JP3185354B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置Info
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- JP3185354B2 JP3185354B2 JP12886792A JP12886792A JP3185354B2 JP 3185354 B2 JP3185354 B2 JP 3185354B2 JP 12886792 A JP12886792 A JP 12886792A JP 12886792 A JP12886792 A JP 12886792A JP 3185354 B2 JP3185354 B2 JP 3185354B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特に超
薄型化する半導体装置に用いて好適な半導体装置の製造
方法及び半導体装置の樹脂封止装置に関するものであ
る。
薄型化する半導体装置に用いて好適な半導体装置の製造
方法及び半導体装置の樹脂封止装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の樹脂封止装置の主要構成要素
である成形金型及びこの成形金型を用いた樹脂封止方法
を、図３乃至図５を用いて説明する。図３はこの発明を
説明するための、一般的なＱＦＰ型半導体装置に使用さ
れている現用のリードフレームを成形金型に装着した状
態の、共にそれらの一部分を示す平面図であり、図４は
図３におけるＡーＡ線上の拡大断面図であり、そして図
５は図４の矢印Ｂ部分における、更に拡大した断面図で
ある。
である成形金型及びこの成形金型を用いた樹脂封止方法
を、図３乃至図５を用いて説明する。図３はこの発明を
説明するための、一般的なＱＦＰ型半導体装置に使用さ
れている現用のリードフレームを成形金型に装着した状
態の、共にそれらの一部分を示す平面図であり、図４は
図３におけるＡーＡ線上の拡大断面図であり、そして図
５は図４の矢印Ｂ部分における、更に拡大した断面図で
ある。
【０００３】先ず、図３に一般的なＱＦＰ型半導体装置
に使用されている現用のリードフレーム１の一単位を一
部分だけで示した。このリードフレーム１は四辺形のダ
イパッド２と、このダイパッド２の各辺に沿って、所定
のピッチで配列された複数のインナーリード３と、これ
らのインナーリード３に対応して配列、接続されたアウ
ターリード４と、前記両リードを接続したタイバー６
と、前記ダイパッド２の各コーナーをステー及びまたは
フレーム（以下、単に「フレーム」と記す）７に接続す
る吊りリード５などから構成されている。そして各吊り
リード５は折り曲げ部５ａの部分で下方に折り曲げられ
ているので、前記ダイパッド２はディプレスされた状態
になっている。なお、図３において、右方の２点鎖線Ｌ
ａは一単位の成形金型１０の外周縁であり、左方の２点
鎖線Ｌｂは一単位の成形金型１０のキャビティの外周
縁、即ち、パッケージラインである。
に使用されている現用のリードフレーム１の一単位を一
部分だけで示した。このリードフレーム１は四辺形のダ
イパッド２と、このダイパッド２の各辺に沿って、所定
のピッチで配列された複数のインナーリード３と、これ
らのインナーリード３に対応して配列、接続されたアウ
ターリード４と、前記両リードを接続したタイバー６
と、前記ダイパッド２の各コーナーをステー及びまたは
フレーム（以下、単に「フレーム」と記す）７に接続す
る吊りリード５などから構成されている。そして各吊り
リード５は折り曲げ部５ａの部分で下方に折り曲げられ
ているので、前記ダイパッド２はディプレスされた状態
になっている。なお、図３において、右方の２点鎖線Ｌ
ａは一単位の成形金型１０の外周縁であり、左方の２点
鎖線Ｌｂは一単位の成形金型１０のキャビティの外周
縁、即ち、パッケージラインである。
【０００４】このように構成されたリードフレーム１
の、前記ダイパッド２に半導体チップ（図示していな
い）を銀ペーストなどを用いて接着、固定し、この半導
体チップの各電極と前記各インナーリード３の内端部と
を接続した後、その半導体チップをトランスファーモー
ルド法で樹脂封止される。
の、前記ダイパッド２に半導体チップ（図示していな
い）を銀ペーストなどを用いて接着、固定し、この半導
体チップの各電極と前記各インナーリード３の内端部と
を接続した後、その半導体チップをトランスファーモー
ルド法で樹脂封止される。
