JPH06302745A - 半導体チップの樹脂封止構造 - Google Patents

半導体チップの樹脂封止構造

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JPH06302745A
JPH06302745A JP5113943A JP11394393A JPH06302745A JP H06302745 A JPH06302745 A JP H06302745A JP 5113943 A JP5113943 A JP 5113943A JP 11394393 A JP11394393 A JP 11394393A JP H06302745 A JPH06302745 A JP H06302745A
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JP
Japan
Prior art keywords
cavity
resin
semiconductor chip
mold
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP5113943A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Sato
一裕 佐藤
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH06302745A publication Critical patent/JPH06302745A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ゲート部から注入された溶融樹脂を金型のキ
ャビティに対して上下均等に流入させることができる半
導体チップの樹脂封止構造を提供する。 【構成】 リードフレーム2のダイパッド2a上に搭載
された半導体チップ1を上下一対の金型3a、3bのキ
ャビティ4a、4b内に配置し、一方の金型3bに形成
されたゲート部5から溶融樹脂6を注入することで半導
体チップ1を樹脂封止する構造において、リードフレー
ム2の所定箇所に拡開部2cを形成して、ゲート部5か
ら一方の金型3bのキャビティ4bに連通する開口部7
bを同他方の金型3aのキャビティ4aに連通する開口
部7aよりも大きく開口させた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームのダイ
パッド上に搭載された半導体チップを樹脂にて気密封止
するための半導体チップの樹脂封止構造に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図8は、従来の半導体チップの樹脂封止
構造を説明する断面図である。図において、1は半導体
チップであり、この半導体チップ1はダイボンド材(銀
ペーストなど)によりリードフレーム2のダイパッド2
a上に搭載されている。また、半導体チップ1の上面に
形成された電極部(不図示)とリードフレーム2のイン
ナリード(不図示)とは図示せぬボンディングワイヤを
介して接続されている。
【0003】こうしてリードフレーム2上に搭載された
半導体チップ1は、上下一対の金型3a、3bにより形
成されたキャビティ4a、4b内に配置されている。ま
た、上下一対の金型3a、3bのうち、一方の金型3b
にはゲート部5が形成されており、図示せぬランナを通
して送り込まれた溶融樹脂6はこのゲート部5から注入
されてキャビティ4a、4bに流入するようになってい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の樹脂封止構造においては、ゲート部5から注入された
溶融樹脂6が図中A矢印で示すように下方から斜め上方
に向かってキャビティ4a、4b内に流れ込むようにな
っているため、一方の金型3bにより形成されたキャビ
ティ4b側よりも他方の金型3aにより形成されたキャ
ビティ4a側に溶融樹脂6が流入しやすく、これに起因
して以下のような問題が生じていた。
【0005】すなわち、図9に示すように、他方の金型
3aのキャビティ4aに対する溶融樹脂6の廻り込み
が、一方の金型3bのキャビティ4bに対するそれより
も速くなるため、キャビティ4a側に流入した溶融樹脂
6の圧力でダイパッド部2が変形し、半導体チップ1の
上下位置がずれたり、さらには先に樹脂充填がなされた
キャビティ4a側から他方のキャビティ4b側へと溶融
樹脂6が廻り込んで、樹脂表面或いは樹脂内部にボイド
を生じさせるといった問題があった。
【0006】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、ゲート部から注入された溶融樹脂を金型の
キャビティに対して上下均等に流入させることができる
半導体チップの樹脂封止構造を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、リードフレームのダイパ
ッド上に搭載された半導体チップを上下一対の金型のキ
ャビティ内に配置して、一方の金型に形成されたゲート
部から溶融樹脂を注入することでキャビティ内に配置さ
れた半導体チップを樹脂封止する構造において、リード
フレームの所定箇所に拡開部を形成することにより、ゲ
ート部から一方の金型のキャビティに連通する開口部を
同他方の金型のキャビティに連通する開口部よりも大き
く開口させたものである。
【0008】
【作用】本発明の半導体チップの樹脂封止構造において
は、リードフレームの所定箇所に拡開部を形成して、ゲ
ート部が形成された金型のキャビティに連通する開口部
を他方の金型のキャビティに連通する開口部よりも大き
