JPH08125105A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH08125105A
JPH08125105A JP6264960A JP26496094A JPH08125105A JP H08125105 A JPH08125105 A JP H08125105A JP 6264960 A JP6264960 A JP 6264960A JP 26496094 A JP26496094 A JP 26496094A JP H08125105 A JPH08125105 A JP H08125105A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 吸湿性の問題が発生せず、製造コストが高く
ならず、半導体チップが殆どダメージを受けず、半導体
チップをリードフレームにセットする工程が容易であ
り、LOC構造を採用することができる半導体装置を提
供する。 【構成】 内部リード3aと外部リード3bとからなる
複数の接続用リード3は、リードフレーム本体から内側
へ延びるように設けられていた後にリードフレーム本体
から切り離されており、半導体チップ1のAl電極5と
電気的に接続されている。屈曲した先端部4aを有する
複数の固定用リード4は、リードフレーム本体から内側
へ延びるように設けられていた後にリードフレーム本体
から切り離されており、先端部4aによって半導体チッ
プ1を挟持している。半導体チップ1、複数の接続用リ
ード3及び複数の固定用リード4は樹脂製のパッケージ
2によって封止されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを樹脂モ
ールドする構造の半導体装置及びその製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化及び高
性能化の進展は著しく、これに伴って電子部品の高機能
化が急速に進んでいる。特にメモリーをはじめとする半
導体装置の分野においては電子部品の高機能化の傾向が
強く、より小型で薄型で低コストで高信頼性で且つ高密
度実装に適した半導体装置が求められている。
【0003】半導体装置のパッケージは、以前はセラミ
ック製が主流であったが、前記の要求から、現在は樹脂
製が主流となり、その中でも、挿入型に比べて高密度の
実装に有利である面実装型の樹脂モールドパッケージの
需要が増えている。面実装型の半導体パッケージとして
は実装形態によりQFP、SOP、SOJ等多くの種類
がある。
【0004】以下、図21を参照しながら、従来の半導
体装置の一例として、SOP型樹脂製パッケージを有す
る半導体装置について説明する。
【0005】図21は従来の第1の半導体装置の断面図
であって、図21において、21は半導体チップ、22
は樹脂よりなるパッケージ、23は42アロイや銅より
なる接続用リード、25はAl電極、26はAuよりな
るボンディングワイヤ、27はダイパッド、28はAg
ペースト等よりなるダイボンドペーストである。
【0006】半導体チップ21はダイボンドペースト2
8によりダイパッド27に固定されている。接続用リー
ド23の内部リード23aにはAg等のめっきが施され
ており、半導体チップ21のAl電極25はボンディン
グワイヤ26を介して接続用リード23の内部リード2
3aに接続されている。封止樹脂22は半導体チップ2
1、ボンディングワイヤ26、ダイパッド27及び内部
リード23aを封止している。接続用リード23の外部
リード23bはパッケージ22の外部に延出している。
【0007】ところで、汎用のメモリー装置の分野にお
いてはパッケージの外形がJEDECやEIAJ等の工
業規格により規格化されているため、世代毎に大型化す
る半導体チップを小型のパッケージに如何にして収納す
るかということが非常に重要な課題である。
【0008】このような課題を解決するため、大面積を
有する半導体チップを小型のパッケージに収納するのに
有利なLOC(Lead On Chip)構造が提案
されている。
【0009】以下、図22を参照しながら、LOC構造
を有する従来の第2の半導体装置について説明する。
【0010】図22は従来の第2の半導体装置の断面図
であって、図22において、21は半導体チップ、22
はパッケージ、23は接続用リード、25はAl電極、
26はボンディングワイヤ、29はポリイミドテープで
ある。図22に示すように、接続用リード23の内部リ
ード23aは半導体チップ21の主面上に配置されてい
る。
【0011】ポリイミドテープ29の両面には予めポリ
エーテルアミド等の熱可塑性接着剤が塗布されており、
該接着剤によって半導体チップ21の主面と内部リード
23aとが接着されている。このように、第2の従来の
半導体装置においては、ポリイミドテープ29によって
半導体チップ21と接続用リード23とを接着している
ので、図21に示したダイパッド27は不要になってい
る。
【0012】このように、LOC構造を有する半導体装
置においては、半導体チップ21の主面上で接続用リー
ド23の内部リード23aを引き回し、内部リード23
aとAl電極25とをボンディングワイヤ26により接
続することによって、半導体チップ21周辺のスペース
を削減し、これにより、大面積の半導体チップ21を小
型のパッケージ22に収納することができる。
【0013】ところが、LOC構造を有する半導体装置
によると、パッケージの背が高くなるという問題がある
ので、パッケージの薄型化を図るために、特開平5−2
35249号公報に開示され、図23に示すような構造
の半導体装置が提案されている。
【0014】以下、図23を参照しながら、従来の第3
の半導体装置について説明する。
【0015】図23において、21は半導体チップ、2
2はパッケージ、23は接続用リードリード、25はA
l電極、26はボンディングワイヤ、30は電源用のバ
スバーである。図23に示すように、電源用のバスバー
30を半導体チップ21の側面に沿って延びるように設
け、該バスバー30と半導体チップ21とを両面接着剤
付きフィルムを介して接着することによって、図21に
示したダイパッド27及び図22に示したポリイミドテ
ープ29を不要にしている。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の第2
の半導体装置には次のような問題点がある。すなわち、
吸湿性が高いポリイミドテープを使用しているため、
ポリイミドテープに吸湿された水分がハンダリフロー時
に気化し、クラックやボイドが発生し易く、吸湿性が
高いポリイミドテープにより内部リード同士が接続され
ているので、ポリイミドテープの吸湿により接続用リー
ド間のリークが発生し易く、ポリイミドテープ付のリ
ードフレームは製造コストが高い。また、半導体チッ
プをリードフレームにセットする際、ポリイミドテープ
の両面の熱可塑性接着剤を溶融して半導体チップと内部
リードとを接着するため、300℃〜400℃の高温の
加熱ツールにより半導体チップとリードフレームとを熱
圧着する必要があるので、加熱ツールの荷重及び熱によ
り半導体チップにダメージが生じる。
【0017】従来の第3の半導体装置には次のような問
題点がある。すなわち、半導体チップを平行に長く延
びるバスバー同士の間にセットする工程が難しく、封
止樹脂の熱によって半導体チップ及びリードフレームが
膨張したときに半導体チップがバスバーから押圧力を受
けるため、半導体チップにダメージが発生し易く、バ
スバーが半導体チップの側面に沿って延びているため、
内部リードの先端はバスバーよりも外側に位置せざるを
得ないので、LOC構造を採用できないという問題があ
る。
【0018】本発明は前記の問題点を一挙に解決し、吸
湿性の問題が発生せず、製造コストが余り高くならず、
半導体チップが殆どダメージを受けず、半導体チップを
リードフレームにセットする工程が容易であり、LOC
構造を採用することができるような半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、リードフレームに、半導体チップの電極
と電気的に接続される接続用リードのほかに、屈曲した
先端部を有する固定用リードを設け、該固定用リードの
先端部によって半導体チップを保持するものである。
【0020】具体的に請求項1の発明が講じた解決手段
は、半導体装置を、半導体チップと、リードフレーム本
体から内側へ延びるように設けられていた後に前記リー
ドフレーム本体から切り離され、前記半導体チップの電
極と電気的に接続されている複数の接続用リードと、前