【０００５】この樹脂封止を行うための成形金型１０
は、図４及び図５に示したように、上金型１１と下金型
２１とから構成されている。それらの上金型１１及び下
金型２１の内面にはそれぞれキャビティ１２及び２２
と、その周辺部１３及び２３と、その周辺部１３、２３
の各コーナーに凹状溝１４及び２４で構成されたエアー
ベント３０などが形成されている。
は、図４及び図５に示したように、上金型１１と下金型
２１とから構成されている。それらの上金型１１及び下
金型２１の内面にはそれぞれキャビティ１２及び２２
と、その周辺部１３及び２３と、その周辺部１３、２３
の各コーナーに凹状溝１４及び２４で構成されたエアー
ベント３０などが形成されている。
【０００６】このような構成の成形金型の下金型２１の
キャビティ２２に前記半導体チップを搭載したダイパッ
ド２を収め、そのダイパッド２を支持している吊りリー
ド５が前記凹状溝２４に収まるようにしてリードフレー
ム１を載置し、その後、同様に、前記下金型２１と対に
なるように、対称的に前記上金型１１をその下金型２１
に被せて締結し、図示していないが、例えば、前記エア
ーベント３０と対角線上にある下金型２１の周辺部コー
ナーに形成されてある樹脂注入口から溶融した封止樹脂
を注入し、半導体チップなどを樹脂封止している。
キャビティ２２に前記半導体チップを搭載したダイパッ
ド２を収め、そのダイパッド２を支持している吊りリー
ド５が前記凹状溝２４に収まるようにしてリードフレー
ム１を載置し、その後、同様に、前記下金型２１と対に
なるように、対称的に前記上金型１１をその下金型２１
に被せて締結し、図示していないが、例えば、前記エア
ーベント３０と対角線上にある下金型２１の周辺部コー
ナーに形成されてある樹脂注入口から溶融した封止樹脂
を注入し、半導体チップなどを樹脂封止している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】最近、薄型化した樹脂
封止型半導体装置の要求が高まってきている。このよう
な薄型化の樹脂封止型半導体装置を得るため、半導体チ
ップを樹脂封止する場合に遭遇する問題点としては、次
のような点をあげられる。
封止型半導体装置の要求が高まってきている。このよう
な薄型化の樹脂封止型半導体装置を得るため、半導体チ
ップを樹脂封止する場合に遭遇する問題点としては、次
のような点をあげられる。
【０００８】即ち、半導体チップの上下を流動する封止
樹脂は、半導体チップの表面とキャビティ１２の底面と
の深さ、ダイパッド２の裏面とキャビティ２２の底面と
の深さとを等しく設計しても、上金型１１と下金型２１
との空間の差、半導体チップの厚さ、半導体チップとダ
イパッド２とを固定する接着剤の厚さ、リードフレーム
１のディプレス量などのばらつきにより、下金型２１の
樹脂注入口から供給された封止樹脂が流れる半導体チッ
プの上下の通路に差が生じ、例えば、僅かであるが、下
側通路の深さが上側通路の深さよりも深くなると、半導
体チップの上方を流れる封止樹脂の流動が妨げられ、そ
の速度が半導体チップの上方を流れる封止樹脂の速度よ
り遅くなる。その結果、ダイパッド２を上下に移動させ
る、所謂ステーシフトが発生する。
樹脂は、半導体チップの表面とキャビティ１２の底面と
の深さ、ダイパッド２の裏面とキャビティ２２の底面と
の深さとを等しく設計しても、上金型１１と下金型２１
との空間の差、半導体チップの厚さ、半導体チップとダ
イパッド２とを固定する接着剤の厚さ、リードフレーム
１のディプレス量などのばらつきにより、下金型２１の
樹脂注入口から供給された封止樹脂が流れる半導体チッ
プの上下の通路に差が生じ、例えば、僅かであるが、下
側通路の深さが上側通路の深さよりも深くなると、半導
体チップの上方を流れる封止樹脂の流動が妨げられ、そ
の速度が半導体チップの上方を流れる封止樹脂の速度よ
り遅くなる。その結果、ダイパッド２を上下に移動させ
る、所謂ステーシフトが発生する。
【０００９】このステーシフトを防ぐために、従来技術
では、 １．パッケージバランスの均一化 ２．成形条件の精密な制御 ３．封止樹脂のスパイラルフロー、ゲルタイム等の諸条
件の絞り込み などで対応している。
では、 １．パッケージバランスの均一化 ２．成形条件の精密な制御 ３．封止樹脂のスパイラルフロー、ゲルタイム等の諸条
件の絞り込み などで対応している。
【００１０】しかし、成形金型などの構造上、０．１〜
０．３ｍｍのステーシフトは避けられない。薄型化した
