JP3179003B2 - Ｔｓｏｐまたはｕｔｓｏｐのような超薄型半導体パッケージの成形装置および成形方法 - Google Patents
Ｔｓｏｐまたはｕｔｓｏｐのような超薄型半導体パッケージの成形装置および成形方法Info
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- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＳＯＰまたはＵ
ＴＳＯＰのような超薄型半導体パッケージの成形装置お
よび成形方法に関し、より詳細には成形装置の注入口
（ｇａｔｅ）の高さ（または幅）をリードフレームの厚
さより大きくならないように形成することによってパッ
ケージクラックやチップアウト（ｃｈｉｐ−ｏｕｔ）等
の不良発生を著しく減少させることができるパッケージ
の成形装置および成形方法に関する。
ＴＳＯＰのような超薄型半導体パッケージの成形装置お
よび成形方法に関し、より詳細には成形装置の注入口
（ｇａｔｅ）の高さ（または幅）をリードフレームの厚
さより大きくならないように形成することによってパッ
ケージクラックやチップアウト（ｃｈｉｐ−ｏｕｔ）等
の不良発生を著しく減少させることができるパッケージ
の成形装置および成形方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業が現代の情報化社会における
基盤産業に位置しているというのは周知の事実である。
ダイオード、トランジスタ、集積回路等の半導体装置は
現在、主にシリコンウェーハ上に微細な回路を形成して
チップを作っているが、ごみ、熱、湿気、電気および機
械的な負荷等の各種外部要因によるチップの損傷を防止
し、装置としての信頼性を向上させるため、チップの周
囲を金属、セラミックまたは成形樹脂によって封止した
パッケージ形態で実現されている。その中で広く使われ
ているのは、エポキシ・モールディング・コンパウンド
を代表とする成形樹脂によって封止されたプラスチック
パッケージである。
基盤産業に位置しているというのは周知の事実である。
ダイオード、トランジスタ、集積回路等の半導体装置は
現在、主にシリコンウェーハ上に微細な回路を形成して
チップを作っているが、ごみ、熱、湿気、電気および機
械的な負荷等の各種外部要因によるチップの損傷を防止
し、装置としての信頼性を向上させるため、チップの周
囲を金属、セラミックまたは成形樹脂によって封止した
パッケージ形態で実現されている。その中で広く使われ
ているのは、エポキシ・モールディング・コンパウンド
を代表とする成形樹脂によって封止されたプラスチック
パッケージである。
【０００３】現在のパッケージの開発は、薄形（ｓｌｉ
ｍ）のパッケージを追究しており、半導体装置のデザイ
ンおよび成形工程がより一層重要視されている。しか
し、パッケージの成形装置自体に問題がないとしても薄
形のパッケージが製作されるときにはパッケージのクラ
ックやチップアウト等の不良が発生することがある。し
たがって、成形装置のデザインは成形装置の歩留りや半
導体装置の信頼性に決定的な影響を及ぼす。
ｍ）のパッケージを追究しており、半導体装置のデザイ
ンおよび成形工程がより一層重要視されている。しか
し、パッケージの成形装置自体に問題がないとしても薄
形のパッケージが製作されるときにはパッケージのクラ
ックやチップアウト等の不良が発生することがある。し
たがって、成形装置のデザインは成形装置の歩留りや半
導体装置の信頼性に決定的な影響を及ぼす。
【０００４】半導体装置をパッケージングする成形装置
の金型部は上部金型と下部金型から成り、これらは半組
立状態の半導体装置を収容するときには開き、成形工程
中には閉じている。
の金型部は上部金型と下部金型から成り、これらは半組
立状態の半導体装置を収容するときには開き、成形工程
中には閉じている。
【０００５】また、成形装置は注入口とランナを具備し
ており、これらはモールディングコンパウンドを金型の
キャビティ内部に送り込むのに使われる。注入口はモー
ルディングコンパウンドが注入されるキャビティに通ず
る小さい開口であり、普通は下部金型または上部金型に
形成される。
ており、これらはモールディングコンパウンドを金型の
キャビティ内部に送り込むのに使われる。注入口はモー
ルディングコンパウンドが注入されるキャビティに通ず
る小さい開口であり、普通は下部金型または上部金型に
形成される。
【０００６】図９は、下部金型に注入口を有する従来技
術による成形装置（下部注入口型のパッケージ成形装
置）の断面図を示している。
術による成形装置（下部注入口型のパッケージ成形装
置）の断面図を示している。
【０００７】図１０は、図９の注入口部分の側断面図で
