JPH06216179A - 半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにトランスファモールド型 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにトランスファモールド型Info
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド時のタブ変形によるパッケージ面で
のワイヤ露出不良防止。 【構成】 リードフレーム１において、枠部４（外枠
２）に連なるタブ吊りリード６の付け根部分からタブ吊
りリード延長側枠部部分を窪ませる。この窪み３１によ
って、トランスファモールド時、タブ吊りリードおよび
タブ吊りリード延長側枠部部分は、モールド上・下型に
よる型締めによるクランプ圧が加わらなくなり、タブ吊
りリード６の押し潰しによる変形（延び）が発生せず、
タブ５の浮きや捩じれが発生しなくなる。タブの姿勢変
形による半導体チップ１０の姿勢変形によって、ワイヤ
１１の上部がモールド型のキャビティの天井に接触する
ことがなくなり、ワイヤ１１が半導体装置のパッケージ
表面に露出することはない。
のワイヤ露出不良防止。 【構成】 リードフレーム１において、枠部４（外枠
２）に連なるタブ吊りリード６の付け根部分からタブ吊
りリード延長側枠部部分を窪ませる。この窪み３１によ
って、トランスファモールド時、タブ吊りリードおよび
タブ吊りリード延長側枠部部分は、モールド上・下型に
よる型締めによるクランプ圧が加わらなくなり、タブ吊
りリード６の押し潰しによる変形（延び）が発生せず、
タブ５の浮きや捩じれが発生しなくなる。タブの姿勢変
形による半導体チップ１０の姿勢変形によって、ワイヤ
１１の上部がモールド型のキャビティの天井に接触する
ことがなくなり、ワイヤ１１が半導体装置のパッケージ
表面に露出することはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法お
よびその製造に用いるリードフレームならびにトランス
ファモールド型に関する。
よびその製造に用いるリードフレームならびにトランス
ファモールド型に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。また、電子部品の製造コストの低減のために、パッ
ケージ形態は材料が安くかつ生産性が良好な樹脂（レジ
ン）によるレジンパッケージ（プラスチックパッケー
ジ）が多用されている。小型・薄型のパッケージについ
ては、日立評論社発行「日立評論」１９９２年第３号、
平成４年３月２５日発行、Ｐ７５〜Ｐ８０に記載されて
いる。この文献には、より小型・薄型のパッケージとし
て、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package），ＳＳＯ
Ｐ（Shrink Small Outline Package），ＴＱＦＰ（Thin
Quad Flat Package），ＳＴＺＩＰ（Shrink Thin Zigz
ag Inline Package)が開示されている。また、ＳＯＰ(S
mall Outline Package）はパッケージの２辺にアウター
リードを配置し、ＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）は
パッケージの４辺にアウターリードを配置した構造とな
っている。そして、ＴＳＯＰ，ＴＱＦＰはレジン（プラ
スチック）からなるパッケージの本体厚さが１ｍｍに薄
型化されている。
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。また、電子部品の製造コストの低減のために、パッ
ケージ形態は材料が安くかつ生産性が良好な樹脂（レジ
ン）によるレジンパッケージ（プラスチックパッケー
ジ）が多用されている。小型・薄型のパッケージについ
ては、日立評論社発行「日立評論」１９９２年第３号、
平成４年３月２５日発行、Ｐ７５〜Ｐ８０に記載されて
いる。この文献には、より小型・薄型のパッケージとし
て、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package），ＳＳＯ
Ｐ（Shrink Small Outline Package），ＴＱＦＰ（Thin
Quad Flat Package），ＳＴＺＩＰ（Shrink Thin Zigz
ag Inline Package)が開示されている。また、ＳＯＰ(S
mall Outline Package）はパッケージの２辺にアウター
リードを配置し、ＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）は
パッケージの４辺にアウターリードを配置した構造とな
っている。そして、ＴＳＯＰ，ＴＱＦＰはレジン（プラ
スチック）からなるパッケージの本体厚さが１ｍｍに薄
型化されている。
【０００３】レジンパッケージ型半導体装置の製造にお
いては、金属製のリードフレームが使用される。リード
フレームについては、日経ＢＰ社発行「日経マイクロデ
バイス」１９８８年８月号、昭和６３年８月１日発行、
Ｐ５４〜Ｐ６０に記載されている。この文献には、「多
ピンのパッケージで問題になるリードフレームについ
て，プレスで加工できる限界」について記載されてい
る。また、この文献には、厚さ０．１５ｍｍのインナー
リードのプレス製とエッチング製の断面が記載されてい
る。また、実公昭５０−５３２９号公報には、腕片（タ
ブ吊りリード）の切断を容易にするために、腕片の封止
境界対応部分を狭くした構造が開示されている。また、
実公昭５０−３０９１号公報には、支持片（タブ吊りリ
ード）の切断を容易にするために、支持片の封止境界対
応部分の表面に切り込み部を設けた構造が開示されてい
る。
いては、金属製のリードフレームが使用される。リード
フレームについては、日経ＢＰ社発行「日経マイクロデ
バイス」１９８８年８月号、昭和６３年８月１日発行、
Ｐ５４〜Ｐ６０に記載されている。この文献には、「多
ピンのパッケージで問題になるリードフレームについ
て，プレスで加工できる限界」について記載されてい
る。また、この文献には、厚さ０．１５ｍｍのインナー
リードのプレス製とエッチング製の断面が記載されてい
る。また、実公昭５０−５３２９号公報には、腕片（タ
ブ吊りリード）の切断を容易にするために、腕片の封止
境界対応部分を狭くした構造が開示されている。また、
実公昭５０−３０９１号公報には、支持片（タブ吊りリ
ード）の切断を容易にするために、支持片の封止境界対
応部分の表面に切り込み部を設けた構造が開示されてい
る。
【０００４】レジンパッケージ型半導体装置の製造にお
いては、前記リードフレームの所定部をモールドし、パ
ッケージを形成する工程があるが、このモールドを行う
装置としてトランスファモールド装置が使用されてい
