JP2503561Y2 - リ―ドフレ―ム - Google Patents

リ―ドフレ―ム

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JP2503561Y2
JP2503561Y2 JP1989135514U JP13551489U JP2503561Y2 JP 2503561 Y2 JP2503561 Y2 JP 2503561Y2 JP 1989135514 U JP1989135514 U JP 1989135514U JP 13551489 U JP13551489 U JP 13551489U JP 2503561 Y2 JP2503561 Y2 JP 2503561Y2
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gate
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敏宏 村山
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 以下の順序に従って本考案を説明する。
A.産業上の利用分野 B.考案の概要 C.従来技術[第2図] D.考案が解決しようとする問題点[第3図] E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例[第1図] H.考案の効果 (A.産業上の利用分野) 本考案はリードフレーム、特に半導体素子の各電極と
接続され半導体素子と共に樹脂封止される各リードを少
なくともタイバーにより一体化したリードフレームに関
する。
(B.考案の概要) 本考案は、上記のリードフレームにおいて、 樹脂封止時にモールド用金型のゲートから噴出される
樹脂によってゲート近傍のインナーリードが変形するの
を防止するため、 ゲート近傍のリードのタイバーの内側の部分を他のリ
ードのそれよりも太くしたものである。
(C.従来技術)[第2図] IC、LSIにはリードフレームを用い、リードフレーム
にマウンティングした半導体素子を樹脂封止した後、リ
ードフレームの不要部をカットするという方法で製造し
たものが多い。
第2図はそのようなリードフレームの一つの従来例の
要部を示す平面図である。図面において、1はインナー
リード、2はインナーリード1、1…を一体化するタイ
バー、3は半導体素子を載置するタブ、4は該タブ3を
支持するタブリードで、リードフレームのフレーム5・
5間に設けられている。6はインナーリード1の先端部
で、該先端部6が例えば金等からなるコネクトワイヤ
(図示しない)によって半導体素子(図示しない)の電
極パッドと接続される。
(D.考案が解決しようとする問題点)[第3図] ところで、パッケージの小型化、ピン数の増大に伴っ
てインナーリードが細くなり、その結果、樹脂封止によ
りゲート近傍のインナーリードが変形することがあると
いう問題があった。そこで、その原因について追究した
ところ、樹脂注入時にモールド用金型のゲートから金型
内部に樹脂が噴出され、ゲート近傍のインナーリードが
その樹脂によって強い圧力を受けて第3図に示すように
変形する場合があることが判明した。尚、7はモールド
用金型の内面(破線で示す)、7gはモールド用金型7の
ゲート(破線で示す)、1aはインナーリードを示す。
このようなことは、インナーリードがさほど細くない
リードフレームにおいては多発しなかったが、パッケー
ジの小型化、ピン数の増加によりインナーリードが細く
なるに伴って多発してきた。そして、かかるインナーリ
ードの変形はコネクトワイヤの断線、リード間の接触に
よる短絡を招くので、IC、LSIの信頼度を高めるために
は看過できない問題となる。
本考案はこのような問題点を解決すべく為されたもの
であり、樹脂封止時にモールド用金型のゲートから噴出
される樹脂によってゲート近傍のインナーリードが変形
するのを防止することを目的とする。
(E.問題点を解決するための手段) 本考案リードフレームは上記問題点を解決するため、
ゲート近傍のリードのタイバーの内側の部分を他のリー
ドのそれよりも太くしたことを特徴とする。
(F.作用) 本考案リードフレームによれば、ゲート近傍のインナ
ーリードのタイバーの内側を他のリードのそれよりも太
くしたので、ゲート近傍のリードの機械的強度を強くす
ることができる。従って、樹脂封止の際にゲートから噴
出される樹脂によって強い圧力を受けるところのゲート
近傍のインナーリードが変形するのを回避することがで
きる。
(G.実施例)[第1図] 以下、本考案リードフレームを図示実施例に従って詳
細に説明する。
第1図は本考案リードフレームの一つの実施例を示す
平面図である。
本リードフレームは、ゲート近傍のリード1を他のリ
ード1よりもタイバー2の内側において太くした(幅広
にした)ものである。但し、インナーリードの先端部に
おいては集積度が低くならないようにするため特には太
くしてはいない。
このようなリードフレームによれば、ゲート近傍のリ
ード1のタイバー2の内側の部分が太くなっているの
で、その部分の機械的強度が強い。従って、ゲート7aか
ら樹脂が噴出されてもゲート近傍のインナーリード1aが
樹脂による圧力に耐えることができ、変形する可能性が
少なくなるのである。
尚、本リードフレームは第2図に示したリードフレー
ムとはゲート近傍のリード1のタイバー2の部分の幅を
広くした点で異なっているが、他の点では共通してお
り、その共通点については既に説明済なので重ねて説明
しない。
(H.考案の効果) 以上に述べたように、本考案リードフレームは、半導
体素子の各電極と接続され半導体素子と共に樹脂封止さ
れる各リードを少なくともタイバーにより一体化したリ
ードフレームにおいて、樹脂封止の際にモールド用金型
のゲートと近いところに位置するリードの上記タイバー
の内側の部分を他のリードのそれよりも太くしたことを
特徴とするものである。
従って、本考案リードフレームによれば、ゲート近傍
のインナーリードのタイバーの内側を他のリードのそれ
よりも太くしたので、ゲート近傍のリードの機械的強度
を強くすることができる。依って、樹脂封止の際にゲー
トから噴出される樹脂によって強い圧力を受けるところ
のゲート近傍のインナーリードが変形するのを回避する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案リードフレームの一つの実施例を示す平
面図、第2図は従来例を示す平面図、第3図は考案が解
決しようとする問題点を説明する平面図である。 符号の説明 1……リード、1a……インナーリード、2……タイバ
ー、7……モールド用金型、7g……ゲート。

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子の各電極と接続され半導体素子
    と共に樹脂封止される各リードを少なくともタイバーに
    より一体化したリードフレームにおいて、 樹脂封止の際にモールド用金型のゲートと近いところに
    位置するリードの上記タイバーの内側の部分を他のリー
    ドのそれよりも太くした ことを特徴とするリードフレーム
JP1989135514U 1989-11-21 1989-11-21 リ―ドフレ―ム Expired - Fee Related JP2503561Y2 (ja)

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JPS54113070U (ja) * 1978-01-27 1979-08-08
JPH01243566A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Hitachi Ltd リードフレーム

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