JPH08153845A - 樹脂封止型半導体装置及びリードフレームの製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びリードフレームの製造方法Info
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- JPH08153845A JPH08153845A JP6294860A JP29486094A JPH08153845A JP H08153845 A JPH08153845 A JP H08153845A JP 6294860 A JP6294860 A JP 6294860A JP 29486094 A JP29486094 A JP 29486094A JP H08153845 A JPH08153845 A JP H08153845A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止型ＬＳＩにおいて、トランスファ成形
工程での吊りピンの変形に伴うアイランドの位置変動を
抑止する。 【構成】吊りピン２に櫛の歯状のスリット６を設ける。
残された方の櫛の歯状金属片をプレス加工して上または
下に折り曲げることにより、吊りピン２に直角四辺形の
開口部を設けると共に、金属片３ａ，３ｂを、上下のモ
ールド金型５ａ，５内壁に密着する形状とする。下金型
５ｂから注入された溶融樹脂７が吊りピン２の開口部を
通って、下金型５ｂに注入されると同時に上金型５ａに
も注入されるので、吊りピン上下間での樹脂の充填量差
がなくなる。又、吊りピン２及びアイランド４が金属片
３ａ，３ｂと上下の金型５ａ，５ｂとによって支持され
るので、溶融樹脂７注入時の圧力差による吊りピン２の
変形とそれに伴うアイランド４の位置変動は起らない。
工程での吊りピンの変形に伴うアイランドの位置変動を
抑止する。 【構成】吊りピン２に櫛の歯状のスリット６を設ける。
残された方の櫛の歯状金属片をプレス加工して上または
下に折り曲げることにより、吊りピン２に直角四辺形の
開口部を設けると共に、金属片３ａ，３ｂを、上下のモ
ールド金型５ａ，５内壁に密着する形状とする。下金型
５ｂから注入された溶融樹脂７が吊りピン２の開口部を
通って、下金型５ｂに注入されると同時に上金型５ａに
も注入されるので、吊りピン上下間での樹脂の充填量差
がなくなる。又、吊りピン２及びアイランド４が金属片
３ａ，３ｂと上下の金型５ａ，５ｂとによって支持され
るので、溶融樹脂７注入時の圧力差による吊りピン２の
変形とそれに伴うアイランド４の位置変動は起らない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置及
びリードフレームの製造方法に関し、特に、アイランド
上にマウントされボンディングされた半導体チップを、
アイランド支持のための吊りピン部にゲートを持つモー
ルド金型を用いたトランスファ成形により樹脂封止した
構造の樹脂封止型半導体装置と、その樹脂封止型半導体
装置の製造に用いるリードフレームの製造方法に関す
る。
びリードフレームの製造方法に関し、特に、アイランド
上にマウントされボンディングされた半導体チップを、
アイランド支持のための吊りピン部にゲートを持つモー
ルド金型を用いたトランスファ成形により樹脂封止した
構造の樹脂封止型半導体装置と、その樹脂封止型半導体
装置の製造に用いるリードフレームの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の樹脂封止型半導体装置
（以下、ＬＳＩと記す）の一例を図４に示す。図４
（ａ）は断面図であり、図４（ｂ）に示す透視平面図中
のＡーａ切断線における断面構造を示す図である。図４
（ａ），（ｂ）を参照して、金属製リードフレーム中央
のアイランド４上に半導体チップ１がマウントされ、チ
ップ１上のボンディングパッド（図示せず）とリードフ
レームの内部リード８とが、ワイヤーボンディング（ワ
イヤーは図示せず）により電気的に接続されている。ア
イランド４の４つのコーナーには、それぞれ吊りピン２
が連結されている。この吊りピン２はリードフレームの
外枠部分（図示せず）に連結していて、製造工程中にあ
るアイランド４を支持するためのものである。上記のチ
ップ１，アイランド４，吊りピン２，ボンディングワイ
ヤー及び内部リード８は、これらを覆う封止外装用の樹
脂７によって封止され、外装されている。樹脂７は、熱
硬化型樹脂を用いたトランスファ成形によって形成され
たものである。
（以下、ＬＳＩと記す）の一例を図４に示す。図４
（ａ）は断面図であり、図４（ｂ）に示す透視平面図中
のＡーａ切断線における断面構造を示す図である。図４
（ａ），（ｂ）を参照して、金属製リードフレーム中央
のアイランド４上に半導体チップ１がマウントされ、チ
ップ１上のボンディングパッド（図示せず）とリードフ
レームの内部リード８とが、ワイヤーボンディング（ワ
イヤーは図示せず）により電気的に接続されている。ア
イランド４の４つのコーナーには、それぞれ吊りピン２
が連結されている。この吊りピン２はリードフレームの
外枠部分（図示せず）に連結していて、製造工程中にあ
るアイランド４を支持するためのものである。上記のチ
ップ１，アイランド４，吊りピン２，ボンディングワイ
ヤー及び内部リード８は、これらを覆う封止外装用の樹
脂７によって封止され、外装されている。樹脂７は、熱
硬化型樹脂を用いたトランスファ成形によって形成され
たものである。
【０００３】ここで、本発明との関連で、トランスファ
成形による封止樹脂の注入過程について、図５を用いて
説明する。樹脂封止工程では、先ず、マウント、ボンデ
ィングが終ったリードフレームを上下のモールド金型５
ａ，５ｂ中にセットし、リードフレームの外部リード９
領域（図４（ａ））をクランプする（図５（ａ））。次
に、モールド金型のゲートから溶融した樹脂７を注入す
る（図５（ｂ））。この場合、溶融樹脂注入のためのゲ
ートは通常、樹脂７が吊りピン２に沿ってしかも下金型
５ｂからキャビティ内に注入されるように、その位置お
よび形状が設計されている（図４（ａ）及び図５
（ｂ））。樹脂注入が完了した後、チップ１を金型から
取り外し、タイバーカット、リードカットを行って個片
に分離する。最後に、リードフレームの外部リード９を
所定形状に成形して、樹脂封止型ＬＳＩを完成する。
成形による封止樹脂の注入過程について、図５を用いて
説明する。樹脂封止工程では、先ず、マウント、ボンデ
ィングが終ったリードフレームを上下のモールド金型５
ａ，５ｂ中にセットし、リードフレームの外部リード９
領域（図４（ａ））をクランプする（図５（ａ））。次
に、モールド金型のゲートから溶融した樹脂７を注入す
る（図５（ｂ））。この場合、溶融樹脂注入のためのゲ
ートは通常、樹脂７が吊りピン２に沿ってしかも下金型
５ｂからキャビティ内に注入されるように、その位置お
よび形状が設計されている（図４（ａ）及び図５
（ｂ））。樹脂注入が完了した後、チップ１を金型から
取り外し、タイバーカット、リードカットを行って個片
に分離する。最後に、リードフレームの外部リード９を
所定形状に成形して、樹脂封止型ＬＳＩを完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、樹脂
封止型ＬＳＩのトランスファ成形工程では、通常、溶融
樹脂７が下金型５ｂの吊りピン２の部分に設けられたゲ
ートから注入され、吊りピン２に沿って移動し、金型５
ａ，５ｂ内に充満して行く。このことから、従来の樹脂
封止型ＬＳＩでは、いわゆるアイランドシフトと呼ばれ
る、アイランド４の設計位置からの移動、変形あるい
は、そのようなアイランドシフトに起因するＬＳＩ外形
の反りが発生し易い。以下にその理由を説明する。
封止型ＬＳＩのトランスファ成形工程では、通常、溶融
樹脂７が下金型５ｂの吊りピン２の部分に設けられたゲ
ートから注入され、吊りピン２に沿って移動し、金型５
ａ，５ｂ内に充満して行く。このことから、従来の樹脂
封止型ＬＳＩでは、いわゆるアイランドシフトと呼ばれ
る、アイランド４の設計位置からの移動、変形あるい
は、そのようなアイランドシフトに起因するＬＳＩ外形
の反りが発生し易い。以下にその理由を説明する。
【０００５】トランスファ成形による封止樹脂形成過程
を示す図５を再び参照して、溶融樹脂７が下金型５ｂか
ら充填されるので、キャビティ内に圧入された樹脂７に
は、吊りピン２を挟んでその上下で充填量に差が生じ
る。その結果、吊りピン２は、樹脂の注入圧力に起因す
る上向きの力を受け、図５（ｂ）に示すように、上方向
に持ち上げられ変形する。樹脂７の充填が更に進行する
と、図５（ｃ）に示すように、吊りピン下部の溶融樹脂
７がアイランド４に達し面積の大きいアイランド４その
ものが下側からの圧力を受けるようになるので、吊りピ
ン２の変形、アイランド４の位置ずれが更に大きくなる
（図５（ｄ））。一旦このようなアイランドシフトが生
じると、金型から取り出し冷却したあとのＬＳＩには、
封止樹脂７の収縮と変形した金属製リードフレームの弾
性とにより、図６（ａ）の側面図に示すような反りが生
じ、このＬＳＩは外形不良となる。
を示す図５を再び参照して、溶融樹脂７が下金型５ｂか
ら充填されるので、キャビティ内に圧入された樹脂７に
は、吊りピン２を挟んでその上下で充填量に差が生じ
る。その結果、吊りピン２は、樹脂の注入圧力に起因す
る上向きの力を受け、図５（ｂ）に示すように、上方向
に持ち上げられ変形する。樹脂７の充填が更に進行する
と、図５（ｃ）に示すように、吊りピン下部の溶融樹脂
７がアイランド４に達し面積の大きいアイランド４その
ものが下側からの圧力を受けるようになるので、吊りピ
ン２の変形、アイランド４の位置ずれが更に大きくなる
（図５（ｄ））。一旦このようなアイランドシフトが生
じると、金型から取り出し冷却したあとのＬＳＩには、
封止樹脂７の収縮と変形した金属製リードフレームの弾
性とにより、図６（ａ）の側面図に示すような反りが生
じ、このＬＳＩは外形不良となる。
【０００６】ところで、次工程で外部リードの成形を行
う場合、図６（ｂ）の側面図に模式的に示すように、リ
ード成形金型１０によりＬＳＩをクランプし強制的にフ
ラットな状態で外部リードを成形するので、たとえ図６
（ａ）に示すような反りのあるＬＳＩでも、所定のリー
ド成形作業を実施することは可能である。しかし、反り
が生じたＬＳＩでは、リード成形金型からＬＳＩを取り
外すと、図６（ｃ）に示すように、また元の反った状態
に戻り、結局、所定のリード形状が得られなくなってし
まう。
う場合、図６（ｂ）の側面図に模式的に示すように、リ
ード成形金型１０によりＬＳＩをクランプし強制的にフ
ラットな状態で外部リードを成形するので、たとえ図６
（ａ）に示すような反りのあるＬＳＩでも、所定のリー
ド成形作業を実施することは可能である。しかし、反り
が生じたＬＳＩでは、リード成形金型からＬＳＩを取り
外すと、図６（ｃ）に示すように、また元の反った状態
に戻り、結局、所定のリード形状が得られなくなってし
まう。
【０００７】尚、樹脂封止型ＬＳＩには、上述のような
トランスファ成形の際のアイランドシフトを抑制するこ
とを目的として、例えば図７に断面図を示すような、吊
りピン２を上下に折り曲げ、モールド金型５ａ，５ｂの
内壁に密着するようにした構造のＬＳＩも知られてい
る。しかしながらこの構造でも、溶融樹脂７が下金型５
ｂから注入されることに起因して、吊りピン２を挟んで
上下の樹脂充填量に差が生じるので、図中に太い矢印で
示すような上向きの力が吊りピン２に加わる。その結果
やはり、吊りピン２の変形とそれに伴うアイランド４の
位置変動が発生してしまう。
トランスファ成形の際のアイランドシフトを抑制するこ
とを目的として、例えば図７に断面図を示すような、吊
りピン２を上下に折り曲げ、モールド金型５ａ，５ｂの
内壁に密着するようにした構造のＬＳＩも知られてい
る。しかしながらこの構造でも、溶融樹脂７が下金型５
ｂから注入されることに起因して、吊りピン２を挟んで
上下の樹脂充填量に差が生じるので、図中に太い矢印で
示すような上向きの力が吊りピン２に加わる。その結果
やはり、吊りピン２の変形とそれに伴うアイランド４の
位置変動が発生してしまう。
【０００８】従って、本発明は、アイランド上にマウン
トされボンディングされた半導体チップを、アイランド
支持のための吊りピン部にゲートを持つモールド金型を
用いたトランスファ成形により樹脂封止した構造の樹脂
封止型ＬＳＩにおいて、トランスファ成形時に生じる吊
りピンの変形とそれに伴うアイランドの位置変動を抑止
することを目的とするものである。
トされボンディングされた半導体チップを、アイランド
支持のための吊りピン部にゲートを持つモールド金型を
用いたトランスファ成形により樹脂封止した構造の樹脂
封止型ＬＳＩにおいて、トランスファ成形時に生じる吊
りピンの変形とそれに伴うアイランドの位置変動を抑止
することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体チップを搭載するためのアイランド
と、前記アイランドに連結する吊りピンと、封止外装用
樹脂とを含む樹脂封止型半導体装置において、前記吊り
ピンに、直角四辺形の開口部と、前記開口部の一辺から
突起して前記封止外装用樹脂の一方の平表面に達するよ
うに伸びる少なくとも一つ以上の金属片と、前記開口部
の一辺から突起して前記封止外装用樹脂の他方の平表面
に達するように伸びる少なくとも一つ以上の金属片とを
設けたことを特徴とする。
体装置は、半導体チップを搭載するためのアイランド
と、前記アイランドに連結する吊りピンと、封止外装用
樹脂とを含む樹脂封止型半導体装置において、前記吊り
ピンに、直角四辺形の開口部と、前記開口部の一辺から
突起して前記封止外装用樹脂の一方の平表面に達するよ
うに伸びる少なくとも一つ以上の金属片と、前記開口部
の一辺から突起して前記封止外装用樹脂の他方の平表面
に達するように伸びる少なくとも一つ以上の金属片とを
設けたことを特徴とする。
【００１０】この樹脂封止型半導体装置の製造に用いる
リードフレームは、金属製リードフレームの吊りピンに
櫛の歯状の開口を設ける工程と、櫛の歯状に残された複
数の金属片の少なくとも一つ以上を上方向に折り曲げる
工程と、他の金属片を下方向に折り曲げる工程とを含む
工程により、前記吊りピンに直角四辺形の開口部を開け
ると同時にその開口部の一辺から上方向に突起する少な
くとも一つ以上の金属片と前記開口部の一辺から下方向
に突起する少なくとも一つ以上の金属片とを設けること
を特徴とするリードフレームの製造方法により製造され
る。
リードフレームは、金属製リードフレームの吊りピンに
櫛の歯状の開口を設ける工程と、櫛の歯状に残された複
数の金属片の少なくとも一つ以上を上方向に折り曲げる
工程と、他の金属片を下方向に折り曲げる工程とを含む
工程により、前記吊りピンに直角四辺形の開口部を開け
ると同時にその開口部の一辺から上方向に突起する少な
くとも一つ以上の金属片と前記開口部の一辺から下方向
に突起する少なくとも一つ以上の金属片とを設けること
を特徴とするリードフレームの製造方法により製造され
る。
【００１１】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置では、吊りピン
に開口部が設けられている。トランスファ成形時に下金
型から圧入される溶融樹脂はその開口部を通って、吊り
ピン下面に充填されるとほぼ同時に上面にも充填されて
行く。従って、吊りピン上下での溶融樹脂の充填量差
は、従来よりも小さくなる。
に開口部が設けられている。トランスファ成形時に下金
型から圧入される溶融樹脂はその開口部を通って、吊り
ピン下面に充填されるとほぼ同時に上面にも充填されて
行く。従って、吊りピン上下での溶融樹脂の充填量差
は、従来よりも小さくなる。
【００１２】又、本発明では、上記の開口部を形成する
際に、開口予定部の一部を櫛の歯状に残し、それら櫛の
歯状の金属片を上または下に折り曲げ、モールド金型内
壁に密着させる。吊りピンやアイランドは、それらモー
ルド金型内壁に密着した吊りピンと上下の金型とで支持
されるので、たとえ吊りピンの上下に樹脂の充填量差が
あったとしても、吊りピンの変形やアイランドの位置変
動は、小さく抑えられる。
際に、開口予定部の一部を櫛の歯状に残し、それら櫛の
歯状の金属片を上または下に折り曲げ、モールド金型内
壁に密着させる。吊りピンやアイランドは、それらモー
ルド金型内壁に密着した吊りピンと上下の金型とで支持
されるので、たとえ吊りピンの上下に樹脂の充填量差が
あったとしても、吊りピンの変形やアイランドの位置変
動は、小さく抑えられる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の好適な実施例について、図面
を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実
施例の断面図である。又、図１（ｂ）はこの実施例に用
いた吊りピンの部分拡大平面図である。図１を参照し
て、本実施例では、リードフレーム製作時に、吊りピン
２の部分に、図１（ｂ）に示すような櫛の歯状のスリッ
ト６を、予め形成する。次に、櫛の歯状に残した吊りピ
ンの一部をプレス加工によって上または下に折り曲げ、
図１（ａ）に示すような、上下のモールド金型内壁に密
着する形状とする。このように加工した後の吊りピン２
には、長方形の開口部ができることになる。上記のプレ
ス加工により上または下に折り曲げられた突起状金属片
３ａ，３ｂは、トランスファ成形時の吊りピンの変形や
アイランドの位置変動を防止するための、変形防止用支
持部材として作用する。上記のプレス加工は、アイラン
ド部分にダウンセット加工を施すときと同じ手法で行
う。すなわち、吊りピン２にエッチング或いはプレス加
工などでスリット６を形成したリードフレームを、プレ
ス加工を行うステージに置き、先ず片方の下方向の支持
部材３ｂのプレス加工を行う。若しもそのリードフレー
ムがアイランド４部分にダウンセットを持つものである
ときは、支持部材３ｂをプレスする最初の工程で、同時
に行うようにすると良い。次に、もう一方の上方向の支
持部材３ａのプレスを行うがその際には、先にプレスを
行った部分の変形を防止するための逃げスペースを備え
た別のステージを用いてプレス加工を行う必要がある。
を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実
施例の断面図である。又、図１（ｂ）はこの実施例に用
いた吊りピンの部分拡大平面図である。図１を参照し
て、本実施例では、リードフレーム製作時に、吊りピン
２の部分に、図１（ｂ）に示すような櫛の歯状のスリッ
ト６を、予め形成する。次に、櫛の歯状に残した吊りピ
ンの一部をプレス加工によって上または下に折り曲げ、
図１（ａ）に示すような、上下のモールド金型内壁に密
着する形状とする。このように加工した後の吊りピン２
には、長方形の開口部ができることになる。上記のプレ
ス加工により上または下に折り曲げられた突起状金属片
３ａ，３ｂは、トランスファ成形時の吊りピンの変形や
アイランドの位置変動を防止するための、変形防止用支
持部材として作用する。上記のプレス加工は、アイラン
ド部分にダウンセット加工を施すときと同じ手法で行
う。すなわち、吊りピン２にエッチング或いはプレス加
工などでスリット６を形成したリードフレームを、プレ
ス加工を行うステージに置き、先ず片方の下方向の支持
部材３ｂのプレス加工を行う。若しもそのリードフレー
ムがアイランド４部分にダウンセットを持つものである
ときは、支持部材３ｂをプレスする最初の工程で、同時
に行うようにすると良い。次に、もう一方の上方向の支
持部材３ａのプレスを行うがその際には、先にプレスを
行った部分の変形を防止するための逃げスペースを備え
た別のステージを用いてプレス加工を行う必要がある。
【００１４】こうして得られたリードフレームを用いて
チップ１をアイランド４上に、銀ペーストのような導電
性接着剤によりマウントする。その後、金細線のような
ボンディングワイヤーでチップ１と内部リードとを電気
的に接続し、トランスファ成形を行う。
チップ１をアイランド４上に、銀ペーストのような導電
性接着剤によりマウントする。その後、金細線のような
ボンディングワイヤーでチップ１と内部リードとを電気
的に接続し、トランスファ成形を行う。
【００１５】トランスファ成形に際して、モールド金型
の形状や樹脂の注入圧力などの成形条件は、従来と同じ
で良い。本実施例におけるトランスファ成形の進行状況
を段階的に示す図２を参照して、チップ１をマウントし
ボンディングしたリードフレームをモールド金型５ａ，
５ｂでクランプし、先にプレス加工で形成しておいた突
起状支持部材３ａ，３ｂを上下のモールド金型５ａ，５
ｂの内壁に密着させる（図２（ａ））。次に、溶融した
封止樹脂７を下金型５ｂからキャビティ内に圧入して行
く。この場合、吊りピン２には開口部があるので、下金
型５ｂから注入された溶融樹脂７はその開口部を通っ
て、下金型５ｂに注入されるのと殆ど同時に上金型５ａ
にも流れ込む。従って、従来の樹脂封止型ＬＳＩ製造に
おけるトランスファ成形のときとは違って、吊りピン２
の上下で溶融樹脂７の充填差は生じず、吊りピン２に上
方向の力が加わることはない（図２（ｂ））。しかも、
吊りピン２及びアイランド４が、突起状の支持部材３
ａ，３ｂと上下の金型５ａ，５ｂとによって支持されて
いるので、樹脂充填中にアイランド４が持上ることは、
ない（図２（ｃ））。溶融樹脂７がキャビティ内に完全
に充填された後でも、アイランド４の位置がこの工程の
当初にモールド金型内にセットされたときと同じ設計位
置（図２（ａ））を保っているので、チップ１とアイラ
ンド４とを挟む上下の封止樹脂７の厚さは設計どおりに
均等になる（図２（ｄ））。従って、ＬＳＩをモールド
金型５ａ，５ｂより取り外し冷却させたときも、ＬＳＩ
が反ることは無い。
の形状や樹脂の注入圧力などの成形条件は、従来と同じ
で良い。本実施例におけるトランスファ成形の進行状況
を段階的に示す図２を参照して、チップ１をマウントし
ボンディングしたリードフレームをモールド金型５ａ，
５ｂでクランプし、先にプレス加工で形成しておいた突
起状支持部材３ａ，３ｂを上下のモールド金型５ａ，５
ｂの内壁に密着させる（図２（ａ））。次に、溶融した
封止樹脂７を下金型５ｂからキャビティ内に圧入して行
く。この場合、吊りピン２には開口部があるので、下金
型５ｂから注入された溶融樹脂７はその開口部を通っ
て、下金型５ｂに注入されるのと殆ど同時に上金型５ａ
にも流れ込む。従って、従来の樹脂封止型ＬＳＩ製造に
おけるトランスファ成形のときとは違って、吊りピン２
の上下で溶融樹脂７の充填差は生じず、吊りピン２に上
方向の力が加わることはない（図２（ｂ））。しかも、
吊りピン２及びアイランド４が、突起状の支持部材３
ａ，３ｂと上下の金型５ａ，５ｂとによって支持されて
いるので、樹脂充填中にアイランド４が持上ることは、
ない（図２（ｃ））。溶融樹脂７がキャビティ内に完全
に充填された後でも、アイランド４の位置がこの工程の
当初にモールド金型内にセットされたときと同じ設計位
置（図２（ａ））を保っているので、チップ１とアイラ
ンド４とを挟む上下の封止樹脂７の厚さは設計どおりに
均等になる（図２（ｄ））。従って、ＬＳＩをモールド
金型５ａ，５ｂより取り外し冷却させたときも、ＬＳＩ
が反ることは無い。
【００１６】本実施例によれば、アイランドの位置変動
量（アイランドのフラットの位置からの最大変位量。図
５（ｄ）中にｄ1 で示す）を、従来２００〜４００μｍ
であったものを、ほぼ０μｍに抑えることができた。こ
れにより、ＬＳＩとしての反り（外装樹脂下面の設計位
置からのずれ量。図６（ａ）中にｄ2 で示す）に関し
て、従来３０〜６０μｍであったものを、ほぼ０μｍつ
まり殆どフラットな状態にすることができた。その結
果、外部リードの成形を行う際のコプラナリティへの影
響はなくなり、均一なリード平坦部が得られた。
量（アイランドのフラットの位置からの最大変位量。図
５（ｄ）中にｄ1 で示す）を、従来２００〜４００μｍ
であったものを、ほぼ０μｍに抑えることができた。こ
れにより、ＬＳＩとしての反り（外装樹脂下面の設計位
置からのずれ量。図６（ａ）中にｄ2 で示す）に関し
て、従来３０〜６０μｍであったものを、ほぼ０μｍつ
まり殆どフラットな状態にすることができた。その結
果、外部リードの成形を行う際のコプラナリティへの影
響はなくなり、均一なリード平坦部が得られた。
【００１７】次に、本発明の第２の実施例について、説
明する。図３（ａ）は、本発明の第２の実施例の断面図
であり、図３（ｂ）は、この実施例に用いた吊りピンの
部分拡大平面図である。図３を参照して、本実施例で
は、リードフレーム製作時に、第１の実施例におけるス
リット６の形状（図１（ｂ））を反転させた形状のスリ
ット６を、吊りピン２に形成しておく。そして、第１の
実施例におけると同じように、スリット６を形成した吊
りピン２の櫛の歯状に残った金属片を、モールド金型５
ａ，５ｂ内壁に密着するような形状にプレス加工する。
このようにすることにより、第１の実施例と同様な開口
部が吊りピン２にできる。但し、本実施例において支持
部材３ａ，３ｂは、チップ１から外側方向に向く凸型と
なる。こうして得たリードフレームを用いて、チップ１
をアイランド４上に、銀ペーストなどの導電性接着剤を
介してマウントし、金属細線でチップ１と内部リードと
をワイヤーボンディングした後、トランスファ成形を行
う。
明する。図３（ａ）は、本発明の第２の実施例の断面図
であり、図３（ｂ）は、この実施例に用いた吊りピンの
部分拡大平面図である。図３を参照して、本実施例で
は、リードフレーム製作時に、第１の実施例におけるス
リット６の形状（図１（ｂ））を反転させた形状のスリ
ット６を、吊りピン２に形成しておく。そして、第１の
実施例におけると同じように、スリット６を形成した吊
りピン２の櫛の歯状に残った金属片を、モールド金型５
ａ，５ｂ内壁に密着するような形状にプレス加工する。
このようにすることにより、第１の実施例と同様な開口
部が吊りピン２にできる。但し、本実施例において支持
部材３ａ，３ｂは、チップ１から外側方向に向く凸型と
なる。こうして得たリードフレームを用いて、チップ１
をアイランド４上に、銀ペーストなどの導電性接着剤を
介してマウントし、金属細線でチップ１と内部リードと
をワイヤーボンディングした後、トランスファ成形を行
う。
【００１８】吊りピン２に設けた開口部により、トラン
スファ成形の溶融樹脂７充填時の、上下のモールド金型
５ａ，５ｂの間での樹脂７の充填量差は発生しなくな
る。更に、突起状の支持部材３ａ，３ｂとモールド金型
とで吊りピン２及びアイランド４を支持するので、アイ
ランドの位置変動は起らない。従って、樹脂充填完了後
もチップ１とアイランド４とを挟む上下の封止樹脂厚が
均等になり、ＬＳＩを金型から取り外し冷却させたとき
も、ＬＳＩの反りは生じない。
スファ成形の溶融樹脂７充填時の、上下のモールド金型
５ａ，５ｂの間での樹脂７の充填量差は発生しなくな
る。更に、突起状の支持部材３ａ，３ｂとモールド金型
とで吊りピン２及びアイランド４を支持するので、アイ
ランドの位置変動は起らない。従って、樹脂充填完了後
もチップ１とアイランド４とを挟む上下の封止樹脂厚が
均等になり、ＬＳＩを金型から取り外し冷却させたとき
も、ＬＳＩの反りは生じない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、リード
