JPH06210678A - 半導体装置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法Info
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- JPH06210678A JPH06210678A JP5024987A JP2498793A JPH06210678A JP H06210678 A JPH06210678 A JP H06210678A JP 5024987 A JP5024987 A JP 5024987A JP 2498793 A JP2498793 A JP 2498793A JP H06210678 A JPH06210678 A JP H06210678A
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の樹脂封止工程において金型のキ
ャビティへの樹脂注入時に樹脂圧力によるステイシフト
がリードフレームに起きないように改良された半導体装
置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法を提供する。 【構成】 金型１０にリードフレーム７２のダイパッド
吊り部８２，８４を挟持するクランプ手段３８，４０を
設ける。クランプ手段３８は、上金型１２の突き合わせ
面２５を延長してキャビティ３６内に突出させてなるク
ランプ部２４と、下金型１４の突き合わせ面２７を延長
してクランプ部２４と対向するようにキャビティ３６内
に突出させてなるクランプ部３２との対から構成されて
いる。クランプ手段４０も同様な構成である。金型１０
の型閉時、クランプ手段３８、４０のクランプ部間にダ
イパッド吊り部８２、８４をそれぞれ挟持し、キャビテ
ィ３６内で半導体装置が樹脂圧力で傾かないようにす
る。
ャビティへの樹脂注入時に樹脂圧力によるステイシフト
がリードフレームに起きないように改良された半導体装
置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法を提供する。 【構成】 金型１０にリードフレーム７２のダイパッド
吊り部８２，８４を挟持するクランプ手段３８，４０を
設ける。クランプ手段３８は、上金型１２の突き合わせ
面２５を延長してキャビティ３６内に突出させてなるク
ランプ部２４と、下金型１４の突き合わせ面２７を延長
してクランプ部２４と対向するようにキャビティ３６内
に突出させてなるクランプ部３２との対から構成されて
いる。クランプ手段４０も同様な構成である。金型１０
の型閉時、クランプ手段３８、４０のクランプ部間にダ
イパッド吊り部８２、８４をそれぞれ挟持し、キャビテ
ィ３６内で半導体装置が樹脂圧力で傾かないようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の樹脂封止
用金型及び樹脂封止方法に関し、更に詳細には対の金型
の突き合わせ面でリードフレームを挟み、対の金型それ
ぞれの凹部が協同して形成するキャビティに樹脂を注入
して、半導体装置の樹脂封止を行う際に、半導体装置
が、樹脂の注入中にキャビティ内で傾斜したり、移動し
たりしないように改良された樹脂封止用金型及び樹脂封
止方法に関するものである。
用金型及び樹脂封止方法に関し、更に詳細には対の金型
の突き合わせ面でリードフレームを挟み、対の金型それ
ぞれの凹部が協同して形成するキャビティに樹脂を注入
して、半導体装置の樹脂封止を行う際に、半導体装置
が、樹脂の注入中にキャビティ内で傾斜したり、移動し
たりしないように改良された樹脂封止用金型及び樹脂封
止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の製造において使
用する従来の樹脂封止用金型は、通常、図６（ａ）及び
（ｂ）に示すような対の金型から構成されている。図６
（ａ）は、型閉された状態の金型とそのキャビティ内に
配置された半導体装置を示した断面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）を別の方向のＸ−Ｘ断面で見た断面図である。
図６（ａ）及び（ｂ）を参照して、従来の樹脂封止用金
型（以下、簡単のため金型と略称する）６４を説明す
る。金型６４は、上金型６０と下金型６２とから構成さ
れ、上金型６０の下面と下金型６２の上面には、それぞ
