JPH09260410A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JPH09260410A JPH09260410A JP8093594A JP9359496A JPH09260410A JP H09260410 A JPH09260410 A JP H09260410A JP 8093594 A JP8093594 A JP 8093594A JP 9359496 A JP9359496 A JP 9359496A JP H09260410 A JPH09260410 A JP H09260410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- island
- semiconductor device
- holding mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14065—Positioning or centering articles in the mould
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止樹脂注入の際のアイランドのシフトを防
ぐとともに、得られる樹脂成形品の放散特性も改善す
る。 【解決手段】 下型チェイス２１ａと上型チェイス２１
ｂには、それぞれ２ヵ所ずつの位置にアイランド４ａの
素子搭載側とその反対側からアイランド４ａを挾んで保
持する棒状のリードフレーム保持機構１０が摺動可能に
設けられている。リードフレーム保持機構１０はエジェ
クターピン９とは独立して作動するように駆動される。
封止樹脂をキャビティ内に注入し、封止樹脂が硬化した
後、リードフレーム保持機構１０を引き抜き、その後上
型チェイス２１ｂを下型チェイス２１ａから引き離し、
エジェクタピン９によって樹脂成形品８を離型する。
ぐとともに、得られる樹脂成形品の放散特性も改善す
る。 【解決手段】 下型チェイス２１ａと上型チェイス２１
ｂには、それぞれ２ヵ所ずつの位置にアイランド４ａの
素子搭載側とその反対側からアイランド４ａを挾んで保
持する棒状のリードフレーム保持機構１０が摺動可能に
設けられている。リードフレーム保持機構１０はエジェ
クターピン９とは独立して作動するように駆動される。
封止樹脂をキャビティ内に注入し、封止樹脂が硬化した
後、リードフレーム保持機構１０を引き抜き、その後上
型チェイス２１ｂを下型チェイス２１ａから引き離し、
エジェクタピン９によって樹脂成形品８を離型する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置の製造方法、特にリードフレームのうち複数の吊りピ
ンによって保持されたアイランドに半導体装置チップを
搭載し、その半導体装置チップの電極とリードフレーム
のリードとの間を金属線によって電気的に接続した後、
そのリードフレームを上下の金型間に挟持してその金型
により形成されるキャビティ内に配置し、そのキャビテ
ィ内に溶融した樹脂を注入して樹脂封止する方法と、そ
こで用いる装置に関するものである。
置の製造方法、特にリードフレームのうち複数の吊りピ
ンによって保持されたアイランドに半導体装置チップを
搭載し、その半導体装置チップの電極とリードフレーム
のリードとの間を金属線によって電気的に接続した後、
そのリードフレームを上下の金型間に挟持してその金型
により形成されるキャビティ内に配置し、そのキャビテ
ィ内に溶融した樹脂を注入して樹脂封止する方法と、そ
こで用いる装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的な樹脂封止型半導体装置の製造装
置、いわゆるモールド装置は、樹脂封止される半導体装
置チップを搭載したリードフレームを上下金型間に挟持
して保持するが、金型内の樹脂を注入する空間、すなわ
ちキャビティ内ではリードフレームは保持されていな
い。リードフレームはキャビティの周辺部でリードフレ
ームのタイバー部が保持されているのみである。
置、いわゆるモールド装置は、樹脂封止される半導体装
置チップを搭載したリードフレームを上下金型間に挟持
して保持するが、金型内の樹脂を注入する空間、すなわ
ちキャビティ内ではリードフレームは保持されていな
い。リードフレームはキャビティの周辺部でリードフレ
ームのタイバー部が保持されているのみである。
【０００３】図１は従来の一般的なマルチプランジャー
方式のモールド装置を概略的に表わしたものである。
（Ａ）は半導体装置チップ５を搭載したリードフレーム
４を搬送してモールド金型の下型チェイス１ａ上に載置
した状態である。その後、上型チェイス１ｂを下型チェ