フレームの吊りピン部分に櫛の歯状のスリットを設け、
残った方の櫛の歯状金属片を上または下に折り曲げるこ
とにより、吊りピンに直角四辺形の開口部を設けると共
に、折り曲げた金属片がトランスファ成形の際のモール
ド金型の上下の内壁に密着するようにしている。
フレームの吊りピン部分に櫛の歯状のスリットを設け、
残った方の櫛の歯状金属片を上または下に折り曲げるこ
とにより、吊りピンに直角四辺形の開口部を設けると共
に、折り曲げた金属片がトランスファ成形の際のモール
ド金型の上下の内壁に密着するようにしている。
【００２０】これにより本発明によれば、樹脂封止型Ｌ
ＳＩのトランスファ成形工程で溶融樹脂を充填して行く
際に、吊りピンの上下間で溶融樹脂の充填量差が同じく
なると共に、吊りピンとアイランドとが金属片とモール
ド金型とで支持されるので、吊りピンの変形とそれに伴
うアイランドの位置変動が発生しなくなる。
ＳＩのトランスファ成形工程で溶融樹脂を充填して行く
際に、吊りピンの上下間で溶融樹脂の充填量差が同じく
なると共に、吊りピンとアイランドとが金属片とモール
ド金型とで支持されるので、吊りピンの変形とそれに伴
うアイランドの位置変動が発生しなくなる。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図および、この実
施例に用いた吊りピンの部分拡大平面図である。
施例に用いた吊りピンの部分拡大平面図である。
【図２】第１の実施例におけるトランスファ成形での樹
脂充填の進行状況を段階的に示す断面図である。
脂充填の進行状況を段階的に示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の断面図および、この実
施例に用いた吊りピンの部分拡大平面図である。
施例に用いた吊りピンの部分拡大平面図である。
【図４】従来の樹脂封止型ＬＳＩに用いられるリードフ
レームの模式的平面図および、これを用いた樹脂封止型
ＬＳＩの一例の断面図である。
レームの模式的平面図および、これを用いた樹脂封止型
ＬＳＩの一例の断面図である。
【図５】図４に示す従来の樹脂封止型ＬＳＩにおけるト
ランスファ成形での樹脂充填の進行状況を段階的に示す
断面図である。
ランスファ成形での樹脂充填の進行状況を段階的に示す
断面図である。
【図６】樹脂封止型ＬＳＩにおける反りの状態を示す側
面図である。
面図である。
【図７】従来の樹脂封止型ＬＳＩの他の例の断面図であ
る。
る。
１ チップ ２ 吊りピン ３ａ，３ｂ 支持部材 ４ アイランド ５ａ，５ｂ モールド金型 ６ スリット ７ 封止樹脂 ８ 内部リード ９ 外部リード １０ リード成形金型
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するためのアイラン
ドと、前記アイランドに連結する吊りピンと、封止外装
用樹脂とを含む樹脂封止型半導体装置において、 前記吊りピンに、直角四辺形の開口部と、前記開口部の
一辺から突起して前記封止外装用樹脂の一方の平表面に
達するように伸びる少なくとも一つ以上の金属片と、前
記開口部の一辺から突起して前記封止外装用樹脂の他方
の平表面に達するように伸びる少なくとも一つ以上の金
属片とを設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 前記二種類の金属片が共に前記開口部の前記半導体チッ
プに近い側の辺から突起していることを特徴する樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 前記二種類の金属片が共に前記開口部の前記半導体チッ
プから遠い側の辺から突起していることを特徴する樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項４】 金属製リードフレームの吊りピンに櫛の
歯状の開口を設ける工程と、 櫛の歯状に残された複数の金属片の少なくとも一つ以上
を上方向に折り曲げる工程と、 他の金属片を下方向に折り曲げる工程とを含む工程によ
り、前記吊りピンに直角四辺形の開口部を開けると同時
にその開口部の一辺から上方向に突起する少なくとも一
つ以上の金属片と前記開口部の一辺から下方向に突起す
る少なくとも一つ以上の金属片とを設けることを特徴と
する、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造に用
いるリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294860A JP2621814B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294860A JP2621814B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153845A true JPH08153845A (ja) | 1996-06-11 |
| JP2621814B2 JP2621814B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17813194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6294860A Expired - Lifetime JP2621814B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621814B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191333A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008227280A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | リードフレーム、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| WO2019216160A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02253646A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム |
| JPH06326152A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6294860A patent/JP2621814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02253646A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム |
| JPH06326152A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191333A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008227280A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | リードフレーム、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| US8236620B2 (en) | 2007-03-14 | 2012-08-07 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2019216160A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
| CN112041984A (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-04 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 |
| JPWO2019216160A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2021-03-11 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
| US11217514B2 (en) | 2018-05-09 | 2022-01-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion device |
| CN112041984B (zh) * | 2018-05-09 | 2023-12-22 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621814B2 (ja) | 1997-06-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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