記リードフレーム本体から内側へ延びるように設けられ
ていた後に前記リードフレーム本体から切り離され、前
記半導体チップ側に屈曲した先端部を有し該先端部によ
り前記半導体チップを保持する複数の固定用リードと、
前記半導体チップ、複数の接続用リード及び複数の固定
用リードを封止している樹脂製のパッケージとを備えて
いる構成とするものである。
【0021】請求項2の発明は、請求項1の構成に、前
記接続用リードの内部リードは前記半導体チップの上側
に延びて該半導体チップの電極と電気的に接続されてい
るという構成を付加するものである。
【0022】請求項3の発明は、請求項1の構成に、前
記固定用リードの先端部は前記半導体チップの側面を保
持しているという構成を付加するものである。
【0023】請求項4の発明は、請求項3の構成に、前
記固定用リードの先端部は前記半導体チップの側面に面
接触しているという構成を付加するものである。
【0024】請求項5の構成は、請求項3の構成に、前
記固定用リードの先端部と前記半導体チップの側面との
間に軟金属又は弾性体が介在しているという構成を付加
するものである。
【0025】請求項6の構成は、請求項3の構成に、前
記固定用リードの先端部と前記半導体チップの側面とは
樹脂又は低融点金属により互いに接合しているという構
成を付加するものである。
【0026】請求項7の構成は、請求項3の構成に、前
記固定用リードの先端部と前記半導体チップの側面とは
接着性を有する絶縁性フィルムにより互いに接合してい
るという構成を付加するものである。
【0027】請求項8の構成は、請求項3の構成に、前
記固定用リードは接地用リードであるという構成を付加
するものである。
【0028】請求項9の構成は、請求項1の構成に、前
記固定用リードの先端部は前記半導体チップの角部を保
持しているという構成を付加するものである。
【0029】請求項10の構成は、請求項9の構成に、
前記固定用リードの先端部に前記半導体チップの角部を
保持する平面視L字状の保持部が設けられているという
構成を付加するものである。
【0030】請求項11の構成は、請求項9の構成に、
前記固定用リードの先端部と前記半導体チップの角部と
の間に軟金属又は弾性体が介在しているという構成を付
加するものである。
【0031】請求項12の構成は、請求項9の構成に、
前記固定用リードの先端部と前記半導体チップの角部と
は樹脂又は低融点金属により互いに接合しているという
構成を付加するものである。
【0032】請求項13の構成は、請求項9の構成に、
前記固定用リードは接地用リードであるという構成を付
加するものである。
【0033】請求項14の発明が講じた解決手段は、半
導体装置の製造方法を、リードフレーム本体と、該リー
ドフレーム本体から内側へ延び電気的接続をするための
複数の接続用リードと、前記リードフレーム本体から内
側へ延び且つ屈曲した先端部を有する複数の固定用リー
ドとを有するリードフレームを設ける第1の工程と、前
記複数の固定用リードの先端部により前記半導体チップ
を保持する第2の工程と、前記半導体チップ、複数の接
続用リード及び複数の固定用リードを樹脂により封止し
て樹脂製のパッケージを形成する第3の工程と、前記複
数の接続用リード及び複数の固定用リードを前記リード
フレーム本体から切り離す第4の工程とを備えている構
成とするものである。
【0034】請求項15の発明は、請求項14の構成
に、前記第2の工程と前記第3の工程との間に、前記半
導体チップの電極と前記接続用リードの内部リードとを
ボンディングワイヤにより電気的に接続する工程をさら
に備えているという構成を付加するものである。
【0035】請求項16の発明は、請求項14の構成
に、前記第1の工程は、前記複数の固定用リードをその
先端部同士の間隔が前記半導体チップの寸法よりも若干
小さくなるように設ける工程を有し、前記第2の工程
は、前記複数の固定用リードの先端部を該先端部同士の
間隔が前記半導体チップの寸法よりも大きくなるように
外側へ拡げる先端部拡開工程と、前記半導体チップを前
記リードフレームにセットする半導体チップセット工程
と、前記複数の固定用リードの先端部を内側へ戻して該
先端部に前記半導体チップを挟持させる半導体チップ保
持工程とを有するという構成を付加するものである。
【0036】請求項17の発明は、請求項16の構成
に、前記第1の工程は、前記複数の固定用リードを各固
定用リードが前記リードフレーム本体に対して弾性力を
有するように設ける工程を有し、前記第2の工程におけ
る前記半導体チップ保持工程は、前記複数の固定用リー
ドが前記リードフレームに対して有する弾性力によって
前記先端部に前記半導体チップを挟持させる工程を有す
るという構成を付加するものである。
【0037】請求項18の構成は、請求項16の構成
に、前記第1の工程は、前記複数の固定用リードをその
先端部が固定用リード本体に対して弾性力を有するよう
に設ける工程を有し、前記第2の工程における前記半導
体チップ保持工程は、前記先端部が前記固定用リード本
体に対して有する弾性力によって前記先端部に前記半導
体チップを挟持させる工程を有しているという構成を付
加するものである。
【0038】請求項19の構成は、請求項16の構成
に、前記第2の工程における前記先端部拡開工程は、前
記リードフレームを加熱することによって前記複数の固
定用リードの先端部を外側へ拡げる工程を有していると
いう構成を付加するものである。
【0039】請求項20の構成は、請求項16の構成
に、前記第2の工程における前記半導体チップ保持工程
は、前記固定用リードの先端部と前記半導体チップとの
間に設けられ前記半導体チップよりも柔らかい物体を介
して前記先端部に前記半導体チップを挟持させる工程を
有するという構成を付加するものである。
【0040】請求項21の発明は、請求項20の構成
に、前記半導体チップよりも柔らかい物体は弾性体であ
るという構成を付加するものである。
【0041】請求項22の発明は、請求項14の構成
に、前記第1の工程は、前記複数の固定用リードをその
先端部同士の間隔が前記半導体チップの寸法よりも若干
大きくなるように設ける工程を有し、前記第2の工程
は、前記半導体チップを前記リードフレームにセットす
る半導体チップセット工程と、前記固定用リードの先端
部と前記半導体チップとを接合して前記先端部に前記半
導体チップを保持させる半導体チップ保持工程とを有す
るという構成を付加するものである。
【0042】請求項23の発明は、請求項22の構成
に、前記第2の工程における前記半導体チップ保持工程
は、前記固定用リードの先端部と前記半導体チップとを
低融点金属により接合する工程を有しているという構成
を付加するものである。
【0043】請求項24の発明は、請求項22の構成
に、前記第2の工程における前記半導体チップ保持工程
は、前記固定用リードの先端部と前記半導体チップとを
絶縁性樹脂により接合する工程を有しているという構成
を付加するものである。
【0044】請求項25の発明は、請求項22の構成
に、前記第2の工程における前記半導体チップ保持工程
は、前記固定用リードの先端部と前記半導体チップとを
接着性を有する絶縁性フィルムにより接合する工程を有
しているという構成を付加するものである。
【0045】請求項26の構成は、請求項14の構成
に、前記第2の工程は、前記固定用リードの先端部に前
記半導体チップの側面を保持させる工程を有していると
いう構成を付加するものである。
【0046】請求項27の構成は、請求項14の構成
に、前記第2の工程は、前記複数の固定用リードの先端
部に前記半導体チップの角部を保持させる工程を有して
いるという構成を付加するものである。
【0047】
【作用】請求項1の構成により、複数の固定用リードの
先端部は、屈曲しているため固定用リード本体に対して
弾性を有している。また、複数の接続用リード及び複数
の固定用リードはそれぞれリードフレーム本体から内側
へ延びるように設けられているため接続用リードと固定
用リードとが交差することがない。さらに、固定用リー
ドは屈曲した先端部を有しているため、接続用リードと
は形状が異なっている。
【0048】請求項2の構成により、接続用リードの先
端部は前記半導体チップの上側に延びて該半導体チップ
の電極と電気的に接続されているため、半導体チップの
側方にボンディングワイヤを設ける必要がないので、半
導体チップの側端とパッケージの外面との間の封止樹脂
の厚さを最低限にすることができる。また、接続用リー
ドの内部リードから半導体チップ上に共通電極を延ばす
ことができるため、共通電極の分散配置が可能になると
共に半導体チップの内部領域に電極を配置することもで
