JPH04317363A - ダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
ダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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- JPH04317363A JPH04317363A JP11240391A JP11240391A JPH04317363A JP H04317363 A JPH04317363 A JP H04317363A JP 11240391 A JP11240391 A JP 11240391A JP 11240391 A JP11240391 A JP 11240391A JP H04317363 A JPH04317363 A JP H04317363A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
、特に半導体チップの位置ずれがなく機械的強度の大き
なダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法
に関する。
、特に半導体チップの位置ずれがなく機械的強度の大き
なダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、一般に、ダイ
パッドを有するリードフレームのダイパッドに半導体チ
ップをダイボンディングし、該半導体チップの電極パッ
ドとリードフレームのインナーリードとの間を金等から
なるワイヤによりボンディング（ワイヤボンディング）
し、その後、トランスファーモールド法により半導体チ
ップを樹脂封止し、しかる後、リードフレームの不要部
分を除去してなるものである。
パッドを有するリードフレームのダイパッドに半導体チ
ップをダイボンディングし、該半導体チップの電極パッ
ドとリードフレームのインナーリードとの間を金等から
なるワイヤによりボンディング（ワイヤボンディング）
し、その後、トランスファーモールド法により半導体チ
ップを樹脂封止し、しかる後、リードフレームの不要部
分を除去してなるものである。
【０００３】ところで、半導体装置は薄型化が強く要求
されるようになっている。そのためリードフレームのダ
イパッドをなくし、半導体チップを単にワイヤボンディ
ングすることによりリードフレームに取り付け、その状
態で樹脂封止した半導体装置が開発され始めた。
されるようになっている。そのためリードフレームのダ
イパッドをなくし、半導体チップを単にワイヤボンディ
ングすることによりリードフレームに取り付け、その状
態で樹脂封止した半導体装置が開発され始めた。
【０００４】このような樹脂封止型半導体装置によれば
、リードフレーム（ダイパッド）の厚さ分樹脂パッケー
ジの厚さを薄くでき、装置の薄型化を図ることができる
という点で好ましいといえる。
、リードフレーム（ダイパッド）の厚さ分樹脂パッケー
ジの厚さを薄くでき、装置の薄型化を図ることができる
という点で好ましいといえる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ダイパッド
レス樹脂封止型半導体装置は、半導体チップがダイボン
ディングされず単にワイヤボンディングされたに過ぎな
い状態で樹脂封止されるので、樹脂注入時の注入圧力に
より半導体チップが大きく位置ずれし、ワイヤが切れた
り、ワイヤどうしが接触したり、ワイヤと半導体チップ
が接触したりする不良が生じた。また、樹脂パッケージ
が薄くなるとパッケージの機械的強度が弱くなるという
問題もあった。
レス樹脂封止型半導体装置は、半導体チップがダイボン
ディングされず単にワイヤボンディングされたに過ぎな
い状態で樹脂封止されるので、樹脂注入時の注入圧力に
より半導体チップが大きく位置ずれし、ワイヤが切れた
り、ワイヤどうしが接触したり、ワイヤと半導体チップ
が接触したりする不良が生じた。また、樹脂パッケージ
が薄くなるとパッケージの機械的強度が弱くなるという
問題もあった。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、一つの目的は樹脂封止時に樹脂注入
圧力によって半導体チップが大きく動いてワイヤ切れ、
ワイヤどうしの接触、ワイヤ・半導体チップ間接触等の
不良が生じるのを防止することにあり、他の目的は封止
樹脂の強度を高めることにある。
されたものであり、一つの目的は樹脂封止時に樹脂注入
圧力によって半導体チップが大きく動いてワイヤ切れ、
ワイヤどうしの接触、ワイヤ・半導体チップ間接触等の
不良が生じるのを防止することにあり、他の目的は封止
樹脂の強度を高めることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
に普通の電極パッドのほかにダミー電極パッドを設け、
ダイパッドレスリードフレームの半導体チップ配置部近
傍にガードリードを設け、上記電極パッド及びダミー電