あり、図１１は、図９に示した下部注入口型のパッケー
ジ成形装置の成形メカニズムを示す図である。
あり、図１１は、図９に示した下部注入口型のパッケー
ジ成形装置の成形メカニズムを示す図である。
【０００８】図９〜図１１を参照すると、下部注入口型
のパッケージ成形装置（以下、下部型成形装置という）
１００は上部金型８０と下部金型９０を有し、その金型
８０、９０には、リードフレームにチップが搭載された
半組立状態のパッケージ５０が内在・成形されるキャビ
ティ８２、９２が形成され、更に、成形樹脂（不図示）
を注入するためのランナおよび注入口９４が所定の領域
に形成されている。
のパッケージ成形装置（以下、下部型成形装置という）
１００は上部金型８０と下部金型９０を有し、その金型
８０、９０には、リードフレームにチップが搭載された
半組立状態のパッケージ５０が内在・成形されるキャビ
ティ８２、９２が形成され、更に、成形樹脂（不図示）
を注入するためのランナおよび注入口９４が所定の領域
に形成されている。
【０００９】前記半組立状態のパッケージ５０は、チッ
プ２０がダイパッド１０に接着剤（不図示）で接着さ
れ、チップ２０の上面に形成されているボンディングパ
ッド（不図示）が対応する内部リード３０とワイヤ２２
によって電気的に連結され、内部リード３０と一体形に
形成されている外部リード４０が形成されている構造と
なっている。
プ２０がダイパッド１０に接着剤（不図示）で接着さ
れ、チップ２０の上面に形成されているボンディングパ
ッド（不図示）が対応する内部リード３０とワイヤ２２
によって電気的に連結され、内部リード３０と一体形に
形成されている外部リード４０が形成されている構造と
なっている。
【００１０】注入口９４は下部金型９０の所定の領域に
形成されており、その注入口９４の高さ（幅）は、リー
ド３０、４０の厚さ（リードフレームの厚さ）に比べて
大きく形成されている。また、注入口９４を通じて注入
される成形樹脂（不図示）は、矢印方向にキャビティ８
２、９２に充填される。
形成されており、その注入口９４の高さ（幅）は、リー
ド３０、４０の厚さ（リードフレームの厚さ）に比べて
大きく形成されている。また、注入口９４を通じて注入
される成形樹脂（不図示）は、矢印方向にキャビティ８
２、９２に充填される。
【００１１】図１２〜図１４及び図１５〜図１７は、上
部型成形装置および中央部型成形装置の場合をそれぞれ
示している。これらは、図９〜図１１に関連して説明し
た下部型成形装置１００と、注入口が配置された位置、
形状、及びキャビティの内部に充填される成形樹脂の流
れ方向が異なるだけで、その以外の構成はすべて同一で
ある。したがって、上部型成形装置および中央部型成形
装置に対する詳細な説明は省略する。
部型成形装置および中央部型成形装置の場合をそれぞれ
示している。これらは、図９〜図１１に関連して説明し
た下部型成形装置１００と、注入口が配置された位置、
形状、及びキャビティの内部に充填される成形樹脂の流
れ方向が異なるだけで、その以外の構成はすべて同一で
ある。したがって、上部型成形装置および中央部型成形
装置に対する詳細な説明は省略する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来技術による構造に
おいては、成形が完了したパッケージからゲート部分を
除去するディゲート（ｄｅｇａｔｅ）処理を実施する
と、パッケージの厚さに比べ注入口の高さが占有する比
率が相対的に大きいので、パッケージのクラックやチッ
プアウトのパッケージの不良率が相対的に高くなる。こ
のようなパッケージの不良はＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍ
ａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）またはＵＴ
ＳＯＰ（Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌ
ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）のような超薄形パッケージの
場合に、より深刻になる。更に、薄形のパッケージにお
いてはディゲートされた部分の外観がよくないという短
所も有している。
おいては、成形が完了したパッケージからゲート部分を
除去するディゲート（ｄｅｇａｔｅ）処理を実施する
と、パッケージの厚さに比べ注入口の高さが占有する比
率が相対的に大きいので、パッケージのクラックやチッ
プアウトのパッケージの不良率が相対的に高くなる。こ
のようなパッケージの不良はＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍ
ａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）またはＵＴ
ＳＯＰ（Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌ
ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）のような超薄形パッケージの
場合に、より深刻になる。更に、薄形のパッケージにお
いてはディゲートされた部分の外観がよくないという短
所も有している。
【００１３】本発明の目的は、ＴＳＯＰまたはＵＴＳＯ
Ｐのような超薄型半導体パッケージの成形工程におい
て、成形樹脂をキャビティ内部に注入する注入口の高さ
（幅）の大きさを小さくしてパッケージのクラックやチ
ップアウトの問題を改善できるパッケージの成形装置お
よび成形方法を提供することにある。
Ｐのような超薄型半導体パッケージの成形工程におい
て、成形樹脂をキャビティ内部に注入する注入口の高さ
（幅）の大きさを小さくしてパッケージのクラックやチ
ップアウトの問題を改善できるパッケージの成形装置お
よび成形方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る成形装置
は、モールディングコンパウンドを伝達するための一つ
以上の注入口、上部金型、下部金型、および前記上部金
型と下部金型との間に形成されており、封止しようとす
る半導体チップ・ワイヤ・リードフレームの組立体が配
置されるキャビティを含むＴＳＯＰまたはＵＴＳＯＰの
ような超薄型半導体パッケージ用の成形装置において、
前記注入口の高さ（幅）が、リードフレームの厚みより
大きくならないように形成されていることを特徴とす
る。
は、モールディングコンパウンドを伝達するための一つ
以上の注入口、上部金型、下部金型、および前記上部金
型と下部金型との間に形成されており、封止しようとす
る半導体チップ・ワイヤ・リードフレームの組立体が配
置されるキャビティを含むＴＳＯＰまたはＵＴＳＯＰの
ような超薄型半導体パッケージ用の成形装置において、
前記注入口の高さ（幅）が、リードフレームの厚みより
大きくならないように形成されていることを特徴とす
る。
【００１５】また、本発明に係る成形方法は、（ａ）成
形装置のキャビティ内に半導体チップ・ワイヤ・リード
フレームの組立体を入れる段階と、（ｂ）モールディン
グコンパウンドを前記キャビティ内に伝達して圧縮成形
を実施し、ゲートを有する成形組立体を得る段階と、
（ｃ）前記成形組立体を取り出す段階と、を含むＴＳＯ
ＰまたはＵＴＳＯＰのような超薄型半導体パッケージの
成形方法において、段階（ｂ）から得られる成形組立体
のゲートの高さが、前記組立体内部のリードフレームの
厚みより大きくならないように形成されることを特徴と
する。
形装置のキャビティ内に半導体チップ・ワイヤ・リード
フレームの組立体を入れる段階と、（ｂ）モールディン
グコンパウンドを前記キャビティ内に伝達して圧縮成形
を実施し、ゲートを有する成形組立体を得る段階と、
（ｃ）前記成形組立体を取り出す段階と、を含むＴＳＯ
ＰまたはＵＴＳＯＰのような超薄型半導体パッケージの
成形方法において、段階（ｂ）から得られる成形組立体
のゲートの高さが、前記組立体内部のリードフレームの
厚みより大きくならないように形成されることを特徴と
する。
【００１６】
【発明の実態の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の実施の形態について詳細に説明する。
明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明の一つの実施形態であっ
て、下部注入口（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）型のパッケ
ージ成形装置の断面図である。図２は、図１の側面図で
あり、図３は、図１に示した成形装置の成形メカニズム
を示す図である。図４は、図３の“Ａ”の部分を詳細に
示す拡大図である。
て、下部注入口（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）型のパッケ
ージ成形装置の断面図である。図２は、図１の側面図で
あり、図３は、図１に示した成形装置の成形メカニズム
を示す図である。図４は、図３の“Ａ”の部分を詳細に
示す拡大図である。
【００１８】図４を参照すると、本発明による下部注入
口型パッケージ成形装置（以下、下部注入型成形装置と
いう）４００は、注入口３９４の厚さＸがリード３０、
４０の厚さＹ（リードフレームの厚さ）より大きくない
ように、望ましくは厚さＹより小さくなるように形成さ
れており、これ以外は、図９〜図１１に示した従来技術
による下部型成形装置１００と同一の構造となってい
る。
口型パッケージ成形装置（以下、下部注入型成形装置と
いう）４００は、注入口３９４の厚さＸがリード３０、
４０の厚さＹ（リードフレームの厚さ）より大きくない
ように、望ましくは厚さＹより小さくなるように形成さ
れており、これ以外は、図９〜図１１に示した従来技術
による下部型成形装置１００と同一の構造となってい
る。
【００１９】注入口３９４を通じて注入される成形樹脂
（不図示）は、図３および図４に示した矢印方向に前記
キャビティ３８２，３９２に充填される。
（不図示）は、図３および図４に示した矢印方向に前記
キャビティ３８２，３９２に充填される。
【００２０】図５〜図８は本発明の別の実施形態であっ
て、上部注入口型の成形装置を示している。図５〜図８
に示した本発明による上部注入口型成形装置５００は図
１〜図４に関連して説明した下部型成形装置４００と比
較して、注入口が形成された位置およびキャビティの内
部に充填される成形樹脂の流れの方向が異なるだけで、
その以外の構成はすべて同一である。したがって、上部
注入口型成形装置に対する詳細な説明は省略する。
て、上部注入口型の成形装置を示している。図５〜図８
に示した本発明による上部注入口型成形装置５００は図
１〜図４に関連して説明した下部型成形装置４００と比
較して、注入口が形成された位置およびキャビティの内
部に充填される成形樹脂の流れの方向が異なるだけで、
その以外の構成はすべて同一である。したがって、上部
注入口型成形装置に対する詳細な説明は省略する。
【００２１】一方、本発明による成形工程は、（ａ）成
形装置のキャビティ内に半導体チップ・ワイヤ・リード
フレームの組立体を入れる段階と、（ｂ）モールディン
グコンパウンドをキャビティ内に伝達して圧縮成形を実
施することによりゲートを有する成形組立体を得る段
階、および（ｃ）成形組立体を取り出す段階とを含み、
前記段階（ｂ）から得られる成形組立体のゲートの高さ
が組立体内部のリードフレームの厚さより大きくないこ
とを特徴とする。
形装置のキャビティ内に半導体チップ・ワイヤ・リード
フレームの組立体を入れる段階と、（ｂ）モールディン
グコンパウンドをキャビティ内に伝達して圧縮成形を実
施することによりゲートを有する成形組立体を得る段
階、および（ｃ）成形組立体を取り出す段階とを含み、
前記段階（ｂ）から得られる成形組立体のゲートの高さ
が組立体内部のリードフレームの厚さより大きくないこ
とを特徴とする。
【００２２】その他の成形条件は本発明に決定的なもの
ではないし、当業者によって容易に適宜選定されるもの
である。本発明の成形工程によると、パッケージ内部の
リードフレームの厚さより大きくない高さのゲートを有
する成形された半導体パッケージが得られる。
ではないし、当業者によって容易に適宜選定されるもの
である。本発明の成形工程によると、パッケージ内部の
リードフレームの厚さより大きくない高さのゲートを有
する成形された半導体パッケージが得られる。
【００２３】本発明の成形装置と成形工程の効果を立証
するために、本発明のパッケージ成形装置を利用して製
作したパッケージと、従来のパッケージ成形装置によっ
て製作したパッケージの不良率を評価した結果を下記の
表１に示す。
するために、本発明のパッケージ成形装置を利用して製
作したパッケージと、従来のパッケージ成形装置によっ
て製作したパッケージの不良率を評価した結果を下記の
表１に示す。
【００２４】なお、評価条件は次のとおりである。
【００２５】 ・評価プレス ：ＵＰＳ１２０Ｎ−ＥＸ ・評価成形装置 ：ＳＳ−１６８（韓美金型製作、本発明） ・評価対象になったチップ：４Ｍ ＤＲＡＭ ２０ＴＳＯＰII ・リードフレームの厚さ ：６ｍｉｌ ・チップがパッケージされた後にディフレシング（ｄｅ
ｆｌａｓｈｉｎｇ）してから算出した結果である。
ｆｌａｓｈｉｎｇ）してから算出した結果である。
【００２６】・従来技術によるパッケージ成形装置（改
善前）の注入口の高さ（幅）は、１０ｍｉｌであり、本
発明によるパッケージ成形装置（改善後）の注入口の高
さ（幅）は、５ｍｉｌである。
善前）の注入口の高さ（幅）は、１０ｍｉｌであり、本
発明によるパッケージ成形装置（改善後）の注入口の高
さ（幅）は、５ｍｉｌである。
【００２７】
【表１】 表１からわかるように、本発明によるパッケージ成形装
置および成形方法によって製作された半導体パッケージ
は、従来技術の場合に比べて不良率が顕著に減少してい
る。また、薄形のパッケージの製作においてもディゲー
トされた（ｄｅｇａｔｅｄ）パッケージの表面が美麗な
ことが視覚的にも確認された。したがって、成形装置の
注入口の高さをリードフレームの厚さに対して大きくな
いように、望ましくは小さくなるように形成する本発明