イス１ａと合わせてクランプすると、（Ｂ）に示される
状態となる。注入される封止樹脂はタブレット状にされ
てポット３に供給され、加熱され、プランジャー６にて
加圧されることによってゲート７からキャビティ２内に
注入される。キャビティ２内に封止樹脂が充填され、硬
化が完了すると、上下の金型チェイス１ａ，１ｂが開か
れ、樹脂成型品が金型から取り出される。
方式のモールド装置を概略的に表わしたものである。
（Ａ）は半導体装置チップ５を搭載したリードフレーム
４を搬送してモールド金型の下型チェイス１ａ上に載置
した状態である。その後、上型チェイス１ｂを下型チェ
イス１ａと合わせてクランプすると、（Ｂ）に示される
状態となる。注入される封止樹脂はタブレット状にされ
てポット３に供給され、加熱され、プランジャー６にて
加圧されることによってゲート７からキャビティ２内に
注入される。キャビティ２内に封止樹脂が充填され、硬
化が完了すると、上下の金型チェイス１ａ，１ｂが開か
れ、樹脂成型品が金型から取り出される。
【０００４】半導体装置チップを搭載するアイランドを
備えたリードフレームでは、アイランドは複数箇所の吊
りピンによってリードフレームに保持されている。例え
ば４方向フラットパッケージ（ＱＦＰ）では四角形のア
イランドの４角で吊りピンによりリードフレームで保持
されている。キャビティに封止樹脂が注入される際、封
止樹脂の流れによってリードフレームのアイランドがシ
フト（上下動）する現象が見られる。
備えたリードフレームでは、アイランドは複数箇所の吊
りピンによってリードフレームに保持されている。例え
ば４方向フラットパッケージ（ＱＦＰ）では四角形のア
イランドの４角で吊りピンによりリードフレームで保持
されている。キャビティに封止樹脂が注入される際、封
止樹脂の流れによってリードフレームのアイランドがシ
フト（上下動）する現象が見られる。
【０００５】図２（Ａ）は正常に樹脂封止された状態を
表わしたものであり、ＱＦＰのアイランド４ａに搭載さ
れた半導体装置チップ５が正しく所定の位置に固定され
ており、配線接続のワイヤ１１が封止樹脂１２内に収ま
っている。しかし、封止樹脂を注入する際にアイランド
４ａがシフトすると、図２（Ｂ）に示されるように、ア
イランド４ａが傾いた状態で封止される。その結果、ワ
イヤ１１が樹脂成形品の表面からが露出したり、アイラ
ンド４ａが樹脂成形品の裏面側へ露出するなど、品質上
の問題が発生する。特に、ＬＱＦＰ（Low Profile Quad
Flat Package）やＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Packag
e）に代表される薄型のパッケージではこのような不具
合が顕著に発生する。
表わしたものであり、ＱＦＰのアイランド４ａに搭載さ
れた半導体装置チップ５が正しく所定の位置に固定され
ており、配線接続のワイヤ１１が封止樹脂１２内に収ま
っている。しかし、封止樹脂を注入する際にアイランド
４ａがシフトすると、図２（Ｂ）に示されるように、ア
イランド４ａが傾いた状態で封止される。その結果、ワ
イヤ１１が樹脂成形品の表面からが露出したり、アイラ
ンド４ａが樹脂成形品の裏面側へ露出するなど、品質上
の問題が発生する。特に、ＬＱＦＰ（Low Profile Quad
Flat Package）やＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Packag
e）に代表される薄型のパッケージではこのような不具
合が顕著に発生する。
【０００６】また、リードフレームのアイランド４ａの
シフトと樹脂成形品の反りの間には相関関係があり、ア
イランド４ａのシフトによって反りが増大する。反りが
大きいと、次の工程であるアウターリード成形工程にお
いて、リード平坦度が損なわれるなど、リードの外観品
質にも影響を及ぼす。
シフトと樹脂成形品の反りの間には相関関係があり、ア
イランド４ａのシフトによって反りが増大する。反りが
大きいと、次の工程であるアウターリード成形工程にお
いて、リード平坦度が損なわれるなど、リードの外観品
質にも影響を及ぼす。
【０００７】パワーＩＣのような片持ちのリードフレー
ム（吊りピンのないリードフレーム）の樹脂封止に関し
ては、リードフレームの素子搭載側の面とその反対面
を、所定のバネ力が作用する一対の段付きピンによって
挟持しておき、封止樹脂を金型内に注入する際に、樹脂
の成形圧が段付きピンの段差部に作用して段付きピンを
リードフレームから離れさせるようにした方法が提案さ
れている（特開平４−１０２３３８号公報参照）。その
方法により成型すると、封止樹脂注入の際、段付きピン
がリードフレームから離れてリードフレームと段付きピ