く開口させるようにしたので、双方の開口比を適宜設定
することによって、ゲート部から注入した溶融樹脂は金
型のキャビティに対して上下均等に流入するようにな
る。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明に係わる半導体チ
ップの樹脂封止構造の第1実施例を説明する断面図であ
る。図において、1は半導体チップであり、この半導体
チップ1はダイボンド材(例えば銀ペーストなど)によ
りリードフレーム2のダイパッド2a上に搭載されてい
る。また、半導体チップ1の上面に形成された電極部
(不図示)とリードフレーム2のインナリード(不図
示)とは図示せぬボンディングワイヤを介して接続され
ている。
【0010】こうしてリードフレーム2上に搭載された
半導体チップ1は、上下一対の金型3a、3bにより形
成されたキャビティ4a、4b内に配置されている。ま
た、上下一対の金型3a、3bのうち、一方の金型3b
にはゲート部5が形成されており、図示せぬランナを通
して送り込まれた溶融樹脂6はこのゲート部5から注入
されてキャビティ4a、4bに流出するようになってい
る。
【0011】ここで本第1実施例の樹脂封止構造におい
ては、リードフレーム2の所定箇所、例えば図2に示す
ようにダイパッド2aを支持する二本の吊りリード2b
のうち、一方の吊りリード1bの基部(二点鎖線で囲っ
た部分)に、図1及び図3に示すような拡開部2cを形
成しており、これによりゲート部5から一方の金型3b
のキャビティ4bに連通する開口部7bを同他方の金型
3aのキャビティ4aに連通する開口部7aを大きく開
口させている。
【0012】また、リードフレーム2に拡開部2cを形
成する具体的な手段として、本第1実施例ではリードフ
レーム2の製造段階でハーフエッチング加工により吊り
リード2bの基部の下側角部を除去し、これにより図例
のような面取状の拡開部2cを形成するようにした。な
お、上述した構成では、リードフレーム2の吊りリード
2bの基部に拡開部2cを形成するようにしたが、この
拡開部2cは、樹脂封止の際に金型3a、3bのゲート
部5近傍に配置されるリードフレーム2の一部に形成さ
れるものであり、上記吊りリード2bの基部に限定され
るものではない。
【0013】上記構成からなる半導体チップの樹脂封止
構造においては、一方の金型3bに形成されたゲート部
5から溶融樹脂6を注入した場合、従来構造ではゲート
部5からの溶融樹脂6の流出方向によって他方の金型3
aのキャビティ4a側に流入しやすくなっていたもの
が、本第1実施例では一方の金型3bのキャビティ4b
に連通する開口部7bの方が他方の金型3aのキャビテ
ィ4aに連通する開口部7aよりも大きく開口している
ため、双方の開口比を適宜設定することにより、ゲート
部5から注入された溶融樹脂6を金型3a、3bのキャ
ビティ4a、4bに対して上下均等に流入させることが
可能となる。
【0014】図4は本発明に係わる樹脂封止構造の第2
実施例を説明する断面図である。本第2実施例では、図
5にも示すようにリードフレーム2の所定箇所(例えば
吊りリード2bの基部)にコイニング加工によって拡開
部2cを形成しており、これによりゲート部5から一方
の金型3bのキャビティ4bに連通する開口部7bを同
他方の金型3aのキャビティ4aに連通する開口部7a
よりも大きく開口させている。
【0015】したがって、上記第1実施例と同様に一方
の金型3bに形成されたゲート部5から溶融樹脂6を注
入した場合、従来構造ではゲート部5からの溶融樹脂6
の流出方向によって他方の金型3aのキャビティ4a側
に流入しやすくなっていたものが、本第2実施例では一
方の金型3bのキャビティ4bに連通する開口部7bの
方が他方の金型3aのキャビティ4aに連通する開口部
7aよりも大きく開口しているため、双方の開口比を適
宜設定することにより、ゲート部5から注入された溶融
樹脂6を金型3a、3bのキャビティ4a、4bに対し
て上下均等に流入させることが可能となる。
【0016】図6は本発明に係わる樹脂封止構造の第3
実施例を説明する断面図である。本第3実施例では、図
7にも示すようにリードフレーム2の所定箇所(例えば
吊りリード2の基部)にリード曲げ加工によって拡開部
2cと突片2dとを形成しており、これによりゲート部
5から一方の金型3bのキャビティ4bに連通する開口
部7bを同他方の金型3aのキャビティ4aに連通する
開口部7aよりも大きく開口させている。
【0017】本第3実施例における半導体チップの樹脂
封止構造においては、一方の金型3bに形成されたゲー
ト部5から溶融樹脂6を注入した場合、上述した突片2
dによってキャビティ4a側への溶融樹脂6の流入が部
分的にくい止められて、一方の金型3bのキャビティ4
bに対する樹脂流入量と他方の金型3aのキャビティ4
aに対する樹脂流入量とが調整されるとともに、一方の
金型3bのキャビティ4bに連通する開口部7bの方が
他方の金型3aのキャビティ4aに連通する開口部7a
よりも大きく開口しているため、双方の開口比を適宜設
定することにより、ゲート部5から注入された溶融樹脂
6を金型3a、3bのキャビティ4a、4bに対して上
下均等に流入させることが可能となる。
【0018】なお、上記実施例においては、一方の金型
3bにゲート部5が形成されている場合についてのみ説
明したが、反対に他方の金型3aにゲート部5が形成さ
れている場合は、リードフレーム2に拡開部2cを形成
することにより、他方の金型3aのキャビティ4aに連
通する開口部7aを一方の金型3bのキャビティ4bに
連通する開口部7bよりも大きく開口させることで、双