れ凹部６６と凹部６８が形成されている。上金型６０と
下金型６２とがそれぞれの突き合わせ面６１、６３で突
き合わされる型閉時、凹部６６、６８は、協同してキャ
ビティ９０を形成する。更に金型６４には、ゲート部
（図示せず）が、樹脂注入口としてキャビティ９０に臨
むように形成され、ゲート部にはランナー部（図示せ
ず）が、樹脂注入通路として連通している。
用する従来の樹脂封止用金型は、通常、図６（ａ）及び
（ｂ）に示すような対の金型から構成されている。図６
（ａ）は、型閉された状態の金型とそのキャビティ内に
配置された半導体装置を示した断面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）を別の方向のＸ−Ｘ断面で見た断面図である。
図６（ａ）及び（ｂ）を参照して、従来の樹脂封止用金
型（以下、簡単のため金型と略称する）６４を説明す
る。金型６４は、上金型６０と下金型６２とから構成さ
れ、上金型６０の下面と下金型６２の上面には、それぞ
れ凹部６６と凹部６８が形成されている。上金型６０と
下金型６２とがそれぞれの突き合わせ面６１、６３で突
き合わされる型閉時、凹部６６、６８は、協同してキャ
ビティ９０を形成する。更に金型６４には、ゲート部
（図示せず）が、樹脂注入口としてキャビティ９０に臨
むように形成され、ゲート部にはランナー部（図示せ
ず）が、樹脂注入通路として連通している。
【０００３】図６（ａ）及び（ｂ）の７０はリードフレ
ームに半導体素子を搭載した半導体装置、７２はリード
フレーム、７４は半導体素子、７６は半導体素子を搭載
するリードフレームのダイパッド(Die Pad) 部、８２、
８４はそれぞれダイパッド吊り部、７８、８０はダイパ
ッド吊り部８２、８４のディプレス加工部を示してい
る。ダイパッド吊り部８２、８４は、ダイパッド部７６
をその外側のリードフレームの外郭部（ステイ）に連結
している細長い帯状の部分である。
ームに半導体素子を搭載した半導体装置、７２はリード
フレーム、７４は半導体素子、７６は半導体素子を搭載
するリードフレームのダイパッド(Die Pad) 部、８２、
８４はそれぞれダイパッド吊り部、７８、８０はダイパ
ッド吊り部８２、８４のディプレス加工部を示してい
る。ダイパッド吊り部８２、８４は、ダイパッド部７６
をその外側のリードフレームの外郭部（ステイ）に連結
している細長い帯状の部分である。
【０００４】また、ディプレス加工部７８、８０は、図
７に示すように、ダイパッド吊り部８２、８４の一部を
折曲して押し下げた形状に加工された部分であって、ダ
イパッド部７６を周囲のインナーリード部分より一段低
く凹ませ、半導体素子７４の表面の高さをインナーリー
ドの高さに近づけワイヤボンディングを容易にするため
に設けられた部分である。また、図６（ｂ）の８６はリ
ードフレームの周囲に多数設けられたインナーリード
（以下、簡単のためにリードと略称する）、８８は半導
体素子の電極とリード８６とを電気的に接続する金属細
線を示している。
７に示すように、ダイパッド吊り部８２、８４の一部を
折曲して押し下げた形状に加工された部分であって、ダ
イパッド部７６を周囲のインナーリード部分より一段低
く凹ませ、半導体素子７４の表面の高さをインナーリー
ドの高さに近づけワイヤボンディングを容易にするため
に設けられた部分である。また、図６（ｂ）の８６はリ
ードフレームの周囲に多数設けられたインナーリード
（以下、簡単のためにリードと略称する）、８８は半導
体素子の電極とリード８６とを電気的に接続する金属細
線を示している。
【０００５】前述した金型６４を用いて半導体装置７０
を樹脂封止する場合、先ず、下金型６２の突き合わせ面
６３にリードフレーム７２の樹脂封止部分の外側部分を
載せる。ここで、外側部分とは、リードフレーム７２の
ステイ、ダイパッド吊り部８２、８４及びリード８６を
含む部分である。次いで金型６４を型閉して、図６
（ａ）、（ｂ）に示すように、上金型６０と下金型６２
の突き合わせ面６１、６３の間でリードフレーム７２の
樹脂封止部分の外側部分を挟む。この状態で、半導体装
置７０の樹脂封止部分は、凹部６６と凹部６８との協同
により形成されたキャビティ９０内に位置する。続い
て、ランナー部からゲート部を通してキャビティ９０内
に樹脂を注入し、これを硬化させることにより、樹脂封
止型半導体装置を得るものである。
を樹脂封止する場合、先ず、下金型６２の突き合わせ面