ンの間に所定の隙間ができ、その隙間にも樹脂が流れ込
むことによってアイランドが露出することがない。吊り
ピンを有するリードフレームにおいても、樹脂注入によ
ってリードフレームのアイランドがシフトすることは上
に述べたとおりである。
ム（吊りピンのないリードフレーム）の樹脂封止に関し
ては、リードフレームの素子搭載側の面とその反対面
を、所定のバネ力が作用する一対の段付きピンによって
挟持しておき、封止樹脂を金型内に注入する際に、樹脂
の成形圧が段付きピンの段差部に作用して段付きピンを
リードフレームから離れさせるようにした方法が提案さ
れている（特開平４−１０２３３８号公報参照）。その
方法により成型すると、封止樹脂注入の際、段付きピン
がリードフレームから離れてリードフレームと段付きピ
ンの間に所定の隙間ができ、その隙間にも樹脂が流れ込
むことによってアイランドが露出することがない。吊り
ピンを有するリードフレームにおいても、樹脂注入によ
ってリードフレームのアイランドがシフトすることは上
に述べたとおりである。
【０００８】一方、樹脂封止された成形品においては、
アイランドからの熱の放散が問題となる。そこで、半導
体装置チップが搭載されている面とは反対側の面に、樹
脂が設けられていない開口部を形成することによって、
樹脂成形品の放熱効果を高めることが提案されているほ
どである（特開昭５５−７７１６０号公報、実開昭６２
−１３１４４９号公報参照）。
アイランドからの熱の放散が問題となる。そこで、半導
体装置チップが搭載されている面とは反対側の面に、樹
脂が設けられていない開口部を形成することによって、
樹脂成形品の放熱効果を高めることが提案されているほ
どである（特開昭５５−７７１６０号公報、実開昭６２
−１３１４４９号公報参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】特開平４−１０２３３
８号公報に記載の方法により得られる樹脂成型品は、ア
イランドが露出しないため、アイランドからの熱の放散
が十分に行なわれにくい。本発明は吊りピンのあるリー
ドフレームを用いた樹脂封止方法において、封止樹脂注
入の際のアイランドのシフトを防ぐとともに、アイラン
ドからの熱の放散特性にも優れた樹脂成形品を得ること
のできる方法と、それに用いるモールド装置を提供する
ことを目的とするものである。
８号公報に記載の方法により得られる樹脂成型品は、ア
イランドが露出しないため、アイランドからの熱の放散
が十分に行なわれにくい。本発明は吊りピンのあるリー
ドフレームを用いた樹脂封止方法において、封止樹脂注
入の際のアイランドのシフトを防ぐとともに、アイラン
ドからの熱の放散特性にも優れた樹脂成形品を得ること
のできる方法と、それに用いるモールド装置を提供する
ことを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、リ
ードフレームのうち複数の吊りピンによって保持された
アイランドに半導体装置チップを搭載し、その半導体装
置チップの電極とリードフレームのリードとの間を金属
線によって電気的に接続した後、そのリードフレームを
上下の金型間に挟持してその金型により形成されるキャ
ビティ内に配置し、そのキャビティ内に溶融した樹脂を
注入して樹脂封止する方法において、樹脂をキャビティ
内に注入する際、樹脂がキャビティに入るゲート側とそ
の反対側の少なくとも２ヵ所の位置において、リードフ
レームの素子搭載側の面とその反対側の面を棒状のリー
ドフレーム保持機構で挟持しておき、樹脂硬化後にその
リードフレーム保持機構を引き抜くようにしたものであ
る。リードフレーム保持機構により挟持されるリードフ
レームの位置は、アイランド自体又はアイランドの吊り
ピンである。
ードフレームのうち複数の吊りピンによって保持された
アイランドに半導体装置チップを搭載し、その半導体装
置チップの電極とリードフレームのリードとの間を金属
線によって電気的に接続した後、そのリードフレームを
上下の金型間に挟持してその金型により形成されるキャ
ビティ内に配置し、そのキャビティ内に溶融した樹脂を
注入して樹脂封止する方法において、樹脂をキャビティ
内に注入する際、樹脂がキャビティに入るゲート側とそ
の反対側の少なくとも２ヵ所の位置において、リードフ
レームの素子搭載側の面とその反対側の面を棒状のリー
ドフレーム保持機構で挟持しておき、樹脂硬化後にその
リードフレーム保持機構を引き抜くようにしたものであ
る。リードフレーム保持機構により挟持されるリードフ
レームの位置は、アイランド自体又はアイランドの吊り
ピンである。
【００１１】本発明の製造装置は、その上下金型に、樹
脂がキャビティに入るゲート側とその反対側の少なくと