方のキャビティ4a、4bへの樹脂流入を均等にするこ
とができる。
【0019】また、本実施例ではSOP(Small
Outline Package)タイプを図例として
挙げたが、本発明はこれに限らず、例えばQFP(Qu
adFlat Package)タイプやDIP(Du
al Inline Package)タイプなどにも
広く適用することができる。
【0020】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の樹脂封止
構造によれば、リードフレームの所定箇所に拡開部を形
成することにより、ゲート部が形成された金型のキャビ
ティに連通する開口部を他方の金型のキャビティに連通
する開口部よりも大きく開口させるようにしたので、双
方の開口比を適宜設定することにより、ゲート部から注
入した溶融樹脂を金型のキャビティに対して上下均等に
流入させることが可能となる。これにより、ダイパッド
の変形による半導体チップの位置ズレや樹脂表面或いは
樹脂内部におけるボイドの発生を大幅に低減することが
可能となり、より高品質で且つ生産性の高い樹脂封止を
行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる半導体チップの樹脂封止構造の
第1実施例を説明する断面図である。
【図2】リードフレームにおける拡開部の形成位置を説
明するための図である。
【図3】第1実施例におけるリードフレームの要部拡大
図である。
【図4】本発明に係わる半導体チップの樹脂封止構造の
第2実施例を説明する断面図である。
【図5】第2実施例におけるリードフレームの要部拡大
図である。
【図6】本発明に係わる半導体チップの樹脂封止構造の
第3実施例を説明する断面図である。
【図7】第3実施例におけるリードフレームの要部拡大
図である。
【図8】従来構造を説明する断面図である。
【図9】従来問題を説明する断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 リードフレーム 2a ダイパッド 2c 拡開部 2d 突片 3a、3b 金型 4a、4b キャビティ 5 ゲート部 6 溶融樹脂 7a、7b 開口部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年5月12日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
【図5】
【図1】
【図2】
【図4】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのダイパッド上に搭載さ
    れた半導体チップを上下一対の金型のキャビティ内に配
    置して、一方の金型に形成されたゲート部から溶融樹脂
    を注入することで前記キャビティ内に配置された半導体
    チップを樹脂封止する構造において、 前記リードフレームの所定箇所に拡開部を形成すること
    により、前記ゲート部から一方の金型のキャビティに連
    通する開口部を同他方の金型のキャビティに連通する開
    口部よりも大きく開口させたことを特徴とする半導体チ
    ップの樹脂封止構造。
  2. 【請求項2】 前記リードフレームの所定箇所に、前記
    一方の金型のキャビティに対する樹脂流入量と前記他方
    の金型のキャビティに対する樹脂流入量とを調整するた
    めの突片を設けたことを特徴とする請求項1記載の半導
    体チップの樹脂封止構造。
JP5113943A 1993-04-15 1993-04-15 半導体チップの樹脂封止構造 Pending JPH06302745A (ja)

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JP5113943A JPH06302745A (ja) 1993-04-15 1993-04-15 半導体チップの樹脂封止構造

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JP5113943A JPH06302745A (ja) 1993-04-15 1993-04-15 半導体チップの樹脂封止構造

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JP (1) JPH06302745A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1075022A1 (en) * 1999-08-04 2001-02-07 STMicroelectronics S.r.l. Offset edges mold for plastic packaging of integrated semiconductor devices
WO2007083490A1 (ja) * 2006-01-23 2007-07-26 Towa Corporation 電子部品の樹脂封止成形方法、ならびに、それに用いられる型組品およびリードフレーム
JP2009176825A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Asmo Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2014063966A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Renesas Electronics Corp 半導体装置

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