JP2908978B2 - 半導体装置及びその製造装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特にチ
ップを収容するパッケージの構造並びにそのパッケージ
を製造する際に用いられる半導体製造装置に関する。
ップを収容するパッケージの構造並びにそのパッケージ
を製造する際に用いられる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は従来の半導体装置の一例を表す
一部破断斜視図、図１４は図１３のＡ−Ａ線断面図であ
る。図１３に示すように、従来の半導体装置１Ａでは、
２つの対向する辺にダイパッド吊りリード７が接続され
た矩形状のダイパッド３上に半導体チップ２が搭載さ
れ、この半導体チップ２の上面に形成された複数の電極
９（図１５参照）と、矩形のダイパッド３の対向側面に
配置された複数のリード端子４の内側の部分であるイン
ナーリード４ａとを、金線等よりなる接続ワイヤー５に
より各別に接続し、半導体チップ２を搭載したダイパッ
ド３を金型（図示せず）内に配置した後、溶融した絶縁
用樹脂を金型内に流し込んで半導体チップ２やインナー
リード４ａを樹脂封止することにより形成される。
一部破断斜視図、図１４は図１３のＡ−Ａ線断面図であ
る。図１３に示すように、従来の半導体装置１Ａでは、
２つの対向する辺にダイパッド吊りリード７が接続され
た矩形状のダイパッド３上に半導体チップ２が搭載さ
れ、この半導体チップ２の上面に形成された複数の電極
９（図１５参照）と、矩形のダイパッド３の対向側面に
配置された複数のリード端子４の内側の部分であるイン
ナーリード４ａとを、金線等よりなる接続ワイヤー５に
より各別に接続し、半導体チップ２を搭載したダイパッ
ド３を金型（図示せず）内に配置した後、溶融した絶縁
用樹脂を金型内に流し込んで半導体チップ２やインナー
リード４ａを樹脂封止することにより形成される。
【０００３】ところで、図１５に示すように、インナー
リード４ａとダイパッド３とが同一平面上に配置される
と、半導体チップ２の電極９とインナーリード４ａとを
接続する接続ワイヤー５が半導体チップ２の上縁部に接
触してショートし易くなるため（図１５のＢ部参照）、
図１５に破線で示すように、インナーリード４ａとダイ
パッド３との間に高低差を設けて接続ワイヤー５と半導
体チップ２の上縁部との間の間隔を広げて接続ワイヤー
５と半導体チップ２とのショートを防止するようにして
いる。すなわち、ダイパッド３を支持する吊りリード７
を該ダイパッド３の近傍で折り曲げて沈め部７ａを形成
して、ダイパッド３をインナーリード４ａよりも沈め
て、下方に配置させている。
リード４ａとダイパッド３とが同一平面上に配置される
と、半導体チップ２の電極９とインナーリード４ａとを
接続する接続ワイヤー５が半導体チップ２の上縁部に接
触してショートし易くなるため（図１５のＢ部参照）、
図１５に破線で示すように、インナーリード４ａとダイ
パッド３との間に高低差を設けて接続ワイヤー５と半導
体チップ２の上縁部との間の間隔を広げて接続ワイヤー
５と半導体チップ２とのショートを防止するようにして
いる。すなわち、ダイパッド３を支持する吊りリード７
を該ダイパッド３の近傍で折り曲げて沈め部７ａを形成
して、ダイパッド３をインナーリード４ａよりも沈め
て、下方に配置させている。
【０００４】尚、このような屈曲した沈め部７ａは通常
プレス加工等により形成されるが、プレス加工の際に、
金属箔よりなるインナーリード４ａの沈め部７ａは、局
部的に機械的に引き延ばされるため、その機械的強度が
低下してしまう。このため、半導体チップ２を搭載した
ダイパッド３を金型内に配置して、該ダイパッド３をそ
の両側から延びる一対の吊りリード７により支持した場
合には、金型内に封止樹脂を充填する際に、ダイパッド
３が充填された封止樹脂より不均等な圧力を受けて、上
下に移動したり、一対の吊りリード７を中心として回動
したり、捻じれたりし易い。
プレス加工等により形成されるが、プレス加工の際に、
金属箔よりなるインナーリード４ａの沈め部７ａは、局
部的に機械的に引き延ばされるため、その機械的強度が
低下してしまう。このため、半導体チップ２を搭載した
ダイパッド３を金型内に配置して、該ダイパッド３をそ
の両側から延びる一対の吊りリード７により支持した場
合には、金型内に封止樹脂を充填する際に、ダイパッド
３が充填された封止樹脂より不均等な圧力を受けて、上
下に移動したり、一対の吊りリード７を中心として回動
したり、捻じれたりし易い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また、最近の半導体装
置、特にメモリ用の半導体装置は小形化、高集積化が進
んでおり、パッケージ８もより大きなチップを収容する
必要が生じてきた。パッケージ８の外形寸法は規格化さ
れて、予め所定の寸法に決められている。
置、特にメモリ用の半導体装置は小形化、高集積化が進
んでおり、パッケージ８もより大きなチップを収容する
必要が生じてきた。パッケージ８の外形寸法は規格化さ
れて、予め所定の寸法に決められている。
【０００６】従来の半導体装置１Ａにおいては、上記吊
りリード７の沈め部７ａをパッケージ８内部に有してお
り、吊りリード７の沈め部７ａだけで片側約０．７ｍｍ
以上の領域を必要とするため、外形寸法が規格化され予
め決められているパッケージ８の樹脂の厚さ（半導体チ
ップ２側面とパッケージ８外側面との間の間隔）を薄く
してチップサイズを大きくしようとしても、吊りリード
７の沈め部７ａにより制約を受けてチップサイズを思い
通り拡大できないという問題点があった。
りリード７の沈め部７ａをパッケージ８内部に有してお
り、吊りリード７の沈め部７ａだけで片側約０．７ｍｍ
以上の領域を必要とするため、外形寸法が規格化され予
め決められているパッケージ８の樹脂の厚さ（半導体チ
ップ２側面とパッケージ８外側面との間の間隔）を薄く
してチップサイズを大きくしようとしても、吊りリード
７の沈め部７ａにより制約を受けてチップサイズを思い
通り拡大できないという問題点があった。
【０００７】さらに、ダイパッド吊りリード７に沈め加
工を行なわない場合には、前述したように、接続ワイヤ
ー５と半導体チップ２との間にショートが発生し易いと
共に、吊りリード７がダイパッド３の一辺から複数出て
いる場合には、該吊りリード７に挟まれた部分にインナ
ーリード４ａを配置できず、その部分へのワイヤボンデ
ィングができなくなるという問題点もあった。
工を行なわない場合には、前述したように、接続ワイヤ
ー５と半導体チップ２との間にショートが発生し易いと
共に、吊りリード７がダイパッド３の一辺から複数出て
いる場合には、該吊りリード７に挟まれた部分にインナ
ーリード４ａを配置できず、その部分へのワイヤボンデ
ィングができなくなるという問題点もあった。
【０００８】図１６及び図１７は、ダイパッド３の一辺
から複数の吊りリード７が出ている場合の上記問題点を
示している。すなわち、図１６は従来の半導体装置１Ａ
の製造時に用いるリードフレームの平面図であり、図１
７は図１６に示したリードフレームの組立工程の途中の
図で、ダイパッド３上に半導体チップ２を半田付け等に
より接着した後、接続ワイヤー５によるワイヤボンディ
ングを行なった状態を示す平面図である。これらの図か
ら明らかなように、インナーリード４ａが２本の吊りリ
ード７により囲まれた領域に入り込めないため、半導体