６３にリードフレーム７２の樹脂封止部分の外側部分を
載せる。ここで、外側部分とは、リードフレーム７２の
ステイ、ダイパッド吊り部８２、８４及びリード８６を
含む部分である。次いで金型６４を型閉して、図６
（ａ）、（ｂ）に示すように、上金型６０と下金型６２
の突き合わせ面６１、６３の間でリードフレーム７２の
樹脂封止部分の外側部分を挟む。この状態で、半導体装
置７０の樹脂封止部分は、凹部６６と凹部６８との協同
により形成されたキャビティ９０内に位置する。続い
て、ランナー部からゲート部を通してキャビティ９０内
に樹脂を注入し、これを硬化させることにより、樹脂封
止型半導体装置を得るものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図６の従来の金型を用
いて半導体装置７０を樹脂封止する場合、半導体装置７
０は、リードフレーム７２の樹脂封止部分の外側部分の
みで上下金型６０、６２の突き合わせ面６１、６３によ
り挟持されているので、キャビティ９０内の半導体装置
７０は、細長いダイパッド吊り部８２、８４で吊って保
持された不安定な状態にある。このため、加圧した封止
用樹脂がキャビティ９０内に注入された時、半導体装置
７０の樹脂封止部分は、図８（ａ）に示すように、樹脂
圧力を受けて容易に傾いたり、或いは移動したりして
（以下ステイシフトという）、正しい位置から逸脱した
状態で樹脂封止されてしまうことが多かった。ステイシ
フトが生じると、ダイパッド部７６や金属細線８８が樹
脂９２の表面に露出したり、或いは図８（ｂ）に示すよ
うに金属細線８８が切れたりして、樹脂封止された製品
半導体装置が、不良品となり、そのため樹脂封止工程の
製品歩留りが悪かった。
いて半導体装置７０を樹脂封止する場合、半導体装置７
０は、リードフレーム７２の樹脂封止部分の外側部分の
みで上下金型６０、６２の突き合わせ面６１、６３によ
り挟持されているので、キャビティ９０内の半導体装置
７０は、細長いダイパッド吊り部８２、８４で吊って保
持された不安定な状態にある。このため、加圧した封止
用樹脂がキャビティ９０内に注入された時、半導体装置
７０の樹脂封止部分は、図８（ａ）に示すように、樹脂
圧力を受けて容易に傾いたり、或いは移動したりして
（以下ステイシフトという）、正しい位置から逸脱した
状態で樹脂封止されてしまうことが多かった。ステイシ
フトが生じると、ダイパッド部７６や金属細線８８が樹
脂９２の表面に露出したり、或いは図８（ｂ）に示すよ
うに金属細線８８が切れたりして、樹脂封止された製品
半導体装置が、不良品となり、そのため樹脂封止工程の
製品歩留りが悪かった。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、半導体装置の樹脂封止時におけるステイシフトの発
生を可及的に防止する、半導体装置の樹脂封止用金型及
び樹脂封止方法を提供することを目的とする。
で、半導体装置の樹脂封止時におけるステイシフトの発
生を可及的に防止する、半導体装置の樹脂封止用金型及
び樹脂封止方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、対の金型の突き合わせ面でリードフレーム
を挟み、前記対の金型のそれぞれの凹部が協同して形成
するキャビティに樹脂を注入して、半導体装置を樹脂封
止する樹脂封止金型において、前記対の金型のそれぞれ
の対向する突き合わせ面の一部を延長するように前記キ
ャビティ内に突出させてなる対のクランプ部を設け、前
記リードフレームのダイパッド吊り部を対のクランプ部
の間で挟持するようにしたことを特徴とする半導体装置
の樹脂封止用金型を提供する。
成するため、対の金型の突き合わせ面でリードフレーム
を挟み、前記対の金型のそれぞれの凹部が協同して形成
するキャビティに樹脂を注入して、半導体装置を樹脂封
止する樹脂封止金型において、前記対の金型のそれぞれ
の対向する突き合わせ面の一部を延長するように前記キ
ャビティ内に突出させてなる対のクランプ部を設け、前
記リードフレームのダイパッド吊り部を対のクランプ部
の間で挟持するようにしたことを特徴とする半導体装置
の樹脂封止用金型を提供する。
【０００９】また、本発明は、対の金型の突き合わせ面
でリードフレームを挟み、前記対の金型のそれぞれの凹
部が協同して形成するキャビティに樹脂を注入して、半
導体装置を樹脂封止する際に、前記対の金型のそれぞれ