樹脂封止型半導体装置では、この微小なステーシフトに
よって、半田付けを行う際の耐熱性の低下となり、また
金ワイヤが露出するなどの不良の原因になっている。こ
の発明はこのような不都合をなくすことを課題とするも
のである。
０．３ｍｍのステーシフトは避けられない。薄型化した
樹脂封止型半導体装置では、この微小なステーシフトに
よって、半田付けを行う際の耐熱性の低下となり、また
金ワイヤが露出するなどの不良の原因になっている。こ
の発明はこのような不都合をなくすことを課題とするも
のである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そのためこの発明は、ト
ランスファーモールド法で樹脂封止するに際し、前記上
下金型の成形部の周辺部に形成されたエアーベント内に
吊りリードを収め、前記ダイパッドが前記両金型内に流
入する溶融樹脂により移動しないように、前記エアーベ
ントには前記ダイパッドに接続された前記吊りリードを
固定する手段を形成し、この固定手段で前記吊りリード
を固定しながら、溶融樹脂を成形金型内に流し込み、前
記半導体チップを樹脂封止するようにした。
ランスファーモールド法で樹脂封止するに際し、前記上
下金型の成形部の周辺部に形成されたエアーベント内に
吊りリードを収め、前記ダイパッドが前記両金型内に流
入する溶融樹脂により移動しないように、前記エアーベ
ントには前記ダイパッドに接続された前記吊りリードを
固定する手段を形成し、この固定手段で前記吊りリード
を固定しながら、溶融樹脂を成形金型内に流し込み、前
記半導体チップを樹脂封止するようにした。
【００１２】
【作用】従って、半導体チップの上下の通路を流れる封
止樹脂に速度差が生じても、ダイパッドが変動したり、
変形するようなことがない。
止樹脂に速度差が生じても、ダイパッドが変動したり、
変形するようなことがない。
【００１３】
【実施例】以下、この発明のＱＦＰ型の樹脂封止型半導
体装置の樹脂封止方法及びその装置を図１及び図２を用
いて説明する。図１は図３に相当する、この発明の成形
金型の要部拡大平面図であり、図２は図５に相当する、
図１のＡーＡ線上における要部拡大断面図である。な
お、図１及び図２には、従来技術のリードフレーム及び
成形金型装置と同一の構成部分には同一の符号を付し
て、それらの詳細な説明を省略する。
体装置の樹脂封止方法及びその装置を図１及び図２を用
いて説明する。図１は図３に相当する、この発明の成形
金型の要部拡大平面図であり、図２は図５に相当する、
図１のＡーＡ線上における要部拡大断面図である。な
お、図１及び図２には、従来技術のリードフレーム及び
成形金型装置と同一の構成部分には同一の符号を付し
て、それらの詳細な説明を省略する。
【００１４】図１に示した、この発明の成形金型１０Ａ
においては、エアーベント３０を構成している上金型１
１Ａの前記凹状溝１４に、前記リードフレーム１のダイ
パッド２を支持している吊りリード５の表面に当接する
台形の固定突起１５を形成し、この固定突起１５と対向
して、下金型２１Ａの前記凹状溝２４にも、前記吊りリ
ード５の裏面に当接する台形の固定突起２５を形成し、
図２に示したように、これらの固定突起１５及び２５
で、エアーベント３０内に収められた吊りリード５を挟
み、固定するようにした。
においては、エアーベント３０を構成している上金型１
１Ａの前記凹状溝１４に、前記リードフレーム１のダイ
パッド２を支持している吊りリード５の表面に当接する
台形の固定突起１５を形成し、この固定突起１５と対向
して、下金型２１Ａの前記凹状溝２４にも、前記吊りリ
ード５の裏面に当接する台形の固定突起２５を形成し、
図２に示したように、これらの固定突起１５及び２５
で、エアーベント３０内に収められた吊りリード５を挟
み、固定するようにした。
【００１５】前記固定突起１５及び２５の幅はそれぞれ
それらを形成する所の凹状溝１４及び２４の溝幅より狭
くして、各固定突起１５、２５と各凹状溝１４、２４の
両壁の間に隙間を形成することが肝要である。このよう
に構成することにより、樹脂注入口から溶融樹脂を注入
した際に、両キャビティ１２、２２内の空気は前記隙間
を通り、成形金型の外へ排気することができる。
それらを形成する所の凹状溝１４及び２４の溝幅より狭
くして、各固定突起１５、２５と各凹状溝１４、２４の
両壁の間に隙間を形成することが肝要である。このよう
に構成することにより、樹脂注入口から溶融樹脂を注入
した際に、両キャビティ１２、２２内の空気は前記隙間