チップ２上の電極９とインナーリード４ａとを結ぶ接続
ワイヤー５の長さｃが他の接続ワイヤーよりも長くな
り、接続ワイヤー長さの規格値を超えてしまうため組み
立てができなくなる。
から複数の吊りリード７が出ている場合の上記問題点を
示している。すなわち、図１６は従来の半導体装置１Ａ
の製造時に用いるリードフレームの平面図であり、図１
７は図１６に示したリードフレームの組立工程の途中の
図で、ダイパッド３上に半導体チップ２を半田付け等に
より接着した後、接続ワイヤー５によるワイヤボンディ
ングを行なった状態を示す平面図である。これらの図か
ら明らかなように、インナーリード４ａが２本の吊りリ
ード７により囲まれた領域に入り込めないため、半導体
チップ２上の電極９とインナーリード４ａとを結ぶ接続
ワイヤー５の長さｃが他の接続ワイヤーよりも長くな
り、接続ワイヤー長さの規格値を超えてしまうため組み
立てができなくなる。
【０００９】尚、上記ダイパッド３の吊りリード７を該
ダイパッド３の一辺から複数本引き出すのは、樹脂封止
時のダイパッド３の変位を抑えるためである。因みに、
吊りリード７をダイパッド３の２つの対向辺に各１本ず
つ設けた場合には、特に樹脂封止工程において、封止樹
脂が金型内へ注入された際に、注入樹脂による不均等な
圧力がダイパッド３に加わり、２本の吊りリード７によ
り支持されたダイパッド３が上下に移動したり、吊りリ
ード７を中心にして回動し易くなり、製品となった半導
体装置１Ａの品質及び信頼性が低下する虞が有る。
ダイパッド３の一辺から複数本引き出すのは、樹脂封止
時のダイパッド３の変位を抑えるためである。因みに、
吊りリード７をダイパッド３の２つの対向辺に各１本ず
つ設けた場合には、特に樹脂封止工程において、封止樹
脂が金型内へ注入された際に、注入樹脂による不均等な
圧力がダイパッド３に加わり、２本の吊りリード７によ
り支持されたダイパッド３が上下に移動したり、吊りリ
ード７を中心にして回動し易くなり、製品となった半導
体装置１Ａの品質及び信頼性が低下する虞が有る。
【００１０】そこで本発明は、上述した従来例の問題点
を解決するためになされたもので、所定の外形寸法のパ
ッケージに内蔵される半導体チップのサイズを可及的に
大きくしうる半導体装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
を解決するためになされたもので、所定の外形寸法のパ
ッケージに内蔵される半導体チップのサイズを可及的に
大きくしうる半導体装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体装置は、チップを収容する樹脂封止パッケージのリ
ード端子の第１パーティング面とダイパッドを支持する
ダイパッド吊りリードの第２パーティング面との間に高
低差の有る半導体装置において、前記第１パーティング
面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点と、
前記第２パーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側
面との交線の端点とを結ぶパーティング線を、前記樹脂
封止パッケージのコーナー稜線以外の前記樹脂封止パッ
ケージの側面のうち前記リード端子が出ていない側面に
設けた。
導体装置は、チップを収容する樹脂封止パッケージのリ
ード端子の第１パーティング面とダイパッドを支持する
ダイパッド吊りリードの第２パーティング面との間に高
低差の有る半導体装置において、前記第１パーティング
面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点と、
前記第２パーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側
面との交線の端点とを結ぶパーティング線を、前記樹脂
封止パッケージのコーナー稜線以外の前記樹脂封止パッ
ケージの側面のうち前記リード端子が出ていない側面に
設けた。
【００１２】請求項２の発明に係る半導体装置は、前記
樹脂封止パッケージのリード端子の出ていない側面に、
前記ダイパッドを備えた第１リードフレームのパーティ
ング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点
と、前記リード端子を備えた第２リードフレームのパー
ティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の
端点とを結ぶように第１、第２金型の突き合わせ部跡が
形成される。
樹脂封止パッケージのリード端子の出ていない側面に、
前記ダイパッドを備えた第１リードフレームのパーティ
ング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点
と、前記リード端子を備えた第２リードフレームのパー
ティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の
端点とを結ぶように第１、第２金型の突き合わせ部跡が
形成される。
【００１３】請求項３の発明に係る半導体装置は、前記
第１リードフレームのパーティング面と前記樹脂封止パ
ッケージ外側面との交線の端点と、前記第２リードフレ
ームのパーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面
との交線の端点とを結んだ第１、第２金型の突き合わせ
部跡が、前記リード端子が延出する前記樹脂封止パッケ
ージ側面から０．３ｍｍ以内のところに配置される。
第１リードフレームのパーティング面と前記樹脂封止パ
ッケージ外側面との交線の端点と、前記第２リードフレ
ームのパーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面
との交線の端点とを結んだ第１、第２金型の突き合わせ
部跡が、前記リード端子が延出する前記樹脂封止パッケ
ージ側面から０．３ｍｍ以内のところに配置される。
【００１４】請求項４の発明に係る半導体装置は、前記
ダイパッドを備えた前記第１リードフレームのパーティ
ング面を該第１リードフレームの、チップを搭載した面
に設けた。
ダイパッドを備えた前記第１リードフレームのパーティ
ング面を該第１リードフレームの、チップを搭載した面
に設けた。
【００１５】請求項５の発明に係る半導体装置は、前記
リード端子を備えた前記第２リードフレームのパーティ
ング面を、該第２リードフレームの下面に設けた。
リード端子を備えた前記第２リードフレームのパーティ
ング面を、該第２リードフレームの下面に設けた。
【００１６】請求項６の発明に係る半導体製造装置は、
リード端子とダイパッド吊りリードとの間に高低差の有
る半導体装置のチップを樹脂封止するための半導体製造
装置であって、前記チップを収容する第１金型と、その
第１金型に被着されて樹脂を充填するための中空部を形
成する第２金型とを備え、前記第１、第２金型の前記半
導体装置のリード端子に対応する第１合せ面と、前記半
導体装置のダイパッド吊りリードに対応する第２合せ面
とが段差を有し、これら第１及び第２合せ面を結ぶ前記
第１、第２金型の突き合わせ部分を前記リード端子が配
置されていない側面に設けた。
リード端子とダイパッド吊りリードとの間に高低差の有
る半導体装置のチップを樹脂封止するための半導体製造
装置であって、前記チップを収容する第１金型と、その
第１金型に被着されて樹脂を充填するための中空部を形