の対向する突き合わせ面の一部を延長するように前記キ
ャビティ内に突出させてなる対のクランプ部の間に前記
リードフレームのダイパッド吊り部を挟持した状態でキ
ャビティに樹脂を注入することを特徴とする半導体装置
の樹脂封止方法を提供する。
でリードフレームを挟み、前記対の金型のそれぞれの凹
部が協同して形成するキャビティに樹脂を注入して、半
導体装置を樹脂封止する際に、前記対の金型のそれぞれ
の対向する突き合わせ面の一部を延長するように前記キ
ャビティ内に突出させてなる対のクランプ部の間に前記
リードフレームのダイパッド吊り部を挟持した状態でキ
ャビティに樹脂を注入することを特徴とする半導体装置
の樹脂封止方法を提供する。
【００１０】本発明において、リードフレームのダイパ
ッド吊り部とは、リードフレームの外郭部（ステイ）と
リードフレームの中央に配されたダイパッド部とを連結
する細い帯状の部分を意味している。このダイパッド吊
り部は、樹脂封止工程のみならず樹脂封止後のリード切
断工程において、ダイパッド部及びリードをステイに保
持する役目も果たし、通常ダイパッド部とステイとの間
に２本以上設けられている。本発明に係る樹脂封止用金
型は、ダイパッド吊り部の本数、形状を問わず適用で
き、例えば直線状のダイパッド吊り部でも、また折曲さ
れたディプレス加工部を有するダイパッド吊り部でもよ
い。
ッド吊り部とは、リードフレームの外郭部（ステイ）と
リードフレームの中央に配されたダイパッド部とを連結
する細い帯状の部分を意味している。このダイパッド吊
り部は、樹脂封止工程のみならず樹脂封止後のリード切
断工程において、ダイパッド部及びリードをステイに保
持する役目も果たし、通常ダイパッド部とステイとの間
に２本以上設けられている。本発明に係る樹脂封止用金
型は、ダイパッド吊り部の本数、形状を問わず適用で
き、例えば直線状のダイパッド吊り部でも、また折曲さ
れたディプレス加工部を有するダイパッド吊り部でもよ
い。
【００１１】本発明においては、クランプ部の構成に
は、特に制限はなく、キャビティへの樹脂注入時にステ
イシフトが生じないようにダイパッド吊り部を挟持でき
るものであれば、どのような構成であってもよい。好ま
しいクランプ部の構成は、例えば後述する実施例に示す
ように、金型の突き合わせ面の一部をダイパッド吊り部
に沿ってキャビティ内に延長したような構成例である。
また、対の金型の凹部にそれぞれ対向して凸部を形成
し、これら対の金型の凸部の間にダイパッド吊り部を挟
持するようにしてもよい。なお、対のクランプ部は、全
てのダイパッド吊り部を支持するように設けてもよく、
一部のダイパッド吊り部のみを支持することによってス
テイシフトが防止できる場合には、その一部だけを支持
するように設けてもよい。
は、特に制限はなく、キャビティへの樹脂注入時にステ
イシフトが生じないようにダイパッド吊り部を挟持でき
るものであれば、どのような構成であってもよい。好ま
しいクランプ部の構成は、例えば後述する実施例に示す
ように、金型の突き合わせ面の一部をダイパッド吊り部
に沿ってキャビティ内に延長したような構成例である。
また、対の金型の凹部にそれぞれ対向して凸部を形成
し、これら対の金型の凸部の間にダイパッド吊り部を挟
持するようにしてもよい。なお、対のクランプ部は、全
てのダイパッド吊り部を支持するように設けてもよく、
一部のダイパッド吊り部のみを支持することによってス
テイシフトが防止できる場合には、その一部だけを支持
するように設けてもよい。
【００１２】
【作用】本発明においては、金型の型閉時、金型のクラ
ンプ部間でダイパッド吊り部を強固に挟持するため、半
導体装置の樹脂封止部分を支持している支持間隔が、従
来の金型に比べて大幅に短くなり、そのため、半導体装
置の樹脂封止部分は、金型のキャビティ内の正しい位置
で確実に支持されることができる。従って、キャビティ
内への樹脂注入時に、ダイパッド部や半導体素子が樹脂
圧力を受けても、ダイパッド部が傾いたり、移動したり
するステイシフトが生じない。
ンプ部間でダイパッド吊り部を強固に挟持するため、半
導体装置の樹脂封止部分を支持している支持間隔が、従
来の金型に比べて大幅に短くなり、そのため、半導体装
置の樹脂封止部分は、金型のキャビティ内の正しい位置
で確実に支持されることができる。従って、キャビティ
内への樹脂注入時に、ダイパッド部や半導体素子が樹脂
圧力を受けても、ダイパッド部が傾いたり、移動したり