を通り、成形金型の外へ排気することができる。
【００１６】このような構成の成形金型である下金型２
１Ａ上のキャビティ１２に、半導体チップを搭載、固定
したダイパッド２を収め、そのダイパッド２を支持して
いる吊りリード５が前記凹状溝２４の固定突起１５の上
に収まるようにしてリードフレーム１を載置し、その
後、同様に、前記下金型２１と対になるように、対称的
に前記上金型１１をその下金型２１に被せ、前記固定突
起２５で前記吊りリード５を挟むようにして締結する
（図２）。
１Ａ上のキャビティ１２に、半導体チップを搭載、固定
したダイパッド２を収め、そのダイパッド２を支持して
いる吊りリード５が前記凹状溝２４の固定突起１５の上
に収まるようにしてリードフレーム１を載置し、その
後、同様に、前記下金型２１と対になるように、対称的
に前記上金型１１をその下金型２１に被せ、前記固定突
起２５で前記吊りリード５を挟むようにして締結する
（図２）。
【００１７】このような状態で、樹脂注入口から溶融し
た封止樹脂を注入すると、上金型１１Ａと下金型２１Ａ
との空間の差、半導体チップの厚さ、半導体チップとダ
イパッド２とを固定する接着剤の厚さ、リードフレーム
１のディプレス量などのばらつきにより、樹脂注入口か
ら供給された封止樹脂が流れる半導体チップの上下の流
路に差が生じても、エアーベント内に収められた吊りリ
ード５が固定されているため、樹脂封止の際に、ダイパ
ッド２のステーシフトを低減することができる。
た封止樹脂を注入すると、上金型１１Ａと下金型２１Ａ
との空間の差、半導体チップの厚さ、半導体チップとダ
イパッド２とを固定する接着剤の厚さ、リードフレーム
１のディプレス量などのばらつきにより、樹脂注入口か
ら供給された封止樹脂が流れる半導体チップの上下の流
路に差が生じても、エアーベント内に収められた吊りリ
ード５が固定されているため、樹脂封止の際に、ダイパ
ッド２のステーシフトを低減することができる。
【００１８】前記実施例ではＱＦＰ型半導体装置を採り
挙げて説明したが、この発明は四方向にアウターリード
が導出された半導体装置のみに限定されるものではな
く、一方向或いは二方向にアウターリードが導出された
樹脂封止型半導体装置にも適用できることは容易に理解
されよう。
挙げて説明したが、この発明は四方向にアウターリード
が導出された半導体装置のみに限定されるものではな
く、一方向或いは二方向にアウターリードが導出された
樹脂封止型半導体装置にも適用できることは容易に理解
されよう。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明の成形金型によれば、上下金型のエアーベントを構成
する凹状溝にそれぞれ固定突起を設け、これらの固定突
起でエアーベント内の吊りリードを固定しながら半導体
チップの樹脂封止を行うようにしたので、成形金型内に
おいて、構成部品などのばらつきによる半導体チップの
上下の樹脂通路の深さの差で封止樹脂の流速に差が生じ
ても、ダイパッドのステーシフトや変形が低減でき、従
って、半田付け時の耐熱性の向上、金ワイヤの露出やボ
イドの発生も低減できて、樹脂封止型半導体装置の品質
を良好に維持でき、歩留りも向上するなど、数々の優れ
た効果が得られる。
明の成形金型によれば、上下金型のエアーベントを構成
する凹状溝にそれぞれ固定突起を設け、これらの固定突
起でエアーベント内の吊りリードを固定しながら半導体
チップの樹脂封止を行うようにしたので、成形金型内に
おいて、構成部品などのばらつきによる半導体チップの
上下の樹脂通路の深さの差で封止樹脂の流速に差が生じ
ても、ダイパッドのステーシフトや変形が低減でき、従
って、半田付け時の耐熱性の向上、金ワイヤの露出やボ
イドの発生も低減できて、樹脂封止型半導体装置の品質
を良好に維持でき、歩留りも向上するなど、数々の優れ
た効果が得られる。
【図１】図３に相当する、一般的なＱＦＰ型半導体装置
に使用されている現用のリードフレームを、この発明の
成形金型に装着した状態の、共にそれらの要部を示す拡
大平面図である。
に使用されている現用のリードフレームを、この発明の
成形金型に装着した状態の、共にそれらの要部を示す拡
大平面図である。
【図２】図５に相当する、図１のＡーＡ線上における要
部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
【図３】この発明を説明するための、一般的なＱＦＰ型
半導体装置に使用されている現用のリードフレームを成