成する第２金型とを備え、前記第１、第２金型の前記半
導体装置のリード端子に対応する第１合せ面と、前記半
導体装置のダイパッド吊りリードに対応する第２合せ面
とが段差を有し、これら第１及び第２合せ面を結ぶ前記
第１、第２金型の突き合わせ部分を前記リード端子が配
置されていない側面に設けた。
【００１７】
【作用】請求項１の発明における半導体装置では、同一
サイズのパッケージ内により大きな半導体チップを収容
することができ、また、半導体チップからパッケージ外
側面までの間の封止樹脂の厚さを大きくすることができ
る。
サイズのパッケージ内により大きな半導体チップを収容
することができ、また、半導体チップからパッケージ外
側面までの間の封止樹脂の厚さを大きくすることができ
る。
【００１８】請求項２の発明における半導体装置では、
樹脂封止後の半導体装置の中間製品を上金型及び下金型
から抜き取ることを容易にするためのテーパーをパッケ
ージの外側面に設けることにより、金型からの中間製品
の抜き取り作業を簡単化して作業効率を高めることがで
きる。
樹脂封止後の半導体装置の中間製品を上金型及び下金型
から抜き取ることを容易にするためのテーパーをパッケ
ージの外側面に設けることにより、金型からの中間製品
の抜き取り作業を簡単化して作業効率を高めることがで
きる。
【００１９】請求項３の発明における半導体装置では、
上金型の一部が下金型に入り込んでいる部分により形成
されるパッケージ（樹脂）領域へもダイパッドを入り込
ませることが可能になり、その分だけダイパッド延いて
はチップの長さを増大させることができる。
上金型の一部が下金型に入り込んでいる部分により形成
されるパッケージ（樹脂）領域へもダイパッドを入り込
ませることが可能になり、その分だけダイパッド延いて
はチップの長さを増大させることができる。
【００２０】請求項４の発明における半導体装置では、
第２リードフレームのパーティング面を該第２リードフ
レームの、チップ搭載面と反対側に設けた場合に比べ
て、チップまたはダイパッドからパッケージ表面に至る
までの封止樹脂の水平距離が大きくなり、その分信頼性
も向上する。
第２リードフレームのパーティング面を該第２リードフ
レームの、チップ搭載面と反対側に設けた場合に比べ
て、チップまたはダイパッドからパッケージ表面に至る
までの封止樹脂の水平距離が大きくなり、その分信頼性
も向上する。
【００２１】請求項５の発明における半導体装置では、
第１リードフレームのパーティング面を該第１リードフ
レームのチップ側の面と反対側の面に一致させて設けた
場合に比べて、チップまたはダイパッドからパッケージ
表面に至るまでの封止樹脂の水平距離が大きくなり、そ
の分だけ信頼性も向上する。
第１リードフレームのパーティング面を該第１リードフ
レームのチップ側の面と反対側の面に一致させて設けた
場合に比べて、チップまたはダイパッドからパッケージ
表面に至るまでの封止樹脂の水平距離が大きくなり、そ
の分だけ信頼性も向上する。
【００２２】請求項６の発明における半導体製造装置で
は、同一サイズのパッケージ内により大きな半導体チッ
プを収容することができ、また、半導体チップからパッ
ケージ外側面までの間の封止樹脂の厚さを大きくするこ
とができ、パッケージの信頼性に優れた半導体装置を製
造でき、さらに、第１金型及び第２金型を組合わせて型
締めする際に、第１合せ面と第２合せ面とを結ぶ段差部
において第１金型及び第２金型を突き合わせることによ
り、両者の位置決めを極めて簡単に行なうことができ、
型締め作業を簡素化して生産性の向上を図ることができ
る。
は、同一サイズのパッケージ内により大きな半導体チッ
プを収容することができ、また、半導体チップからパッ
ケージ外側面までの間の封止樹脂の厚さを大きくするこ
とができ、パッケージの信頼性に優れた半導体装置を製
造でき、さらに、第１金型及び第２金型を組合わせて型
締めする際に、第１合せ面と第２合せ面とを結ぶ段差部
において第１金型及び第２金型を突き合わせることによ
り、両者の位置決めを極めて簡単に行なうことができ、
型締め作業を簡素化して生産性の向上を図ることができ
る。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例につき添付図面を参照
して説明する。尚、以下の説明において、各図中、同一
あるいは対応する部材には同一の符号を付した。
して説明する。尚、以下の説明において、各図中、同一
あるいは対応する部材には同一の符号を付した。
【００２４】実施例１． 図１は本発明の第１実施例による半導体装置の製造途中
の工程における半導体装置の中間製品の断面図で、図２
は製造完了後の第１実施例による半導体装置の断面図で
ある。
の工程における半導体装置の中間製品の断面図で、図２
は製造完了後の第１実施例による半導体装置の断面図で
ある。
【００２５】図１において、本実施例による半導体装置
１の樹脂封止パッケージ８（以下単にパッケージと称
す）内には、略矩形のダイパッド３上に搭載された半導
体チップ２が樹脂封止されており、ダイパッド３の２つ
の対向する辺から複数本の吊りリード７がそれぞれ延び
ており、これら吊りリード７のパッケージ８外側面から
その外側に出た部分には、プレス等により屈曲形成され
たダイパッド３の沈め込み用の沈め部７ａが配置されて
いる。このようにして形成されたパッケージ８の吊りリ
ード７を、パッケージ８の外側面に沿って切断すること
により、図２に示すような半導体装置１が最終的に完成
される。
１の樹脂封止パッケージ８（以下単にパッケージと称
す）内には、略矩形のダイパッド３上に搭載された半導
体チップ２が樹脂封止されており、ダイパッド３の２つ
の対向する辺から複数本の吊りリード７がそれぞれ延び
ており、これら吊りリード７のパッケージ８外側面から
その外側に出た部分には、プレス等により屈曲形成され
たダイパッド３の沈め込み用の沈め部７ａが配置されて
いる。このようにして形成されたパッケージ８の吊りリ
ード７を、パッケージ８の外側面に沿って切断すること
により、図２に示すような半導体装置１が最終的に完成
される。
【００２６】図３は上記図２の半導体装置１を製造する
ための金型に、半導体チップ２を搭載したダイパッド３
を有する第１リードフレーム１０と、複数のインナーリ
ード４ａを有する第２リードフレーム１１とを設置した
状態を示す部分平面図で、図４は図３のＣ−Ｃ線断面
図、図５は図３のＤ−Ｄ線断面図である。
ための金型に、半導体チップ２を搭載したダイパッド３
を有する第１リードフレーム１０と、複数のインナーリ
ード４ａを有する第２リードフレーム１１とを設置した
状態を示す部分平面図で、図４は図３のＣ−Ｃ線断面
図、図５は図３のＤ−Ｄ線断面図である。
【００２７】図４及び図５から明らかなように、第１金
型としての下金型１６は、製造される半導体装置１の略
上半分の外形状を規定する樹脂封止用の第１キャビティ
１６ａと、その第１キャビティ１６ａの長手方向の両端
（図面には一端のみを示す）に設けられ、第１リードフ
レーム１０の沈め部７ａを含む吊りリード７の形状に対
応して形成された複数の吊りリード収容溝１６ｂを備え
た位置決め凹部１６ｃと、その位置決め凹部１６ｃの先
端に形成され、第１リードフレーム１０の外側フレーム
部１０ａに対応する外側フレーム収容凹部１６ｄとを有
している。
型としての下金型１６は、製造される半導体装置１の略
上半分の外形状を規定する樹脂封止用の第１キャビティ
１６ａと、その第１キャビティ１６ａの長手方向の両端