きる。
【0049】請求項3の構成により、固定用リードの先
端部が半導体チップの側面を保持している構造であるた
め、先端部による半導体チップの保持が確実になる。
【0050】請求項4の構成により、固定用リードの先
端部は半導体チップの側面に面接触しているため、先端
部と半導体チップの側面との接触面積が大きくなる。
【0051】請求項5の構成により、固定用リードの先
端部と半導体チップの側面との間に軟金属又は弾性体が
介在しているため、半導体チップが固定用リードの先端
部から受ける機械的応力が低減する。
【0052】請求項6の構成により、固定用リードの先
端部と半導体チップの側面とは樹脂又は低融点金属によ
り互いに接合しているため、固定用リードの先端部と半
導体チップの側面との間に間隔をおいた状態で半導体チ
ップをリードフレームにセットすることができる。
【0053】請求項7の構成により、固定用リードの先
端部と半導体チップの側面とは接着性を有する絶縁性フ
ィルムにより互いに接合しているため、固定用リードの
先端部と半導体チップとの接合が容易であると共に固定
用リードと半導体チップとの絶縁が確実である。
【0054】請求項8の構成により、接地用リードは電
気的にグラウンドである半導体チップの側面に接触して
も支障がないので、固定用リードに接地用リードを兼ね
させることができる。
【0055】請求項9の構成により、固定用リードの先
端部が半導体チップの角部を保持している構造であるた
め、固定用リードをリードフレームにおける接続用リー
ドに対して邪魔にならない位置に設けることができる。
【0056】請求項10の構成により、固定用リードの
先端部に半導体チップの角部を保持する平面視L字状の
保持部が設けられているので、先端部による半導体チッ
プの保持が確実になる。
【0057】請求項11の構成により、固定用リードの
先端部と半導体チップの側面との間に軟金属又は弾性体
が介在しているため、半導体チップが固定用リードから
受ける機械的応力が低減するので、半導体チップが固定
用リードから受けるダメージを小さくすることができ
る。
【0058】請求項12の構成により、固定用リードの
先端部と半導体チップの側面とは樹脂又は低融点金属に
より互いに接合しているため、固定用リードの先端部と
半導体チップの側面との間に間隔をおいた状態で半導体
チップをリードフレームにセットできるので、半導体チ
ップが固定用リードから受けるダメージを小さくするこ
とができる。
【0059】請求項13の構成により、接地用リードは
電気的にグラウンドである半導体チップの側面に接触し
ても支障がないので、固定用リードに接地用リードを兼
ねさせることができる。
【0060】請求項14の構成により、固定用リードの
先端部は屈曲しているため、該先端部は固定用リード本
体に対して弾性を有している。また、複数の接続用リー
ド及び複数の固定用リードはそれぞれリードフレーム本
体から内側へ延びるように設けられているため接続用リ
ードと固定用リードとが交差することがない。さらに、
固定用リードは屈曲した先端部を有しているため、接続
用リードとは形状が異なっている。
【0061】請求項15の構成により、第2の工程と第
3の工程との間に、半導体チップと接続用リードの内部
リードとをボンディングワイヤにより電気的に接続する
工程を備えているため、半導体チップと接続用リードの
内部リードとがワイヤボンディングされた構造を確実に
実現できる。
【0062】請求項16の構成により、複数の固定用リ
ードはその先端部同士の間隔が半導体チップの寸法より
も若干小さくなるように設けられ、先端部同士の間隔が
半導体チップの寸法よりも大きくなるように外側へ拡げ
られた状態で半導体チップをリードフレームにセットし
た後、先端部を内側へ戻して該先端部に半導体チップを
挟持させるため、半導体チップセット工程において半導
体チップが固定用リードから受けるダメージを小さくす
ることができる。
【0063】請求項17の構成により、複数の固定用リ
ードは各固定用リードがリードフレーム本体に対して弾
性力を有するように設けられているため、複数の固定用
リードがリードフレーム本体に対して有する弾性力によ
って固定用リードの先端部に半導体チップを挟持させる
ことができる。
【0064】請求項18の構成により、複数の固定用リ
ードはその先端部が固定用リード本体部に対して弾性力
を有するように設けられているため、先端部が固定用リ
ード本体に対して有する弾性力によって先端部に半導体
チップを挟持させることができる。
【0065】請求項19の構成により、第2の工程にお
ける先端部拡開工程は、リードフレームを加熱すること
によって複数の固定用リードの先端部を外側へ拡げる工
程を有しているため、リードフレームに機械的な変形を
加えることなく先端部を外側へ拡げることができる。
【0066】請求項20の構成により、第2の工程にお
ける半導体チップ保持工程においては、半導体チップよ
りも柔らかい物体を介して固定リードの先端部に半導体
チップを挟持させるため、半導体チップが固定リードか
ら受けるダメージは一層少なくなる。
【0067】請求項21の構成により、半導体チップよ
りも柔らかい物体は弾性体であるため、半導体チップが
固定リードから受けるダメージはより一層少なくなる。
【0068】請求項22の構成により、複数の固定用リ
ードをその先端部同士の間隔が半導体チップの寸法より
も若干大きくなるように設けているため、半導体チップ
をリードフレームに半導体チップと固定用リードの先端
部との間に間隔が設けられた状態でセットすることがで
きるので、半導体チップセット工程において半導体チッ
プが固定用リードから受けるダメージを少なくすること
ができる。
【0069】請求項23の構成により、固定用リードの
先端部と半導体チップとは低融点金属により接合される
ので、半導体チップに与えられる熱的なダメージを少な
くして固定用リードの先端部と低融点金属とを確実に接
合することができる。
【0070】請求項24の構成により、固定用リードの
先端部と半導体チップとは絶縁性樹脂により接合される
ので、半導体チップに熱的なダメージを全く与えること
なく固定用リードの先端部と半導体チップとを接合する
ことができると共に、固定用リードと半導体チップとの
間の絶縁性を確保することができる。
【0071】請求項25の構成により、固定用リードの
先端部と半導体チップとは接着性を有する絶縁性フィル
ムにより接合されるので、固定用リードの先端部と半導
体チップとの接合が容易であると共に、固定用リードと
半導体チップとの間の絶縁性を確保することができる。
【0072】請求項26の構成により、固定用リードの
先端部に半導体チップの側面を保持させるため、半導体
チップを確実に保持することができる。
【0073】請求項27の構成により、固定用リードの
先端部に半導体チップの角部を保持させるため、固定用
リードをリードフレームにおける接続用リードに対して
邪魔にならない位置に設けることができるので、リード
フレームの設計の自由度が制約を受け難い。
【0074】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【0075】図1及び図2(A),(B)は本発明の第
1実施例に係る半導体装置を示し、図1は該半導体装置
の断面図、図2(A)は前記半導体装置における半導体
チップ及びリードフレームの平面図、図2(B)は図2
(A)におけるB−B´線の断面図である。
【0076】図1及び図2(A),(B)において、1
は半導体チップ、2は樹脂よりなるパッケージ、3は接
続用リード、4は固定用リード、5は半導体チップ1上
の中央部に設けられたAl電極、6はAuよりなるボン
ディングワイヤである。リードフレームは、42アロイ
や銅によって形成されており、リードフレーム本体15
と該リードフレーム本体15から内側へそれぞれ延びる
複数の接続用リード3及び複数の固定用リード4とを有
しているがダイパッドは有していない。
【0077】接続用リード3の内部リード3aは、半導
体チップ1の内部領域の上まで延びており、該内部領域
においてボンディングワイヤ6によりAl電極5と電気
的に接続されている。
【0078】固定用リード4の先端部4aは、下側つま
り半導体チップ1側へ屈曲しており、屈曲部の弾性力に
よって半導体チップ1をその両側面から挟持している。
【0079】前述した半導体チップ1、接続用リード
3、固定用リード4及びボンディングワイヤ6はパッケ
ージ2により封止されている。尚、接続用リード3の外
部リード3bは、パッケージ2の外側に位置し、所定の
形状に成形加工されている。また、図2(A)におい