は、従来技術に比べて有利な効果を有する。
置および成形方法によって製作された半導体パッケージ
は、従来技術の場合に比べて不良率が顕著に減少してい
る。また、薄形のパッケージの製作においてもディゲー
トされた（ｄｅｇａｔｅｄ）パッケージの表面が美麗な
ことが視覚的にも確認された。したがって、成形装置の
注入口の高さをリードフレームの厚さに対して大きくな
いように、望ましくは小さくなるように形成する本発明
は、従来技術に比べて有利な効果を有する。
【００２８】ここでは、本発明を下部および上部型成形
装置に関してのみ記述したが、本発明はこれに限定され
るものでなく、中央部型成形装置においても適用するこ
とができる。
装置に関してのみ記述したが、本発明はこれに限定され
るものでなく、中央部型成形装置においても適用するこ
とができる。
【００２９】
【００３０】成形直後の、まだディゲート工程を経てな
いパッケージのゲートの高さはリードフレームの厚さよ
り大きくないことが要求され、望ましくはリードフレー
ムの厚さより小さく、リードフレームの厚さの５０％以
上の値をもつ。
いパッケージのゲートの高さはリードフレームの厚さよ
り大きくないことが要求され、望ましくはリードフレー
ムの厚さより小さく、リードフレームの厚さの５０％以
上の値をもつ。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ＴＳＯＰまたはＵＴＳＯＰのような超薄型半導体
パッケージにおいて、その成形装置の注入口の高さ
（幅）を、封止しようとする半導体パッケージ内のリー
ドフレームの厚さより大きくないようにすることによっ
て、半導体パッケージの不良を減少させ、美麗な外観を
有するパッケージを製作することができると共に、パッ
ケージの信頼性を改善することができる。
れば、ＴＳＯＰまたはＵＴＳＯＰのような超薄型半導体
パッケージにおいて、その成形装置の注入口の高さ
（幅）を、封止しようとする半導体パッケージ内のリー
ドフレームの厚さより大きくないようにすることによっ
て、半導体パッケージの不良を減少させ、美麗な外観を
有するパッケージを製作することができると共に、パッ
ケージの信頼性を改善することができる。
【図１】本発明による下部注入口型のパッケージ成形装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】図１の注入口部分の側断面図である。
【図３】本発明による下部注入口型のパッケージ成形装
置の成形メカニズムを示す図である。
置の成形メカニズムを示す図である。
【図４】図３の“Ａ”の部分を詳細に示す拡大図であ
る。
る。
【図５】本発明による上部注入口型のパッケージ成形装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図６】図５の注入口部分の側断面図である。
【図７】本発明による上部注入口型のパッケージ成形装
置の成形メカニズムを示す図である。
置の成形メカニズムを示す図である。
【図８】図７の“Ｂ”の部分を詳細に示す拡大図であ
る。
る。
【図９】従来技術による下部注入口型のパッケージ成形
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図１０】図９の注入口部分の側断面図である。
【図１１】従来技術による下部注入口型のパッケージ成
形装置の成形メカニズムを示す図である。
形装置の成形メカニズムを示す図である。
【図１２】従来技術による上部注入口型のパッケージ成
形装置の断面図である。
形装置の断面図である。
【図１３】図１２の注入口部分の側断面図である。
【図１４】従来技術による上部注入口型のパッケージ成
形装置の成形メカニズムを示す図である。
形装置の成形メカニズムを示す図である。
【図１５】従来技術による中央部注入口型のパッケージ
成形装置の断面図である。
成形装置の断面図である。
【図１６】図１５の注入口部分の側断面図である。
【図１７】従来技術による中央部注入口型のパッケージ
成形装置の成形メカニズムを示す図である。
成形装置の成形メカニズムを示す図である。
１０ ダイパッド ２０ チップ ２２ ワイヤ ３０ 内部リード ４０ 外部リード ５０ 半組立状態のパッケージ ３８０，４８０ 上部金型 ３９０，４９０ 下部金型 ３８２，４８２ キャビティ ３９２，４９２ キャビティ ３９４，４８４ 注入口 ４００ 下部注入口型成形装置 ５００ 上部注入口型成形装置
フロントページの続き (72)発明者 趙 仁 植 大韓民国忠清南都牙山群俳芳面北水里山 74番地 (72)発明者 朴 泰 成 大韓民国忠清南都牙山群俳芳面北水里山 74番地 (56)参考文献 特開 平４−245447（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−261414（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−173726（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 モールディングコンパウンドを伝達する
ための一つ以上の注入口、上部金型、下部金型、および
前記上部金型と下部金型との間に形成されており封止し
ようとする半導体チップ・ワイヤ・リードフレームの組
立体が配置されるキャビティを含むＴＳＯＰまたはＵＴ
ＳＯＰのような超薄型半導体パッケージ用の成形装置に
おいて、 前記注入口の高さが、リードフレームの厚みより大きく
ならないように形成されていることを特徴とする成形装
置。 - 【請求項２】 前記注入口が下部金型に形成されている
請求項１に記載の成形装置。 - 【請求項３】 前記注入口が上部金型に形成されている
請求項１に記載の成形装置。 - 【請求項４】 前記注入口が上部金型と下部金型の接面
に形成されている請求項１に記載の成形装置。 - 【請求項５】 （ａ）成形装置のキャビティ内に半導体
チップ・ワイヤ・リードフレームの組立体を入れる段階
と、 （ｂ）モールディングコンパウンドを前記キャビティ内
に伝達して圧縮成形を実施し、ゲートを有する成形組立
体を得る段階と、 （ｃ）前記成形組立体を取り出す段階と、 を含むＴＳＯＰまたはＵＴＳＯＰのような超薄型半導体
パッケージの成形方法において、段階（ｂ）から得られ
る成形組立体のゲートの高さが、前記組立体内部のリー
ドフレームの厚みより大きくならないように形成される
ことを特徴とする成形方法。 - 【請求項６】 前記リードフレームの厚みが６ｍｉｌで
あるときに前記注入口の高さが５ｍｉｌである、請求項
１に記載の成形装置。 - 【請求項７】 前記リードフレームの厚みが６ｍｉｌで
あるときに前記ゲートの高さが５ｍｉｌである、請求項
５に記載の成形方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950022122A KR0151828B1 (ko) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 패키지 성형장치 |
| KR1995-22122 | 1995-07-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936157A JPH0936157A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3179003B2 true JP3179003B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=19421554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26511995A Expired - Fee Related JP3179003B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-10-13 | Ｔｓｏｐまたはｕｔｓｏｐのような超薄型半導体パッケージの成形装置および成形方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5811132A (ja) |
| JP (1) | JP3179003B2 (ja) |
| KR (1) | KR0151828B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316089B1 (en) | 1997-12-05 | 2001-11-13 | Showa Denko K.K. | Photocurable prepreg sheet for waterproofing, method and apparatus for production of prepreg sheet, and waterproofing method using the sheet |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100210710B1 (ko) * | 1996-09-24 | 1999-07-15 | 윤종용 | 성형 금형 |
| EP1075022A1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Offset edges mold for plastic packaging of integrated semiconductor devices |
| DE10159522A1 (de) * | 2001-12-05 | 2003-06-26 | G L I Global Light Ind Gmbh | Verfahren zur Herstellung von LED-Körpern |
| DE10242947B8 (de) * | 2002-09-16 | 2009-06-18 | Odelo Led Gmbh | Verfahren zum Herstellen von LED-Körpern mit Hilfe einer Querschnittsverengung und Vorrichtung zur Durchführung des Herstellungsverfahrens |
| US7741707B2 (en) * | 2006-02-27 | 2010-06-22 | Stats Chippac Ltd. | Stackable integrated circuit package system |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62173726A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置用樹脂成形方法 |
| JPH0694146B2 (ja) * | 1986-05-09 | 1994-11-24 | 富士通株式会社 | トランスフア成形金型 |
| US4954308A (en) * | 1988-03-04 | 1990-09-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Resin encapsulating method |
| JPH04245447A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-02 | Toshiba Corp | 半導体素子樹脂封止用金型 |
| JP3127555B2 (ja) * | 1992-04-02 | 2001-01-29 | 富士電機株式会社 | 透明樹脂封止形半導体素子の成形用金型、およびその半導体素子の成形方法 |
| US5326243A (en) * | 1992-06-25 | 1994-07-05 | Fierkens Richard H J | Compression-cavity mold for plastic encapsulation of thin-package integrated circuit device |
| JPH06124971A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Nec Corp | 樹脂封止金型 |
| JP2586831B2 (ja) * | 1994-09-22 | 1997-03-05 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止用金型および半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-07-25 KR KR1019950022122A patent/KR0151828B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-10-12 US US08/542,011 patent/US5811132A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-13 JP JP26511995A patent/JP3179003B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316089B1 (en) | 1997-12-05 | 2001-11-13 | Showa Denko K.K. | Photocurable prepreg sheet for waterproofing, method and apparatus for production of prepreg sheet, and waterproofing method using the sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0151828B1 (ko) | 1998-12-01 |
| JPH0936157A (ja) | 1997-02-07 |
| US5811132A (en) | 1998-09-22 |
| KR970008432A (ko) | 1997-02-24 |
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