も２ヵ所の位置において、リードフレームを素子搭載側
の面とその反対側の面とから挟持することができ、上下
金型に摺動可能に設けられた棒状のリードフレーム保持
機構を備えている。
脂がキャビティに入るゲート側とその反対側の少なくと
も２ヵ所の位置において、リードフレームを素子搭載側
の面とその反対側の面とから挟持することができ、上下
金型に摺動可能に設けられた棒状のリードフレーム保持
機構を備えている。
【００１２】
【実施例】図３は、一実施例において下型チェイス２１
ａと上型チェイス２１ｂを重ねてクランプし、封止樹脂
が注入された状態を表わしたものである。下型チェイス
２１ａには封止樹脂硬化後に樹脂成形品を離型するため
のエジェクターピン９が通常４ヵ所の位置に摺動可能に
設けられており、上型チェイス２１ｂでも同様にエジェ
クターピン９が通常４ヵ所の位置に摺動可能に設けられ
ている。リードフレームは半導体装置チップ５を搭載す
るアイランド４ａと、半導体装置チップ５の電極パッド
との間を金ワイヤにより接続するリード４ｂとを備え、
アイランド４ａはリード４ｂとともに打ち抜きやエッチ
ングにより一体として形成されてリードフレームを構成
している。アイランド４ａは四角形で、その四角で吊り
ピンによりリードフレームに保持されている。
ａと上型チェイス２１ｂを重ねてクランプし、封止樹脂
が注入された状態を表わしたものである。下型チェイス
２１ａには封止樹脂硬化後に樹脂成形品を離型するため
のエジェクターピン９が通常４ヵ所の位置に摺動可能に
設けられており、上型チェイス２１ｂでも同様にエジェ
クターピン９が通常４ヵ所の位置に摺動可能に設けられ
ている。リードフレームは半導体装置チップ５を搭載す
るアイランド４ａと、半導体装置チップ５の電極パッド
との間を金ワイヤにより接続するリード４ｂとを備え、
アイランド４ａはリード４ｂとともに打ち抜きやエッチ
ングにより一体として形成されてリードフレームを構成
している。アイランド４ａは四角形で、その四角で吊り
ピンによりリードフレームに保持されている。
【００１３】リードフレームの一例は図４に示されるも
のである。図４は１個の樹脂成形品の部分を切り出した
状態を示しているが、リードフレームとしてはこのよう
なものが縦方向に複数個連続しており、各リード４ｂ及
びアイランド４ａの吊りピン４ｃがタイバー部により連
結されて一体化されている。鎖線で示される領域が樹脂
封止される領域である。
のである。図４は１個の樹脂成形品の部分を切り出した
状態を示しているが、リードフレームとしてはこのよう
なものが縦方向に複数個連続しており、各リード４ｂ及
びアイランド４ａの吊りピン４ｃがタイバー部により連
結されて一体化されている。鎖線で示される領域が樹脂
封止される領域である。
【００１４】図３に戻って説明すると、下型チェイス２
１ａと上型チェイス２１ｂには、それぞれ２ヵ所ずつの
位置にアイランド４ａの素子搭載側とその反対側からア
イランド４ａを挾んで保持する棒状のリードフレーム保
持機構１０が摺動可能に設けられている。リードフレー
ム保持機構１０はエジェクターピン９とは独立して作動
するように駆動される。
１ａと上型チェイス２１ｂには、それぞれ２ヵ所ずつの
位置にアイランド４ａの素子搭載側とその反対側からア
イランド４ａを挾んで保持する棒状のリードフレーム保
持機構１０が摺動可能に設けられている。リードフレー
ム保持機構１０はエジェクターピン９とは独立して作動
するように駆動される。
【００１５】図３の実施例の動作について説明する。半
導体装置チップ５が搭載され、半導体装置チップ５の電
極パッドとリード４ｂの間がワイヤにより電気的に接続
されたリードフレームを搬送して下型チェイス２１ａ上
に置き、上型チェイス２１ｂを下型チェイス２１ａ上に
重ねてクランプする。エジェクターピン９とリードフレ
ーム保持機構１０を図３に示される状態にして、アイラ
ンド４ａをリードフレーム保持機構１０により挾んで固
定しておく。
導体装置チップ５が搭載され、半導体装置チップ５の電
極パッドとリード４ｂの間がワイヤにより電気的に接続
されたリードフレームを搬送して下型チェイス２１ａ上
に置き、上型チェイス２１ｂを下型チェイス２１ａ上に
重ねてクランプする。エジェクターピン９とリードフレ
ーム保持機構１０を図３に示される状態にして、アイラ
ンド４ａをリードフレーム保持機構１０により挾んで固
定しておく。
【００１６】その後、タブレット状の封止樹脂をポット
に供給し、加熱し、プランジャ６により加圧して封止樹
脂をキャビティ内に注入する。キャビティ内に注入され
た封止樹脂が硬化した後、リードフレーム保持機構１０
を引き抜き、その後上型チェイス２１ｂを下型チェイス
