JP2007335728A - 絶縁型大電力用半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】成形中の溶融した高温のＰＰＳ樹脂中に大電力用半導体素子が浸漬せしめられるのを回避する。
【解決手段】大電力用半導体素子3を載置する載置部1aを有するリードフレーム1をＰＰＳ樹脂によってインサート成形した絶縁型大電力用半導体装置において、載置部1aの前側面1a2からＰＰＳ樹脂成形体2の前側面2bの側に延びているタイバー部1e1と、載置部1aの後側面1a3からＰＰＳ樹脂成形体2の後側面2cの側に延びているタイバー部1e2と、載置部1aの左側面1a4からＰＰＳ樹脂成形体2の左側面2dの側に延びているタイバー部1e3,1e4とをリードフレーム1に設け、載置部1aの上面1a1をＰＰＳ樹脂成形体2の上面2aよりも上側に配置し、載置部1aの厚さをタイバー部1e1,1e2,1e3,1e4の厚さよりも厚くした。
【選択図】図５

Description

本発明は、大電力用半導体素子を載置するための載置部を有するリードフレームをＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂によってインサート成形した絶縁型大電力用半導体装置に関し、特には、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接着力を増加させると共に、大電力用半導体素子が発生した熱の放熱効率を向上させることができる絶縁型大電力用半導体装置に関する。

更に、本発明は、成形中の溶融した高温のＰＰＳ樹脂中に大電力用半導体素子が浸漬せしめられるのを回避すると共に、載置部のＬ成分を低減することができる絶縁型大電力用半導体装置に関する。

従来から、絶縁型に構成された大電力用半導体装置が知られている。この種の大電力用半導体装置の例としては、例えば特開平７−３８０１４号公報、特開平１１−２５１５１４号公報などに記載されたものがある。

特開平７−３８０１４号公報に記載された大電力用半導体装置では、絶縁材としてのセラミックス基板を２枚の銅板で狭持することによってＤＢＣ基板が構成され、そのＤＢＣ基板上に半導体素子が載置され、それにより、大電力用半導体装置が絶縁型に構成されている。

また、特開平１１−２５１５１４号公報に記載された大電力用半導体装置では、半導体素子がヒートスプレッダ上に載置され、そのヒートスプレッダが絶縁板上に載置され、それにより、大電力用半導体装置が絶縁型に構成されている。

ところで、例えば特開平７−３８０１４号公報に記載された絶縁型大電力用半導体装置のように、比較的高価なＤＢＣ基板が用いられると、絶縁型大電力用半導体装置全体のコストが嵩んでしまう。また、例えば特開平１１−２５１５１４号公報に記載された絶縁型大電力用半導体装置のように、絶縁板およびヒートスプレッダが用いられると、それらの組立コストが嵩んでしまい、その結果、絶縁型大電力用半導体装置全体のコストが嵩んでしまう。

そこで、ＤＢＣ基板、ヒートスプレッダなどが用いられる場合よりも絶縁型大電力用半導体装置全体のコストを低減するために、熱伝導率の比較的高いＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂成形体をＤＢＣ基板、ヒートスプレッダなどの代わりに用いることが考えられる。

例えば特開２０００−８６８９２号公報には、ＰＰＳ樹脂成形体をパワーモジュール（大電力用モジュール）に用いる点が記載されており、例えば特開２００２−３２６２５２号公報には、例えばリードフレームのような金属部材をＰＰＳ樹脂によってインサート成形する点が記載されている。

ところで、特開２０００−８６８９２号公報には、上述したように、ＰＰＳ樹脂成形体をパワーモジュール（大電力用モジュール）に用いる点が記載されているものの、具体的に、パワーモジュール（大電力用モジュール）がどのように構成されるかについて記載されていない。

また、特開２００２−３２６２５２号公報には、上述したように、リードフレームをＰＰＳ樹脂によってインサート成形する点が記載されているものの、リードフレームの具体的な形状、あるいは、ＰＰＳ樹脂成形体の具体的な形状について記載されていない。

更に、例えば特開２００３−１３３４９７号公報には、半導体素子を載置するための載置部を有するリードフレーム（リード）を樹脂によって封止（インサート成形）する点が記載されている。詳細には、特開２００３−１３３４９７号公報には、リードフレーム（リード）の具体的な形状、および、樹脂成形体の具体的な形状が記載されている。

ところで、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体装置では、封止用樹脂として、ＰＰＳ樹脂ではなく、エポキシ樹脂が用いられている。また、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接着力は、リードフレームとエポキシ樹脂との接着力よりも弱い。そのため、特開２００３−１３３４９７号公報に記載されたリードフレーム（リード）の形状および樹脂成形体の形状を適用して、リードフレームをＰＰＳ樹脂によってインサート成形しても、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接着力を十分に高くすることができない。

また、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体装置は、大電力用ではないため、絶縁型に構成されていない。従って、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体装置を大電力用の絶縁型に変更する場合には、リードフレーム（リード）の下側に樹脂を配置しなければならない。ところが、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体装置のリードフレーム（リード）の下側に樹脂を配置すると、半導体素子が発生した熱の放熱経路が減少してしまい、その結果、大電力用半導体素子が発生した熱を十分に放熱することができない。

特開平７−３８０１４号公報 特開平１１−２５１５１４号公報 特開２０００−８６８９２号公報 特開２００２−３２６２５２号公報 特開２００３−１３３４９７号公報

前記問題点に鑑み、本発明は、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接着力を増加させると共に、大電力用半導体素子が発生した熱の放熱効率を向上させることができる絶縁型大電力用半導体装置を提供することを目的とする。

更に、本発明は、成形中の溶融した高温のＰＰＳ樹脂中に大電力用半導体素子が浸漬せしめられるのを回避すると共に、載置部のＬ成分を低減することができる絶縁型大電力用半導体装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明によれば、大電力用半導体素子を載置するための載置部を有するリードフレームをＰＰＳ樹脂によってインサート成形した絶縁型大電力用半導体装置において、前記載置部の前側面からＰＰＳ樹脂成形体の前側面の側に延びている第１タイバー部と、前記載置部の後側面から前記ＰＰＳ樹脂成形体の後側面の側に延びている第２タイバー部と、前記載置部の左側面または右側面から前記ＰＰＳ樹脂成形体の左側面または右側面の側に延びている第３タイバー部とを前記リードフレームに設け、前記載置部の上面を前記ＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも上側に配置し、前記載置部の厚さを前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の厚さよりも厚くしたことを特徴とする絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項２に記載の発明によれば、前記リードフレームをＰＰＳ樹脂によってインサート成形した後に、前記載置部上に前記大電力用半導体素子を載置することを特徴とする請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項３に記載の発明によれば、前記載置部の下面よりも下側に約０．０５〜１．０ｍｍの厚さのＰＰＳ樹脂層を配置したことを特徴とする請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項４に記載の発明によれば、前記大電力用半導体素子をゲル状充填材によって封止することを特徴とする請求項３に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項５に記載の発明によれば、前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の上面を前記ＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも下側に配置すると共に、前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の下面を前記ＰＰＳ樹脂成形体の下面よりも上側に配置したことを特徴とする請求項４に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項６に記載の発明によれば、前記載置部の前側面、後側面、左側面および右側面にフランジ部を形成し、前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部を前記フランジ部から延ばしたことを特徴とする請求項５に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項７に記載の発明によれば、前記載置部の上面のうち、前記大電力用半導体素子が載置される部分と外部導出端子が載置される部分との間に溝を形成したことを特徴とする請求項６に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項８に記載の発明によれば、前記載置部の下面と、前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の根元部分の下面と、前記フランジ部の下面とを同じ高さに配置したことを特徴とする請求項７に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項９に記載の発明によれば、ＰＰＳ樹脂によって前記載置部の下側にヒートスプレッダをインサート成形したことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項１０に記載の発明によれば、前記ヒートスプレッダの上面に溝を形成したことを特徴とする請求項９に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項１１に記載の発明によれば、前記ヒートスプレッダの下面に溝を形成したことを特徴とする請求項１０に記載の絶縁型大電力用半導体装置が提供される。