て、16は半導体チップ1上において両端の接続用リー
ド3の内部リード3a同士を接続するように設けられた
グラウンドや電源の共通電極である。
【0080】以下、図3(A)〜(E)を参照しながら
第1実施例に係る半導体装置の製造方法について説明す
る。
【0081】まず、図3(A)に示すように、リードフ
レーム本体15(図3(A)においては図示を省略して
いる。)と、リードフレーム本体15から内側へ延びる
複数の接続用リード3と、リードフレーム本体15から
内側へ延び且つ屈曲した先端部4aを有する複数の固定
用リード4とを有するリードフレームを設ける。この場
合、対向する固定用リード4の先端部4a同士の距離は
半導体チップ1の寸法よりも若干小さくしておく。その
後、図示しない治具の上に半導体チップ1を載置すると
共に、図示しないピン等により固定用リード4の先端部
4aを外側に拡げた状態でリードフレームを前記の治具
にセットする。これにより、半導体チップ1はリードフ
レームにセットされる。
【0082】次に、前述したピンを固定用リード4から
外して、外側に拡げられていた固定用リード4の先端部
4aを元に戻す。このようにすると、図3(B)に示す
ように、固定用リード4の先端部4aは屈曲部の有する
弾性力によって半導体チップ1をその両側面から挟持
し、これにより、半導体チップ1はリードフレームに保
持される。
【0083】次に、図3(C)に示すように、接続用リ
ード3の内部リード3aと半導体チップ1のAl電極5
とをボンディングワイヤ6によりボンディングすること
により接続用リード3とAl電極5とを電気的に接続す
る。第1実施例においては、接続用リード3とAl電極
5とのボンディングは半導体チップ1上の中空において
行なった。中空におけるボンディングは超音波の出力を
上げて内部リード3aに加わる荷重を小さくすることに
より容易に実現可能であるが、超音波の出力を下げたい
場合には、内部リード3aに屈曲した先端部を設け、該
先端部を半導体チップ1に接触させた状態で接続する。
【0084】次に、図3(D)に示すように、半導体チ
ップ1、接続用リード3の内部リード3a、固定用リー
ド4及びボンディングワイヤ6を樹脂よりなるパッケー
ジ2によって封止する。
【0085】次に、図3(E)に示すように、接続用リ
ード3の内部リード3a及び固定用リード4をリードフ
レーム本体15から切り離すと共に接続用リード3の外
部リード3bを折り曲げ加工して第1実施例に係る半導
体装置を得る。
【0086】第1実施例に係る半導体装置によると、屈
曲することにより固定用リード本体に対して弾性を有し
ている固定用リード4の先端部4aによって半導体チッ
プ1を挟持しているため、半導体チップ1が固定用リー
ド4から受けるダメージが少ないと共に半導体チップ1
は確実にリードフレームに保持されており、また、固定
用リード4の先端部4a同士の間隔を拡げた状態で半導
体チップ1をリードフレームにセットするので半導体チ
ップ1のリードフレームへのセットが容易である。
【0087】また、固定用リード4は屈曲した先端部4
aを有しており、直線状に延びる内部リード3aを有す
る接続用リード3とは形状が異なるため、接続用リード
3とAl電極5とをボンディングワイヤ6により接続す
る工程において画像認識のミスが発生し難いので、ワイ
ヤボンディングを正確に行なうことができる。
【0088】また、固定用リード4の先端部4aにより
半導体チップ1を保持するので、ダイパッドを省略する
ことができる。これによって、ダイパッドの裏面におけ
るパッケージ2の剥離が無くなると共にパッケージ2の
内部における応力が低減するので、パッケージ2の信頼
性が向上する。また、ダイパッドを省略できるので、パ
ッケージ2を薄型化することもできる。さらに、ダイボ
ンドペーストを用いないためダイボンドペーストの硬化
工程が不要になるので、低コスト化及び高信頼性化が可
能になる。
【0089】また、半導体チップ1の内部領域の上に接
続用リード3の内部リード3aを配置しているため、半
導体チップ1の内部領域においてワイヤボンディングで
きるので、半導体チップ1の側端部とパッケージ2の外
面との間の封止樹脂の厚さを最低限に例えば0.5ミリ
程度にすることができる。また、接続用リード3の内部
リード3aから半導体チップ1上に共通電極16を延ば
すことができるため、半導体チップ1の内部領域にグラ
ウンドや電源の電極を配置することが可能になり、抵抗
成分が減少するのでノイズが低減する。また、Al電極
5を半導体チップ1の中央部に集中的に配置することが
可能になるため、半導体チップ1の信号の伝達経路を従
来の1/2程度に短縮できるので、半導体チップ1の高
速化及び低消費電力化が可能となる。また、半導体チッ
プ1の設計自由度が高まると共に配線幅を狭くできるの
で、半導体チップ1の面積を縮小できる。さらに、半導
体チップ1の上に設けられた内部リード3aに放熱効果
も期待できる。
【0090】尚、前記第1実施例においては、ピン等に
より固定用リード4の先端部4aを外側に拡げ、その
後、ピン等を固定用リード4から外して外側に拡げられ
ていた固定用リード4の先端部4aを元に戻し、半導体
チップ1をリードフレームにセットしたが、これに代え
て、リードフレームを加熱することにより固定用リード
4の先端部4aを半導体チップ1に対して外側へ拡げ、
その後、リードフレームを冷却することにより、固定用
リード4の先端部4aに半導体チップ1を挟持させても
よい。
【0091】固定用リード4の先端部4aのリードフレ
ーム本体15に対する屈曲角度θについては、図4
(A)に示すように鋭角にするか、又は図4(B)に示
すように直角にすることが好ましい。屈曲角度θについ
ては、固定用リード4の先端部4aによる挟持の方法及
び固定用リード4の形状等によって選択することができ
る。もっとも、図4(C)に示すように屈曲角度θが鈍
角になると、固定用リード4の先端部4aによって半導
体チップ1を挟持することが困難になる。
【0092】固定用リード4の先端部4aによる半導体
チップ1の側面の挟持の方法については、図5(A)に
示すような線接触支持、図5(B)に示すような表面支
持、図5(C)に示すような先端面支持のいずれでもよ
い。図5(C)の場合には、固定用リード4の先端部4
aの先端面形状を半導体チップ1の側面に沿うように予
め加工しておく必要がある。図5(A)に示すように線
接触支持にすると、強い力で半導体チップ1を挟持でき
る反面、半導体チップ1の受けるダメージが大きくな
り、図5(B),(C)に示すように面接触支持にする
と接触面積が大きくなり挟持が安定すると共に半導体チ
ップ1が受けるダメージが少なくなる。
【0093】固定用リード4の先端部4aが線接触する
半導体チップ1の側面の高さ位置については、図6
(A)に示すように半導体チップ1の主面に近い位置、
図6(B)に示すように半導体チップ1の中央部付近の
位置、図6(C)に示すように半導体チップ1の裏面に
近い位置等を選択可能である。また、固定用リード4の
先端部4aが面接触する半導体チップ1の側面の高さ位
置については、図6(D)に示すように半導体チップ1
の主面から中央部付近に架けての領域、図6(E)に示
すように半導体チップ1の中央部付近から裏面に架けて
の領域、図6(F)に示すように半導体チップ1の主面
から裏面に掛けての領域等を選択可能である。この挟持
位置については、半導体チップ1やリードフレームの形
状、半導体チップ1が受けるダメージの大きさ、半導体
チップ1の保持の確実性、パッケージ2の構造のバラン
スや信頼性等を考慮して最適なものを選択することが好
ましい。
【0094】固定用リード4の先端部4aの下端の位置
と半導体チップ1の裏面の位置との関係については、図
7(A)に示すように先端部4aの下端が半導体チップ
1の裏面よりも下側に位置してもよいし、図7(B)に
示すように先端部4aの下端が半導体チップ1の側面の
略中央に位置してもよいし、図7(C)に示すように先
端部4aの下端が半導体チップ1の裏面と同位置であっ
てもよい。もっとも、図7(A)に示すように先端部4
aの下端が半導体チップ1の裏面よりも下側に位置する
と、チップステージ上において半導体チップ1をリード
フレームにセットする際に先端部4aがチップステージ
に当たってしまう。図7(B)に示すように先端部4a
の下端が半導体チップ1の側面の略中央に位置すると、
先端部4aがチップステージに当たる虞れはないが、高
さの位置決めが困難である。図7(C)に示すように先
端部4aの下端が半導体チップ1の裏面と同位置である
と、先端部4aがチップステージに当たる虞れが無いと
共に高さの位置決めも容易である。