するステイシフトが生じない。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。但し、本発明は下記実施
例に限定されるものではない。尚、本金型で樹脂封止す
る半導体装置の各部分には、図６と同じ符号を付し、そ
の説明を省略する。図１は本発明の一実施例に係る半導
体装置の樹脂封止用金型の斜視図、図２は下金型の凹部
の平面図である。なお、図１は多数のキャビティを有す
る金型の一部を表したものである。図１の金型１０は、
上金型１２と下金型１４とから構成されている。上金型
１２は、下面に四角凹部１６を、下金型１４は、上面に
上金型の四角凹部１６に対向する四角凹部１８をそれぞ
れ有する。図３に示すように、金型１０を型閉した時、
凹部１６及び凹部１８は、協同してキャビティ３６を形
成する。
本発明をより詳細に説明する。但し、本発明は下記実施
例に限定されるものではない。尚、本金型で樹脂封止す
る半導体装置の各部分には、図６と同じ符号を付し、そ
の説明を省略する。図１は本発明の一実施例に係る半導
体装置の樹脂封止用金型の斜視図、図２は下金型の凹部
の平面図である。なお、図１は多数のキャビティを有す
る金型の一部を表したものである。図１の金型１０は、
上金型１２と下金型１４とから構成されている。上金型
１２は、下面に四角凹部１６を、下金型１４は、上面に
上金型の四角凹部１６に対向する四角凹部１８をそれぞ
れ有する。図３に示すように、金型１０を型閉した時、
凹部１６及び凹部１８は、協同してキャビティ３６を形
成する。
【００１４】図１及び図２に示すように、下金型１４の
凹部１８には、２個のクランプ部３２、３４が、一つの
壁部２８及びそれに対向する壁部３０のほぼ中央で突き
合わせ面２７（図３参照）の一部を四角形状に凹部１８
に突き出した形で壁部２８、３０と一体にそれぞれ設け
られている。また、上金型１２の凹部１６には、２個の
クランプ部２４、２６が、下金型のクランプ部３２、３
４と対向してそれぞれクランプ手段を形成するように、
一つの壁部２０及びそれに対向する壁部２２のほぼ中央
で突き合わせ面２５（図３参照）の一部を四角形状に凹
部１６に突き出した形で壁部２０、２２と一体にそれぞ
れ設けられている。クランプ部２４、２６、３２及び３
４の位置は、図３に示す金型１０の型閉時、対向するク
ランプ部２４、３２がその間にダイパッド吊り部８２
を、また対向するクランプ部２６、３４がその間にダイ
パッド吊り部８４を丁度挟持できるような位置である。
また、下金型１４の上面には、一方のクランプ部３２の
側方に存して樹脂の通路となるランナー部４２及び樹脂
の注入口となるゲート部４４がそれぞれ形成されてい
る。
凹部１８には、２個のクランプ部３２、３４が、一つの
壁部２８及びそれに対向する壁部３０のほぼ中央で突き
合わせ面２７（図３参照）の一部を四角形状に凹部１８
に突き出した形で壁部２８、３０と一体にそれぞれ設け
られている。また、上金型１２の凹部１６には、２個の
クランプ部２４、２６が、下金型のクランプ部３２、３
４と対向してそれぞれクランプ手段を形成するように、
一つの壁部２０及びそれに対向する壁部２２のほぼ中央
で突き合わせ面２５（図３参照）の一部を四角形状に凹
部１６に突き出した形で壁部２０、２２と一体にそれぞ
れ設けられている。クランプ部２４、２６、３２及び３
４の位置は、図３に示す金型１０の型閉時、対向するク
ランプ部２４、３２がその間にダイパッド吊り部８２
を、また対向するクランプ部２６、３４がその間にダイ
パッド吊り部８４を丁度挟持できるような位置である。
また、下金型１４の上面には、一方のクランプ部３２の
側方に存して樹脂の通路となるランナー部４２及び樹脂
の注入口となるゲート部４４がそれぞれ形成されてい
る。
【００１５】以上の構成により、金型１０を型閉した
時、図３に示すように、半導体装置７０のリードフレー
ム７２は、上金型１２と下金型１４の突き合わせ面２
５、２７で挟まれる共に、ダイパッド吊り部８２、８４
は、対のクランプ部２４、３２及び別の対のクランプ部
２６、３４によりそれぞれ挟持される。これにより、半
導体装置７０は、上金型１２の凹部１６と下金型１４の
凹部１８とで形成されるキャビティ３６内で正しい位置
から動かないように保持される。
時、図３に示すように、半導体装置７０のリードフレー
ム７２は、上金型１２と下金型１４の突き合わせ面２