請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の前側面からＰＰＳ樹脂成形体の前側面の側に延びている第１タイバー部と、載置部の後側面からＰＰＳ樹脂成形体の後側面の側に延びている第２タイバー部と、載置部の左側面または右側面からＰＰＳ樹脂成形体の左側面または右側面の側に延びている第３タイバー部とが、リードフレームに設けられている。

そのため、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部から１個または２個のみのタイバー部が延ばされている場合よりも、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接触面積を増加させることができ、それにより、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接着力を増加させることができる。

また、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部から１個または２個のみのタイバー部が延ばされている場合よりも、大電力用半導体素子が発生した熱の放熱経路を増加させることができ、それにより、大電力用半導体素子が発生した熱の放熱効率を向上させることができる。

更に、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の上面がＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも上側に配置されている。つまり、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部がＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも上側に突出せしめられている。換言すれば、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子がＰＰＳ樹脂成形体の外側に配置される。

そのため、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、成形中の溶融した高温のＰＰＳ樹脂中に大電力用半導体素子が浸漬せしめられるのに伴って、大電力用半導体素子が高温のＰＰＳ樹脂から悪影響を受けてしまうおそれを回避することができる。

また、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の厚さが、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の厚さよりも厚くされている。

そのため、請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部の厚さが第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の厚さと同様に薄くされる場合よりも、載置部のＬ成分を低減することができる。

載置部の上面をＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも上側に配置しても、仮に、リードフレームがＰＰＳ樹脂によってインサート成形される前に、大電力用半導体素子が載置部上に載置されると、ＰＰＳ樹脂の成形中に、ＰＰＳ樹脂成形用金型の内側の溶融した高温のＰＰＳ樹脂の熱が、載置部を介して、ＰＰＳ樹脂成形用金型の外側の大電力用半導体素子に伝わってしまうおそれがある。

上述した点に鑑み、請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、リードフレームがＰＰＳ樹脂によってインサート成形された後に、大電力用半導体素子が載置部上に載置される。換言すれば、請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、ＰＰＳ樹脂の成形が終了するまで、大電力用半導体素子が載置部上に載置されない。

そのため、請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ＰＰＳ樹脂の成形中に、ＰＰＳ樹脂成形用金型の内側の溶融した高温のＰＰＳ樹脂の熱が、載置部を介して、ＰＰＳ樹脂成形用金型の外側の大電力用半導体素子に伝わってしまうおそれを回避することができる。

更に、請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の上面がＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも上側に配置されている。つまり、請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部がＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも上側に突出せしめられている。

そのため、請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、大電力用半導体素子を載置部の上面に載置・接合する時に工具とＰＰＳ樹脂成形体とが干渉してしまうおそれを低減することができる。

請求項３に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の下面よりも下側に約０．０５〜１．０ｍｍの厚さのＰＰＳ樹脂層が配置されている。詳細には、請求項３に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、エポキシ樹脂よりも、熱膨張係数が小さく、熱伝導率が高く、耐熱性が高いＰＰＳ樹脂が、約０．０５〜１．０ｍｍの厚さで載置部の下面よりも下側に配置されている。

そのため、請求項３に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、例えば特開平７−３３５６７７号公報に記載された大電力用半導体装置のように、載置部の下面よりも下側に約０．３〜２．０ｍｍの厚さのエポキシ樹脂層が配置されている場合よりも、リードフレームにかかる熱応力を低減することができ、樹脂成形体の下面からの放熱効率を向上させることができ、大電力用半導体装置全体の絶縁性を向上させることができる。

詳細には、請求項３に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、例えば特開平７−３３５６７７号公報に記載された大電力用半導体装置のように、載置部の下面よりも下側に約０．３〜２．０ｍｍの厚さのエポキシ樹脂層が配置されている場合よりも、樹脂成形体の熱膨張・熱収縮に伴うリードフレームの反りを低減することができる。

また、請求項３に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、例えば特開平７−３３５６７７号公報に記載された大電力用半導体装置のように、載置部の下面よりも下側に約０．３〜２．０ｍｍの厚さのエポキシ樹脂層が配置されている場合よりも、高融点の半田を用いることができる。

請求項４に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子が、ＰＰＳ樹脂によって封止されるのではなく、ゲル状充填材によって封止される。そのため、請求項４に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、大電力用半導体素子がＰＰＳ樹脂によって封止される場合よりも、絶縁型大電力用半導体装置の使用中などに大電力用半導体素子にかかる熱応力を低減することができる。

請求項５に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の上面がＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも下側に配置されると共に、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の下面がＰＰＳ樹脂成形体の下面よりも上側に配置されている。

そのため、請求項５に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の上面とＰＰＳ樹脂成形体の上面とが同じ高さに配置される場合、あるいは、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の下面とＰＰＳ樹脂成形体の下面とが同じ高さに配置される場合よりも、ＰＰＳ樹脂成形体の前側面、後側面、および、左側面または右側面上におけるＰＰＳ樹脂とリードフレームとの境界部分を小さくすることができ、それにより、ＰＰＳ樹脂成形体の外側からその境界部分を介してＰＰＳ樹脂成形体の内側に水分が浸入してしまうおそれを低減することができる。

請求項６に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の前側面、後側面、左側面および右側面にフランジ部が形成されている。そのため、請求項６に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部の前側面、後側面、左側面および右側面にフランジ部が形成されていない場合よりも、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接触面積を増加させ、リードフレームとＰＰＳ樹脂との接着力を増加させることができる。

更に、請求項６に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部がフランジ部から延ばされている。そのため、請求項６に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部がフランジ部とは異なる位置から延ばされている場合よりも、リードフレームのプレス加工を容易にすることができる。