【0095】尚、半導体チップ1の主面と内部リード3
aとの距離は50〜200μmの範囲が適当である。そ
の理由は、内部リード3aから放出されるα線や内部リ
ード3aの電気容量による影響を少なくするには内部リ
ード3aと半導体チップ1の主面との距離は50μm以
上が必要であり、パッケージ2の薄型化や内部リード3
aによる放熱効果を得るには内部リード3aと半導体チ
ップ1の主面との距離は200μm以下であることが望
ましいからである。
【0096】図8は本発明の第2実施例に係る半導体装
置の断面図である。
【0097】第2実施例においては、固定用リード4の
先端部4aは、U字状に形成されることによって固定用
リード本体に対して弾性力を有しており、該弾性力によ
って半導体チップ1を挟持している。この場合にも、固
定用リード4の先端部4a同士の距離を半導体チップ1
の寸法よりも若干小さくしておき、半導体チップ1によ
り固定用リード4の先端部4aが外側に拡げられた状態
で半導体チップ1をリードフレームにセットする。これ
により、半導体チップ1は固定用リード4の先端部4a
が固定用リード本体に対して有する弾性力によって挟持
される。
【0098】図9(A),(B)は第2実施例の変形例
を示しており、第2実施例のように固定用リード4の先
端部4aをU字状に形成する代わりに、図9(A)に示
すように先端部4aを湾曲させてもよいし、図9(B)
に示すように先端部4aに円弧状部分を設けてもよい。
このような変形例においても、半導体チップ1は固定用
リード4の先端部4aが固定用リード本体に対して有す
る弾性力によって挟持される。
【0099】図10(A),(B)は本発明の第3実施
例に係る半導体装置における固定用リード4の先端部4
aの形状を示している。第3実施例においては、固定用
リード4の先端部4aは、半導体チップ1側に屈曲した
後、半導体チップ1の側面に沿って直線状に延びる形状
に形成されている。この場合、図10(A)に示すよう
に、固定用リード4の先端部4aを半導体チップ1の角
部と対向する位置で屈曲させた後、半導体チップ1の側
面に沿って延びる形状にしたり、或いは、図10(B)
に示すように、固定用リード4の先端部4aを半導体チ
ップ1の側方の略中央部と対向する位置で屈曲させた
後、半導体チップ1の側面に沿って両側に延びる形状に
したりすることができる。
【0100】このようにすると、固定用リード4の先端
部4aと半導体チップ1の側面との接触面積が大きくな
って摩擦力が大きくなるので、固定用リード4の先端部
4aと半導体チップ1との位置ずれ及び半導体チップ1
の移動が規制される。
【0101】図11は本発明の第4実施例に係る半導体
装置の断面構造を示している。第4実施例においては、
固定用リード4の先端部4aと半導体チップ1の側面と
の間に半導体チップ4よりも柔らかい軟金属7が介在し
ている。第3実施例に係る半導体装置を製造するには、
固定用リード4の先端部4aに予め軟金属7を取り付け
ておき、第1実施例と同様に固定用リード4の先端部4
aを外側に拡げた状態で半導体チップ1をリードフレー
ムにセットする。
【0102】このようにすると、半導体チップ1をリー
ドフレームにセットする際に半導体チップ1が固定用リ
ード4の先端部4aから受ける応力及びパッケージ2を
形成するために充填される樹脂の熱によって半導体チッ
プ1が固定用リード4の先端部4aから受ける応力を緩
和することができるので、半導体チップ1が受けるダメ
ージを軽減することができる。
【0103】図12は第4実施例の変形例を示し、該変
形例においては、軟金属7の代わりに、絶縁性を有する
樹脂よりなる弾性体8が介在している。この変形例によ
っても、半導体チップ1が受けるダメージを軽減するこ
とができる。
【0104】図13は本発明の第5実施例に係る半導体
装置におけるリードフレームの平面構造を示している。
【0105】第5実施例においては、リードフレーム本
体15における固定用リード4が設けられている部位に
矩形状の開口部15aが設けられており、これにより、
固定用リード4はリードフレーム本体15に対して弾性
力を有しており、該弾性力によって固定用リード4の先
端部4aは半導体チップ1を挟持している。この場合に
も、固定用リード4の先端部4a同士の距離を半導体チ
ップ1の寸法よりも若干小さくしておき、先端部4a同
士の距離が半導体チップ1の寸法よりも若干大きくなる
ように先端部4aをピン等で拡げた状態で半導体チップ
1をリードフレームにセットする。これにより、半導体
チップ1は固定用リード4がリードフレーム本体15に
対して有する弾性力によって挟持される。
【0106】図14は本発明の第6実施例に係る半導体
装置の断面構造を示している。
【0107】第6実施例においては、固定用リード4の
先端部4aと半導体チップ1とはハンダ等の低融点金属
9により接合している。第6実施例に係る半導体装置を
製造するには、第1〜第5実施例と異なり、固定用リー
ド4の先端部4a同士の距離を半導体チップ1の寸法よ
りも若干大きくしておくと共に、固定用リード4の先端
部4aの半導体チップ1側に予め低融点金属9を塗布し
ておく。この状態で、半導体チップ1をリードフレーム
にセットし、その後、低融点金属9を溶融させて固定用
リード4の先端部4aと半導体チップ1とを接合する。
低融点金属9の融点としては、半導体チップ1が受ける
ダメージを少なくするために、400℃以下の温度が好
ましい。
【0108】図15は第6実施例の第1変形例を示して
おり、該第1変形例においては、第6実施例の低融点金
属9に代えて、熱可塑性、光硬化性又は熱硬化性を有す
る絶縁性樹脂10を用いている。該第1変形例に係る半
導体装置を製造するには、固定用リード4の先端部4a
に予め熱可塑性、光硬化性又は熱硬化性を有する絶縁性
樹脂10を塗布しておき、この状態で、半導体チップ1
をリードフレームにセットし、その後、絶縁性樹脂10
に熱を加えたり或いは光を照射したりして固定用リード
4の先端部4aと半導体チップ1とを接合する。
【0109】図16は第6実施例の第2の変形例を示し
ており、該第2変形例においては、第6実施例の低融点
金属9に代えて、両面に熱可塑性、光硬化性又は熱硬化
性の樹脂が塗布された絶縁性フィルム11を用いてい
る。第2変形例に係る半導体装置の製造方法は第1変形
例に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【0110】尚、第6実施例、第6実施例の第1又は第
2の変形例のように、固定用リード4の先端部4a同士
の距離を半導体チップ1の寸法よりも若干大きくしてお
き、固定用リード4の先端部4aと半導体チップ1とを
接合する場合には、固定用リード4の先端部4aと半導
体チップ1の片面のみとを接合してもよい。
【0111】また、第6実施例、第6実施例の第1又は
第2の変形例においては、低融点金属9、絶縁性樹脂1
0又は絶縁性フィルム11は予め固定用リード4の先端
部4aに設けられていたが、これに代えて、半導体チッ
プ1をリードフレームにセットする際に、固定用リード
4の先端部4aと半導体チップ1との間に挿入してもよ
い。
【0112】図17(A)〜(C)は、低融点金属9又
は絶縁性樹脂10を予め固定用リード4の先端部4aに
塗布する工程を示している。すなわち、図17(A)に
示すように、固定用リード4の先端部4aが屈曲するよ
うにリードフレームを設けておき、図17(B)に示す
ように、固定用リード4の先端部4aを塗布用ステージ
13の上に設けられた低融点金属9又は絶縁性樹脂10
に漬けて、図17(C)に示すように、固定用リード4
の先端部4aに低融点金属9又は絶縁性樹脂10を付着
させる。本発明においては、固定用リード4の先端部4
aは屈曲しているので、固定用リード4の先端部4aの
みを低融点金属9又は絶縁性樹脂10に漬けることが容
易である。
【0113】図18(A),(B)及び図19は本発明
の第7実施例に係る半導体装置を示しており、図18
(A)はパッケージ2を省略した平面図、図18(B)
はリードフレームの斜視図、図19はパッケージ2及び
リードフレーム本体15を省略した斜視図である。
【0114】第7実施例例においては、固定用リード4
は半導体チップ1の4つの角部と対向する部位に設けら
れており、固定用リード4の先端部4aは半導体チップ
1の各角部において半導体チップ1を挟持している。半
導体チップ1の略中央部にAl電極5が設けられている
こと、接続用リード3の内部リード3aとAl電極5と
がボンディングワイヤ6によって電気的に接続されてい
ること等は第1〜第6実施例と同様である。