る。トランスファモールド（トランスファ成形機）につ
いては、プラスチック成形加工学会誌「成形加工」第２
巻第５号（１９９０）別刷、３９２頁および３９３頁に
記載されている。この文献には、トランスファ成形機の
構造が図解されているとともに、ＬＳＩパッケージの欠
陥内容が図解されている。
いては、前記リードフレームの所定部をモールドし、パ
ッケージを形成する工程があるが、このモールドを行う
装置としてトランスファモールド装置が使用されてい
る。トランスファモールド（トランスファ成形機）につ
いては、プラスチック成形加工学会誌「成形加工」第２
巻第５号（１９９０）別刷、３９２頁および３９３頁に
記載されている。この文献には、トランスファ成形機の
構造が図解されているとともに、ＬＳＩパッケージの欠
陥内容が図解されている。
【０００５】また、工業調査会発行「電子材料」１９８
７年８月号、昭和６２年８月１日発行、Ｐ７３〜Ｐ７９
には、樹脂封止装置（トランスファ成形機）とトリム＆
フオームについて記載されている。この文献には、トラ
ンスファ成形における樹脂流路としてのカル，ランナ，
オーバランナ，ダミーキャビティ，ゲート，キャビテ
ィ，エアベントが斜視図で示されている。また、トリム
＆フオームにおいては、「樹脂封止したフレーム状態の
パッケージ周りの不要部分（樹脂落とし，タイバーカッ
ト，ピンチリード（タブ吊りリード）カット，リードカ
ット）の処理と、リード曲げを行う」旨記載され、図解
されている。
７年８月号、昭和６２年８月１日発行、Ｐ７３〜Ｐ７９
には、樹脂封止装置（トランスファ成形機）とトリム＆
フオームについて記載されている。この文献には、トラ
ンスファ成形における樹脂流路としてのカル，ランナ，
オーバランナ，ダミーキャビティ，ゲート，キャビテ
ィ，エアベントが斜視図で示されている。また、トリム
＆フオームにおいては、「樹脂封止したフレーム状態の
パッケージ周りの不要部分（樹脂落とし，タイバーカッ
ト，ピンチリード（タブ吊りリード）カット，リードカ
ット）の処理と、リード曲げを行う」旨記載され、図解
されている。
【０００６】一方、工業調査会発行「電子材料別冊号」
昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ１７０〜Ｐ１７５には
パッケージング装置について記載されている。この文献
には「成形後，ＩＣのアウターリードのハンダ付け性を
保証するために，表面処理を行うが、その前処理とし
て、モールド時に発生したリードフラッシュ（バリ）を
あらかじめ除去する必要がある。」旨記載され、以下
に、このバリを除去するデフラッシュ方法が開示されて
いる。
昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ１７０〜Ｐ１７５には
パッケージング装置について記載されている。この文献
には「成形後，ＩＣのアウターリードのハンダ付け性を
保証するために，表面処理を行うが、その前処理とし
て、モールド時に発生したリードフラッシュ（バリ）を
あらかじめ除去する必要がある。」旨記載され、以下
に、このバリを除去するデフラッシュ方法が開示されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、リードフレーム
は前記文献に示されているように、タブ吊りリードの切
断を容易にするために、切断予定箇所を細くしたり、あ
るいは薄くしているものがあるが、リードフレーム厚さ
は各部で一定である。すなわち、リードフレームの厚さ
寸法は、パッケージの厚さ寸法およびリードフレーム材
質ならびにトランスファ成形条件（金型型締荷重，注入
樹脂圧力等）によらず、一様な厚さとなっている。
は前記文献に示されているように、タブ吊りリードの切
断を容易にするために、切断予定箇所を細くしたり、あ
るいは薄くしているものがあるが、リードフレーム厚さ
は各部で一定である。すなわち、リードフレームの厚さ
寸法は、パッケージの厚さ寸法およびリードフレーム材
質ならびにトランスファ成形条件（金型型締荷重，注入
樹脂圧力等）によらず、一様な厚さとなっている。
【０００８】リードフレームは、金属板をエッチングに
より、またはプレスによってパターニングすることによ
って製造される。ＩＣ製造用のリードフレームは、中央
部分に半導体チップを搭載する矩形状のタブを有すると
ともに、リードフレームの枠部から前記タブにそれぞれ
リードが延在する形状となっている。また、前記タブは
枠部から延在するタブ吊りリードによって支持される。
タブは４隅をタブ吊りリードで支持される形状、あるい
は両端の中央部分をそれぞれタブ吊りリードで支持され
る形状がある。
より、またはプレスによってパターニングすることによ
って製造される。ＩＣ製造用のリードフレームは、中央
部分に半導体チップを搭載する矩形状のタブを有すると
ともに、リードフレームの枠部から前記タブにそれぞれ
リードが延在する形状となっている。また、前記タブは
枠部から延在するタブ吊りリードによって支持される。
タブは４隅をタブ吊りリードで支持される形状、あるい
は両端の中央部分をそれぞれタブ吊りリードで支持され
る形状がある。
【０００９】ＳＯＰ型半導体装置の製造には、矩形のタ
ブの両端中央部分をタブ吊りリードで支持するパターン
のリードフレームが使用される。このリードフレーム１
は、図８に示すように、一対の平行に延在する外枠２
と、この一対の外枠２を連結しかつ外枠２に直交する方
向に延在する一対の内枠３とによって形成される枠部４
を有している。また、前記枠部４の中央には矩形状のタ
ブ（支持体）５が配置されているとともに、このタブ５
は一対の内枠３から延在するタブ吊りリード６によって
支持されている。また、前記内枠３から前記タブ５に向
かって複数のリード７が延在している。前記リード７は
少なくとも途中までは前記外枠２に平行に延在してい
る。また、相互に平行に延在するリード部分において、
各リード６はダム９によって連結されている。このダム
９は、前記内枠３に平行に配置されるとともに、端のダ
ム９は外枠２に連結されている。
ブの両端中央部分をタブ吊りリードで支持するパターン
のリードフレームが使用される。このリードフレーム１
は、図８に示すように、一対の平行に延在する外枠２
と、この一対の外枠２を連結しかつ外枠２に直交する方
向に延在する一対の内枠３とによって形成される枠部４
を有している。また、前記枠部４の中央には矩形状のタ
ブ（支持体）５が配置されているとともに、このタブ５
は一対の内枠３から延在するタブ吊りリード６によって
支持されている。また、前記内枠３から前記タブ５に向
かって複数のリード７が延在している。前記リード７は
少なくとも途中までは前記外枠２に平行に延在してい
る。また、相互に平行に延在するリード部分において、
各リード６はダム９によって連結されている。このダム
９は、前記内枠３に平行に配置されるとともに、端のダ
ム９は外枠２に連結されている。
【００１０】このようなリードフレーム１は、半導体装
置の製造において、前記タブ５に半導体チップ１０が接
合材１３を介して固定されるとともに、半導体チップ１
０の図示しない電極とリード７の内端がワイヤ１１で電
気的に接続される。つぎに、組立が終了したリードフレ
ーム１は、図９に示すように、モールド型１５のモール
ド上・下型１６，１７間に型締めされる。その後、ゲー
ト２０からキャビティ１９内にレジン２１を注入するこ
とによって、前記一対のダム９および外枠２で囲まれる
所定の領域がモールドされ、パッケージが形成される。
キャビティ１９内の空気は、前記ゲート２０の反対側に
設けられるエアーベント２２からキャビティ１９外に抜
ける。そして、従来のトランスファモールド型において
は、パーティング面に設けられるパッケージを形成する
ためのキャビティに繋がる窪みは、ゲート，エアベント
のみである。
置の製造において、前記タブ５に半導体チップ１０が接
合材１３を介して固定されるとともに、半導体チップ１
０の図示しない電極とリード７の内端がワイヤ１１で電
気的に接続される。つぎに、組立が終了したリードフレ
ーム１は、図９に示すように、モールド型１５のモール
ド上・下型１６，１７間に型締めされる。その後、ゲー
ト２０からキャビティ１９内にレジン２１を注入するこ
とによって、前記一対のダム９および外枠２で囲まれる
所定の領域がモールドされ、パッケージが形成される。
キャビティ１９内の空気は、前記ゲート２０の反対側に
設けられるエアーベント２２からキャビティ１９外に抜
ける。そして、従来のトランスファモールド型において
は、パーティング面に設けられるパッケージを形成する
ためのキャビティに繋がる窪みは、ゲート，エアベント
のみである。
【００１１】本出願人にあっては、トランスファモール
ド時のレジンフラッシュ（バリ）の発生を防止するため
に、図９に示すように、モールド上・下型１６，１７の
リードフレーム１と対面接触する平坦面（パーティング
面２５）を小さくし、型締め力（クランプ圧）を大きく
している。図８は、リードフレーム１におけるトランス
ファモールド時のクランプ領域２６を示す図である。ク
ランプ領域２６は、半導体装置のパッケージを形成する
ためのキャビティ１９の周囲にハッチングで示すように
細く設けられている。これにより、型締め荷重が前記細
いクランプ領域２６に加わることから、クランプ領域２
６のリードフレーム部分は塑性変形域に近い高型締め圧
となり、リードフレーム１の表面とモールド上・下型１
６，１７のパーティング面２５との間に隙間が発生し難
くなってレジンフラッシュの発生が抑えられる。
ド時のレジンフラッシュ（バリ）の発生を防止するため
に、図９に示すように、モールド上・下型１６，１７の
リードフレーム１と対面接触する平坦面（パーティング
面２５）を小さくし、型締め力（クランプ圧）を大きく
している。図８は、リードフレーム１におけるトランス
ファモールド時のクランプ領域２６を示す図である。ク
ランプ領域２６は、半導体装置のパッケージを形成する
ためのキャビティ１９の周囲にハッチングで示すように
細く設けられている。これにより、型締め荷重が前記細
いクランプ領域２６に加わることから、クランプ領域２
６のリードフレーム部分は塑性変形域に近い高型締め圧
となり、リードフレーム１の表面とモールド上・下型１
６，１７のパーティング面２５との間に隙間が発生し難
くなってレジンフラッシュの発生が抑えられる。
【００１２】しかし、このような高いクランプ圧でリー
ドフレーム１を型締めすると、リードフレーム各部は材
料の潰れによって各部がわずかではあるが長くなる。外
枠２，枠部４およびリード７は、一方向が自由端となる
ことから、型締めによる押し潰れ分はパーティング面に
沿って展延するが、タブ吊りリード６，タブ５およびタ
ブ吊りリード６と繋がるタブ系部分は、その両端が外枠
２で固定される構造となっていることから、図９に示す
ようにタブ５が浮き上がったりあるいは捩じれてしま
う。特に、パッケージが薄い半導体装置の製造において
は、タブ５の浮き上がりや捩じれ等によって、図９に示
すように、図示しないリードの内端と半導体チップ１０
の図示しない電極を接続するワイヤ１１が、モールド上
・下型１６，１７のキャビティ１９の天井面に近接ある
いは接触するようになる。この結果、このような状態で
モールドされて製造された半導体装置は、パッケージの
表面にワイヤ１１が露出し、耐湿性，外観性の面で不良
となる。
ドフレーム１を型締めすると、リードフレーム各部は材
料の潰れによって各部がわずかではあるが長くなる。外
枠２，枠部４およびリード７は、一方向が自由端となる
ことから、型締めによる押し潰れ分はパーティング面に
沿って展延するが、タブ吊りリード６，タブ５およびタ
ブ吊りリード６と繋がるタブ系部分は、その両端が外枠
２で固定される構造となっていることから、図９に示す
ようにタブ５が浮き上がったりあるいは捩じれてしま
う。特に、パッケージが薄い半導体装置の製造において
は、タブ５の浮き上がりや捩じれ等によって、図９に示
すように、図示しないリードの内端と半導体チップ１０
の図示しない電極を接続するワイヤ１１が、モールド上
・下型１６，１７のキャビティ１９の天井面に近接ある
いは接触するようになる。この結果、このような状態で
モールドされて製造された半導体装置は、パッケージの
表面にワイヤ１１が露出し、耐湿性，外観性の面で不良
となる。
【００１３】本発明の目的は、パッケージの薄型化に対
処できる半導体装置の製造技術、すなわちトランスファ
モールド技術を提供することにある。
処できる半導体装置の製造技術、すなわちトランスファ
モールド技術を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、パッケージの薄型化
に対処できるリードフレームを提供することにある。
に対処できるリードフレームを提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、パッケージの薄型化
に対処できるトランスファモールド型を提供することに
ある。本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
に対処できるトランスファモールド型を提供することに
ある。本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体チップが搭載されるタブおよびこのタ
ブにそれぞれ一端が連なるとともに他端は枠部に連なる
タブ吊りリードならびに前記枠部からタブに向かって延
在する複数のリードを有するリードフレームを用意する
工程と、前記タブに半導体チップが搭載されかつ前記半
導体チップの電極とリードが電気的に接続されたリード
フレームをモールド上・下型間に型締めした後モールド
上・下型で形成されたキャビティにレジンを注入してパ
ッケージを形成する工程とを、有する半導体装置の製造