請求項７に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の上面のうち、大電力用半導体素子が載置される部分と外部導出端子が載置される部分との間に溝が形成されている。そのため、請求項７に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部の上面と大電力用半導体素子の下面との間に供給された半田によって、大電力用半導体素子の下面と上面とが電気的に短絡してしまうおそれを低減することができる。更に、請求項７に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、大電力用半導体素子が載置される部分と外部導出端子が載置される部分との間に溝が形成されない場合よりも、大電力用半導体素子の下側に供給された半田の輪郭および外部導出端子の下側に供給された半田の輪郭を整えることができる。また、請求項７に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、外部導出端子の側から大電力用半導体素子の側にかかる横方向の応力を、大電力用半導体素子が載置される部分と外部導出端子が載置される部分との間に配置された溝の側面によって遮断することができる。

請求項８に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部の下面と、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の根元部分の下面と、フランジ部の下面とが同じ高さに配置されている。

そのため、請求項８に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部の下面と、第１タイバー部、第２タイバー部、および、第３タイバー部の根元部分の下面と、フランジ部の下面とが異なる高さに配置される場合よりも、リードフレームのプレス加工を容易にすることができる。

請求項９に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、ＰＰＳ樹脂によって載置部の下側にヒートスプレッダがインサート成形される。そのため、請求項９に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ヒートスプレッダを半田接合する工程を設けるのに伴って組立コストを増加させることなく、大電力用半導体素子が発生した熱の放熱効率を向上させることができる。

請求項１０に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、ヒートスプレッダの上面に溝が形成されている。そのため、請求項１０に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ヒートスプレッダの上面が平面によって構成されている場合よりも、ヒートスプレッダとＰＰＳ樹脂との接着力を増加させることができ、成形中のＰＰＳ樹脂の流動性を向上させることができる。

請求項１１に記載の絶縁型大電力用半導体装置では、ヒートスプレッダの下面に溝が形成されている。そのため、請求項１１に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ヒートスプレッダの下面が平面によって構成されている場合よりも、ヒートスプレッダの反りを低減することができる。更に、請求項１１に記載の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ヒートスプレッダの下面が平面によって構成されている場合よりも、ヒートスプレッダの表面積を増加させることができ、それにより、大電力用半導体素子が発生した熱の放熱効率を向上させることができる。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第１の実施形態について説明する。第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、例えば１０Ａ／６００Ｖ型、あるいは、１００Ａ／６００Ｖ型の大容量・高電圧型の大電力用半導体装置である。

図１〜図１２、図１４、図１５、図１７〜図１９は第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の製造工程を示した図である。詳細には、図１は第１工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図２は第１工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図１および図２に示すように、第１工程では、リードフレーム１が準備される。第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、リードフレーム１として、Ｃｕ系のものが用いられる。詳細には、リードフレーム１の表面には、例えばＮｉ、Ａｇなどによるメッキが施されている。第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の変形例では、代わりに、メッキが施されていないリードフレームを用いることも可能である。

図１および図２において、１ａは大電力用半導体素子（図示せず）および第１外部導出端子（図示せず）を載置するための載置部を示している。１ａ１は載置部１ａの上面を示しており、１ａ２は載置部１ａの前側面を示しており、１ａ３は載置部１ａの後側面を示しており、１ａ４は載置部１ａの左側面を示しており、１ａ５は載置部１ａの右側面を示しており、１ａ６は載置部１ａの下面を示している。

また、図１および図２において、１ｂは第２外部導出端子（図示せず）を載置するための載置部を示している。１ｂ１は載置部１ｂの上面を示しており、１ｂ２は載置部１ｂの前側面を示しており、１ｂ３は載置部１ｂの後側面を示しており、１ｂ４は載置部１ｂの左側面を示しており、１ｂ５は載置部１ｂの右側面を示しており、１ｂ６は載置部１ｂの下面を示している。

更に、図１および図２において、１ｃは載置部１ａに形成されたフランジ部を示しており、１ｄは載置部１ｂに形成されたフランジ部を示している。第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図１に示すように、載置部１ａ，１ｂの側面からフランジ部１ｃ，１ｄが水平方向に突出する幅が、載置部１ａ，１ｂの周方向に均一になっているが、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の変形例では、代わりに、載置部１ａ，１ｂの側面からフランジ部１ｃ，１ｄが水平方向に突出する幅が、載置部１ａ，１ｂの周方向に不均一になるように、つまり、上側から見た時にフランジ部１ｃ，１ｄの輪郭が鋸歯状になるように、フランジ部１ｃ，１ｄを形成することも可能である。フランジ部１ｃ，１ｄをそのように形成することにより、フランジ部１ｃ，１ｄとＰＰＳ樹脂（図示せず）との接着力を増加させることができる。

また、図１および図２において、１ｅ１は載置部１ａの前側面１ａ２から前側に延びているタイバー部を示しており、１ｅ２は載置部１ａの後側面１ａ３から後側に延びているタイバー部を示しており、１ｅ３，１ｅ４は載置部１ａの左側面１ａ４から左側に延びているタイバー部を示している。詳細には、図１および図２に示すように、タイバー部１ｅ１は載置部１ａのフランジ部１ｃから前側に延びており、タイバー部１ｅ２は載置部１ａのフランジ部１ｃから後側に延びており、タイバー部１ｅ３，１ｅ４は載置部１ａのフランジ部１ｃから左側に延びている。

更に、図１および図２において、１ｆ１は載置部１ｂの前側面１ｂ２から前側に延びているタイバー部を示しており、１ｆ２は載置部１ｂの後側面１ｂ３から後側に延びているタイバー部を示しており、１ｆ３，１ｆ４は載置部１ｂの右側面１ｂ５から右側に延びているタイバー部を示している。詳細には、図１および図２に示すように、タイバー部１ｆ１は載置部１ｂのフランジ部１ｄから前側に延びており、タイバー部１ｆ２は載置部１ｂのフランジ部１ｄから後側に延びており、タイバー部１ｆ３，１ｆ４は載置部１ｂのフランジ部１ｄから右側に延びている。

また、図１および図２において、１ｇはタイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４およびタイバー部１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４を橋絡するためのフレーム部を示している。

図３は第２工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図４は第２工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。図３および図４に示すように、第２工程では、リードフレーム１がＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂によってインサート成形される。

図３および図４において、２はＰＰＳ樹脂成形体を示しており、２ａはＰＰＳ樹脂成形体２の上面を示しており、２ｂはＰＰＳ樹脂成形体２の前側面を示しており、２ｃはＰＰＳ樹脂成形体２の後側面を示している。２ｄはＰＰＳ樹脂成形体２の左側面を示しており、２ｅはＰＰＳ樹脂成形体２の右側面を示しており、２ｆはＰＰＳ樹脂成形体２の下面を示しており、２ｇはねじ穴を示している。