【0115】第7実施例においては、固定用リード4の
斜め方向に対向する先端部4a同士の距離を半導体チッ
プ1の対角線の寸法よりも若干小さくしておき、固定用
リード4の先端部4aがピンなどにより外側に拡げられ
た状態で半導体チップ1をリードフレームにセットす
る。これにより、半導体チップ1は固定用リード4の先
端部4aが固定用リード本体に対して有する弾性力によ
って挟持される。
【0116】図20(A)〜(E)は固定用リード4の
先端部4aの形状をそれぞれ示している。図20(A)
は先端部4aが90度に屈曲していると共に二股に分か
れており、二股に分かれた各部分が半導体チップ1の角
部の側面を面接触によって挟持する構造を示し、図20
(B)は先端部4aが鈍角に屈曲していると共に切込み
部を有しており、半導体チップ1の角部を線接触によっ
て挟持する構造を示し、図20(C)は90度に屈曲し
ていると共に平面視L字状に形成されており、L字状部
分が半導体チップ1の角部の側面を面接触によって挟持
する構造を示し、図20(D)は90度に屈曲してお
り、半導体チップ1の角部を線接触によって挟持する構
造を示し、図20(E)は90度に屈曲すると共に二股
に分かれて半導体チップ1の側面に沿って延びるように
形成されており、半導体チップ1の角部の側面を面接触
によって挟持する構造を示している。固定用リード4の
先端部4aの形状は、加工コスト、半導体チップ1を保
持する強度、リードフレームの設計時におけるレイアウ
ト等から最適なものを選定することが好ましい。
【0117】尚、前記各実施例においては、固定用リー
ド4は半導体チップ1を保持する機能のみを有していた
が、固定用リード4を接地リードとして用いることも可
能である。
【0118】また、前記各実施例においては、接続用リ
ード3の内部リード3aと半導体チップ1のAl電極5
とをボンディングワイヤ6によって接続したが、これに
代えて、ハンダにより接続したり、Auバンプ等を設け
て電極同士を直接に接続したり、異方性の導電性樹脂等
により接続してもよい。
【0119】さらに、前記各実施例においては、接続用
リード3の内部リード3aが半導体チップ1の上に延び
るLOC構造であったが、接続用リード3の内部リード
3aが半導体チップ1の周辺に位置する通常の構造であ
ってもよい。
【0120】
【発明の効果】請求項1の発明に係る半導体装置による
と、複数の固定用リードは、屈曲することにより固定用
リード本体に対して弾性を有している先端部によって半
導体チップを保持しているため、半導体チップは弾性力
によって固定用リードに保持されているので半導体チッ
プが固定用リードから受けるダメージが少ないと共に半
導体チップは確実にリードフレームに保持され、また、
固定用リードの先端部同士の間隔を拡げた状態でリード
フレームに半導体チップをセットできるので半導体チッ
プのリードフレームへのセットが容易である。
【0121】また、複数の接続用リード及び複数の固定
用リードはそれぞれリードフレーム本体から内側へ延び
るように設けられているため接続用リードと固定用リー
ドとは交差しないので、LOC構造を採用することが容
易である。
【0122】また、固定用リードは屈曲した先端部を有
しており、接続用リードとは形状が異なるため、画像認
識におけるミスが発生し難いので、接続用リードと半導
体チップの電極との電気的接続を確実に行なうことがで
きる。
【0123】さらに、ポリイミドテープを用いることな
く半導体チップをリードフレームに保持させることがで
きるので、ポリイミドテープを用いることによる前述し
た弊害を回避できる。
【0124】請求項2の発明によると、LOC構造を有
しているため、半導体チップの側端部とパッケージの外
面との間の封止樹脂の厚さを最低限にできるのでパッケ
ージの小型化を図ることができ、また、共通電極の分散
配置及び半導体チップの内部領域への電極の配置が可能
になるので抵抗成分を減少させてノイズを低減すること
ができると共に、半導体チップにおける信号の伝達経路
を従来よりも短縮できるので半導体チップの高速化及び
低消費電力化を実現できる。
【0125】請求項3の発明によると、固定用リードの
先端部による半導体チップの保持が確実になるので、半
導体チップをリードフレームにセットする工程における
ミスが少なくなる。
【0126】請求項4の発明によると、固定用リードの
先端部と半導体チップの側面との接触面積が大きくなる
ため、先端部による半導体チップの保持がより確実にな
るので、半導体チップをリードフレームにセットする工
程におけるミスを一層少なくすることができる。
【0127】請求項5の発明によると、半導体チップが
固定用リードから受ける機械的応力が低減するので、半
導体チップが固定用リードから受けるダメージを小さく
することができる。
【0128】請求項6の発明によると、固定用リードの
先端部と半導体チップの側面との間に間隔をおいた状態
で半導体チップをリードフレームにセットできるので、
半導体チップをリードフレームにセットする工程におい
て半導体チップが固定用リードから受けるダメージを小
さくすることができる。
【0129】請求項7の発明によると、固定用リードと
半導体チップとの間の絶縁性を確保しつつ固定用リード
の先端部と半導体チップとを簡易且つ確実に接合するこ
とができる。
【0130】請求項8の発明によると、固定用リードに
接地用リードを兼ねさせることができるので、接地リー
ドを別途に設ける必要がない。
【0131】請求項9の発明によると、固定用リードの
先端部が半導体チップの角部を挟持している構造である
ため、リードフレームの設計の自由度が確保される。
【0132】請求項10の発明によると、固定用リード
が半導体チップの角部を保持する構造であるにも拘ら
ず、固定用リードの先端部による半導体チップの保持が
確実になる。
【0133】請求項11の発明によると、半導体チップ
が固定用リードから受ける機械的応力が低減するので、
半導体チップが固定用リードから受けるダメージを小さ
くすることができる。
【0134】請求項12の発明によると、固定用リード
の先端部と半導体チップの側面との間に間隔をおいた状
態で半導体チップをリードフレームにセットできるの
で、半導体チップが固定用リードから受けるダメージを
小さくすることができる。
【0135】請求項13の発明によると、固定用リード
に接地用リードを兼ねさせることができるので、接地リ
ードを別途に設ける必要がない。
【0136】請求項14の発明に係る半導体装置の製造
方法によると、請求項1の発明と同様に、半導体チップ
が固定用リードから受けるダメージが少ないと共に半導
体チップは確実に固定用リードの先端部に保持され、ま
た半導体チップのリードフレームへのセット工程が容易
である。
【0137】また、接続用リードと固定用リードとは交
差しないので、LOC構造を採用することが容易であ
る。
【0138】さらに、固定用リードは屈曲した先端部を
有しており、接続用リードとは形状が異なるため、画像
認識におけるミスが発生し難いので、接続用リードの内
部リードと半導体チップの電極との電気的接続を確実に
行なうことができる。
【0139】請求項15の発明によると、半導体チップ
と固定用リードとがワイヤボンディングされた構造を確
実に実現できる。
【0140】請求項16の発明によると、固定用リード
の先端部同士の間隔が半導体チップの寸法よりも大きく
なるように外側へ拡げられた状態で半導体チップをリー
ドフレームにセットできるので、半導体チップが固定用
リードから受けるダメージを小さくすることができる。
【0141】請求項17の発明によると、各固定用リー
ドがリードフレームに対して有する弾性力によって固定
用リードの先端部に半導体チップを挟持させるため、半
導体チップが固定用リードから受けるダメージが一層少
なくなると共に半導体チップは一層確実にリードフレー
ムに保持され、また、固定用リードの先端部同士の間隔
を拡げた状態でリードフレームに半導体チップをセット
する作業が一層容易になる。
【0142】請求項18の発明によると、固定用リード
の先端部が固定用リード本体に対して有する弾性力によ
って該先端部に半導体チップを挟持させることができる
ので、半導体チップが固定用リードから受けるダメージ
が一層少なくなると共に半導体チップは一層確実に固定
用リードに保持され、また、固定用リードの先端部同士
の間隔を拡げた状態でリードフレームに半導体チップを
セットする作業が一層容易になる。
【0143】請求項19の発明によると、第2の工程に
おける先端部拡開工程はリードフレームに機械的な変形
を加えることなく行なわれるので、第2の工程における
先端部拡開工程及び半導体チップ保持工程をスムーズに