方法であって、前記タブおよびタブ吊りリードがモール
ド上・下型の型締めによるクランプ圧によって変形しな
いように、タブ吊りリードおよびタブ吊りリード延長側
枠部部分をモールド上・下型で加圧することなくモール
ドを行う。このため、矩形枠状の枠部と、この枠部の中
央に設けられるタブと、このタブにそれぞれ一端が連な
るとともに他端が前記枠部に連なるタブ吊りリードと、
前記枠部から前記タブに向かって延在する複数のリード
とを有するリードフレームにおいては、前記タブ吊りリ
ードの枠部に連なる付け根部分からタブ吊りリード延長
側枠部部分に亘る両面は、モールド上・下型のパーティ
ング面に接触しないように窪みが設けられている。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体チップが搭載されるタブおよびこのタ
ブにそれぞれ一端が連なるとともに他端は枠部に連なる
タブ吊りリードならびに前記枠部からタブに向かって延
在する複数のリードを有するリードフレームを用意する
工程と、前記タブに半導体チップが搭載されかつ前記半
導体チップの電極とリードが電気的に接続されたリード
フレームをモールド上・下型間に型締めした後モールド
上・下型で形成されたキャビティにレジンを注入してパ
ッケージを形成する工程とを、有する半導体装置の製造
方法であって、前記タブおよびタブ吊りリードがモール
ド上・下型の型締めによるクランプ圧によって変形しな
いように、タブ吊りリードおよびタブ吊りリード延長側
枠部部分をモールド上・下型で加圧することなくモール
ドを行う。このため、矩形枠状の枠部と、この枠部の中
央に設けられるタブと、このタブにそれぞれ一端が連な
るとともに他端が前記枠部に連なるタブ吊りリードと、
前記枠部から前記タブに向かって延在する複数のリード
とを有するリードフレームにおいては、前記タブ吊りリ
ードの枠部に連なる付け根部分からタブ吊りリード延長
側枠部部分に亘る両面は、モールド上・下型のパーティ
ング面に接触しないように窪みが設けられている。
【００１７】また、各部の厚さが一定となるリードフレ
ームを用いる半導体装置の製造方法においては、トラン
スファモールド型のモールド上・下型において、前記タ
ブ吊りリードおよびタブ吊りリード延長側枠部部分の一
面がモールド上型のパーティング面のパーティング面に
接触しないようにモールド上型のパーティング面には部
分的に窪みが設けられている。
ームを用いる半導体装置の製造方法においては、トラン
スファモールド型のモールド上・下型において、前記タ
ブ吊りリードおよびタブ吊りリード延長側枠部部分の一
面がモールド上型のパーティング面のパーティング面に
接触しないようにモールド上型のパーティング面には部
分的に窪みが設けられている。
【００１８】また、本発明の他の実施例によるリードフ
レームにおいては、前記タブ吊りリードの少なくとも一
面は所定の長さに亘って全幅域が窪んでいる。
レームにおいては、前記タブ吊りリードの少なくとも一
面は所定の長さに亘って全幅域が窪んでいる。
【００１９】
【作用】上記した手段によれば、本発明の半導体装置の
製造方法においては、リードフレームにおけるタブ吊り
リードの枠部に連なる付け根部分からタブ吊りリード延
長側枠部部分に亘る両面部分はあらかじめ窪んでいるこ
とから、トランスファモールド時、前記窪み底となる枠
部およびタブ吊りリード部分にモールド上・下型のパー
ティング面が接触せず、この窪み底部分にはモールド型
によるクランプ力は作用しなくなり、タブ吊りリードお
よびタブ吊りリード延長側枠部部分は潰れによる展延が
発生しなくなる。したがって、タブ吊りリードが延びる
ような変形がなく、タブの浮きや捩じれも発生しなくな
る。
製造方法においては、リードフレームにおけるタブ吊り
リードの枠部に連なる付け根部分からタブ吊りリード延
長側枠部部分に亘る両面部分はあらかじめ窪んでいるこ
とから、トランスファモールド時、前記窪み底となる枠
部およびタブ吊りリード部分にモールド上・下型のパー
ティング面が接触せず、この窪み底部分にはモールド型
によるクランプ力は作用しなくなり、タブ吊りリードお
よびタブ吊りリード延長側枠部部分は潰れによる展延が
発生しなくなる。したがって、タブ吊りリードが延びる
ような変形がなく、タブの浮きや捩じれも発生しなくな
る。
【００２０】また、トランスファモールド型のモールド
上・下型において、前記タブ吊りリードおよびタブ吊り
リード延長側枠部部分の一面が、モールド上型のパーテ
ィング面のパーティング面に接触しないようにモールド
上型のパーティング面に部分的に窪みを設ける実施例の
場合は、各部の厚さが一定となるリードフレームを用い
ても、タブ吊りリードおよびタブ吊りリード延長側枠部
部分にクランプ力が加わらないため、タブ吊りリードが
延びるような変形がなく、タブの浮きや捩じれも発生し
なくなる。
上・下型において、前記タブ吊りリードおよびタブ吊り
リード延長側枠部部分の一面が、モールド上型のパーテ
ィング面のパーティング面に接触しないようにモールド
上型のパーティング面に部分的に窪みを設ける実施例の
場合は、各部の厚さが一定となるリードフレームを用い
ても、タブ吊りリードおよびタブ吊りリード延長側枠部
部分にクランプ力が加わらないため、タブ吊りリードが
延びるような変形がなく、タブの浮きや捩じれも発生し
なくなる。
【００２１】また、タブ吊りリードの一部を所定の長さ
に亘って全幅域を窪ませた実施例では、タブ吊りリード
の枠部との連結部分およびタブ吊りリード延長側枠部部
分にクランプ力が加わっても、前記窪みを有するタブ吊
りリード部分では剛性が低いため、この部分で変形を吸
収することになり、タブの浮きや捩じれが発生し難くな
る。
に亘って全幅域を窪ませた実施例では、タブ吊りリード
の枠部との連結部分およびタブ吊りリード延長側枠部部
分にクランプ力が加わっても、前記窪みを有するタブ吊
りリード部分では剛性が低いため、この部分で変形を吸
収することになり、タブの浮きや捩じれが発生し難くな
る。
【００２２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例によるリードフ
レームおよび半導体チップ等を示す斜視図、図２は本発
明の半導体装置の製造におけるトランスファモールド状
態を示す断面図、図３はトランスファモールド時のリー
ドフレームに加わるクランプ領域を示す平面図、図４は
本発明のリードフレームを用いて製造された半導体装置
を示す斜視図である。
いて説明する。図１は本発明の一実施例によるリードフ
レームおよび半導体チップ等を示す斜視図、図２は本発
明の半導体装置の製造におけるトランスファモールド状
態を示す断面図、図３はトランスファモールド時のリー
ドフレームに加わるクランプ領域を示す平面図、図４は
本発明のリードフレームを用いて製造された半導体装置
を示す斜視図である。
【００２３】本発明の半導体装置の製造方法において