（図面には一端のみを示す）に設けられ、第１リードフ
レーム１０の沈め部７ａを含む吊りリード７の形状に対
応して形成された複数の吊りリード収容溝１６ｂを備え
た位置決め凹部１６ｃと、その位置決め凹部１６ｃの先
端に形成され、第１リードフレーム１０の外側フレーム
部１０ａに対応する外側フレーム収容凹部１６ｄとを有
している。
【００２８】また、第２金型としての上金型１７は、下
金型１６の第１キャビティ１６ａと対応する位置におい
て、製造される半導体装置１の略下半分の外形状を規定
し、第１キャビティ１６ａと協同して樹脂封止用中空部
を形成する第２キャビティ１７ａと、その第２キャビテ
ィ１７ａの長手方向の両端（図面には一端のみを示す）
において、第１リードフレーム１０の沈め部７ａを含む
吊りリード７の形状に対応して形成され、下金型１６の
対応する位置決め凹部１６ａに嵌合されて吊りリード７
を吊りリード収容溝１６ｂ内に押圧する位置決め凸部１
７ｂと、その位置決め凸部１７ｂの先端に形成され、第
２リードフレーム１１の外側フレーム部１１ａに対応す
る外側フレーム収容凹部１７ｃとを有している。上金型
１７の下面には、第２リードフレーム１１の複数のリー
ド端子４を収容する複数のリード端子収容溝１７ｄが形
成されている。
金型１６の第１キャビティ１６ａと対応する位置におい
て、製造される半導体装置１の略下半分の外形状を規定
し、第１キャビティ１６ａと協同して樹脂封止用中空部
を形成する第２キャビティ１７ａと、その第２キャビテ
ィ１７ａの長手方向の両端（図面には一端のみを示す）
において、第１リードフレーム１０の沈め部７ａを含む
吊りリード７の形状に対応して形成され、下金型１６の
対応する位置決め凹部１６ａに嵌合されて吊りリード７
を吊りリード収容溝１６ｂ内に押圧する位置決め凸部１
７ｂと、その位置決め凸部１７ｂの先端に形成され、第
２リードフレーム１１の外側フレーム部１１ａに対応す
る外側フレーム収容凹部１７ｃとを有している。上金型
１７の下面には、第２リードフレーム１１の複数のリー
ド端子４を収容する複数のリード端子収容溝１７ｄが形
成されている。
【００２９】図４及び図５において、１８は第１及び第
２リードフレーム１０、１１を上金型１７及び下金型１
６で挟んだ場合の位置決め凸部１７ｂ及び位置決め凹部
１６ｃの合わせ面である、ダイパッド３上面と同一平面
上の第２パーティング面としてのダイパッドパーティン
グ面、１９は同様に第１及び第２リードフレーム１０、
１１を上金型１７及び下金型１６で挟んだ場合のインナ
ーリード４ａの下面と同一平面上の第１パーティング面
としてのインナーリードパーティング面、２０は上記ダ
イパッドパーティング面１８とパッケージ８外側面との
交線の端点とインナーリードパーティング面１９とパッ
ケージ８外側面との交線の端点とを結ぶパーティング線
で、上金型１７と下金型１６とが噛み合わされる部分で
ある。
２リードフレーム１０、１１を上金型１７及び下金型１
６で挟んだ場合の位置決め凸部１７ｂ及び位置決め凹部
１６ｃの合わせ面である、ダイパッド３上面と同一平面
上の第２パーティング面としてのダイパッドパーティン
グ面、１９は同様に第１及び第２リードフレーム１０、
１１を上金型１７及び下金型１６で挟んだ場合のインナ
ーリード４ａの下面と同一平面上の第１パーティング面
としてのインナーリードパーティング面、２０は上記ダ
イパッドパーティング面１８とパッケージ８外側面との
交線の端点とインナーリードパーティング面１９とパッ
ケージ８外側面との交線の端点とを結ぶパーティング線
で、上金型１７と下金型１６とが噛み合わされる部分で
ある。
【００３０】次に、これら図３乃至図５を参照して、本
実施例による半導体装置１の製造方法について説明す
る。先ず、図示しないが、半導体チップ２を搭載した矩
形のダイパッド３と、この矩形のダイパッド３の対向す
る短辺から延び、途中に、屈曲して段差のある沈め部７
ａを有する複数（図示例では二対）の吊りリード７とを
備えた第１リードフレーム１０上に、インナーリード４
ａとアウターリード４ｂとを有する複数のリード端子４
を備えた第２リードフレーム１１を所定位置で重ね合わ
せる。すなわち、第１リードフレーム１０の外側フレー
ム部上の所定位置に第２リードフレーム１１の外側フレ
ーム部を重ね合わせて、半導体チップ２の上面の複数の
電極９とそれらに対応するリード端子４とを金線等の接
続ワイヤー５を用いてワイヤーボンディングにより電気
的に接続する。このようにして組み立てられた第１及び
第２リードフレーム１０、１１を、半導体チップ２を搭
載したダイパッド３が下金型１６に形成されたキャビテ
ィ１６ａ内の所定位置となるように設置する。すなわ
ち、第１リードフレーム１０の外側フレーム部を、外側
フレーム収容凹部１６ｄ内に配置すると共に、第１リー
ドフレーム１０のダイパッド吊りリード７を、下金型１
６の上面の対応する吊りリード収容凹溝１６ｂ内に配置
する。
実施例による半導体装置１の製造方法について説明す
る。先ず、図示しないが、半導体チップ２を搭載した矩
形のダイパッド３と、この矩形のダイパッド３の対向す
る短辺から延び、途中に、屈曲して段差のある沈め部７
ａを有する複数（図示例では二対）の吊りリード７とを
備えた第１リードフレーム１０上に、インナーリード４
ａとアウターリード４ｂとを有する複数のリード端子４
を備えた第２リードフレーム１１を所定位置で重ね合わ
せる。すなわち、第１リードフレーム１０の外側フレー
ム部上の所定位置に第２リードフレーム１１の外側フレ
ーム部を重ね合わせて、半導体チップ２の上面の複数の
電極９とそれらに対応するリード端子４とを金線等の接
続ワイヤー５を用いてワイヤーボンディングにより電気
的に接続する。このようにして組み立てられた第１及び
第２リードフレーム１０、１１を、半導体チップ２を搭
載したダイパッド３が下金型１６に形成されたキャビテ
ィ１６ａ内の所定位置となるように設置する。すなわ
ち、第１リードフレーム１０の外側フレーム部を、外側
フレーム収容凹部１６ｄ内に配置すると共に、第１リー
ドフレーム１０のダイパッド吊りリード７を、下金型１
６の上面の対応する吊りリード収容凹溝１６ｂ内に配置
する。
【００３１】次いで、上金型１７を下金型１６に重ね合
わせる。すなわち、上金型１７の外側フレーム収容凹部
１６ｄ及びリード端子収容溝１７ｄを第２リードフレー
ム１１の外側フレーム部１０ａ及び対応するリード端子
４にそれぞれ嵌合させると共に、上金型１７の位置決め
凸部１７ｂを下金型１６の対応する位置決め凹部１６ｃ
に嵌合させる。
わせる。すなわち、上金型１７の外側フレーム収容凹部
１６ｄ及びリード端子収容溝１７ｄを第２リードフレー
ム１１の外側フレーム部１０ａ及び対応するリード端子
４にそれぞれ嵌合させると共に、上金型１７の位置決め
凸部１７ｂを下金型１６の対応する位置決め凹部１６ｃ
に嵌合させる。
【００３２】このようにして、上金型１７及び下金型１
６を型締めした後、溶融した封止用の樹脂を金型内に注
入し、硬化させる。この際、半導体チップ２を搭載した
ダイパッド３を支持する吊りリード７の沈め部７ａは上
金型１７及び下金型１６のキャビティ１７ａ、１６ａの
外側に配置されており、すなわち沈め部７ａは下金型１
６の吊りリード収容溝１６ｂに収容されて上金型１７の
位置決め凸部１７ｂにより抑えられており、ダイパッド
３は、沈め部７ａのようにプレス成形等により強度（剛
性）低下を生じていない吊りリード７の部分により強固