極パッドと、インナーリード及びガードリードとの間を
ワイヤボンディングし、そして、半導体チップを樹脂封
止することを特徴とする。
に普通の電極パッドのほかにダミー電極パッドを設け、
ダイパッドレスリードフレームの半導体チップ配置部近
傍にガードリードを設け、上記電極パッド及びダミー電
極パッドと、インナーリード及びガードリードとの間を
ワイヤボンディングし、そして、半導体チップを樹脂封
止することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置とその製
造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ
）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施
例を示し、（Ａ）は一部切欠斜視図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線
視断面図である。図面において、１は半導体チップで、
互いに反対側に位置する一対の側面１ｂ、１ｂの稍内側
に信号用、電源用の、謂わば普通の電極パッド２、２、
…が形成され、残りの一対の側面１ａ、１ａの稍内側に
は、電気的には全く中立のダミー電極パッド２ａ、２ａ
、…が形成されている。該ダミー電極パッド２ａ、２ａ
、…はリードフレームに半導体チップ１を支持するワイ
ヤの数を増して半導体チップ１をより安定に支持できる
ようにすべく設けられたものである。
造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ
）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施
例を示し、（Ａ）は一部切欠斜視図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線
視断面図である。図面において、１は半導体チップで、
互いに反対側に位置する一対の側面１ｂ、１ｂの稍内側
に信号用、電源用の、謂わば普通の電極パッド２、２、
…が形成され、残りの一対の側面１ａ、１ａの稍内側に
は、電気的には全く中立のダミー電極パッド２ａ、２ａ
、…が形成されている。該ダミー電極パッド２ａ、２ａ
、…はリードフレームに半導体チップ１を支持するワイ
ヤの数を増して半導体チップ１をより安定に支持できる
ようにすべく設けられたものである。
【０００９】３、３、…はインナーリードで、その内端
部と上記電極パッド２、２、…との間がワイヤ４、４、
…により接続されている。５、５はガードリードで、半
導体チップ１のダミー電極パッド２ａ、２ａ、…が形成
された方の一対の側面にそれと稍離間して平行に配置さ
れている。そして、該ガードリード５、５と半導体チッ
プ１のダミー電極パッド２ａ、２ａ、…との間がワイヤ
４、４、…により接続されている。６は封止樹脂である
。
部と上記電極パッド２、２、…との間がワイヤ４、４、
…により接続されている。５、５はガードリードで、半
導体チップ１のダミー電極パッド２ａ、２ａ、…が形成
された方の一対の側面にそれと稍離間して平行に配置さ
れている。そして、該ガードリード５、５と半導体チッ
プ１のダミー電極パッド２ａ、２ａ、…との間がワイヤ
４、４、…により接続されている。６は封止樹脂である
。
【００１０】図２乃至図４は図１に示した樹脂封止型半
導体装置の製造方法を工程順に示す平面図である。 （１）互いに反対側に位置する一対の側面１ｂ、１ｂの
稍内側に信号用、電源用の、謂わば普通の電極パッド２
、２、…が形成され、残りの一対の側面１ａ、１ａの稍
内側には、電気的には全く中立のダミー電極パッド２ａ
、２ａ、…が形成された半導体チップ１を用意し、また
、ガードリード４、４を備えたダイパッドレスのリード
フレーム７を用意する。そして、ワイヤボンディング装
置の所定位置にリードフレーム７及び半導体チップ１を
図２に示すようにセットする。
導体装置の製造方法を工程順に示す平面図である。 （１）互いに反対側に位置する一対の側面１ｂ、１ｂの
稍内側に信号用、電源用の、謂わば普通の電極パッド２
、２、…が形成され、残りの一対の側面１ａ、１ａの稍
内側には、電気的には全く中立のダミー電極パッド２ａ
、２ａ、…が形成された半導体チップ１を用意し、また
、ガードリード４、４を備えたダイパッドレスのリード
フレーム７を用意する。そして、ワイヤボンディング装
置の所定位置にリードフレーム７及び半導体チップ１を
図２に示すようにセットする。
【００１１】（２）次に、図３に示すようにワイヤボン
ディングする。この場合、普通の電極パッド２、２、…
とインナーリード３、３、…先端との間だけでなく、ガ
ードリード５、５とダミー電極パッド２ａ、２ａ、…と
の間をもワイヤボンディングする。すると、リードフレ
ーム１によるワイヤ４、４、…を介しての半導体チップ
１に対する保持力がその分高くなり、ワイヤボンディン
グ後樹脂封止前までの間における保持力不足によるトラ
ブルをなくすことができ、その分不良率が少なくなる。
ディングする。この場合、普通の電極パッド２、２、…
とインナーリード３、３、…先端との間だけでなく、ガ
ードリード５、５とダミー電極パッド２ａ、２ａ、…と
の間をもワイヤボンディングする。すると、リードフレ
ーム１によるワイヤ４、４、…を介しての半導体チップ
１に対する保持力がその分高くなり、ワイヤボンディン
グ後樹脂封止前までの間における保持力不足によるトラ
ブルをなくすことができ、その分不良率が少なくなる。
【００１２】（３）次に、図４に示すように樹脂６を注
入する。６ａは樹脂注入部、６ｂ、６ｂは空気逃げ部で
ある。尚、便宜上図４では樹脂注入に関しては樹脂６の
入る位置を実線で示すに留め、金型、キャビティは図示
しなかった。元来、樹脂注入圧力は決して低くはないの
で半導体チップ１はその圧力により動く。しかし、本樹
脂封止型半導体装置の製造方法ではガードリード４、４
によってその動く量が小さい範囲に規制される。従って
、半導体チップ１が樹脂注入圧力によって位置が大きく
ずれてワイヤ４、４、…が断線したり、ワイヤ４どうし
があるいはワイヤ４と半導体チップ１とが接触したりす
る事故を少なくすることができるのである。尚、その後
は、リードフレーム７の不要部分及び樹脂６の不要部分
が除去される。
入する。６ａは樹脂注入部、６ｂ、６ｂは空気逃げ部で
ある。尚、便宜上図４では樹脂注入に関しては樹脂６の
入る位置を実線で示すに留め、金型、キャビティは図示
しなかった。元来、樹脂注入圧力は決して低くはないの
で半導体チップ１はその圧力により動く。しかし、本樹
脂封止型半導体装置の製造方法ではガードリード４、４
によってその動く量が小さい範囲に規制される。従って
、半導体チップ１が樹脂注入圧力によって位置が大きく
ずれてワイヤ４、４、…が断線したり、ワイヤ４どうし
があるいはワイヤ４と半導体チップ１とが接触したりす
る事故を少なくすることができるのである。尚、その後
は、リードフレーム７の不要部分及び樹脂６の不要部分
が除去される。
【００１３】このように、図１の樹脂封止型半導体装置
、図２乃至図４に示す樹脂封止型半導体装置の製造方法
によれば、普通の電極パッド２、２、…とインナーリー
ド３、３、…先端との間だけでなく、ガードリード５、
５とダミー電極パッド２ａ、２ａ、…との間をもワイヤ
ボンディングするので、リードフレーム１によるワイヤ
４、４、…を介しての半導体チップ１に対する保持力が
その分強くなり、ワイヤボンディング後樹脂封止前まで
の間における保持力不足によるトラブルを少なくするこ
とができ、その分不良率が少なくなる。
、図２乃至図４に示す樹脂封止型半導体装置の製造方法
によれば、普通の電極パッド２、２、…とインナーリー
ド３、３、…先端との間だけでなく、ガードリード５、
５とダミー電極パッド２ａ、２ａ、…との間をもワイヤ
ボンディングするので、リードフレーム１によるワイヤ
４、４、…を介しての半導体チップ１に対する保持力が
その分強くなり、ワイヤボンディング後樹脂封止前まで
の間における保持力不足によるトラブルを少なくするこ
とができ、その分不良率が少なくなる。
【００１４】そして、ガードリード４、４があるので樹
脂注入圧力によって半導体チップ１が動こうとしてもそ
の動きが規制され、ワイヤ４、４、…が断線したり、ワ
イヤ４どうしがあるいはワイヤ４と半導体チップ１とが
接触したりする程は動き得ず、従って不良発生率が低く
なる。
脂注入圧力によって半導体チップ１が動こうとしてもそ
の動きが規制され、ワイヤ４、４、…が断線したり、ワ
イヤ４どうしがあるいはワイヤ４と半導体チップ１とが
接触したりする程は動き得ず、従って不良発生率が低く
なる。
【００１５】また、ガードリード４、４は封止樹脂６に
対して骨としての役割、即ち鉄筋コンクリートにおける
鉄筋の如き役割を果すので、封止樹脂６の機械的強度が
強くなる。
対して骨としての役割、即ち鉄筋コンクリートにおける
鉄筋の如き役割を果すので、封止樹脂６の機械的強度が
強くなる。
【００１６】図５は本発明樹脂封止型半導体装置の他の
実施例の一部切欠斜視図である。本実施例は、ガードリ
ード５、５が両端部が直角に曲り、Ｂ−Ｂ線方向だけで
なくそれと直角方向にも半導体チップ１の動きを抑止し
ている。従って、より完璧にワイヤ４切れ等を防止する
ことができる。尚、図５のＢ−Ｂ線に沿う断面の形状は
図１の（Ｂ）と全く同じなのでＢ−Ｂ線視断面図は省略
する。
実施例の一部切欠斜視図である。本実施例は、ガードリ
ード５、５が両端部が直角に曲り、Ｂ−Ｂ線方向だけで
なくそれと直角方向にも半導体チップ１の動きを抑止し
ている。従って、より完璧にワイヤ４切れ等を防止する
ことができる。尚、図５のＢ−Ｂ線に沿う断面の形状は
図１の（Ｂ）と全く同じなのでＢ−Ｂ線視断面図は省略
する。
【００１７】図６は本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造に使用するリードフレームの別の例を示す平面図、図
７（Ａ）乃至（Ｃ）はそのガードリードの各別の変形例
を示す斜視図である。このように使用するリードフレー
ム、特にガードリードには種々のバリエーションがあり
、図７に示す例のようにガードリードの断面形状をＬ字
状、Ｕ字状、コの字状にすることにより封止樹脂６に対
する骨としての強度を強くし、延いては封止樹脂６の機
械的強度をより強めることができる。
造に使用するリードフレームの別の例を示す平面図、図
７（Ａ）乃至（Ｃ）はそのガードリードの各別の変形例
を示す斜視図である。このように使用するリードフレー
ム、特にガードリードには種々のバリエーションがあり
、図７に示す例のようにガードリードの断面形状をＬ字
状、Ｕ字状、コの字状にすることにより封止樹脂６に対
する骨としての強度を強くし、延いては封止樹脂６の機
械的強度をより強めることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明樹脂封止型半導体装置は、ダミー
電極パッド半導体チップを有した側面にガードリードを
設け、該ガードリードと、上記半導体チップのダミー電
極パッドとの間をワイヤにより接続したことを特徴とす
るものであり、また、本発明ダイパッドレス樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、半導体チップ配置部近傍にガ
ードリードを有するダイパッドレスリードフレームに、
ダミー電極パッドを有する半導体チップを、該半導体チ
ップの各電極パッド及びダミー電極パッドと、上記リー
ドフレームの各インナーリード及び上記ガードリードと
の間をワイヤでボンディングすることにより取り付け、
その後、上記半導体チップを樹脂封止するものである。 従って、本発明によれば、普通の電極パッドとインナー
リード先端との間だけでなく、ガードリードとダミー電
極パッドとの間をもワイヤボンディングするので、リー
ドフレームによるワイヤを介しての半導体チップに対す
る保持力がその分強くなり、ワイヤボンディング後樹脂
封止前までの間における保持力不足によるトラブルをな
くすことができ、その分不良率が少なくなる。そして、
ガードリードがあるので樹脂注入圧力によって半導体チ
ップ１が動こうとしてもその動きが規制され、ワイヤが
断線したり、ワイヤどうしがあるいはワイヤと半導体チ
ップとが接触したりする程は動き得ず、依って不良発生
率が低くなる。また、ガードリードは封止樹脂に対して
骨としての役割、即ち鉄筋コンクリートにおける鉄筋の
如く役割を果すので、封止樹脂の機械的強度が強くなる
。
電極パッド半導体チップを有した側面にガードリードを
設け、該ガードリードと、上記半導体チップのダミー電
極パッドとの間をワイヤにより接続したことを特徴とす
るものであり、また、本発明ダイパッドレス樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、半導体チップ配置部近傍にガ
ードリードを有するダイパッドレスリードフレームに、
ダミー電極パッドを有する半導体チップを、該半導体チ
ップの各電極パッド及びダミー電極パッドと、上記リー
ドフレームの各インナーリード及び上記ガードリードと
の間をワイヤでボンディングすることにより取り付け、
その後、上記半導体チップを樹脂封止するものである。 従って、本発明によれば、普通の電極パッドとインナー
リード先端との間だけでなく、ガードリードとダミー電
極パッドとの間をもワイヤボンディングするので、リー
ドフレームによるワイヤを介しての半導体チップに対す
る保持力がその分強くなり、ワイヤボンディング後樹脂
封止前までの間における保持力不足によるトラブルをな
くすことができ、その分不良率が少なくなる。そして、
ガードリードがあるので樹脂注入圧力によって半導体チ
ップ１が動こうとしてもその動きが規制され、ワイヤが
断線したり、ワイヤどうしがあるいはワイヤと半導体チ
ップとが接触したりする程は動き得ず、依って不良発生
率が低くなる。また、ガードリードは封止樹脂に対して
骨としての役割、即ち鉄筋コンクリートにおける鉄筋の
如く役割を果すので、封止樹脂の機械的強度が強くなる
。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は一部切欠斜視図
、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は一部切欠斜視図
、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図２】図１に示す樹脂封止型半導体装置の製造方法の
第１の工程を示す平面図である。
第１の工程を示す平面図である。
【図３】図１に示す樹脂封止型半導体装置の製造方法の
第２の工程を示す平面図である。
第２の工程を示す平面図である。
【図４】図１に示す樹脂封止型半導体装置の製造方法の
第３の工程を示す平面図である。
第３の工程を示す平面図である。
【図５】本発明樹脂封止型半導体装置の他の実施例の一
部切欠斜視図である。
部切欠斜視図である。
【図６】本発明樹脂封止型半導体装置の製造に用いるリ
ードフレームの一例を示す平面図である。
ードフレームの一例を示す平面図である。
【図７】（Ａ）乃至（Ｃ）はガードリードの各別の変形
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
１ 半導体チップ
２ 電極パッド
２ａ ダミー電極パッド
３ リード
４ ワイヤ
５ ガードリード
６ 封止樹脂
７ リードフレーム
Claims (2)
- 【請求項１】 普通の電極パッドのほかにダミー電極
パッドを有した半導体チップの側面にガードリードを設
け、上記ガードリードと、半導体チップのダミー電極パ
ッドとの間をワイヤにより接続したことを特徴とするダ
イパッドレス樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップ配置部近傍にガードリー
ドを有するダイパッドレスリードフレームに、普通の電
極パッドのほかにダミー電極パッドを有する半導体チッ
プを、該半導体チップの各電極パッド及びダミー電極パ
ッドと、上記リードフレームの各インナーリード及び上
記ガードリードとの間をワイヤでボンディングすること
により取り付け、その後、上記半導体チップを樹脂封止
することを特徴とするダイパッドレス樹脂封止型半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11240391A JPH04317363A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | ダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11240391A JPH04317363A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | ダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317363A true JPH04317363A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14585785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11240391A Pending JPH04317363A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | ダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317363A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125105A (ja) * | 1993-12-08 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO1996030943A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Thin profile integrated circuit package |
| US5708293A (en) * | 1996-01-05 | 1998-01-13 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame and method of mounting semiconductor chip |
| US5776802A (en) * | 1993-12-08 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP11240391A patent/JPH04317363A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125105A (ja) * | 1993-12-08 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5776802A (en) * | 1993-12-08 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| WO1996030943A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Thin profile integrated circuit package |
| US5708293A (en) * | 1996-01-05 | 1998-01-13 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame and method of mounting semiconductor chip |
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