KR0134812Y1 - 반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조 - Google Patents

반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조 Download PDF

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KR0134812Y1 KR2019950043145U KR19950043145U KR0134812Y1 KR 0134812 Y1 KR0134812 Y1 KR 0134812Y1 KR 2019950043145 U KR2019950043145 U KR 2019950043145U KR 19950043145 U KR19950043145 U KR 19950043145U KR 0134812 Y1 KR0134812 Y1 KR 0134812Y1
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Abstract

본 고안은 반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 리드프레임의 아우터 리드(Outer lead)를 제외한 나머지부분을 콤파운드(Compound)로 몰딩하는 반도체 몰드금형에서 용융된 수지가 게이트(Gate)를 통해 캐비티(Cavity)내로 유입되어 성형될 때 보이드(Void)가 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.
이를 위해, 캐비티(3)와 근접된 게이트(4)상에 직경이 작은 복수개의 핀(5)을 수직되게 고정하여서 된 것이다.

Description

반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조
제1도는 종래 반도체 몰드금형의 일부를 나타낸 평면도.
제2도는 본 고안 반도체 몰드금형의 일부를 나타낸 평면도.
제3도는 본 고안의 요부를 발췌하여 나타낸 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 런너 3 : 캐비티
4 : 게이트 5 : 핀
본 고안은 반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 리드프레임의 아우터 리드(Outer lead)를 제외한 나머지부분을 콤파운드(Compound)로 몰딩하는 반도체 몰드금형에서 용융된 수지가 게이트(Gate)를 통해 캐비티(Cavity)내로 유입되어 성형될 때 보이드(Void)가 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.
일반적으로 반도체를 제조하는 공정을 간략히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 실리콘 기판을 이용하여 팹(FAB) 공정을 거쳐 웨이퍼(Wafer)를 얻은 다음 상기 웨이퍼를 잘라 단위칩(이하 다이라 함)을 얻는다.
이와 같이 얻어진 다이(Die)를 다이본딩공정에서 리드프레임의 패들(Paddle)에 에폭시(Epoxy)로 접착한 다음 와이어본딩공정에서 상기 다이의 패드(Pad)와 인너리드(Inner Lead) 사이를 가느다란 금선 또는 알루미늄선으로 결선한다.
그후, 상기 리드프레임에 다이본딩 및 와이어본딩이 완료된 상태에서 수지물로 몰딩하는 패키지공정을 고친 다음 상기 패키지완료된 리드프레임을 트리밍/포밍하여 반도체를 얻게 된다.
이와 같이 얻어진 반도체는 리드의 솔더링(Soldering) 및 마킹(Marking)후 테스트(Test)공정을 거치므로써 양품으로 분류된 반도체만이 출하된다.
상기한 공정중 다이본딩 및 와이어본딩을 완료한 상태에서 이들을 외부의 환경이나 충격으로부터 보호하기 위해 수지물로 몰딩하는 패키지 공정을 첨부도면 제1도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부도면 제1도는 종래 반도체 몰드금형의 일부를 나타낸 평면도로써, 금형(1)에 형성된 런너(2)와 캐비티(3) 사이에 캐비티측으로 갈수록 점진적으로 폭이 좁아지는 게이트(4)가 연결되어 있다.
따라서 금형의 내부에 리드프레임(도시는 생략함)을 로딩한 상태에서 용융된수지물을 트랜스퍼(Transfer)가 고압으로 밀면 수지물이 런너(2)와 게이트(4)를 통해 캐비티(3)내로 유입되어 리드프레임을 몰딩하게 된다.
그러나 종래에는 트랜스퍼에 의한 고압으로 수지물을 밀 때 수지물의 원재료인 콤파운드에 존재하는 미세한 공기와, 포트 및 런너에 잔류하고 있던 공기가 수지물 압력에 의해 수지물과 함께 캐비티의 내부로 유입되므로 와이어 스위핑(Wire sweeping)현상 및 비교적 큰 보이드(Void)를 유발하게 되므로 반도체의 품질저하를 초래하게 된다.
본 고안은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, 성형작업시 게이트를 통해 비교적 큰 공기가 유입되더라도 캐비티내로 유입되기 전에 잘게 분쇄하여 와이어 스위핑현상 및 보이드가 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 형태에 따르면, 캐비티와 근접된 게이트상에 직경이 작은 복수개의 핀을 수직되게 고정함을 특징으로 하는 반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조가 제공된다.
이하, 본 고안을 일 실시예로 도시한 첨부된 도면 제2도 및 제3도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부도면 제2도는 본 고안 반도체 몰드금형의 일부를 나타낸 평면도이고, 제3도는 본 고안의 요부를 발췌하여 나타낸 사시도로써, 본 고안은 캐비티(3)와 근접된 게이트(4)상에 직경이 작은 복수개의 핀(5)이 수직되게 고정되어 게이트(4)를 통해 캐비티(3)로 유입되는 공기를 잘게 분쇄하도록 되어 있다.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용.효과를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 금형의 내부에 리드프레임(도시는 생략함)을 로딩한 상태에서 용융된 수지물을 트랜스퍼(Transfer)가 고압으로 밀면 수지물이 런너(2)와 게이트(4)를 통해 캐비티(3) 내로 유이보디어 리드프레임을 몰딩하게 된다.
그러나 이때 만약 수지물의 원재료인 콤파운드에 미세한 공기가 존재하고 있거나, 포트 및 런너에 공기가 잔류하고 있어 상기한 공기들이 수지물압력에 의해 수지물과 함께 런너(2)를 통해 게이트(4)측으로 유입되면 상기한 공기들이 캐비티(3)의 입구측에 위치된 복수개의 핀(5)에 의해 부딪혀 잘게 부서지게 되므로 캐비티내부에 압력이 작용되지 않고, 이에 따라 칩의 패드와 인너 리드사이에 연결된 와이어의 스위핑현상이 발생되지 않게 됨은 물론 보이드가 발생되는 것을 미연에 방지하게 된다.
이상에서와 같이 본 고안은 캐비티(3)에 근접된 게이트(4)상에 가느다란 복수개의 핀(5)을 고정하는 간단한 구조에 의해 캐비티(3)의 내부로 큰 공기가 유입되는 것을 방지하게 되므로 양질의 반도체를 생산할 수 있게 된다.

Claims (1)

  1. 캐비티와 근접된 게이트상에 직경이 작은 복수개의 핀을 수직되게 고정함을 특징으로 하는 반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조.
KR2019950043145U 1995-12-18 1995-12-18 반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조 KR0134812Y1 (ko)

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