行なうことができる。
【0144】請求項20の発明によると、第2の工程に
おける半導体チップ保持工程においては、半導体チップ
は該半導体チップよりも柔らかい物体を介して固定リー
ドの先端部に挟持させるため、半導体チップが固定リー
ドから受けるダメージは一層少なくなる。
【0145】請求項21の発明によると、半導体チップ
が固定リードから受けるダメージはより一層少なくな
る。
【0146】請求項22の発明によると、半導体チップ
をリードフレームに半導体チップと固定用リードの先端
部との間に間隔が設けられた状態でセットすることがで
きるので、半導体チップセット工程において半導体チッ
プが固定用リードから受けるダメージを少なくすること
ができる。
【0147】請求項23の発明により、半導体チップに
与えられる熱的なダメージを少なくして固定用リードの
先端部と低融点金属とを確実に接合することができる。
【0148】請求項24の発明により、半導体チップに
熱的なダメージを全く与えることなく固定用リードの先
端部と低融点金属とを接合することができると共に、固
定用リードと半導体チップとの間の絶縁性を確保するこ
とができる。
【0149】請求項25の発明によると、固定用リード
の先端部と低融点金属との接合が容易であると共に、固
定用リードと半導体チップとの間の絶縁性を確保するこ
とができる。
【0150】請求項26の発明によると、固定用リード
の先端部に半導体チップの側面を保持させるため半導体
チップを確実に保持することができる。
【0151】請求項27の発明によると、固定用リード
の先端部に半導体チップの角部を保持させるため、固定
用リードをリードフレームにおける接続用リードに対し
て邪魔にならない位置に設けることができるので、リー
ドフレームの設計の自由度が制約を受け難い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例に係る半導体装置の断面図である。
【図2】(A)は第1実施例に係る半導体装置の平面図
であり、(B)は(A)におけるB−B´線の断面図で
ある。
【図3】(A)〜(E)は第1実施例に係る半導体装置
の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図4】(A)〜(C)は第1実施例に係る半導体装置
における固定用リードの先端部のリードフレームに対す
る角度を説明する断面図である。
【図5】(A)〜(C)は第1実施例に係る半導体装置
における固定用リードの先端部による半導体チップの挟
持方法を説明する断面図である。
【図6】(A)〜(F)は第1実施例に係る半導体装置
における固定用リードの先端部と半導体チップとの高さ
関係を説明する断面図である。
【図7】(A)〜(C)は第1実施例に係る半導体装置
における固定用リードの先端部の下端位置と半導体チッ
プの裏面位置との関係を説明する断面図である。
【図8】本発明の第2実施例に係る半導体装置の断面図
である。
【図9】(A)及び(B)は第2実施例の変形例に係る
半導体装置における固定用リードの先端部の形状を示す
断面図である。
【図10】(A)及び(B)は本発明の第3実施例に係
る半導体装置における固定用リードの先端部の形状を示
す斜視図である。
【図11】本発明の第4実施例に係る半導体装置の断面
図である。
【図12】第4実施例の変形例に係る半導体装置の断面
図である。
【図13】本発明の第5実施例に係る半導体装置におけ
るリードフレームの平面図である。
【図14】本発明の第6実施例に係る半導体装置の断面
図である。
【図15】第6実施例の第1変形例に係る半導体装置の
断面図である。
【図16】第6実施例の第2変形例に係る半導体装置の
断面図である。
【図17】(A)〜(C)は第6実施例又は第6実施例
の第1変形例に係る半導体装置の製造方法における低融
点金属又は絶縁性樹脂を固定用リードの先端部に塗布す
る工程を示す断面図である。
【図18】(A)は本発明の第7実施例に係る半導体装
置のパッケージを省略した平面図であり、(B)は第7
実施例におけるリードフレームの斜視図である。
【図19】第7実施例に係る半導体装置のパッケージ及
びリードフレームを省略した斜視図である。
【図20】(A)〜(E)は第7実施例に係る半導体装
置における固定用リードの先端部の形状を示す斜視図で
ある。
【図21】従来の第1の半導体装置の断面図である。
【図22】従来の第2の半導体装置の断面図である。
【図23】従来の第3の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 パッケージ 3 接続用リード 3a 内部リード 3b 外部リード 4 固定用リード 4a 先端部 5 Al電極 6 ボンディングワイヤ 7 軟金属 8 弾性体 9 低融点金属 10 絶縁性樹脂 11 絶縁性フィルム 15 リードフレーム本体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 巍 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップと、リードフレーム本体か
    ら内側へ延びるように設けられていた後に前記リードフ
    レーム本体から切り離され、前記半導体チップの電極と
    電気的に接続されている複数の接続用リードと、前記リ
    ードフレーム本体から内側へ延びるように設けられてい
    た後に前記リードフレーム本体から切り離され、前記半
    導体チップ側に屈曲した先端部を有し該先端部により前
    記半導体チップを保持する複数の固定用リードと、前記
    半導体チップ、複数の接続用リード及び複数の固定用リ
    ードを封止している樹脂製のパッケージとを備えている
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記接続用リードの内部リードは前記半
    導体チップの上側に延びて該半導体チップの電極と電気
    的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の
    半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記固定用リードの先端部は前記半導体
    チップの側面を保持していることを特徴とする請求項1
    に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記固定用リードの先端部は前記半導体
    チップの側面に面接触していることを特徴とする請求項
    3に記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 前記固定用リードの先端部と前記半導体
    チップの側面との間に軟金属又は弾性体が介在している
    ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記固定用リードの先端部と前記半導体
    チップの側面とは樹脂又は低融点金属により互いに接合
    していることを特徴とする請求項3に記載の半導体装
    置。
  7. 【請求項7】 前記固定用リードの先端部と前記半導体
    チップの側面とは接着性を有する絶縁性フィルムにより
    互いに接合していることを特徴とする請求項3に記載の
    半導体装置。
  8. 【請求項8】 前記固定用リードは接地用リードである
    ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
  9. 【請求項9】 前記固定用リードの先端部は前記半導体
    チップの角部を保持していることを特徴とする請求項1
    に記載の半導体装置。
  10. 【請求項10】 前記固定用リードの先端部に前記半導
    体チップの角部を保持する平面視L字状の保持部が設け
    られていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装
    置。
  11. 【請求項11】 前記固定用リードの先端部と前記半導
    体チップの角部との間に軟金属又は弾性体が介在してい
    ることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
  12. 【請求項12】 前記固定用リードの先端部と前記半導
    体チップの角部とは樹脂又は低融点金属により互いに接
    合していることを特徴とする請求項9に記載の半導体装
    置。
  13. 【請求項13】 前記固定用リードは接地用リードであ
    ることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
  14. 【請求項14】 リードフレーム本体と、該リードフレ
    ーム本体から内側へ延び電気的接続をするための複数の
    接続用リードと、前記リードフレーム本体から内側へ延
    び且つ屈曲した先端部を有する複数の固定用リードとを
    有するリードフレームを設ける第1の工程と、 前記複数の固定用リードの先端部により前記半導体チッ
    プを保持する第2の工程と、 前記半導体チップ、複数の接続用リード及び複数の固定
    用リードを樹脂により封止して樹脂製のパッケージを形
    成する第3の工程と、 前記複数の接続用リード及び複数の固定用リードを前記
    リードフレーム本体から切り離す第4の工程とを備えて
    いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項15】 前記第2の工程と前記第3の工程との
    間に、前記半導体チップの電極と前記接続用リードの内
    部リードとをボンディングワイヤにより電気的に接続す
    る工程をさらに備えていることを特徴とする請求項14
    に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項16】 前記第1の工程は、前記複数の固定用
    リードをその先端部同士の間隔が前記半導体チップの寸
    法よりも若干小さくなるように設ける工程を有し、 前記第2の工程は、前記複数の固定用リードの先端部を
    該先端部同士の間隔が前記半導体チップの寸法よりも大
    きくなるように外側へ拡げる先端部拡開工程と、前記半
    導体チップを前記リードフレームにセットする半導体チ
    ップセット工程と、前記複数の固定用リードの先端部を
    内側へ戻して該先端部に前記半導体チップを挟持させる
    半導体チップ保持工程とを有することを特徴とする請求
    項14に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項17】 前記第1の工程は、前記複数の固定用
    リードを各固定用リードが前記リードフレーム本体に対
    して弾性力を有するように設ける工程を有し、 前記第2の工程における前記半導体チップ保持工程は、
    前記複数の固定用リードが前記リードフレームに対して
    有する弾性力によって前記先端部に前記半導体チップを
    挟持させる工程を有することを特徴とする請求項16に
    記載の半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項18】 前記第1の工程は、前記複数の固定用
    リードをその先端部が固定用リード本体に対して弾性力
    を有するように設ける工程を有し、 前記第2の工程における前記半導体チップ保持工程は、
    前記先端部が前記固定用リード本体に対して有する弾性
    力によって前記先端部に前記半導体チップを挟持させる
    工程を有することを特徴とする請求項16に記載の半導
    体装置の製造方法。
  19. 【請求項19】 前記第2の工程における前記先端部拡
    開工程は、前記リードフレームを加熱することによって
    前記複数の固定用リードの先端部を外側へ拡げる工程を
    有していることを特徴とする請求項16に記載の半導体
    装置の製造方法。
  20. 【請求項20】 前記第2の工程における前記半導体チ
    ップ保持工程は、前記固定用リードの先端部と前記半導
    体チップとの間に設けられ前記半導体チップよりも柔ら
    かい物体を介して前記先端部に前記半導体チップを挟持
    させる工程を有していることを特徴とする請求項16に
    記載の半導体装置の製造方法。
  21. 【請求項21】 前記半導体チップよりも柔らかい物体
    は弾性体であることを特徴とする請求項20に記載の半
    導体装置の製造方法。
  22. 【請求項22】 前記第1の工程は、前記複数の固定用
    リードをその先端部同士の間隔が前記半導体チップの寸
    法よりも若干大きくなるように設ける工程を有し、 前記第2の工程は、前記半導体チップを前記リードフレ
    ームにセットする半導体チップセット工程と、前記固定
    用リードの先端部と前記半導体チップとを接合して前記
    先端部に前記半導体チップを保持させる半導体チップ保
    持工程とを有することを特徴とする請求項14に記載の
    半導体装置の製造方法。
  23. 【請求項23】 前記第2の工程における前記半導体チ
    ップ保持工程は、前記固定用リードの先端部と前記半導
    体チップとを低融点金属により接合する工程を有してい
    ることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置の製
    造方法。
  24. 【請求項24】 前記第2の工程における前記半導体チ
    ップ保持工程は、前記固定用リードの先端部と前記半導
    体チップとを絶縁性樹脂により接合する工程を有してい
    ることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置の製
    造方法。
  25. 【請求項25】 前記第2の工程における前記半導体チ
    ップ保持工程は、前記固定用リードの先端部と前記半導
    体チップとを接着性を有する絶縁性フィルムにより接合
    する工程を有していることを特徴とする請求項22に記
    載の半導体装置の製造方法。
  26. 【請求項26】 前記第2の工程は、前記固定用リード
    の先端部に前記半導体チップの側面を保持させる工程を
    有していることを特徴とする請求項14に記載の半導体
    装置の製造方法。
  27. 【請求項27】 前記第2の工程は、前記複数の固定用
    リードの先端部に前記半導体チップの角部を保持させる
    工程を有していることを特徴とする請求項14に記載の
    半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010098099A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Denso Corp モールドパッケージおよびその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02137236A (ja) * 1988-11-17 1990-05-25 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置の組立方法
JPH02278857A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH03289163A (ja) * 1990-04-06 1991-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04317363A (ja) * 1991-04-16 1992-11-09 Sony Corp ダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02137236A (ja) * 1988-11-17 1990-05-25 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置の組立方法
JPH02278857A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH03289163A (ja) * 1990-04-06 1991-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04317363A (ja) * 1991-04-16 1992-11-09 Sony Corp ダイパッドレス樹脂封止型半導体装置とその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010098099A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Denso Corp モールドパッケージおよびその製造方法

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