に支持されているので、溶融樹脂の注入時に、注入樹脂
によりダイパッド３に不均一な圧力が加わったとして
も、ダイパッド３が位置ずれ（上下方向への変位等）を
生じる可能性は大幅に低下する。
６を型締めした後、溶融した封止用の樹脂を金型内に注
入し、硬化させる。この際、半導体チップ２を搭載した
ダイパッド３を支持する吊りリード７の沈め部７ａは上
金型１７及び下金型１６のキャビティ１７ａ、１６ａの
外側に配置されており、すなわち沈め部７ａは下金型１
６の吊りリード収容溝１６ｂに収容されて上金型１７の
位置決め凸部１７ｂにより抑えられており、ダイパッド
３は、沈め部７ａのようにプレス成形等により強度（剛
性）低下を生じていない吊りリード７の部分により強固
に支持されているので、溶融樹脂の注入時に、注入樹脂
によりダイパッド３に不均一な圧力が加わったとして
も、ダイパッド３が位置ずれ（上下方向への変位等）を
生じる可能性は大幅に低下する。
【００３３】金型内に注入された溶融樹脂の硬化後、上
金型１７を下金型１６から外し、下金型１６から樹脂封
止されたパッケージ８を取り出して、不要となったダイ
パッド吊りリード７のパッケージ８外側面から外側に出
ている部分を切断すると共に、リード端子４を適当な位
置で第２リードフレーム１１の外側フレーム部１１ａか
ら切り離して半導体装置１を完成させる。
金型１７を下金型１６から外し、下金型１６から樹脂封
止されたパッケージ８を取り出して、不要となったダイ
パッド吊りリード７のパッケージ８外側面から外側に出
ている部分を切断すると共に、リード端子４を適当な位
置で第２リードフレーム１１の外側フレーム部１１ａか
ら切り離して半導体装置１を完成させる。
【００３４】以上から明らかなように、本実施例では、
吊りリード７の沈め部７ａが上、下金型１７、１６のキ
ャビティ１７ａ、１６ａの外側に配置されているので、
吊りリード７の沈め部７ａにより占められていた部分に
半導体チップ２を配置することができ、パッケージ８の
外形寸法が予め規定されている半導体装置１のチップサ
イズの大型化に寄与することができる。
吊りリード７の沈め部７ａが上、下金型１７、１６のキ
ャビティ１７ａ、１６ａの外側に配置されているので、
吊りリード７の沈め部７ａにより占められていた部分に
半導体チップ２を配置することができ、パッケージ８の
外形寸法が予め規定されている半導体装置１のチップサ
イズの大型化に寄与することができる。
【００３５】また、図４及び図５に示すように、ダイパ
ッドパーティング面１８とインナーリードパーティング
面１９とを結ぶパーティング線２０をパッケージ８のコ
ーナー稜線上に設けず、パッケージ８の側面、特にアウ
ターリード４ｂの出ていない側面に設けることにより、
樹脂封止後の半導体装置１の中間製品を上金型１７及び
下金型１６から抜き取ることを容易にするためのテーパ
ー（側面に角度を付ける）を設けることが可能となる。
ッドパーティング面１８とインナーリードパーティング
面１９とを結ぶパーティング線２０をパッケージ８のコ
ーナー稜線上に設けず、パッケージ８の側面、特にアウ
ターリード４ｂの出ていない側面に設けることにより、
樹脂封止後の半導体装置１の中間製品を上金型１７及び
下金型１６から抜き取ることを容易にするためのテーパ
ー（側面に角度を付ける）を設けることが可能となる。
【００３６】尚、ダイパッドパーティング面１８とパッ
ケージ８外側面との交線の端点とインナーリードパーテ
ィング面１９とパッケージ８外側面との交線の端点とを
結ぶパーティング線２０をパッケージ８のコーナー稜線
上に設け、且つパッケージ８の側面にテーパーを設ける
ことは、上金型１７と下金型１６とが噛み込むことにな
り不可能である。
ケージ８外側面との交線の端点とインナーリードパーテ
ィング面１９とパッケージ８外側面との交線の端点とを
結ぶパーティング線２０をパッケージ８のコーナー稜線
上に設け、且つパッケージ８の側面にテーパーを設ける
ことは、上金型１７と下金型１６とが噛み込むことにな
り不可能である。
【００３７】図８は図６の半導体装置１を矢視Ｇ方向か
ら見た側面図、図９は図８のｊ−ｊ線断面図、図１０は
本発明を実施しない（従来の）半導体装置１の図９と同
様の断面図である。これらの図において、ｈはインナー
リード４ａパーティング面１９とダイパッドパーティン
グ面１８とを結ぶパーティング線２０とパッケージ８外
形側面からの距離、ｋは組立工程上必要なダイパッド３
の端部からパッケージ８外形側面までの距離である。通
常、ｋは０．６ｍｍ程度であり、ダイパッド３の端部か
らパッケージ８外形側面までの必要最小樹脂厚さ（０．
２ｍｍ＋α）を考慮して、ｈを０．３ｍｍ以内とするこ
とにより、図９に示すように、上金型１７の一部が下金
型１６に入り込んでいる位置決め凸部１７ｂにより形成
されるパッケージ８（樹脂）領域へもダイパッド３を入
り込ませることが可能になり、その分だけダイパッド３
の長さを大きくすることができる。
ら見た側面図、図９は図８のｊ−ｊ線断面図、図１０は
本発明を実施しない（従来の）半導体装置１の図９と同
様の断面図である。これらの図において、ｈはインナー
リード４ａパーティング面１９とダイパッドパーティン
グ面１８とを結ぶパーティング線２０とパッケージ８外
形側面からの距離、ｋは組立工程上必要なダイパッド３
の端部からパッケージ８外形側面までの距離である。通
常、ｋは０．６ｍｍ程度であり、ダイパッド３の端部か
らパッケージ８外形側面までの必要最小樹脂厚さ（０．
２ｍｍ＋α）を考慮して、ｈを０．３ｍｍ以内とするこ
とにより、図９に示すように、上金型１７の一部が下金
型１６に入り込んでいる位置決め凸部１７ｂにより形成
されるパッケージ８（樹脂）領域へもダイパッド３を入
り込ませることが可能になり、その分だけダイパッド３
の長さを大きくすることができる。
【００３８】図１１は図６の矢視Ｈ方向から見た側断面
図である。この図において、パッケージ８の外形寸法は
標準化により規定されており、従ってパッケージ８の長
手方向の長さＬ３も予め決められており、上金型１７の
位置決め凸部１７ｂ（図６参照）により形成される面と
ダイパッド吊りリード７との交点を通るダイパッドパー
ティング面１８が、ダイパッド吊りリード７のチップ搭
載面上に設けられている。図１１に二点鎖線で示すよう
に、ダイパッドパーティング面１８をダイパッド吊りリ
ード７のチップ搭載面と反対側に設けた場合に比べて、
半導体チップ２２またはダイパッド３からパッケージ表
面に至るまでの封止樹脂の水平距離がｍだけ大きくな
り、その分信頼性も向上する。
図である。この図において、パッケージ８の外形寸法は
標準化により規定されており、従ってパッケージ８の長
手方向の長さＬ３も予め決められており、上金型１７の
位置決め凸部１７ｂ（図６参照）により形成される面と
ダイパッド吊りリード７との交点を通るダイパッドパー
ティング面１８が、ダイパッド吊りリード７のチップ搭
載面上に設けられている。図１１に二点鎖線で示すよう
に、ダイパッドパーティング面１８をダイパッド吊りリ
ード７のチップ搭載面と反対側に設けた場合に比べて、
半導体チップ２２またはダイパッド３からパッケージ表
面に至るまでの封止樹脂の水平距離がｍだけ大きくな
り、その分信頼性も向上する。
【００３９】図１２は図６の矢視Ｇ方向から見た側断面
図である。図１２において、インナーリードパーティン
グ面１９はインナーリード４ａの下面と一致するように
設けられている。この場合、パッケージ８の幅Ｗはパッ
ケージ８の標準化により規定されているので、図１２に
二点鎖線で示したように、インナーリードパーティング
面１９をインナーリード４ａの上面に一致させて設けた
場合に比べて、半導体チップ２２またはダイパッド３か
らパッケージ表面に至るまでの封止樹脂の水平距離がｐ
だけ大きくなり、その分だけ信頼性も向上する。
図である。図１２において、インナーリードパーティン
グ面１９はインナーリード４ａの下面と一致するように
設けられている。この場合、パッケージ８の幅Ｗはパッ
ケージ８の標準化により規定されているので、図１２に
二点鎖線で示したように、インナーリードパーティング
面１９をインナーリード４ａの上面に一致させて設けた
場合に比べて、半導体チップ２２またはダイパッド３か
らパッケージ表面に至るまでの封止樹脂の水平距離がｐ
だけ大きくなり、その分だけ信頼性も向上する。
【００４０】参考例． また、ダイパッドパーティング面１８とパッケージ８外
側面との交線の端点インナーリードパーティング面１９
とパッケージ８外側面との交線の端点を結ぶパーティン
グ線２０をパッケージ８のコーナー稜線に沿って設けた
場合には、上記コーナー稜線すなわちパッケージ８の隅
部に丸みを持たせること（Ｒを付けたり、面取り状にす
ること）が不可能であったが、本発明の参考例では可能
である。
側面との交線の端点インナーリードパーティング面１９
とパッケージ８外側面との交線の端点を結ぶパーティン
グ線２０をパッケージ８のコーナー稜線に沿って設けた
場合には、上記コーナー稜線すなわちパッケージ８の隅
部に丸みを持たせること（Ｒを付けたり、面取り状にす
ること）が不可能であったが、本発明の参考例では可能
である。
【００４１】図７はこのようにパッケージ８のコーナー
稜線（隅部）に丸みを持たせた本参考例による半導体装
置１Ｂを表す部分斜視図である。図示していないが、こ
の参考例では、平面が略矩形のダイパッドの４隅からダ
イパッド吊りリードが延出されており、ダイパッド上に
搭載された矩形の半導体チップの４つ側面の夫々の近傍
に、各側面に対向するように、且つダイパッド吊りリー
ドに対して段差を以って複数のリード端子４が配置され
ており、この状態で上述した金型と同様の金型内に配置
されて樹脂封止され、図７に一部を示すような半導体装
置１Ｂが製造される。この参考例では、上金型の位置決
め凸部及び下金型の位置決め凹部が略矩形の平面形状の
キャビティの４隅に設けられており、平面矩形状の上金
型の下金型との合せ面には、その各側面に対応してイン
ナーリード収容溝が形成されている。このような点を除
けば、本参考例で使用される金型は、上記第１実施例の
金型と略同様の構成である。
稜線（隅部）に丸みを持たせた本参考例による半導体装
置１Ｂを表す部分斜視図である。図示していないが、こ
の参考例では、平面が略矩形のダイパッドの４隅からダ
イパッド吊りリードが延出されており、ダイパッド上に
搭載された矩形の半導体チップの４つ側面の夫々の近傍
に、各側面に対向するように、且つダイパッド吊りリー
ドに対して段差を以って複数のリード端子４が配置され
ており、この状態で上述した金型と同様の金型内に配置
されて樹脂封止され、図７に一部を示すような半導体装
置１Ｂが製造される。この参考例では、上金型の位置決
め凸部及び下金型の位置決め凹部が略矩形の平面形状の
キャビティの４隅に設けられており、平面矩形状の上金
型の下金型との合せ面には、その各側面に対応してイン
ナーリード収容溝が形成されている。このような点を除
けば、本参考例で使用される金型は、上記第１実施例の
金型と略同様の構成である。
【００４２】図７に示されるように、本参考例では、平
面矩形状のパッケージ８の各側面からアウターリード４
ｂが延出され、また、パッケージ８の各隅部（すなわち
パッケージ側面のリード端子４が出ていない部分）にダ
イパッド吊りリード７が配置されており、これらの部分
でパッケージ８の角部が丸みを付された状態あるいは面
取りされた状態に形成されている。
面矩形状のパッケージ８の各側面からアウターリード４
ｂが延出され、また、パッケージ８の各隅部（すなわち
パッケージ側面のリード端子４が出ていない部分）にダ
イパッド吊りリード７が配置されており、これらの部分
でパッケージ８の角部が丸みを付された状態あるいは面
取りされた状態に形成されている。
【００４３】このように、パッケージ８の角部に丸みを
付すことにより、僅かな衝撃で破損し易いパッケージ角
部の破損を効果的に防止して、その商品価値が損なわれ
るのを回避することができる。
付すことにより、僅かな衝撃で破損し易いパッケージ角
部の破損を効果的に防止して、その商品価値が損なわれ
るのを回避することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、請求項１の半導体装置に
よれば、チップを収容する樹脂封止パッケージのリード
端子の第１パーティング面とダイパッドを支持するダイ
パッド吊りリードの第２パーティング面との間に高低差
の有る半導体装置において、前記第１パーティング面と
前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点と、前記
第２パーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面と
の交線の端点とを結ぶパーティング線を、前記樹脂封止
パッケージのコーナー稜線以外の前記樹脂封止パッケー
ジの側面のうち前記リード端子が出ていない側面に設け
たので、同一サイズのパッケージ内により大きな半導体
チップを収容することができ、また、半導体チップから
パッケージ外側面までの間の封止樹脂の厚さを大きくす
ることができ、パッケージの信頼性に優れた半導体装置
が得られる効果がある。
よれば、チップを収容する樹脂封止パッケージのリード
端子の第１パーティング面とダイパッドを支持するダイ
パッド吊りリードの第２パーティング面との間に高低差
の有る半導体装置において、前記第１パーティング面と
前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点と、前記
第２パーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面と
の交線の端点とを結ぶパーティング線を、前記樹脂封止
パッケージのコーナー稜線以外の前記樹脂封止パッケー
ジの側面のうち前記リード端子が出ていない側面に設け
たので、同一サイズのパッケージ内により大きな半導体
チップを収容することができ、また、半導体チップから
パッケージ外側面までの間の封止樹脂の厚さを大きくす
ることができ、パッケージの信頼性に優れた半導体装置
が得られる効果がある。
【００４５】請求項２の半導体装置によれば、前記樹脂
封止パッケージのリード端子の出ていない側面に、前記
ダイパッドを備えた第１リードフレームのパーティング
面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点と、
前記リード端子を備えた第２リードフレームのパーティ
ング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点
とを結ぶように第１、第２金型の突き合わせ部跡が形成
されるので、樹脂封止後の半導体装置の中間製品を上金
型及び下金型から抜き取ることを容易にするためのテー
パーをパッケージの外側面に設けることにより、金型か
らの中間製品の抜き取り作業を簡単化して作業効率を高
めることができる効果が有る。また、樹脂封止後に、ダ
イパッド吊りリードを切断する際に、図２に示すよう
に、ダイパッド吊りリードを樹脂封止パッケージの外側
面に沿ってきれいに切り落とすことができ、従って、切
断中にパッケージ外側面から突出するダイパッド吊りリ
ードがめくれてパッケージ内に隙間が発生するような事
態を回避することができる。
封止パッケージのリード端子の出ていない側面に、前記
ダイパッドを備えた第１リードフレームのパーティング
面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点と、
前記リード端子を備えた第２リードフレームのパーティ
ング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点
とを結ぶように第１、第２金型の突き合わせ部跡が形成
されるので、樹脂封止後の半導体装置の中間製品を上金
型及び下金型から抜き取ることを容易にするためのテー
パーをパッケージの外側面に設けることにより、金型か
らの中間製品の抜き取り作業を簡単化して作業効率を高
めることができる効果が有る。また、樹脂封止後に、ダ
イパッド吊りリードを切断する際に、図２に示すよう
に、ダイパッド吊りリードを樹脂封止パッケージの外側
面に沿ってきれいに切り落とすことができ、従って、切
断中にパッケージ外側面から突出するダイパッド吊りリ
ードがめくれてパッケージ内に隙間が発生するような事
態を回避することができる。
【００４６】請求項３の半導体装置によれば、前記第１
リードフレームのパーティング面と前記樹脂封止パッケ
ージ外側面との交線の端点と、前記第２リードフレーム
のパーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との
交線の端点とを結んだ第１、第２金型の突き合わせ部跡
が、前記リード端子が延出する前記樹脂封止パッケージ
側面から０．３ｍｍ以内のところに配置されるので、上
金型の一部が下金型に入り込んでいる部分により形成さ
れるパッケージ（樹脂）領域へもダイパッドを入り込ま
せることが可能になり、その分だけダイパッド延いては
チップの長さを増大させることができる効果が有る。
リードフレームのパーティング面と前記樹脂封止パッケ
ージ外側面との交線の端点と、前記第２リードフレーム
のパーティング面と前記樹脂封止パッケージ外側面との
交線の端点とを結んだ第１、第２金型の突き合わせ部跡
が、前記リード端子が延出する前記樹脂封止パッケージ
側面から０．３ｍｍ以内のところに配置されるので、上
金型の一部が下金型に入り込んでいる部分により形成さ
れるパッケージ（樹脂）領域へもダイパッドを入り込ま
せることが可能になり、その分だけダイパッド延いては
チップの長さを増大させることができる効果が有る。
【００４７】請求項４の半導体装置によれば、前記ダイ
パッドを備えた前記第１リードフレームのパーティング
面を該第１リードフレームの、チップを搭載した面に設
けたので、その第１リードフレームのパーティング面を
該第１リードフレームの、チップ搭載面と反対側に設け
た場合に比べて、チップまたはダイパッドからパッケー
ジ表面に至るまでの封止樹脂の水平距離が大きくなり、
その分信頼性も向上する効果が有る。
パッドを備えた前記第１リードフレームのパーティング
面を該第１リードフレームの、チップを搭載した面に設
けたので、その第１リードフレームのパーティング面を
該第１リードフレームの、チップ搭載面と反対側に設け
た場合に比べて、チップまたはダイパッドからパッケー
ジ表面に至るまでの封止樹脂の水平距離が大きくなり、
その分信頼性も向上する効果が有る。
【００４８】請求項５の半導体装置によれば、前記リー
ド端子を備えた前記第２リードフレームのパーティング
面を該第２リードフレームの下面に設けたので、その第
２リードフレームのパーティング面を該第２リードフレ
ームの下面と反対側の面に一致させて設けた場合に比べ
て、チップまたはダイパッドからパッケージ表面に至る
までの封止樹脂の水平距離が大きくなり、その分だけ信
頼性も向上する効果が有る。
ド端子を備えた前記第２リードフレームのパーティング
面を該第２リードフレームの下面に設けたので、その第
２リードフレームのパーティング面を該第２リードフレ
ームの下面と反対側の面に一致させて設けた場合に比べ
て、チップまたはダイパッドからパッケージ表面に至る
までの封止樹脂の水平距離が大きくなり、その分だけ信
頼性も向上する効果が有る。
【００４９】請求項６の半導体製造装置によれば、リー
ド端子とダイパッド吊りリードとの間に高低差の有る半
導体装置のチップを樹脂封止するための半導体製造装置
であって、前記チップを収容する第１金型と、その第１
金型に被着されて樹脂を充填するための中空部を形成す
る第２金型とを備え、前記第１、第２金型の前記半導体
装置のリード端子に対応する第１合せ面と、前記半導体
装置のダイパッド吊りリードに対応する第２合せ面とが
段差を有し、これら第１及び第２合せ面を結ぶ前記第
１、第２金型の突き合わせ部分を前記リード端子が配置
されていない側面に設けたので、同一サイズのパッケー
ジ内により大きな半導体チップを収容することができ、
また、半導体チップからパッケージ外側面までの間の封
止樹脂の厚さを大きくすることができ、パッケージの信
頼性に優れた半導体装置を製造できる効果がある。さら
に、前記第１金型及び第２金型を組合わせて型締めする
際に、前記第１合せ面と第２合せ面とを結ぶ段差部にお
いて第１金型及び第２金型を突き合わせることにより、
両者の位置決めを極めて簡単に行なうことができ、型締
め作業を簡素化して生産性の向上に資するものである。
ド端子とダイパッド吊りリードとの間に高低差の有る半
導体装置のチップを樹脂封止するための半導体製造装置
であって、前記チップを収容する第１金型と、その第１
金型に被着されて樹脂を充填するための中空部を形成す
る第２金型とを備え、前記第１、第２金型の前記半導体
装置のリード端子に対応する第１合せ面と、前記半導体
装置のダイパッド吊りリードに対応する第２合せ面とが
段差を有し、これら第１及び第２合せ面を結ぶ前記第
１、第２金型の突き合わせ部分を前記リード端子が配置
されていない側面に設けたので、同一サイズのパッケー
ジ内により大きな半導体チップを収容することができ、
また、半導体チップからパッケージ外側面までの間の封
止樹脂の厚さを大きくすることができ、パッケージの信
頼性に優れた半導体装置を製造できる効果がある。さら
に、前記第１金型及び第２金型を組合わせて型締めする
際に、前記第１合せ面と第２合せ面とを結ぶ段差部にお
いて第１金型及び第２金型を突き合わせることにより、
両者の位置決めを極めて簡単に行なうことができ、型締
め作業を簡素化して生産性の向上に資するものである。
【図１】この発明の第１実施例による半導体装置のアセ
ンブリプロセス工程の途中の中間製品の断面図である。
ンブリプロセス工程の途中の中間製品の断面図である。
【図２】図１の半導体装置の中間製品の完成後の断面図
である。
である。
【図３】第１及び第２リードフレームを組み立てた状態
で下金型に配置した状態を表す部分平面図である。
で下金型に配置した状態を表す部分平面図である。
【図４】図３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】図３のＤ−Ｄ線断面図である。
【図６】図２の半導体装置の部分斜視図である。
【図７】この発明の参考例による半導体装置の部分斜視
図である。
図である。
【図８】図６の矢視Ｇ方向から見た側面図である。
【図９】図８のｊ−ｊ線断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の図９と同様の断面図であ
る。
る。
【図１１】図６の半導体装置を矢視Ｈ方向から見た部分
側面図である。
側面図である。
【図１２】図６の半導体装置を矢視Ｇ方向から見た部分
側面図である。
側面図である。
【図１３】従来の半導体装置の一部破断斜視図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】図１３の半導体装置の一部を拡大した部分拡
大側面図である。
大側面図である。
【図１６】従来の半導体装置製造工程の一例を示す平面
図である。
図である。
【図１７】従来の半導体装置製造工程の他の例を示す平
面図である。
面図である。
１ 半導体装置 ２ チップ ３ ダイパッド ４ リード端子 ７ ダイパッド吊りリード ８ パッケージ １６ 第１金型としての下金型 １７ 第２金型としての上金型 １８ 第２パーティング面としてのダイパッドパーティ
ング面 １９ 第１パーティング面としてのインナーリードパー
ティング面 ２０ パーティング線
ング面 １９ 第１パーティング面としてのインナーリードパー
ティング面 ２０ パーティング線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上田 直人 熊本県菊池郡西合志町御代志997 三菱 電機株式会社 熊本製作所内 (56)参考文献 特開 平５−145001（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−10955（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−29087（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 21/56 H01L 23/28
Claims (6)
- 【請求項１】 チップを収容する樹脂封止パッケージの
リード端子の第１パーティング面とダイパッドを支持す
るダイパッド吊りリードの第２パーティング面との間に
高低差の有る半導体装置において、前記第１パーティン
グ面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点
と、前記第２パーティング面と前記樹脂封止パッケージ
外側面との交線の端点とを結ぶパーティング線を、前記
樹脂封止パッケージのコーナー稜線以外の前記樹脂封止
パッケージの側面のうち前記リード端子が出ていない側
面に設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記樹脂封止パッケージのリード端子の
出ていない側面に、前記ダイパッドを備えた第１リード
フレームのパーティング面と前記樹脂封止パッケージ外
側面との交線の端点と、前記リード端子を備えた第２リ
ードフレームのパーティング面と前記樹脂封止パッケー
ジ外側面との交線の端点とを結ぶように第１、第２金型
の突き合わせ部跡が形成されたことを特徴とする請求項
１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記第１リードフレームのパーティング
面と前記樹脂封止パッケージ外側面との交線の端点と、
前記第２リードフレームのパーティング面と前記樹脂封
止パッケージ外側面との交線の端点とを結んだ第１、第
２金型の突き合わせ部跡が、前記リード端子が延出する
前記樹脂封止パッケージ側面から０．３ｍｍ以内のとこ
ろに配置されたことを特徴とする請求項２記載の半導体
装置。 - 【請求項４】 前記ダイパッドを備えた前記第１リード
フレームのパーティング面を該第１リードフレームの、
チップを搭載した面に設けたことを特徴とする請求項２
記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記リード端子を備えた前記第２リード
フレームのパーティング面を、該第２リードフレームの
下面に設けたことを特徴とする請求項２記載の半導体装
置。 - 【請求項６】 リード端子とダイパッド吊りリードとの
間に高低差の有る半導体装置のチップを樹脂封止するた
めの半導体製造装置であって、前記チップの下部及び側
面部の一部を収容する第１金型と、その第１金型に被着
されて樹脂を充填するための中空部を形成する第２金型
とを備え、前記第１、第２金型の前記半導体装置のリー
ド端子に対応する第１合せ面と、前記半導体装置のダイ
パッド吊りリードに対応する第２合せ面とが段差を有
し、これら第１及び第２合せ面を結ぶ前記第１、第２金
型の突き合わせ部分を前記リード端子が配置されていな
い側面に設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5350840A JP2908978B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体装置及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5350840A JP2908978B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体装置及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202106A JPH07202106A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2908978B2 true JP2908978B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=18413246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5350840A Expired - Fee Related JP2908978B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体装置及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908978B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1012794A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| US7875962B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-25 | Power Integrations, Inc. | Package for a power semiconductor device |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP5350840A patent/JP2908978B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07202106A (ja) | 1995-08-04 |
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