は、最初に図１および図３に示すようにリードフレーム
１が用意される。このリードフレーム１は、Ｆｅ−Ｎｉ
合金板やＣｕ合金板をエッチングによりまたはプレスに
よってパターニングすることによって製造される。リー
ドフレーム１は、図に示すように、一対の平行に延在す
る外枠２と、この一対の外枠２を連結しかつ外枠２に直
交する方向に延在する一対の内枠３とによって形成され
る枠部４を有している。また、前記枠部４の中央には矩
形状のタブ（支持体）５が配置されているとともに、こ
のタブ５は一対の内枠３から延在するタブ吊りリード６
によって支持されている。また、前記内枠３から前記タ
ブ５に向かって複数のリード７が延在している。前記リ
ード７は少なくとも途中までは前記外枠２に平行に延在
している。また、相互に平行に延在するリード部分にお
いて、各リード６はダム９によって連結されている。こ
のダム９は、前記内枠３に平行に配置されるとともに、
端のダム９は外枠２に連結されている。
は、最初に図１および図３に示すようにリードフレーム
１が用意される。このリードフレーム１は、Ｆｅ−Ｎｉ
合金板やＣｕ合金板をエッチングによりまたはプレスに
よってパターニングすることによって製造される。リー
ドフレーム１は、図に示すように、一対の平行に延在す
る外枠２と、この一対の外枠２を連結しかつ外枠２に直
交する方向に延在する一対の内枠３とによって形成され
る枠部４を有している。また、前記枠部４の中央には矩
形状のタブ（支持体）５が配置されているとともに、こ
のタブ５は一対の内枠３から延在するタブ吊りリード６
によって支持されている。また、前記内枠３から前記タ
ブ５に向かって複数のリード７が延在している。前記リ
ード７は少なくとも途中までは前記外枠２に平行に延在
している。また、相互に平行に延在するリード部分にお
いて、各リード６はダム９によって連結されている。こ
のダム９は、前記内枠３に平行に配置されるとともに、
端のダム９は外枠２に連結されている。
【００２４】また、これが本発明の特徴の一つである
が、前記タブ吊りリード６の枠部４（外枠２）に連なる
表裏面およびタブ吊りリード延長側枠部部分の表裏面は
窪んでいる。したがって、この窪み３１が設けられたリ
ードフレーム部分、すなわち、前記タブ吊りリード６お
よびタブ吊りリード延長側枠部部分は、モールド型１５
のパーティング面２５に接触しないようになっている。
リードフレーム１は０．１５ｍｍ程度の厚さとなり、前
記窪み３１は特に限定はされないが、０．０２５〜０．
０５ｍｍ程度の厚さとなっている。
が、前記タブ吊りリード６の枠部４（外枠２）に連なる
表裏面およびタブ吊りリード延長側枠部部分の表裏面は
窪んでいる。したがって、この窪み３１が設けられたリ
ードフレーム部分、すなわち、前記タブ吊りリード６お
よびタブ吊りリード延長側枠部部分は、モールド型１５
のパーティング面２５に接触しないようになっている。
リードフレーム１は０．１５ｍｍ程度の厚さとなり、前
記窪み３１は特に限定はされないが、０．０２５〜０．
０５ｍｍ程度の厚さとなっている。
【００２５】つぎに、このようなリードフレーム１に対
してチップボンディング，ワイヤボンディングが行われ
る。すなわち、前記リードフレーム１のタブ５上に接合
材１３を介して半導体チップ１０が固定される。その
後、半導体チップ１０の図示しない電極と、リード７の
内端が導電性のワイヤ１１で接続される。図１はチップ
ボンディング，ワイヤボンディングが終了した組立後の
リードフレーム１を示す図である。
してチップボンディング，ワイヤボンディングが行われ
る。すなわち、前記リードフレーム１のタブ５上に接合
材１３を介して半導体チップ１０が固定される。その
後、半導体チップ１０の図示しない電極と、リード７の
内端が導電性のワイヤ１１で接続される。図１はチップ
ボンディング，ワイヤボンディングが終了した組立後の
リードフレーム１を示す図である。
【００２６】つぎに、組立が終了したリードフレーム１
は、図２に示すように、トランスファモールド装置のモ
ールド型１５に型締めされる。すなわち、リードフレー
ム１はモールド下型１７上に位置決め載置された後、モ
ールド上型１６のモールド下型１７に対する相対的な接
近によって型締めされる。モールド上型１６およびモー
ルド下型１７のパーティング面２５は、図２に示すよう
に、タブ吊りリード６およびタブ吊りリード延長側枠部
部分には直接接触しないことになる。図１において一部
にハッチングを施した二点鎖線枠領域が、モールド型１
５におけるクランプ領域２６である。したがって、タブ
吊りリード６およびタブ吊りリード延長側枠部部分は、
モールド上・下型１６，１７によって押し潰されること
がなく、タブ吊りリード６は長くならない。この結果、
タブ５の浮きや捩じれが発生せず、図２に示すようにワ
イヤ１１の高さが変化しなくなる。
は、図２に示すように、トランスファモールド装置のモ
ールド型１５に型締めされる。すなわち、リードフレー
ム１はモールド下型１７上に位置決め載置された後、モ
ールド上型１６のモールド下型１７に対する相対的な接
近によって型締めされる。モールド上型１６およびモー
ルド下型１７のパーティング面２５は、図２に示すよう
に、タブ吊りリード６およびタブ吊りリード延長側枠部
部分には直接接触しないことになる。図１において一部
にハッチングを施した二点鎖線枠領域が、モールド型１
５におけるクランプ領域２６である。したがって、タブ
吊りリード６およびタブ吊りリード延長側枠部部分は、
モールド上・下型１６，１７によって押し潰されること
がなく、タブ吊りリード６は長くならない。この結果、
タブ５の浮きや捩じれが発生せず、図２に示すようにワ
イヤ１１の高さが変化しなくなる。
【００２７】つぎに、前記キャビティ１９内にゲート２
０からレジンを注入してモールドを行なう。この実施例
では、キャビティ１９の周囲のリードフレーム部分を高
型締め圧でクランプしても、タブ５が浮き上がったりあ
るいは捩じれたりしないことから、ワイヤ１１の高さも
一定し、モールド後、パッケージの表面にワイヤ１１が
露出するような不良も発生しなくなる。このような実施
例によれば、パッケージの厚さが１ｍｍ以下となる半導
体装置の製造においてもタブの変形（姿勢変化）による
不良発生が防止できることになる。なお、図ではタブ５
の下方のキャビティ深さと、半導体チップ１０の上方の
キャビティ深さが異なっているが、実際は、前記タブ吊
りリード６を途中で一段低くしてタブ下げを行い、上下
のキャビティ深さを同じにしてモールドバランスをとっ
ている。なお、前記窪み３１部分からレジンやレジンの
鑞質が滲み出て枠部４（外枠２）やパッケージ外のタブ
吊りリード表面に付着しても、この枠部やパッケージか
ら突出するタブ吊りリード部分は切断除去されるため支
障を来さない。
０からレジンを注入してモールドを行なう。この実施例
では、キャビティ１９の周囲のリードフレーム部分を高
型締め圧でクランプしても、タブ５が浮き上がったりあ
るいは捩じれたりしないことから、ワイヤ１１の高さも
一定し、モールド後、パッケージの表面にワイヤ１１が
露出するような不良も発生しなくなる。このような実施
例によれば、パッケージの厚さが１ｍｍ以下となる半導
体装置の製造においてもタブの変形（姿勢変化）による
不良発生が防止できることになる。なお、図ではタブ５
の下方のキャビティ深さと、半導体チップ１０の上方の
キャビティ深さが異なっているが、実際は、前記タブ吊
りリード６を途中で一段低くしてタブ下げを行い、上下
のキャビティ深さを同じにしてモールドバランスをとっ
ている。なお、前記窪み３１部分からレジンやレジンの
鑞質が滲み出て枠部４（外枠２）やパッケージ外のタブ
吊りリード表面に付着しても、この枠部やパッケージか
ら突出するタブ吊りリード部分は切断除去されるため支
障を来さない。
【００２８】つぎに、前記リードフレーム１はトランス
ファモールド型から取り外され、不要リードフレーム部
分が切断除去されるとともに、リード成形が行われ、た
とえば図４に示されるようなガルウィング型の半導体装
置１４が製造される。
ファモールド型から取り外され、不要リードフレーム部
分が切断除去されるとともに、リード成形が行われ、た
とえば図４に示されるようなガルウィング型の半導体装
置１４が製造される。
【００２９】
【発明の効果】（１）本発明のリードフレームにあって
は、タブ吊りリードの枠部に連なる付け根部分の表裏面
およびタブ吊りリード延長側枠部部分の表裏面が窪んで
いることから、タブ吊りリードおよびタブ吊りリード延
長側枠部部分は、トランスファモールド時モールド上・
下型のパーティング面に接触しない。このため、タブ吊
りリードおよびタブ吊りリード延長側枠部部分は型締め
のクランプ圧は加わることがなく、押し潰れによるタブ
吊りリードの変形（延び）が発生せず、タブの浮き上が
りや捩じれが発生しなくなる。したがって、パッケージ
の厚さが薄い半導体装置においても、パッケージの表面
にワイヤが露出するような不良が発生し難くなるという
効果が得られる。
は、タブ吊りリードの枠部に連なる付け根部分の表裏面
およびタブ吊りリード延長側枠部部分の表裏面が窪んで
いることから、タブ吊りリードおよびタブ吊りリード延
長側枠部部分は、トランスファモールド時モールド上・
下型のパーティング面に接触しない。このため、タブ吊
りリードおよびタブ吊りリード延長側枠部部分は型締め
のクランプ圧は加わることがなく、押し潰れによるタブ
吊りリードの変形（延び）が発生せず、タブの浮き上が
りや捩じれが発生しなくなる。したがって、パッケージ
の厚さが薄い半導体装置においても、パッケージの表面
にワイヤが露出するような不良が発生し難くなるという
効果が得られる。
【００３０】（２）本発明の半導体装置の製造方法にお
いては、タブ吊りリードの枠部に連なる付け根部分の表
裏面およびタブ吊りリード延長側枠部部分の表裏面が窪
んでいるリードフレームを用いて半導体装置を製造する
ことから、トランスファモールド時、タブ吊りリードお
よびタブ吊りリード延長側枠部部分は、モールド上・下
型のパーティング面に接触しない。このため、タブ吊り
リードおよびタブ吊りリード延長側枠部部分には、型締
めのクランプ圧は加わることがなく、押し潰れによるタ
ブ吊りリードの変形（延び）が発生せず、タブの浮き上
がりや捩じれが発生しなくなる。したがって、本発明の
製造方法によれば、パッケージの厚さが薄い半導体装置
においても、パッケージの表面にワイヤが露出するよう
な不良が発生し難くなるという効果が得られる。この結
果、半導体装置の耐湿性が低下せず、信頼性が高くなる
とともに外観不良の発生頻度を低く抑えることができ
る。
いては、タブ吊りリードの枠部に連なる付け根部分の表
裏面およびタブ吊りリード延長側枠部部分の表裏面が窪
んでいるリードフレームを用いて半導体装置を製造する
ことから、トランスファモールド時、タブ吊りリードお
よびタブ吊りリード延長側枠部部分は、モールド上・下
型のパーティング面に接触しない。このため、タブ吊り
リードおよびタブ吊りリード延長側枠部部分には、型締
めのクランプ圧は加わることがなく、押し潰れによるタ
ブ吊りリードの変形（延び）が発生せず、タブの浮き上
がりや捩じれが発生しなくなる。したがって、本発明の
製造方法によれば、パッケージの厚さが薄い半導体装置
においても、パッケージの表面にワイヤが露出するよう
な不良が発生し難くなるという効果が得られる。この結
果、半導体装置の耐湿性が低下せず、信頼性が高くなる
とともに外観不良の発生頻度を低く抑えることができ
る。
【００３１】（３）上記（２）により、本発明の半導体
装置の製造方法によれば、トランスファモールド時にタ
ブの浮きやタブの捩じれの発生を抑えることができるこ
とから、モールド成形において微妙な制御を必要としな
くなり、トランスファモールドが容易になるという効果
が得られる。この結果、モールドコストの低減も達成で
きる。
装置の製造方法によれば、トランスファモールド時にタ
ブの浮きやタブの捩じれの発生を抑えることができるこ
とから、モールド成形において微妙な制御を必要としな
くなり、トランスファモールドが容易になるという効果
が得られる。この結果、モールドコストの低減も達成で
きる。
【００３２】（４）上記（１）〜（３）により、本発明
によれば、品質の優れた薄型パッケージの半導体装置を
安価に提供することができるという相乗効果が得られ
る。
によれば、品質の優れた薄型パッケージの半導体装置を
安価に提供することができるという相乗効果が得られ
る。
【００３３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図５に示すように、リードフレーム１において、タブ吊
りリード６の枠部４（外枠２）に連なる付け根部分に窪
み３１を設ける構造としても、タブ吊りリード６のクラ
ンプ圧による押し潰れがないことから、タブ５の浮き上
がりや捩じれを抑えることができる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図５に示すように、リードフレーム１において、タブ吊
りリード６の枠部４（外枠２）に連なる付け根部分に窪
み３１を設ける構造としても、タブ吊りリード６のクラ
ンプ圧による押し潰れがないことから、タブ５の浮き上
がりや捩じれを抑えることができる。
【００３４】また、図６に示すように、リードフレーム
１において、タブ吊りリード６の途中部分に窪み３１を
設ける構造としても良い。前記窪み３１は、タブ吊りリ
ード６の表裏面において、所定の長さに亘って全幅域に
設けられている。この窪み３１によって、この窪み３１
部分のタブ吊りリード部分の剛性は小さく（低く）な
り、この部分でクランプ圧による押し潰しによる延びを
その変形によって吸収することになり、タブ５の浮きや
捩じれが抑えられることになる。前記窪み部分は剛性が
小さく、タブ５の姿勢を変えるまでには至らない。ま
た、リードフレーム１における窪み３１は、リードフレ
ームの一面側に設けるだけでも、タブ５の浮き上がりや
捩じれの発生を抑えることができる。そして、パッケー
ジ表面にワイヤが露出する不良に対しては、パッケージ
厚さ寸法が、リードフレーム平均板厚寸法の７倍以下の
場合より有効となる。
１において、タブ吊りリード６の途中部分に窪み３１を
設ける構造としても良い。前記窪み３１は、タブ吊りリ
ード６の表裏面において、所定の長さに亘って全幅域に
設けられている。この窪み３１によって、この窪み３１
部分のタブ吊りリード部分の剛性は小さく（低く）な
り、この部分でクランプ圧による押し潰しによる延びを
その変形によって吸収することになり、タブ５の浮きや
捩じれが抑えられることになる。前記窪み部分は剛性が
小さく、タブ５の姿勢を変えるまでには至らない。ま
た、リードフレーム１における窪み３１は、リードフレ
ームの一面側に設けるだけでも、タブ５の浮き上がりや
捩じれの発生を抑えることができる。そして、パッケー
ジ表面にワイヤが露出する不良に対しては、パッケージ
厚さ寸法が、リードフレーム平均板厚寸法の７倍以下の
場合より有効となる。
【００３５】図７は本発明の他の実施例によるトランス
ファモールド型を示す斜視図である。この実施例は、リ
ードフレームに窪みを設けることなく、モールド型に窪
みを設けた例である。モールド型１５のモールド上・下
型１６，１７において、前記タブ吊りリード６およびタ
ブ吊りリード延長側枠部部分に対面するモールド上型１
６のパーティング面に窪み３２を設け、リードフレーム
１において、前記タブ吊りリード６の枠部４（外枠２）
に連なる付け根部分およびタブ吊りリード延長側枠部部
分が、モールド上型１６のパーティング面に接触しない
ようになっている。これによって、各部の厚さが一定と
なるリードフレーム１を用いても、タブ吊りリード６お
よびタブ吊りリード延長側枠部部分にクランプ力が加わ
らないため、タブ吊りリード６が延びるような変形がな
く、タブ５の浮き上がりや捩じれが発生しなくなる。こ
の実施例によれば、リードフレーム１に窪みを設けるこ
とがないため、リードフレームの強度の低下がないとい
う効果が得られる。なお、この実施例では、窪み３２は
モールド上型１６にのみしか設けてないが、モールド下
型１７にも設けても前記実施例同様な効果が得られる。
この窪み３２は、キャビティ１９に連なる窪みとして見
た場合、タブ吊りリード６に沿うように設けられるとと
もに、キャビティ１９の両端にそれぞれ設けられる点で
エアーベントと異なる。
ファモールド型を示す斜視図である。この実施例は、リ
ードフレームに窪みを設けることなく、モールド型に窪
みを設けた例である。モールド型１５のモールド上・下
型１６，１７において、前記タブ吊りリード６およびタ
ブ吊りリード延長側枠部部分に対面するモールド上型１
６のパーティング面に窪み３２を設け、リードフレーム
１において、前記タブ吊りリード６の枠部４（外枠２）
に連なる付け根部分およびタブ吊りリード延長側枠部部
分が、モールド上型１６のパーティング面に接触しない
ようになっている。これによって、各部の厚さが一定と
なるリードフレーム１を用いても、タブ吊りリード６お
よびタブ吊りリード延長側枠部部分にクランプ力が加わ
らないため、タブ吊りリード６が延びるような変形がな
く、タブ５の浮き上がりや捩じれが発生しなくなる。こ
の実施例によれば、リードフレーム１に窪みを設けるこ
とがないため、リードフレームの強度の低下がないとい
う効果が得られる。なお、この実施例では、窪み３２は
モールド上型１６にのみしか設けてないが、モールド下
型１７にも設けても前記実施例同様な効果が得られる。
この窪み３２は、キャビティ１９に連なる窪みとして見
た場合、タブ吊りリード６に沿うように設けられるとと
もに、キャビティ１９の両端にそれぞれ設けられる点で
エアーベントと異なる。
【００３６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるプラス
チック（レジン）パッケージ型半導体装置の製造技術に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、たとえば、半導体チップの電極とリード内
端をバンプ等を利用して直接接続し、かつパッケージを
トランスファモールドによって形成するモールドＴＣＰ
（Tape Carrier Package）にも適用できる。本発明は少
なくとも樹脂封止型半導体装置の製造技術には適用でき
る。
なされた発明をその背景となった利用分野であるプラス
チック（レジン）パッケージ型半導体装置の製造技術に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、たとえば、半導体チップの電極とリード内
端をバンプ等を利用して直接接続し、かつパッケージを
トランスファモールドによって形成するモールドＴＣＰ
（Tape Carrier Package）にも適用できる。本発明は少
なくとも樹脂封止型半導体装置の製造技術には適用でき
る。
【図１】本発明の一実施例によるリードフレームおよび
半導体チップ等を示す斜視図である。
半導体チップ等を示す斜視図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造におけるトランスフ
ァモールド状態を示す断面図である。
ァモールド状態を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造におけるトランスフ
ァモールド時のリードフレームに加わるクランプ領域を
示す平面図である。
ァモールド時のリードフレームに加わるクランプ領域を
示す平面図である。
【図４】本発明のリードフレームを用いて製造された半
導体装置の斜視図である。
導体装置の斜視図である。
【図５】本発明の他の実施例によるリードフレームおよ
び半導体チップ等を示す斜視図である。
び半導体チップ等を示す斜視図である。
【図６】本発明の他の実施例によるリードフレームおよ
び半導体チップ等を示す斜視図である。
び半導体チップ等を示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施例によるトランスファモール
ド型を示す斜視図である。
ド型を示す斜視図である。
【図８】本出願人による半導体装置の製造におけるトラ
ンスファモールド時のリードフレームに加わるクランプ
領域を示す平面図である。
ンスファモールド時のリードフレームに加わるクランプ
領域を示す平面図である。
【図９】本出願人による半導体装置の製造におけるトラ
ンスファモールド時のリードフレームおよびリードフレ
ームに加わるクランプ領域を示す平面図である。
ンスファモールド時のリードフレームおよびリードフレ
ームに加わるクランプ領域を示す平面図である。
１…リードフレーム、２…外枠、３…内枠、４…枠部、
５…タブ、６…タブ吊りリード、７…リード、９…ダ
ム、１０…半導体チップ、１１…ワイヤ、１２…パッケ
ージ、１３…接合材、１４…半導体装置、１５…モール
ド型、１６…モールド上型、１７…モールド下型、１９
…キャビティ、２０…ゲート、２１…レジン、２２…エ
アーベント、２５…パーティング面、２６…クランプ領
域、３１，３２…窪み。
５…タブ、６…タブ吊りリード、７…リード、９…ダ
ム、１０…半導体チップ、１１…ワイヤ、１２…パッケ
ージ、１３…接合材、１４…半導体装置、１５…モール
ド型、１６…モールド上型、１７…モールド下型、１９
…キャビティ、２０…ゲート、２１…レジン、２２…エ
アーベント、２５…パーティング面、２６…クランプ領
域、３１，３２…窪み。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するタブおよびこの
タブにそれぞれ一端が連なるとともに他端は枠部に連な
るタブ吊りリードならびに前記枠部からタブに向かって
延在する複数のリードを有するリードフレームを用意す
る工程と、前記タブに半導体チップが搭載されかつ前記
半導体チップの電極とリードが電気的に接続されたリー
ドフレームをモールド上・下型間に型締めした後モール
ドしてパッケージを形成する工程とを、有することを特
徴とする半導体装置の製造方法であって、前記タブがモ
ールド上・下型の型締めによって変形しないようにタブ
吊りリードおよびタブ吊りリード延長側枠部部分をモー
ルド上・下型で加圧することなくモールドを行うことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 矩形枠状の枠部と、この枠部の中央に設
けられるタブと、このタブにそれぞれ一端が連なるとと
もに他端が前記枠部に連なるタブ吊りリードと、前記枠
部から前記タブに向かって延在する複数のリードとを有
するリードフレームであって、前記タブ吊りリードの少
なくとも一面は所定の長さに亘って全幅域が窪んでいる
ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 矩形枠状の枠部と、この枠部の中央に設
けられるタブと、このタブにそれぞれ一端が連なるとと
もに他端が前記枠部に連なるタブ吊りリードと、前記枠
部から前記タブに向かって延在する複数のリードとを有
し、前記枠部内の所望領域にモールド上・下型の型締め
とレジン注入によってパッケージが形成されることを特
徴とするリードフレームであって、前記タブ吊りリード
の枠部に繋がる付け根部分からタブ吊りリード延長側枠
部部分に亘る部分は、前記モールド上・下型の少なくと
も一方の型のパーティング面に接触しないように窪んで
いることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】 矩形枠状の枠部と、この枠部の中央に設
けられるタブと、このタブにそれぞれ一端が連なるとと
もに他端が前記枠部に連なるタブ吊りリードと、前記枠
部から前記タブに向かって延在する複数のリードとを有
するリードフレームを型締めしてリードフレームの所定
部分にパッケージを形成するトランスファモールド型で
あって、前記リードフレームのタブ吊りリードおよびタ
ブ吊りリード延長側枠部部分の少なくとも一面がモール
ド型のパーティング面に接触しないようにモールド型の
パーティング面には部分的に窪みが設けられていること
を特徴とするトランスファモールド型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5008202A JPH06216179A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにトランスファモールド型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5008202A JPH06216179A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにトランスファモールド型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216179A true JPH06216179A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11686683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5008202A Pending JPH06216179A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにトランスファモールド型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216179A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199306B2 (en) | 1994-12-05 | 2007-04-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-strand substrate for ball-grid array assemblies and method |
| JP2007335728A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nippon Inter Electronics Corp | 絶縁型大電力用半導体装置 |
-
1993
- 1993-01-21 JP JP5008202A patent/JPH06216179A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199306B2 (en) | 1994-12-05 | 2007-04-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-strand substrate for ball-grid array assemblies and method |
| US7397001B2 (en) | 1994-12-05 | 2008-07-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-strand substrate for ball-grid array assemblies and method |
| JP2007335728A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nippon Inter Electronics Corp | 絶縁型大電力用半導体装置 |
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