図５は第３工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図６は第３工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。図５および図６に示すように、第３工程では、リードフレーム１の載置部１ａの上面１ａ１上に大電力用半導体素子３が載置され、載置部１ａの上面１ａ１に対して大電力用半導体素子３の下面が半田接合される。

詳細には、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子３として例えばダイオードが用いられる。また、大電力用半導体素子３と載置部１ａとを接合するための半田として、例えばＳｎ／Ｃｕ／Ｎｉ、または、Ｓｎ／Ｃｕ／Ｐ、あるいは、Ｓｎ／Ｃｕ／Ａｇ／Ｎｉ等の比較的高融点の半田が用いられる。

更に、詳細には、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子３の下面と載置部１ａの上面１ａ１との間にカソード電極が配置され、大電力用半導体素子３の上面上にアノード電極が配置される。

第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図１および図５に示すように、載置部１ａの前側面１ａ２からＰＰＳ樹脂成形体２の前側面２ｂの側に延びているタイバー部１ｅ１と、載置部１ａの後側面１ａ３からＰＰＳ樹脂成形体２の後側面２ｃの側に延びているタイバー部１ｅ２と、載置部１ａの左側面１ａ４からＰＰＳ樹脂成形体２の左側面２ｄの側に延びているタイバー部１ｅ３，１ｅ４とが、リードフレーム１に設けられている。

そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１ａから１個または２個のみのタイバー部が延ばされている場合よりも、リードフレーム１とＰＰＳ樹脂（２）との接触面積を増加させることができ、それにより、リードフレーム１とＰＰＳ樹脂（２）との接着力を増加させることができる。

また、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１ａから１個または２個のみのタイバー部が延ばされている場合よりも、大電力用半導体素子３が発生した熱の放熱経路を増加させることができ、それにより、大電力用半導体素子３が発生した熱の放熱効率を向上させることができる。

更に、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図５および図６に示すように、載置部１ａの上面１ａ１がＰＰＳ樹脂成形体２の上面２ａよりも上側に配置されている。つまり、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部１ａがＰＰＳ樹脂成形体２の上面２ａよりも上側に突出せしめられている。換言すれば、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子３がＰＰＳ樹脂成形体２の外側に配置される。

そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、成形中の溶融した高温のＰＰＳ樹脂（２）中に大電力用半導体素子３が浸漬せしめられるのに伴って、大電力用半導体素子３が高温のＰＰＳ樹脂（２）から悪影響を受けてしまうおそれを回避することができる。

また、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図１および図２に示すように、載置部２ａの厚さ（上下方向寸法）が、タイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４の厚さ（上下方向寸法）よりも厚くされている。

そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部２ａの厚さがタイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４の厚さと同様に薄くされる場合よりも、載置部２ａのＬ成分を低減することができる。

更に、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図３および図４に示す第２工程において、リードフレーム１がＰＰＳ樹脂（２）によってインサート成形された後に、図５および図６に示す第３工程において、大電力用半導体素子３が載置部１ａ上に載置される。換言すれば、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、ＰＰＳ樹脂（２）の成形が終了するまで、大電力用半導体素子３が載置部１ａ上に載置されない。

そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ＰＰＳ樹脂（２）の成形中に、ＰＰＳ樹脂成形用金型（図示せず）の内側の溶融した高温のＰＰＳ樹脂（２）の熱が、載置部１ａを介して、ＰＰＳ樹脂成形用金型の外側の大電力用半導体素子３に伝わってしまうおそれを回避することができる。

更に、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、上述したように、載置部１ａの上面１ａ１がＰＰＳ樹脂成形体２の上面２ａよりも上側に配置されている。つまり、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、載置部１ａがＰＰＳ樹脂成形体２の上面２ａよりも上側に突出せしめられている。

そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、図５および図６に示す第３工程において大電力用半導体素子３を載置部１ａの上面１ａ１に載置・接合する時に工具（図示せず）とＰＰＳ樹脂成形体２とが干渉してしまうおそれを低減することができる。

詳細には、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図６に示すように、載置部１ａの下面１ａ６よりも下側に約０．０５〜１．０ｍｍの厚さのＰＰＳ樹脂層（２）が配置されている。詳細には、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、エポキシ樹脂よりも、熱膨張係数が小さく、熱伝導率が高く、耐熱性が高いＰＰＳ樹脂（２）が、約０．０５〜１．０ｍｍの厚さで載置部１ａの下面１ａ６よりも下側に配置されている。

そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１ａの下面１ａ６よりも下側に約０．０５〜２．０ｍｍの厚さのエポキシ樹脂層が配置されている場合よりも、リードフレーム１にかかる熱応力を低減することができ、樹脂成形体の下面２ｆからの放熱効率を向上させることができ、大電力用半導体装置全体の絶縁性を向上させることができる。

詳細には、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１ａの下面１ａ６よりも下側に約０．０５〜２．０ｍｍの厚さのエポキシ樹脂層が配置されている場合よりも、樹脂成形体の熱膨張・熱収縮に伴うリードフレーム１の反りを低減することができる。

また、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１ａの下面１ａ６よりも下側に約０．０５〜２．０ｍｍの厚さのエポキシ樹脂層が配置されている場合よりも、高融点の半田を用いることができる。

更に、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図５および図６に示すように、タイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４，１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４の上面がＰＰＳ樹脂成形体２の上面２ａよりも下側に配置されると共に、タイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４，１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４の下面がＰＰＳ樹脂成形体２の下面２ｆよりも上側に配置されている。

そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、タイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４，１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４の上面とＰＰＳ樹脂成形体２の上面２ａとが同じ高さに配置される場合、あるいは、タイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４，１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４の下面とＰＰＳ樹脂成形体２の下面２ｆとが同じ高さに配置される場合よりも、ＰＰＳ樹脂成形体２の前側面２ｂ、後側面２ｃ、左側面２ｄ、および、右側面２ｅ上におけるＰＰＳ樹脂（２）とリードフレーム１との境界部分を小さくすることができ、それにより、ＰＰＳ樹脂成形体２の外側からその境界部分を介してＰＰＳ樹脂成形体２の内側に水分が浸入してしまうおそれを低減することができる。

また、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図１および図２に示すように、載置部１ａの前側面１ａ２、後側面１ａ３、左側面１ａ４および右側面１ａ５にフランジ部１ｃが形成されると共に、載置部１ｂの前側面１ｂ２、後側面１ｂ３、左側面１ｂ４および右側面１ｂ５にフランジ部１ｄが形成されている。そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１ａ，１ｂの前側面１ａ２，１ｂ２、後側面１ａ３，１ｂ３、左側面１ａ４，１ｂ４および右側面１ａ５，１ｂ５にフランジ部１ｃ，１ｄが形成されていない場合よりも、リードフレーム１とＰＰＳ樹脂（２）との接触面積を増加させ、リードフレーム１とＰＰＳ樹脂（２）との接着力を増加させることができる。

更に、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、タイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４がフランジ部１ｃから延ばされると共に、タイバー部１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４がフランジ部１ｄから延ばされている。そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、タイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４，１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４がフランジ部１ｃ，１ｄとは異なる位置から延ばされている場合よりも、リードフレーム１のプレス加工を容易にすることができる。

図７は第４工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図８（Ａ）は第４工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図８（Ｂ）は第４工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図７および図８に示すように、第４工程では、リードフレーム１の載置部１ａの上面１ａ１に対して第１外部導出端子４の下面が半田接合され、リードフレーム１の載置部１ｂの上面１ｂ１に対して第２外部導出端子５の下面が半田接合され、大電力用半導体素子３の上面とリードフレーム１の載置部１ｂの上面１ｂ１とが接続ベンド６によって橋絡される。

詳細には、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図７および図８に示す第４工程において、第３工程で用いられた半田よりも低融点の半田が用いられる。

図９は第５工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図１０は第５工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図９および図１０に示すように、第５工程では、リードフレーム１のタイバー部１ｅ１，１ｅ２，１ｅ３，１ｅ４，１ｆ１，１ｆ２，１ｆ３，１ｆ４がカットされる。

図１１は第６工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図１２は第６工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図１１および図１２に示すように、第６工程では、外囲ケース７が被せられ、次いで、例えばシリコーン樹脂のようなゲル状充填材８が注入・乾燥せしめられ、次いで、エポキシ樹脂９が注入・乾燥せしめられる。

図１３は図１１および図１２に示した外囲ケース７の部品図である。詳細には、図１３は外囲ケース７を部分的に断面で示した平面図である。図１３において、７ａはゲル状充填材８およびエポキシ樹脂９を注入するための開口を示しており、７ｂはガス抜き穴を示しており、７ｃはねじ穴を示している。

第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子３がＰＰＳ樹脂（２）によって封止されるのではなく、図１２に示すように、大電力用半導体素子３がゲル状充填材８によって封止される。そのため、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、大電力用半導体素子３がＰＰＳ樹脂（２）によって封止される場合よりも、絶縁型大電力用半導体装置の使用中などに大電力用半導体素子３にかかる熱応力を低減することができる。

図１４は第７工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図１５は第７工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

第７工程では、図１４に示すように、外囲ケース７の開口７ａが蓋１０によって覆われ、次いで、ナット１１が蓋１０上に載置される。次いで、図１５に示すように、蓋１０を介して引き出された第１外部導出端子４および第２外部導出端子５が、互いに近づく側に曲げられる。

図１６は図１４および図１５に示した蓋１０の部品図である。詳細には、図１６は蓋１０の平面図である。図１６において、１０ａは第１外部導出端子４を引き出すための穴を示しており、１０ｂは第２外部導出端子５を引き出すための穴を示している。１０ｃはナット１１を収容するための穴を示しており、１０ｄはガス抜き穴を示している。

図１７は第８工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図、図１８は第８工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図１７および図１８に示すように、第８工程では、図１４および図１５に示したナット１１と、ボルト１２とが螺合せしめられる。

第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、蓋１０の穴１０ｃにナット１１が収容されるが、第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の変形例では、代わりに、蓋１０の穴１０ｃにボルト１２を収容することも可能である。

図１９は第９工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の平面図である。図１９に示すように、第９工程では、ねじ１３によって、放熱フィン（図示せず）がＰＰＳ樹脂成形体２の下面２ｆ（図６参照）に取り付けられ、モジュールが完成する。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２０は第４工程における第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。詳細には、図２０（Ａ）は第４工程における第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図２０（Ｂ）は第４工程における第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図２０において、１０１はリードフレームを示しており、１０１ａは大電力用半導体素子３および第１外部導出端子４を載置するための載置部を示している。１０１ａ１は載置部１０１ａの上面を示しており、１０１ａ１ａは載置部１０１ａの上面１０１ａ１のうち、大電力用半導体素子３が載置される部分と、第１外部導出端子４が載置される部分との間に形成された溝を示している。

更に、図２０において、１０１ｂは第２外部導出端子５を載置するための載置部を示しており、１０１ｃは載置部１０１ａに形成されたフランジ部を示しており、１０１ｄは載置部１０１ｂに形成されたフランジ部を示している。

また、図２０において、１０１ｅ１は載置部１０１ａの前側面から前側に延びているタイバー部を示しており、１０１ｅ２は載置部１０１ａの後側面から後側に延びているタイバー部を示しており、１０１ｅ３，１０１ｅ４は載置部１０１ａの左側面から左側に延びているタイバー部を示している。詳細には、図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）に示すように、タイバー部１０１ｅ１は載置部１０１ａのフランジ部１０１ｃから前側に延びており、タイバー部１０１ｅ２は載置部１０１ａのフランジ部１０１ｃから後側に延びており、タイバー部１０１ｅ３，１０１ｅ４は載置部１０１ａのフランジ部１０１ｃから左側に延びている。

更に、図２０において、１０１ｆ１は載置部１０１ｂの前側面から前側に延びているタイバー部を示しており、１０１ｆ２は載置部１０１ｂの後側面から後側に延びているタイバー部を示しており、１０１ｆ３，１０１ｆ４は載置部１０１ｂの右側面から右側に延びているタイバー部を示している。詳細には、図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）に示すように、タイバー部１０１ｆ１は載置部１０１ｂのフランジ部１０１ｄから前側に延びており、タイバー部１０１ｆ２は載置部１０１ｂのフランジ部１０１ｄから後側に延びており、タイバー部１０１ｆ３，１０１ｆ４は載置部１０１ｂのフランジ部１０１ｄから右側に延びている。

また、図２０において、１０１ｇはタイバー部１０１ｅ１，１０１ｅ２，１０１ｅ３，１０１ｅ４およびタイバー部１０１ｆ１，１０１ｆ２，１０１ｆ３，１０１ｆ４を橋絡するためのフレーム部を示している。

第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２０に示すように、載置部１０１ａの上面１０１ａ１のうち、大電力用半導体素子３が載置される部分と第１外部導出端子４が載置される部分との間に溝１０１ａ１ａが形成されている。そのため、第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１０１ａの上面１０１ａ１と大電力用半導体素子３の下面との間に供給された半田によって、大電力用半導体素子３の下面と上面とが電気的に短絡してしまうおそれを低減することができる。更に、第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、大電力用半導体素子３が載置される部分と第１外部導出端子４が載置される部分との間に溝１０１ａ１ａが形成されない場合よりも、大電力用半導体素子３の下側に供給された半田の輪郭および第１外部導出端子４の下側に供給された半田の輪郭を整えることができる。また、第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、第１外部導出端子４の側から大電力用半導体素子３の側にかかる横方向の応力を溝１０１ａ１ａの側面によって遮断することができる。

更に、第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２０に示すように、載置部１０１ａ，１０１ｂの下面と、タイバー部１０１ｅ１，１０１ｅ２，１０１ｅ３，１０１ｅ４，１０１ｆ１，１０１ｆ２，１０１ｆ３，１０１ｆ４の根元部分の下面と、フランジ部１０１ｃ，１０１ｄの下面とが同じ高さに配置されている。

そのため、第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部１０１ａ，１０１ｂの下面と、タイバー部１０１ｅ１，１０１ｅ２，１０１ｅ３，１０１ｅ４，１０１ｆ１，１０１ｆ２，１０１ｆ３，１０１ｆ４の根元部分の下面と、フランジ部１０１ｃ，１０１ｄの下面とが異なる高さに配置される場合よりも、リードフレーム１０１のプレス加工を容易にすることができる。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２１は第４工程における第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。詳細には、図２１（Ａ）は第４工程における第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図２１（Ｂ）は第４工程における第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図２１において、２０１はリードフレームを示しており、２０１ａは大電力用半導体素子３および第１外部導出端子４を載置するための載置部を示している。２０１ａ１は載置部２０１ａの上面を示しており、２０１ａ１ａは載置部２０１ａの上面２０１ａ１のうち、大電力用半導体素子３が載置される部分と、第１外部導出端子４が載置される部分との間に形成された溝を示している。

更に、図２１において、２０１ｂは第２外部導出端子５を載置するための載置部を示しており、２０１ｃは載置部２０１ａに形成されたフランジ部を示しており、２０１ｄは載置部２０１ｂに形成されたフランジ部を示している。

また、図２１において、２０１ｅ１は載置部２０１ａの前側面から前側に延びているタイバー部を示しており、２０１ｅ２は載置部２０１ａの後側面から後側に延びているタイバー部を示しており、２０１ｅ３，２０１ｅ４は載置部２０１ａの左側面から左側に延びているタイバー部を示している。詳細には、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示すように、タイバー部２０１ｅ１は載置部２０１ａのフランジ部２０１ｃから前側に延びており、タイバー部２０１ｅ２は載置部２０１ａのフランジ部２０１ｃから後側に延びており、タイバー部２０１ｅ３，２０１ｅ４は載置部２０１ａのフランジ部２０１ｃから左側に延びている。

更に、図２１において、２０１ｆ１は載置部２０１ｂの前側面から前側に延びているタイバー部を示しており、２０１ｆ２は載置部２０１ｂの後側面から後側に延びているタイバー部を示しており、２０１ｆ３，２０１ｆ４は載置部２０１ｂの右側面から右側に延びているタイバー部を示している。詳細には、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示すように、タイバー部２０１ｆ１は載置部２０１ｂのフランジ部２０１ｄから前側に延びており、タイバー部２０１ｆ２は載置部２０１ｂのフランジ部２０１ｄから後側に延びており、タイバー部２０１ｆ３，２０１ｆ４は載置部２０１ｂのフランジ部２０１ｄから右側に延びている。

また、図２１において、２０１ｇはタイバー部２０１ｅ１，２０１ｅ２，２０１ｅ３，２０１ｅ４およびタイバー部２０１ｆ１，２０１ｆ２，２０１ｆ３，２０１ｆ４を橋絡するためのフレーム部を示している。

第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２１に示すように、載置部２０１ａの上面２０１ａ１のうち、大電力用半導体素子３が載置される部分と第１外部導出端子４が載置される部分との間に溝２０１ａ１ａが形成されている。そのため、第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部２０１ａの上面２０１ａ１と大電力用半導体素子３の下面との間に供給された半田によって、大電力用半導体素子３の下面と上面とが電気的に短絡してしまうおそれを低減することができる。更に、第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、大電力用半導体素子３が載置される部分と第１外部導出端子４が載置される部分との間に溝２０１ａ１ａが形成されない場合よりも、大電力用半導体素子３の下側に供給された半田の輪郭および第１外部導出端子４の下側に供給された半田の輪郭を整えることができる。また、第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、第１外部導出端子４の側から大電力用半導体素子３の側にかかる横方向の応力を溝２０１ａ１ａの側面によって遮断することができる。

更に、第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２１に示すように、載置部２０１ａ，２０１ｂの下面と、タイバー部２０１ｅ１，２０１ｅ２，２０１ｅ３，２０１ｅ４，２０１ｆ１，２０１ｆ２，２０１ｆ３，２０１ｆ４の下面と、フランジ部２０１ｃ，２０１ｄの下面とが同じ高さに配置されている。

そのため、第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、載置部２０１ａ，２０１ｂの下面と、タイバー部２０１ｅ１，２０１ｅ２，２０１ｅ３，２０１ｅ４，２０１ｆ１，２０１ｆ２，２０１ｆ３，２０１ｆ４の下面と、フランジ部２０１ｃ，２０１ｄの下面とが異なる高さに配置される場合よりも、リードフレーム２０１のプレス加工を容易にすることができる。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２２は第４工程における第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。詳細には、図２２（Ａ）は第４工程における第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図２２（Ｂ）は第４工程における第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図２２において、３０２はＰＰＳ樹脂成形体を示しており、３０２ａはＰＰＳ樹脂成形体３０２の上面を示しており、３０２ｂはＰＰＳ樹脂成形体３０２の前側面を示しており、３０２ｃはＰＰＳ樹脂成形体３０２の後側面を示している。３０２ｄはＰＰＳ樹脂成形体３０２の左側面を示しており、３０２ｅはＰＰＳ樹脂成形体３０２の右側面を示しており、３０２ｆはＰＰＳ樹脂成形体３０２の下面を示しており、３０２ｇはねじ穴を示している。３１４はＰＰＳ樹脂（３０２）によってリードフレーム１の載置部１ａ，１ｂの下側にインサート成形されたヒートスプレッダを示している。

図２３は図２２に示したヒートスプレッダ３１４の斜視図である。図２３において、３１４ａはヒートスプレッダ３１４の上面（載置部１ａ，１ｂの側の面）に形成された溝を示しており、３１４ｂはヒートスプレッダ３１４の下面に形成された溝を示している。

第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２２に示すように、ＰＰＳ樹脂（３０２）によって載置部１ａ，１ｂの下側にヒートスプレッダ３１４がインサート成形される。そのため、第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ヒートスプレッダ３１４を半田接合する工程を設けるのに伴って組立コストを増加させることなく、大電力用半導体素子３が発生した熱の放熱効率を向上させることができる。

更に、第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２２および図２３に示すように、ヒートスプレッダ３１４の上面に溝３１４ａが形成されている。そのため、第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ヒートスプレッダ３１４の上面が平面によって構成されている場合よりも、ヒートスプレッダ３１４とＰＰＳ樹脂（３０２）との接着力を増加させることができ、成形中のＰＰＳ樹脂（３０２）の流動性を向上させることができる。

また、第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２２および図２３に示すように、ヒートスプレッダ３１４の下面に溝３１４ｂが形成されている。そのため、第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、ヒートスプレッダ３１４の下面が平面によって構成されている場合よりも、ヒートスプレッダ３１４の反りを低減することができ、それにより、ヒートスプレッダ３１４と放熱フィン（図示せず）との密着性を向上させることができる。更に、ヒートスプレッダ３１４の下面が平面によって構成されている場合よりも、ヒートスプレッダ３１４の表面積を増加させることができ、それにより、大電力用半導体素子３が発生した熱の放熱効率を向上させることができる。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第５の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２４は第４工程における第５の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。詳細には、図２４（Ａ）は第４工程における第５の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図２４（Ｂ）は第４工程における第５の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。図２５は図２４に示したリードフレーム４０１の斜視図である。

図２４および図２５において、４０１ａは大電力用半導体素子３および第１外部導出端子４を載置するための載置部を示している。４０１ａ１は載置部４０１ａの上面を示しており、４０１ａ２は載置部４０１ａの前側面を示しており、４０１ａ３は載置部４０１ａの後側面を示しており、４０１ａ４は載置部４０１ａの左側面を示しており、４０１ａ６は載置部４０１ａの下面を示している。

また、図２４および図２５において、４０１ｂは第２外部導出端子５を載置するための載置部を示している。４０１ｂ１は載置部４０１ｂの上面を示しており、４０１ｂ２は載置部４０１ｂの前側面を示しており、４０１ｂ３は載置部４０１ｂの後側面を示しており、４０１ｂ５は載置部４０１ｂの右側面を示しており、４０１ｂ６は載置部４０１ｂの下面を示している。

更に、図２４および図２５において、４０１ｅ１は載置部４０１ａの前側面４０１ａ２から前側に延びているタイバー部を示しており、４０１ｅ２は載置部４０１ａの後側面４０１ａ３から後側に延びているタイバー部を示しており、４０１ｅ３，４０１ｅ４は載置部４０１ａの左側面４０１ａ４から左側に延びているタイバー部を示している。

また、図２４および図２５において、４０１ｆ１は載置部４０１ｂの前側面４０１ｂ２から前側に延びているタイバー部を示しており、４０１ｆ２は載置部４０１ｂの後側面４０１ｂ３から後側に延びているタイバー部を示しており、４０１ｆ３，４０１ｆ４は載置部４０１ｂの右側面４０１ｂ５から右側に延びているタイバー部を示している。

また、図２４および図２５において、４０１ｇはタイバー部４０１ｅ１，４０１ｅ２，４０１ｅ３，４０１ｅ４およびタイバー部４０１ｆ１，４０１ｆ２，４０１ｆ３，４０１ｆ４を橋絡するためのフレーム部を示している。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第６の実施形態について説明する。第６の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第６の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２６は第７工程における第６の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。図２６において、５０４は第１外部導出端子を示しており、５０４ａは第１外部導出端子５０４に形成された凸部を示しており、５０４ｂは第１外部導出端子５０４に形成された屈曲部を示している。５０５は第２外部導出端子を示しており、５０５ａは第２外部導出端子５０５に形成された凸部を示しており、５０５ｂは第２外部導出端子５０５に形成された屈曲部を示している。５１０は蓋を示している。

第６の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２６に示すように、第１外部導出端子５０４に形成された凸部５０４ａおよび第２外部導出端子５０５に形成された凸部５０５ａがエポキシ樹脂層（９）内に配置されている。そのため、第１外部導出端子５０４および第２外部導出端子５０５に凸部５０４ａ，５０５ａが形成されていない場合よりも、第１外部導出端子５０４とエポキシ樹脂層（９）との密着性および第２外部導出端子５０５とエポキシ樹脂層（９）との密着性を向上させることができる。それにより、絶縁型大電力用半導体装置の外側の水分が、第１外部導出端子５０４とエポキシ樹脂層（９）との隙間あるいは第２外部導出端子５０５とエポキシ樹脂層（９）との隙間を介して絶縁型大電力用半導体装置の内部に浸入してしまうおそれを低減することができる。

更に、第６の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図２６に示すように、蓋５１０が凸部５０４ａ，５０５ａの上面に突き当てられて位置決めされる。つまり、寸法公差の比較的小さい金属製部品である第１外部導出端子５０４および第２外部導出端子５０５の一部である凸部５０４ａ，５０５ａに、蓋５１０が突き当てられて位置決めされる。そのため、蓋５１０が外囲ケース７に突き当てられて位置決めされる場合よりも、蓋５１０の上面の高さのばらつきを低減することができる。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第７の実施形態について説明する。第７の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第７の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２７は第４工程における第７の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。詳細には、図２７（Ａ）は第４工程における第７の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図２７（Ｂ）は第４工程における第７の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図２７において、６０３は大電力用半導体素子を示している。第７の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子６０３として例えばサイリスタが用いられる。また、図２７において、Ｇはゲート信号線を示している。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第８の実施形態について説明する。第８の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第８の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２８は第４工程における第８の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。詳細には、図２８（Ａ）は第４工程における第８の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図２８（Ｂ）は第４工程における第８の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

図２８において、７０３は大電力用半導体素子を示している。第８の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、大電力用半導体素子７０３として例えばＩＧＢＴが用いられる。また、図２８において、Ｇはゲート信号線を示している。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第９の実施形態について説明する。第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２９は第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。詳細には、図２９（Ａ）は第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の平面図、図２９（Ｂ）は第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の正面図である。図３０は第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の等価回路図である。図２９および図３０において、８５０はＶ＋ブスバーを示しており、８５１はＶ−ブスバーを示しており、８５２は放熱フィンを示しており、Ｇはゲート信号線を示しており、Ｅはエミッタ信号線を示している。

図２９および図３０に示すように、第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、２個のモジュールＭ１，Ｍ２によって構成されている。詳細には、モジュールＭ１では、大電力用半導体素子としてＩＧＢＴが用いられており、モジュールＭ２では、大電力用半導体素子としてフライホイールダイオードＦＷＤが用いられている。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第１０の実施形態について説明する。第１０の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第１０の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３１は第１０の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の平面図である。図３２は第１０の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の等価回路図である。図３１および図３２において、９５０はＰ端子を示しており、９５１はＡＣ端子を示しており、９５２はＮ端子を示しており、Ｇはゲート信号線を示しており、Ｅはエミッタ信号線を示している。

図３１および図３２に示すように、第１０の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、４個のモジュールＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ１４によって構成されている。詳細には、モジュールＭ１１では、大電力用半導体素子としてＩＧＢＴが用いられており、モジュールＭ１２では、大電力用半導体素子としてフライホイールダイオードＦＷＤが用いられており、モジュールＭ１３では、大電力用半導体素子としてＩＧＢＴが用いられており、モジュールＭ１４では、大電力用半導体素子としてフライホイールダイオードＦＷＤが用いられている。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第１１の実施形態について説明する。第１１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第１１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３３は第１工程における第１１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の平面図、図３４は第２の工程における第１１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図である。