形金型に装着した状態の、共にそれらの一部分を示す平
面図である。
半導体装置に使用されている現用のリードフレームを成
形金型に装着した状態の、共にそれらの一部分を示す平
面図である。
【図４】図３におけるＡーＡ線上の拡大断面図である。
【図５】図４の矢印Ｂ部分における、更に拡大した断面
図である。
図である。
１ リードフレーム ２ ダイパッド ３ インナーリード ４ アウターリード ５ 吊りリード ５ａ 折り曲げ部 ６ タイバー ７ フレーム １０Ａ 成形金型 １１Ａ 上金型 １２ キャビティ １３ 周辺部 １４ 凹状溝 １５ 固定突起 ２１Ａ 下金型 ２２Ａ キャビティ ２３ 周辺部 ２４ 凹状溝 ２５ 固定突起
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイパッド、インナーリード、アウター
リード、フレーム、前記ダイパッドを前記フレームに接
続する吊りリードを有するリードフレームの、前記ダイ
パッドに半導体チップを固定し、この半導体チップの各
電極を前記インナーリードの内端部に電気的に接続した
後、前記半導体チップをエアーベントが設けられた成形
金型を用い、トランスファーモールド法で樹脂封止する
に際し、前記吊りリードを前記成形金型のエアーベント
内に収めるとともに前記エアーベント内に形成した固定
手段で前記吊りリードを固定しながら、溶融樹脂を前記
成形金型内に流し込み、前記半導体チップを樹脂封止す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 ダイパッド、インナーリード、アウター
リード、フレーム、前記ダイパッドを前記フレームに接
続する吊りリードを有するリードフレームの、前記ダイ
パッドに半導体チップを固定し、この半導体チップの各
電極を前記インナーリードに電気的に接続した後、前記
半導体チップをトランスファーモールド法で樹脂封止す
る上金型と下金型からなる半導体装置の樹脂封止装置
の、前記金型に形成されたエアーベント内には、該エア
ーベント内に収められた、前記吊りリードを固定する手
段を形成したことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12886792A JP3185354B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12886792A JP3185354B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326591A JPH05326591A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3185354B2 true JP3185354B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=14995326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12886792A Expired - Fee Related JP3185354B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185354B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100540258B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2006-01-12 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 몰딩 다이 |
| CN118156216B (zh) * | 2024-05-10 | 2024-07-26 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 | 一种用于qfp封装芯片的装置及方法 |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP12886792A patent/JP3185354B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05326591A (ja) | 1993-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |