リードフレームに別のリードを溶接する工
程後に行われている。
リードフレームとしては導電性金属例えば鉄、鉄−ニッ
ケル、銅または銅合金更にこれら元素をクラッドしたク
ラッド材料が利用されており、樹脂封止するのに便利な
ようにマウントされる光半導体素子毎の単位体を連続し
て形成するのが一般的でかつ、単位体数により長尺リー
ドフレームか短尺リードフレームに区別される。
ケル、銅または銅合金更にこれら元素をクラッドしたク
ラッド材料が利用されており、樹脂封止するのに便利な
ようにマウントされる光半導体素子毎の単位体を連続し
て形成するのが一般的でかつ、単位体数により長尺リー
ドフレームか短尺リードフレームに区別される。
樹脂封止工程前の状態を示す第１図すと、樹脂封止工程
後の状態を明らかにする第１図ａにより説明すると、リ
ードフレーム１は導電性金属板を等方性エツチングまた
は型を利用するプレス工程により造られるのが通常であ
る。この手法に拘わらず製造されたものの構造は相対向
する枠２の両端を部材３により接続して機械的強度を増
しておリ、また枠を起点としかつ枠２に交差する方向に
延長し、端末が遊端即ちフリーの状態のリード４・・・
が形成されている。リード４・・・と枠２の中間には連
結細条５を設置して部材３と共に機械的強度を補強して
おり、樹脂対土工程後はこの付近を境にして封止樹脂層
の外部に導出したリード４・・・を今後アウターリード
１３．１４と記載する。
後の状態を明らかにする第１図ａにより説明すると、リ
ードフレーム１は導電性金属板を等方性エツチングまた
は型を利用するプレス工程により造られるのが通常であ
る。この手法に拘わらず製造されたものの構造は相対向
する枠２の両端を部材３により接続して機械的強度を増
しておリ、また枠を起点としかつ枠２に交差する方向に
延長し、端末が遊端即ちフリーの状態のリード４・・・
が形成されている。リード４・・・と枠２の中間には連
結細条５を設置して部材３と共に機械的強度を補強して
おり、樹脂対土工程後はこの付近を境にして封止樹脂層
の外部に導出したリード４・・・を今後アウターリード
１３．１４と記載する。
一方被封止半導体素子がマウントできるベッド部６（第
１図ａ参照）を設置しなければないが、通常は所定の面
積をもった平板状の部品をリード４・・・の一部に固定
することによって枠２と一体かつ同材質で形成している
。ベッド部６は後述する樹脂封止金型に形成するキャビ
ティ７にかくれて第１図すに記載されていないが、第１
図ａに示されている。
１図ａ参照）を設置しなければないが、通常は所定の面
積をもった平板状の部品をリード４・・・の一部に固定
することによって枠２と一体かつ同材質で形成している
。ベッド部６は後述する樹脂封止金型に形成するキャビ
ティ７にかくれて第１図すに記載されていないが、第１
図ａに示されている。
またベッド部６には光受動素子８か光能動素子８（第１
図ａ参照）を例えば導電性接着剤を介してマウント後、
第１図ａに示すように画素子が対向するように重ねてか
らリードフレーム端部に新しいリードを衝き合せて溶接
し、生ずる接合部Ａにより一体とする。
図ａ参照）を例えば導電性接着剤を介してマウント後、
第１図ａに示すように画素子が対向するように重ねてか
らリードフレーム端部に新しいリードを衝き合せて溶接
し、生ずる接合部Ａにより一体とする。
次にリードフレームにマウントされた光受動素子と光能
動素子は外部雰囲気と遮断するために金型を利用する樹
脂封止工程を行う。これには例えばマルチポットを備え
た専用の装置（図示せず）を用い、ポットに投入した封
止用の樹脂タブレットの溶融液をカル（図示せず）に−
旦集めてから、金型に形成したランナー９及びゲート１
０を介してキャビィティ７に流入させて、所定の厚さの
封止樹脂層１１を形成する。なお第１図ａに明らかにし
たように光受動素子及び光能動素子に設置した電極（図
示せず）とリードの電気的接続は例えば金細線１２によ
る超音波ボンディングやボールボンディングなどの熱圧
着法により行う。
動素子は外部雰囲気と遮断するために金型を利用する樹
脂封止工程を行う。これには例えばマルチポットを備え
た専用の装置（図示せず）を用い、ポットに投入した封
止用の樹脂タブレットの溶融液をカル（図示せず）に−
旦集めてから、金型に形成したランナー９及びゲート１
０を介してキャビィティ７に流入させて、所定の厚さの
封止樹脂層１１を形成する。なお第１図ａに明らかにし
たように光受動素子及び光能動素子に設置した電極（図
示せず）とリードの電気的接続は例えば金細線１２によ
る超音波ボンディングやボールボンディングなどの熱圧
着法により行う。
また第２図すに示すように光受動素子８と光能動素子８
をマウントしたリードフレーム１の一単位体は金型に形
成したキャビティ７内に配置後行う樹脂封止工程でリー
ドの長手方向に交差する方向にゲート１０を設置してお
り、このために流入した溶融封止樹脂か各単位体に均一
な圧力で到達することが難しくなる。従って、第２図す
に明らかにしたようにリードの長手方向に沿った方向の
キャビティ７毎にゲート１０を形成せざるを得ないのが
実状である。このためにリード１３とり１ド１４の間に
ゲート１０を設置している。
をマウントしたリードフレーム１の一単位体は金型に形
成したキャビティ７内に配置後行う樹脂封止工程でリー
ドの長手方向に交差する方向にゲート１０を設置してお
り、このために流入した溶融封止樹脂か各単位体に均一
な圧力で到達することが難しくなる。従って、第２図す
に明らかにしたようにリードの長手方向に沿った方向の
キャビティ７毎にゲート１０を形成せざるを得ないのが
実状である。このためにリード１３とり１ド１４の間に
ゲート１０を設置している。
（発明が解決しようとする課題）
光受動素子及び光能動素子を同時に樹脂封止するのに利
用するリードフレームではリードの長手方向に沿ってゲ
ートを設置して溶融封止樹脂を流入する手法を採ってい
るのは前述の通りである。
用するリードフレームではリードの長手方向に沿ってゲ
ートを設置して溶融封止樹脂を流入する手法を採ってい
るのは前述の通りである。
しかもランナー、ゲート及びキャビティを介して溶融封
止樹脂が流入する金型は底辺が平坦に形成されているた
めにリードフレームの厚み分だけ形成される隙間から溶
融封止樹脂が流出することになる。
止樹脂が流入する金型は底辺が平坦に形成されているた
めにリードフレームの厚み分だけ形成される隙間から溶
融封止樹脂が流出することになる。
このとき連結細条やアウターリードが堰になるが前記の
ようにどうしても溶融封止樹脂が漏れ出すことになる。
ようにどうしても溶融封止樹脂が漏れ出すことになる。
このためにキャビティとランナー間の距離をなるべく近
付けるようにして漏れ出す量を抑制しているが、リード
とアウターリード更に連結細条の寸法はリードフレーム
としての規格値通りに設計製造されているので、一定の
値以内にすることができない。その上最近の封止樹脂は
リードフレームとの密着性が従来製品より改善されてお
り、リードフレーム即ち導電性金属表面の凹凸状態によ
り得られる比表面面積により漏れだした溶融封止樹脂と
の密着度が極めて大きくなる。
付けるようにして漏れ出す量を抑制しているが、リード
とアウターリード更に連結細条の寸法はリードフレーム
としての規格値通りに設計製造されているので、一定の
値以内にすることができない。その上最近の封止樹脂は
リードフレームとの密着性が従来製品より改善されてお
り、リードフレーム即ち導電性金属表面の凹凸状態によ
り得られる比表面面積により漏れだした溶融封止樹脂と
の密着度が極めて大きくなる。
いわゆるゲートブレークにとって大きな障害となる。
このような樹脂封止工程により形成される樹脂パリは金
型のゲートに隣接するアウターリードに隣接する樹脂バ
リ１５と、キャビティの直下に位置するリード４に隣接
する樹脂バリ１６が形成される割合いが大きく、しかも
前記の理由により密着状態が強固である。
型のゲートに隣接するアウターリードに隣接する樹脂バ
リ１５と、キャビティの直下に位置するリード４に隣接
する樹脂バリ１６が形成される割合いが大きく、しかも
前記の理由により密着状態が強固である。
この対策として金型のコマをアウターリード１３と１４
の間に挿入して樹脂パリの厚さを小さくしてゲートブレ
ークの負担を軽減している。
の間に挿入して樹脂パリの厚さを小さくしてゲートブレ
ークの負担を軽減している。
にもかかわらず、前記のように封止樹脂とリードやアウ
ターリードの密着性が強固なためにゲートブレーク工程
で障害となってリードフレームの変形という致命的な不
良が発生する。即ち後工程の自動化、省力化にとってリ
ードフレームの変形が妨げになり、マニュアル工程とし
て手直しか必要になっているものの、再生リードフレー
ムの再現性に乏しくトラブル（ＴｒｏｕｂＱｅ）に苦慮
しているのが現状である。
ターリードの密着性が強固なためにゲートブレーク工程
で障害となってリードフレームの変形という致命的な不
良が発生する。即ち後工程の自動化、省力化にとってリ
ードフレームの変形が妨げになり、マニュアル工程とし
て手直しか必要になっているものの、再生リードフレー
ムの再現性に乏しくトラブル（ＴｒｏｕｂＱｅ）に苦慮
しているのが現状である。
本発明はこのような事情により成されたもので、ゲート
ブレーク工程におけるリードフレームの変形を極力抑制
し、負荷を無くすことを目的とする。
ブレーク工程におけるリードフレームの変形を極力抑制
し、負荷を無くすことを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
導電性金属から成り相対向して設置する枠体と。
前記枠体の端部を結ぶ部材と、前記部材に接続して形成
し前記枠体と平行に形成する連結細条と。
し前記枠体と平行に形成する連結細条と。
前記枠体を起点として連結細条に交差する方向に延長し
端部をフリーに形成する複数のリードと。
端部をフリーに形成する複数のリードと。
前記リードの一部に固定して設けるベッド部と。
前記枠体からリードの延長方向に向けて形成するダミー
リードに本発明に係わる半導体素子用り一部フレームの
特徴かある。
リードに本発明に係わる半導体素子用り一部フレームの
特徴かある。
（作用）
リードフレームに設置する一対のアウターリード間にダ
ミーリードを形成し、樹脂封止用金型に形成するゲート
をダミーリードの下に配置されるようにして、溶融樹脂
を金型とダミーリードにより囲むように工夫したもので
ある。
ミーリードを形成し、樹脂封止用金型に形成するゲート
をダミーリードの下に配置されるようにして、溶融樹脂
を金型とダミーリードにより囲むように工夫したもので
ある。
（実施例）
本発明に係わる一実施例を第２図ａ、ｂを参考にして説
明するが、第２図ａは樹脂封止工程後の状態を、第２図
すに樹脂封止工程前の状態を示した。なお本発明の理解
を助けるために従来技術と同一の部品にも新番号を付け
る。ところで、各種の電子機器に利用されているフォト
カプラーは光受動素子及び光能動素子により構成されて
おり、画素子を保護する外囲器を形成する樹脂封止工程
は画素子がマウントされたリードフレームのリードに別
のリードを衝き合せ溶接により固着する工程後に行われ
る。第２図ａにリード２０と別のリード２１が示されて
いる。
明するが、第２図ａは樹脂封止工程後の状態を、第２図
すに樹脂封止工程前の状態を示した。なお本発明の理解
を助けるために従来技術と同一の部品にも新番号を付け
る。ところで、各種の電子機器に利用されているフォト
カプラーは光受動素子及び光能動素子により構成されて
おり、画素子を保護する外囲器を形成する樹脂封止工程
は画素子がマウントされたリードフレームのリードに別
のリードを衝き合せ溶接により固着する工程後に行われ
る。第２図ａにリード２０と別のリード２１が示されて
いる。
第２図すに示すようにリード２０が形成されるリードフ
レーム２２には鉄、鉄−ニッケル、銅または銅合金更に
これらの元素をクラッドしたクラッド材料が利用されて
おり、従来技術と同様に枠２３、ベッド部２４（第２図
ａ参照）、リード２０及びアウターリード２５により構
成する。しかもその製造手段としてはエツチング法か、
型を利用するプレス工程が一般的であるが、もっばら後
者による製品が利用されている。またリードフレーム２
０の機械的強度の向上と変形を防止するために枠の端を
部材２６で補強し、更に枠２３とベッド部２４の中間に
連結細条２７も設置して全体の機械的強度を高めている
。第２図ａに明らかなようにベッド部２４には光能動素
子２８と光受動素子２８が配置されると共に例えば導電
性接着剤により固着し、枠２３に形成されている孔２９
は搬送または位置決めに利用される。更に図示していな
いが、光能動素子２８と光受動素子２８の電極とリード
２０との電気的接続を金属細線例えば金線を公知の熱圧
着法または超音波ボンディング法により接続する。この
場合金属細線はリード２０の長手方向にほぼ沿った形状
となる。
レーム２２には鉄、鉄−ニッケル、銅または銅合金更に
これらの元素をクラッドしたクラッド材料が利用されて
おり、従来技術と同様に枠２３、ベッド部２４（第２図
ａ参照）、リード２０及びアウターリード２５により構
成する。しかもその製造手段としてはエツチング法か、
型を利用するプレス工程が一般的であるが、もっばら後
者による製品が利用されている。またリードフレーム２
０の機械的強度の向上と変形を防止するために枠の端を
部材２６で補強し、更に枠２３とベッド部２４の中間に
連結細条２７も設置して全体の機械的強度を高めている
。第２図ａに明らかなようにベッド部２４には光能動素
子２８と光受動素子２８が配置されると共に例えば導電
性接着剤により固着し、枠２３に形成されている孔２９
は搬送または位置決めに利用される。更に図示していな
いが、光能動素子２８と光受動素子２８の電極とリード
２０との電気的接続を金属細線例えば金線を公知の熱圧
着法または超音波ボンディング法により接続する。この
場合金属細線はリード２０の長手方向にほぼ沿った形状
となる。
また、本発明に係わるリードフレーム２２では最も重要
なダミーリード３０が形成されている。
なダミーリード３０が形成されている。
光能動素子２８と光受動素子２８を外界雰囲気から保護
するのに不可欠な樹脂封止工程では例えばマルチポット
型の専用装置に金型（図示せず）を配置して行われ、ポ
ットに投′入されるタブレット状の封止樹脂は所定の温
度圧力により溶融され、金型に形成されたカルに一旦集
められてから、ナランナー３２、ゲート３１を経てキャ
ビティ３３に流入される。更に所定の温度下のエージン
グ工程により封止樹脂層３４（第２図ａ参照）から成る
外囲器が形成される。勿論公知のように後工程としてカ
ット及ベンド工程やメツキ工程などが施される。第２図
すに明らかなようにナランナー３２からゲート３１を経
てキャビィティ３３に溶融封止樹脂が注入するに当たっ
てはダミーリード３０の形成によりその下側にゲート３
１が形成されるので従来技術欄で示したのと同じ位置に
形成されるバリ３３と薄いバリ３４ができるものの、厚
さが小さいのでゲートブレイク工程における障害は小さ
い。
するのに不可欠な樹脂封止工程では例えばマルチポット
型の専用装置に金型（図示せず）を配置して行われ、ポ
ットに投′入されるタブレット状の封止樹脂は所定の温
度圧力により溶融され、金型に形成されたカルに一旦集
められてから、ナランナー３２、ゲート３１を経てキャ
ビティ３３に流入される。更に所定の温度下のエージン
グ工程により封止樹脂層３４（第２図ａ参照）から成る
外囲器が形成される。勿論公知のように後工程としてカ
ット及ベンド工程やメツキ工程などが施される。第２図
すに明らかなようにナランナー３２からゲート３１を経
てキャビィティ３３に溶融封止樹脂が注入するに当たっ
てはダミーリード３０の形成によりその下側にゲート３
１が形成されるので従来技術欄で示したのと同じ位置に
形成されるバリ３３と薄いバリ３４ができるものの、厚
さが小さいのでゲートブレイク工程における障害は小さ
い。
［発明の効果コ
従来のリードフレームを使用して樹脂封止工程を行い、
ゲートブレイク工程を施すと殆どにフレーム曲りが発生
して後工程のカット＆ベンド工程で搬送トラブルが絶え
なかったのに対して、本発明に係わるリードフレームで
はリード変形が極めて少なく、ダブルモールド即ち樹脂
封止工程を二回行う製品も難なく生産することができる
ので、自動化が容易になり、生産効率の向上ひいてはコ
ストダウンにつなげることができる。
ゲートブレイク工程を施すと殆どにフレーム曲りが発生
して後工程のカット＆ベンド工程で搬送トラブルが絶え
なかったのに対して、本発明に係わるリードフレームで
はリード変形が極めて少なく、ダブルモールド即ち樹脂
封止工程を二回行う製品も難なく生産することができる
ので、自動化が容易になり、生産効率の向上ひいてはコ
ストダウンにつなげることができる。
第１図ａは従来製品の樹脂封止工程後の状態を示す断面
図、第２図すは従来製品の樹脂封止工程前の状態を示す
上面図、第２図ａは本発明に係わるリードフレームを利
用した製品の樹脂封止工程後の状態を示す断面図、第２
図すは本発明に係わるリードフレームを利用した製品の
樹脂封止工程前の状態を示す上面図である。 １．２２：リードフレーム、 ２．２３二枠、 ３．２６：部材、 １３．１４．２５：アウターリード、 ５．２７：連結細条、 １１．３４：封止樹脂層、 ７．３３：キャビィティ、 ８．２８二受動素子及び能動素子、 ６．２４：ベッド部、 ４．２０：リード、 ９．３２：ランナー、 １０．３１：ゲート、 ３０：ダミーゲート。 代理人 弁理士 大 胡 典 大 筒１図 第２図 ｂ
図、第２図すは従来製品の樹脂封止工程前の状態を示す
上面図、第２図ａは本発明に係わるリードフレームを利
用した製品の樹脂封止工程後の状態を示す断面図、第２
図すは本発明に係わるリードフレームを利用した製品の
樹脂封止工程前の状態を示す上面図である。 １．２２：リードフレーム、 ２．２３二枠、 ３．２６：部材、 １３．１４．２５：アウターリード、 ５．２７：連結細条、 １１．３４：封止樹脂層、 ７．３３：キャビィティ、 ８．２８二受動素子及び能動素子、 ６．２４：ベッド部、 ４．２０：リード、 ９．３２：ランナー、 １０．３１：ゲート、 ３０：ダミーゲート。 代理人 弁理士 大 胡 典 大 筒１図 第２図 ｂ
Claims (1)
- 導電性金属から成り相対向して設置する枠体と、前記
枠体の端部を結ぶ部材と、前記部材に接続して形成し前
記枠体と平行に形成する連結細条と、前記枠体を起点と
して連結細条に交差する方向に延長し端部をフリーに形
成する複数のリードと、前記リードの一部に固定して設
けるベッド部と、前記枠体からリードの延長方向に向け
て形成するダミーリードを具備することを特徴とする半
導体素子用リードフレーム
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336703A JPH04206764A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体素子用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336703A JPH04206764A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体素子用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206764A true JPH04206764A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18301925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336703A Pending JPH04206764A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体素子用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206764A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005085A3 (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin-encapsulated electronic device |
| US20110133244A1 (en) * | 2005-11-21 | 2011-06-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2336703A patent/JPH04206764A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005085A3 (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin-encapsulated electronic device |
| US6504097B2 (en) | 1998-11-19 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device |
| US6779264B2 (en) | 1998-11-19 | 2004-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device |
| US20110133244A1 (en) * | 2005-11-21 | 2011-06-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US8350287B2 (en) | 2005-11-21 | 2013-01-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US8350286B2 (en) * | 2005-11-21 | 2013-01-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US8759869B2 (en) | 2005-11-21 | 2014-06-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US9276182B2 (en) | 2005-11-21 | 2016-03-01 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
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