２１ａから引き離し、エジェクタピン９によって樹脂成
形品８を離型する。
に供給し、加熱し、プランジャ６により加圧して封止樹
脂をキャビティ内に注入する。キャビティ内に注入され
た封止樹脂が硬化した後、リードフレーム保持機構１０
を引き抜き、その後上型チェイス２１ｂを下型チェイス
２１ａから引き離し、エジェクタピン９によって樹脂成
形品８を離型する。
【００１７】リードフレーム保持機構１０がアイランド
４ａを挾んで保持する位置は、図４で封止樹脂が矢印方
向に注入されるものとすると、ａ，ａ’で示される位置
又はｂ，ｂ’で示される位置が適当である。また、リー
ドフレーム保持機構１０によりリードフレームを保持す
る位置はアイランド４ａに限らず、図４にｃ，ｃ’とし
て示される吊りピン４ｃの位置であってもよい。
４ａを挾んで保持する位置は、図４で封止樹脂が矢印方
向に注入されるものとすると、ａ，ａ’で示される位置
又はｂ，ｂ’で示される位置が適当である。また、リー
ドフレーム保持機構１０によりリードフレームを保持す
る位置はアイランド４ａに限らず、図４にｃ，ｃ’とし
て示される吊りピン４ｃの位置であってもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明では棒状のリードフレーム保持機
構を設けることによってアイランドを固定することがで
き、封止樹脂注入時に封止樹脂の流れによるアイランド
のシフトを抑制することができる。これにより、リード
フレームと半導体装置チップとを電気的に結線している
ワイヤーが樹脂成形品から露出するのを防止したり、ア
イランドがシフトすることによる樹脂成形品の反りを防
止することができる。リードフレーム保持機構を設ける
ことにより、樹脂成形品にアイランド又は吊りピン部が
外部に露出した穴が形成される。この穴により封止樹脂
とリードフレームとの線膨張係数の差による応力を発散
させ、応力による樹脂成形品のクラック（パッケージク
ラック）を防止することができる。また、この穴により
見かけ上、樹脂成形品の表面積が大きくなり、放熱性も
向上する。リードフレーム保持機構により保持するリー
ドフレームの位置はアイランド又は吊りピンの位置のど
の位置でもよいが、封止樹脂の流れの方向はゲートから
ゲートの反対側に向かう方向であるため、リードフレー
ム保持機構は金型のゲート側とその反対側の少なくとも
２ヵ所に設けることによりアイランドのシフトをより有
効に抑えることができる。リードフレーム保持機構によ
りリードフレームを保持する位置をアイランドの吊りピ
ンの位置にすることにより、リードフレームのアイラン
ドサイズに対する半導体装置チップの大きさの制約がな
くなる利点がある。また、一般に、リードフレームのア
イランド吊りピンは樹脂成形品の中央からコーナに放射
状に形成されているため、樹脂成形品の外径サイズが同
じで、リードフレームのアイランドサイズが異なる場合
でも、同一金型のモールド装置で対応することができる
ようになる。
構を設けることによってアイランドを固定することがで
き、封止樹脂注入時に封止樹脂の流れによるアイランド
のシフトを抑制することができる。これにより、リード
フレームと半導体装置チップとを電気的に結線している
ワイヤーが樹脂成形品から露出するのを防止したり、ア
イランドがシフトすることによる樹脂成形品の反りを防
止することができる。リードフレーム保持機構を設ける
ことにより、樹脂成形品にアイランド又は吊りピン部が
外部に露出した穴が形成される。この穴により封止樹脂
とリードフレームとの線膨張係数の差による応力を発散
させ、応力による樹脂成形品のクラック（パッケージク
ラック）を防止することができる。また、この穴により
見かけ上、樹脂成形品の表面積が大きくなり、放熱性も
向上する。リードフレーム保持機構により保持するリー
ドフレームの位置はアイランド又は吊りピンの位置のど
の位置でもよいが、封止樹脂の流れの方向はゲートから
ゲートの反対側に向かう方向であるため、リードフレー
ム保持機構は金型のゲート側とその反対側の少なくとも
２ヵ所に設けることによりアイランドのシフトをより有
効に抑えることができる。リードフレーム保持機構によ
りリードフレームを保持する位置をアイランドの吊りピ
ンの位置にすることにより、リードフレームのアイラン
ドサイズに対する半導体装置チップの大きさの制約がな
くなる利点がある。また、一般に、リードフレームのア
イランド吊りピンは樹脂成形品の中央からコーナに放射
状に形成されているため、樹脂成形品の外径サイズが同
じで、リードフレームのアイランドサイズが異なる場合
でも、同一金型のモールド装置で対応することができる
ようになる。
【図１】従来の樹脂成形方法を示す断面図であり、