５、２７で挟まれる共に、ダイパッド吊り部８２、８４
は、対のクランプ部２４、３２及び別の対のクランプ部
２６、３４によりそれぞれ挟持される。これにより、半
導体装置７０は、上金型１２の凹部１６と下金型１４の
凹部１８とで形成されるキャビティ３６内で正しい位置
から動かないように保持される。
【００１６】本例においては、それぞれダイパッド吊り
部８２、８４を挟持するために、クランプ手段３８及び
４０が、上金型１２のクランプ部２４と下金型１８のク
ランプ部３２との対、及び上金型１２のクランプ部２６
と下金型１８のクランプ部３４との対から構成されてい
る。ダイパッド吊り部８２、８４は、それぞれこれらク
ランプ手段３８、４０によりディプレス加工部７８、８
０の外側で挟持されるようになっている。
部８２、８４を挟持するために、クランプ手段３８及び
４０が、上金型１２のクランプ部２４と下金型１８のク
ランプ部３２との対、及び上金型１２のクランプ部２６
と下金型１８のクランプ部３４との対から構成されてい
る。ダイパッド吊り部８２、８４は、それぞれこれらク
ランプ手段３８、４０によりディプレス加工部７８、８
０の外側で挟持されるようになっている。
【００１７】次に、金型１０を使用して、半導体装置を
樹脂封止する方法を説明する。下金型１４の所定位置に
半導体装置７０を載せ、次いで金型１０を型閉して、図
３に示すように、上金型１２と下金型１４とでリードフ
レーム７２を挟み、クランプ手段３８、４０でダイパッ
ド吊り部８２、８４を挟持する。これにより、半導体装
置７０の樹脂封止部分は、キャビティ３６内の正しい位
置で確実に保持される。続いて、ランナー部４２からゲ
ート部４４を通してキャビティ３６内に樹脂を充填し、
これを硬化させることにより、半導体装置７０がキャビ
ティ３６内の正しく位置で樹脂封止された樹脂封止型半
導体装置を得ることができる。
樹脂封止する方法を説明する。下金型１４の所定位置に
半導体装置７０を載せ、次いで金型１０を型閉して、図
３に示すように、上金型１２と下金型１４とでリードフ
レーム７２を挟み、クランプ手段３８、４０でダイパッ
ド吊り部８２、８４を挟持する。これにより、半導体装
置７０の樹脂封止部分は、キャビティ３６内の正しい位
置で確実に保持される。続いて、ランナー部４２からゲ
ート部４４を通してキャビティ３６内に樹脂を充填し、
これを硬化させることにより、半導体装置７０がキャビ
ティ３６内の正しく位置で樹脂封止された樹脂封止型半
導体装置を得ることができる。
【００１８】なお、本例においては、ダイパッド吊り部
８２、８４のディプレス加工部７８、８０の外側をクラ
ンプ手段３８、４０によってそれぞれ挟持するようにし
たが、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本実施例のの改変
例を示す。図４（ａ）に示す金型は、クランプ部２４、
３２及び２６、３４を比較的長く形成し、かつクランプ
部２４、３２及び２６、３４の先端にディプレス加工部
７８、８０を挟持する下向傾斜部４６、４８を設けるこ
とにより、ダイパッド吊り部８２、８４をディプレス加
工部７８、８０も含めて挟持するようにした金型であ
る。また、図４（ｂ）に示す金型は、クランプ部２４、
３２及び２６、３４を比較的短く形成することにより、
ダイパッド吊り部８２、８４の外端部のみを挟持するよ
うにした金型である。
８２、８４のディプレス加工部７８、８０の外側をクラ
ンプ手段３８、４０によってそれぞれ挟持するようにし
たが、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本実施例のの改変
例を示す。図４（ａ）に示す金型は、クランプ部２４、
３２及び２６、３４を比較的長く形成し、かつクランプ
部２４、３２及び２６、３４の先端にディプレス加工部
７８、８０を挟持する下向傾斜部４６、４８を設けるこ
とにより、ダイパッド吊り部８２、８４をディプレス加
工部７８、８０も含めて挟持するようにした金型であ
る。また、図４（ｂ）に示す金型は、クランプ部２４、
３２及び２６、３４を比較的短く形成することにより、
ダイパッド吊り部８２、８４の外端部のみを挟持するよ
うにした金型である。
【００１９】ここで、図１の金型１０を用いて樹脂封止
を行った樹脂封止型半導体装置（ＩＣモールドパッケー
ジ）を図５に示す。図５（ａ）に示す樹脂封止型半導体
装置５０は、半導体素子を樹脂９２により樹脂封止し、
その後クランプ手段３８、４０による支持箇所５１、５
１とクランプ手段３８、４０間に生じた厚バリ５２、５
２とを残してリードフレームのダイパッド吊り部及びス
テイを切り落としたものである。図５（ｂ）に示す樹脂
封止型半導体装置５３は、図５（ａ）に示した支持箇所
５１、５１及び厚バリ５２、５２を除去し、この除去箇
所を四角溝５４、５４としたものである。この溝は、実
装時の位置決めに利用することもできる。図５（ｃ）に
示す樹脂封止型半導体装置５５は、図５（ａ）の支持箇
所５１、５１及び厚バリ５２、５２に相当する部分に予
めビス穴５６、５６を設けたリードフレームを用いたも
のである。これらのビス穴５６、５６には、フィン５
７、５７をねじ込むことにより、樹脂封止型半導体装置
５５は、優れた熱特性を有することができる。
を行った樹脂封止型半導体装置（ＩＣモールドパッケー
ジ）を図５に示す。図５（ａ）に示す樹脂封止型半導体
装置５０は、半導体素子を樹脂９２により樹脂封止し、
その後クランプ手段３８、４０による支持箇所５１、５
１とクランプ手段３８、４０間に生じた厚バリ５２、５
２とを残してリードフレームのダイパッド吊り部及びス
テイを切り落としたものである。図５（ｂ）に示す樹脂
封止型半導体装置５３は、図５（ａ）に示した支持箇所
５１、５１及び厚バリ５２、５２を除去し、この除去箇
所を四角溝５４、５４としたものである。この溝は、実
装時の位置決めに利用することもできる。図５（ｃ）に
示す樹脂封止型半導体装置５５は、図５（ａ）の支持箇
所５１、５１及び厚バリ５２、５２に相当する部分に予
めビス穴５６、５６を設けたリードフレームを用いたも
のである。これらのビス穴５６、５６には、フィン５
７、５７をねじ込むことにより、樹脂封止型半導体装置
５５は、優れた熱特性を有することができる。
【００２０】なお、本考案において、クランプ部の形状
や構造、クランプ部によるダイパッド吊り部の支持態様
などは前記実施例に限定されるものではなく、例えば前
記実施例ではクランプ手段を一対の４角形状の上下クラ
ンプ部によって構成したが、クランプ部を三角形等の他
の形状としてもよい。
や構造、クランプ部によるダイパッド吊り部の支持態様
などは前記実施例に限定されるものではなく、例えば前
記実施例ではクランプ手段を一対の４角形状の上下クラ
ンプ部によって構成したが、クランプ部を三角形等の他
の形状としてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法によれば、ダ
イパッド吊り部を挟持するクランプ手段を設けることに
より、キャビティ内での半導体装置の支持間隔が、従来
の樹脂封止用金型に比べて大幅に短くなり、キャビティ
への樹脂注入時におけるステイシフトの発生を効果的に
防止することがでる。本発明に係る半導体装置の樹脂封
止金型及び樹脂封止方法を使用すれば、樹脂封止中に、
半導体素子とリードと接続する金属細線が切れたり、半
導体素子や金属細線が樹脂の表面に露出したりする不良
品の発生が大幅に減少し、製品歩留りが向上する。
体装置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法によれば、ダ
イパッド吊り部を挟持するクランプ手段を設けることに
より、キャビティ内での半導体装置の支持間隔が、従来
の樹脂封止用金型に比べて大幅に短くなり、キャビティ
への樹脂注入時におけるステイシフトの発生を効果的に
防止することがでる。本発明に係る半導体装置の樹脂封
止金型及び樹脂封止方法を使用すれば、樹脂封止中に、
半導体素子とリードと接続する金属細線が切れたり、半
導体素子や金属細線が樹脂の表面に露出したりする不良
品の発生が大幅に減少し、製品歩留りが向上する。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の樹脂封止
用金型を示す斜視図である。
用金型を示す斜視図である。
【図２】同金型の下金型を示す平面図である。
【図３】同金型の上金型と下金型で半導体素子を搭載し
たリードフレームを挟んだ状態を示す断面図である。
たリードフレームを挟んだ状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）それぞれクランプ部の他の例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ実施例の
金型を用いて製造した樹脂封止型半導体装置を示す平面
図である。
金型を用いて製造した樹脂封止型半導体装置を示す平面
図である。
【図６】（ａ）は従来の樹脂封止用金型で半導体素子を
搭載したリードフレームを挟んだ状態を示す断面図、
（ｂ）は（ａ）図のＸ−Ｘ断面での断面図である。
搭載したリードフレームを挟んだ状態を示す断面図、
（ｂ）は（ａ）図のＸ−Ｘ断面での断面図である。
【図７】リードフレームのダイパッド吊り部の拡大図で
ある。
ある。
【図８】（ａ）は従来の半導体装置用樹脂封止用金型に
おいてステイシフトが生じた状態を示す断面図、（ｂ）
は（ａ）図のＹ−Ｙ断面での断面図である。
おいてステイシフトが生じた状態を示す断面図、（ｂ）
は（ａ）図のＹ−Ｙ断面での断面図である。
１０ 金型 １２ 上金型 １４ 下金型 １６、１８ 凹部 ２４、２６、３２、３４ クランプ部 ３６ キャビティ ３８、４０ クランプ手段 ７０ 半導体装置 ７２ リードフレーム ７４ 半導体素子 ７６ ダイパッド部 ７８、８０ ディプレス加工部 ８２、８４ ダイパッド吊り部 ８６ リード ８８ 金属細線 ９２ 樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 対の金型の突き合わせ面でリードフレー
ムを挟み、前記対の金型のそれぞれの凹部が協同して形
成するキャビティに樹脂を注入して、半導体装置を樹脂
封止する樹脂封止金型において、 前記対の金型のそれぞれの対向する突き合わせ面の一部
を延長するように前記キャビティ内に突出させてなる対
のクランプ部を設け、前記リードフレームのダイパッド
吊り部を対のクランプ部の間で挟持するようにしたこと
を特徴とする半導体装置の樹脂封止用金型。 - 【請求項２】 対の金型の突き合わせ面でリードフレー
ムを挟み、前記対の金型のそれぞれの凹部が協同して形
成するキャビティに樹脂を注入して、半導体装置を樹脂
封止する際に、 前記対の金型のそれぞれの対向する突き合わせ面の一部
を延長するように前記キャビティ内に突出させてなる対
のクランプ部の間に前記リードフレームのダイパッド吊
り部を挟持した状態でキャビティに樹脂を注入すること
を特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5024987A JPH06210678A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体装置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5024987A JPH06210678A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体装置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06210678A true JPH06210678A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=12153336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5024987A Pending JPH06210678A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体装置の樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06210678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012151511A (ja) * | 2012-05-15 | 2012-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1993
- 1993-01-21 JP JP5024987A patent/JPH06210678A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012151511A (ja) * | 2012-05-15 | 2012-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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