第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の製造工程では、図１および図２に示すように、１個のリードフレーム１に１個の載置部１ａが設けられ、図３および図４に示すように、１個のリードフレーム１に１個のＰＰＳ樹脂成形体２が形成されるが、第１１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の製造工程では、図３３に示すように、１個のリードフレーム１に例えば４個のような複数の載置部１ａを設け、図３４に示すように、１個のリードフレーム１に例えば４個のような複数のＰＰＳ樹脂成形体２を形成することも可能である。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第１２の実施形態について説明する。第１２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第１２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３５（Ａ）は第４工程における第１２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図、図３５（Ｂ）は第４工程における第１２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。

第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の製造工程では、図５に示すように、１個の載置部１ａ上に１個の大電力用半導体素子３が載置され、図７に示すように、大電力用半導体素子３の上面が接続ベンド６によって接続されるが、第１２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の製造工程では、図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）に示すように、１個の載置部１ａ上に例えば２個のような複数の大電力用半導体素子３−１，３−２を載置し、大電力用半導体素子３−１の上面をアルミワイヤ６−１によって接続すると共に、大電力用半導体素子３−２の上面を接続ベンド６−２によって接続することも可能である。

以下、本発明の絶縁型大電力用半導体装置の第１３の実施形態について説明する。第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置と同様に構成されている。従って、第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３６は第４工程における第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図である。

第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の製造工程では、図３に示すように、１個のＰＰＳ樹脂成形体２によって１個の載置部１ａおよび１個の載置部１ｂがインサート成形され、次いで、図５に示すように、それらに対して１個の大電力用半導体素子３が載置され、次いで、図７に示すように、それらに対して１個の第１外部導出端子４および１個の第２外部導出端子５が接続され、１個のモジュールが構成されるが、第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の製造工程では、図３６に示すように、１個のＰＰＳ樹脂成形体２によって、例えば２個のような複数の載置部１ａ−１，１ａ−２、および、例えば２個のような複数の載置部１ｂ−１，１ｂ−２をインサート成形し、次いで、それらに対して例えば４個のような複数の大電力用半導体素子３−１，３−２，３−３，３−４を載置し、次いで、それらに対して１個の第１外部導出端子４および例えば２個のような複数の第２外部導出端子５−１，５−２を接続し、１個のモジュールＭを構成することも可能である。

図３７は第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の等価回路図である。図３７に示すように、第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図３６に示したモジュールＭを３個用いることによって３相インバータ回路が構成されている。

第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、図３６および図３７に示すように、例えばＩＧＢＴのような大電力用半導体素子３−１，３−３および例えばダイオードのような大電力用半導体素子３−２，３−４が１個のモジュールＭ内で直列接続されているが、第１４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置では、代わりに、例えばＳＣＲ、ダイオードなどのような複数の任意の大電力用半導体素子を１個のモジュール内で直列接続あるいは並列接続することも可能である。

第１工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第１工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 第２工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第２工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 第３工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第３工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 第４工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第４工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図および正面図である。 第５工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第５工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 第６工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第６工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 図１１および図１２に示した外囲ケース７の部品図である。 第７工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第７工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 図１４および図１５に示した蓋１０の部品図である。 第８工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の斜視図である。 第８工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 第９工程における第１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の平面図である。 第４工程における第２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。 第４工程における第３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。 第４工程における第４の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。 図２２に示したヒートスプレッダ３１４の斜視図である。 第４工程における第５の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。 図２４に示したリードフレーム４０１の斜視図である。 第７工程における第６の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した正面図である。 第４工程における第７の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。 第４工程における第８の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。 第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を示した図である。 第９の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の等価回路図である。 第１０の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の平面図である。 第１０の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の等価回路図である。 第１工程における第１１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の平面図である。 第２の工程における第１１の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図である。 第４工程における第１２の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図および正面図である。 第４工程における第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置を部分的に断面で示した平面図である。 第１３の実施形態の絶縁型大電力用半導体装置の等価回路図である。

符号の説明

１ リードフレーム
１ａ 載置部
１ａ１ 上面
１ａ２ 前側面
１ａ３ 後側面
１ａ４ 左側面
１ａ５ 右側面
１ａ６ 下面
１ｃ フランジ部
１ｅ１ タイバー部
１ｅ２ タイバー部
１ｅ３ タイバー部
１ｅ４ タイバー部
１ｇ フレーム部
２ ＰＰＳ樹脂成形体
２ａ 上面
２ｂ 前側面
２ｃ 後側面
２ｄ 左側面
２ｅ 右側面
２ｆ 下面
２ｇ ねじ穴
３ 大電力用半導体素子

Claims (11)

1. 大電力用半導体素子を載置するための載置部を有するリードフレームをＰＰＳ樹脂によってインサート成形した絶縁型大電力用半導体装置において、前記載置部の前側面からＰＰＳ樹脂成形体の前側面の側に延びている第１タイバー部と、前記載置部の後側面から前記ＰＰＳ樹脂成形体の後側面の側に延びている第２タイバー部と、前記載置部の左側面または右側面から前記ＰＰＳ樹脂成形体の左側面または右側面の側に延びている第３タイバー部とを前記リードフレームに設け、前記載置部の上面を前記ＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも上側に配置し、前記載置部の厚さを前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の厚さよりも厚くしたことを特徴とする絶縁型大電力用半導体装置。
2. 前記リードフレームをＰＰＳ樹脂によってインサート成形した後に、前記載置部上に前記大電力用半導体素子を載置することを特徴とする請求項１に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
3. 前記載置部の下面よりも下側に約０．０５〜１．０ｍｍの厚さのＰＰＳ樹脂層を配置したことを特徴とする請求項２に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
4. 前記大電力用半導体素子をゲル状充填材によって封止することを特徴とする請求項３に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
5. 前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の上面を前記ＰＰＳ樹脂成形体の上面よりも下側に配置すると共に、前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の下面を前記ＰＰＳ樹脂成形体の下面よりも上側に配置したことを特徴とする請求項４に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
6. 前記載置部の前側面、後側面、左側面および右側面にフランジ部を形成し、前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部を前記フランジ部から延ばしたことを特徴とする請求項５に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
7. 前記載置部の上面のうち、前記大電力用半導体素子が載置される部分と外部導出端子が載置される部分との間に溝を形成したことを特徴とする請求項６に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
8. 前記載置部の下面と、前記第１タイバー部、前記第２タイバー部、および、前記第３タイバー部の根元部分の下面と、前記フランジ部の下面とを同じ高さに配置したことを特徴とする請求項７に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
9. ＰＰＳ樹脂によって前記載置部の下側にヒートスプレッダをインサート成形したことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
10. 前記ヒートスプレッダの上面に溝を形成したことを特徴とする請求項９に記載の絶縁型大電力用半導体装置。
11. 前記ヒートスプレッダの下面に溝を形成したことを特徴とする請求項１０に記載の絶縁型大電力用半導体装置。

Images