（Ａ）は半導体装置チップを搭載したリードフレームを
下型チェイス上に載置した状態、（Ｂ）はその後、上型
チェイスを下型チェイスと合わせてクランプした状態で
ある。
（Ａ）は半導体装置チップを搭載したリードフレームを
下型チェイス上に載置した状態、（Ｂ）はその後、上型
チェイスを下型チェイスと合わせてクランプした状態で
ある。
【図２】従来の樹脂成形品の問題点を示す断面図であ
り、（Ａ）は正常に封止された状態、（Ｂ）はアイラン
ドがシフトした状態である。
り、（Ａ）は正常に封止された状態、（Ｂ）はアイラン
ドがシフトした状態である。
【図３】一実施例のモールド装置を樹脂注入完了状態で
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】ＱＦＰリードフレームの一例を示す平面図であ
り、一成型品当たりに切断した状態で示している。
り、一成型品当たりに切断した状態で示している。
４ａ アイランド ４ｂ リード ４ｃ 吊りピン ５ 半導体装置チップ ７ ゲート ８ 樹脂成形品 ９ エジェクターピン １０ リードフレーム保持機構 １１ 金ワイヤ ２１ａ 下型チェイス ２１ｂ 上型チェイス
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームのうち複数の吊りピンに
よって保持されたアイランドに半導体装置チップを搭載
し、その半導体装置チップの電極とリードフレームのリ
ードとの間を金属線によって電気的に接続した後、その
リードフレームを上下の金型間に挟持してその金型によ
り形成されるキャビティ内に配置し、そのキャビティ内
に溶融した樹脂を注入して樹脂封止する方法において、 樹脂をキャビティ内に注入する際、樹脂がキャビティに
入るゲート側とその反対側の少なくとも２ヵ所の位置に
おいて、リードフレームの素子搭載側の面とその反対側
の面を棒状のリードフレーム保持機構で挟持しておき、 樹脂硬化後にそのリードフレーム保持機構を引き抜くこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 リードフレーム保持機構により挟持され
るリードフレームの位置は、アイランドである請求項１
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 リードフレーム保持機構により挟持され
るリードフレームの位置は、アイランドの吊りピンであ
る請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 リードフレームのうち複数の吊りピンに
よって保持されたアイランドに半導体装置チップが搭載
され、その半導体装置チップの電極とリードフレームの
リードとの間が金属線によって電気的に接続されている
リードフレームを挟持して、アイランドを含むリードフ
レームの一部及び半導体素子チップの周りに封止用樹脂
が注入されるキャビティを形成する上下金型を備えた樹
脂封止型半導体装置の製造装置において、 前記上下金型には、樹脂がキャビティに入るゲート側と
その反対側の少なくとも２ヵ所の位置において、リード
フレームを素子搭載側の面とその反対側の面とから挟持
することができ、上下金型に摺動可能に設けられた棒状
のリードフレーム保持機構を備えたことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8093594A JPH09260410A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8093594A JPH09260410A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260410A true JPH09260410A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14086641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8093594A Pending JPH09260410A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260410A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821822B1 (en) | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2013089668A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置 |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP8093594A patent/JPH09260410A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821822B1 (en) | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2013089668A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8497158B2 (en) | Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component | |
| US6770163B1 (en) | Mold and method for encapsulation of electronic device | |
| JP5479247B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7214562B2 (en) | Method for encapsulating lead frame packages | |
| US5254501A (en) | Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices | |
| EP1978552A1 (en) | Method of encapsulating electronic part with resin and die assembly and lead frame both for use in the same | |
| KR100591718B1 (ko) | 수지-밀봉형 반도체 장치 | |
| JP3456983B2 (ja) | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP5971531B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09260410A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP6986539B2 (ja) | 樹脂成形済リードフレームの製造方法、樹脂成形品の製造方法、及びリードフレーム | |
| JP4202632B2 (ja) | 一括封止型半導体パッケージの樹脂封止構造およびその製造装置 | |
| JPH0342495B2 (ja) | ||
| JPH07135230A (ja) | 電子装置の樹脂封止方法およびそれに用いるリードフレーム | |
| JP2014017390A (ja) | リードフレーム、プリモールドリードフレーム、半導体装置、プリモールドリードフレームの製造方法、および、半導体装置の製造方法 | |
| JP5467506B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3317346B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2004259761A (ja) | 樹脂封止金型、それを用いた樹脂封止方法および樹脂封止装置 | |
| JPH1044180A (ja) | トランスファ樹脂封止方法及びそれに用いる樹脂封止 金型装置 | |
| JP3609821B1 (ja) | 半導体装置封止用金型およびそれを用いた半導体装置封止方法 | |
| JP2925375B2 (ja) | 電子部品におけるモールド部の成形方法 | |
| KR960006429B1 (ko) | 반도체 장치의 패키지 몰딩방법 | |
| JP3602422B2 (ja) | 樹脂封止装置 | |
| JPH06244312A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100456082B1 (ko) | 반도체패키지의제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071017 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101017 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101017 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131017 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |