JPH0590315A - 樹脂封止金型 - Google Patents
樹脂封止金型Info
- Publication number
- JPH0590315A JPH0590315A JP24866391A JP24866391A JPH0590315A JP H0590315 A JPH0590315 A JP H0590315A JP 24866391 A JP24866391 A JP 24866391A JP 24866391 A JP24866391 A JP 24866391A JP H0590315 A JPH0590315 A JP H0590315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- semiconductor element
- lead frame
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】内部の金属細線の短絡及び断線あるいはリード
フレームの地金の露出などなく樹脂封止する。 【構成】キャビティ６なる空間部を形成する上型４及び
下型の窪みの底面より突出する支持体を少くとも２個設
け、樹脂封止中に、キャビティ６内のリードフレーム２
を固定保持する。
フレームの地金の露出などなく樹脂封止する。 【構成】キャビティ６なる空間部を形成する上型４及び
下型の窪みの底面より突出する支持体を少くとも２個設
け、樹脂封止中に、キャビティ６内のリードフレーム２
を固定保持する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに搭載
された半導体素子を樹脂封止する樹脂封止金型に関す
る。
された半導体素子を樹脂封止する樹脂封止金型に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、樹脂封止型半導体装置は半導体装
置用リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体素子
の電極とリードフレームの内部リードとをＡｕ細線で結
線後、リードフレームを樹脂封止金型ではさみ、この封
止金型のキャビティ内に溶融樹脂を注入し、硬化させて
半導体素子，リードフレームの半導体素子搭載部と内部
リード及びＡｕ細線を樹脂封止していた。
置用リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体素子
の電極とリードフレームの内部リードとをＡｕ細線で結
線後、リードフレームを樹脂封止金型ではさみ、この封
止金型のキャビティ内に溶融樹脂を注入し、硬化させて
半導体素子，リードフレームの半導体素子搭載部と内部
リード及びＡｕ細線を樹脂封止していた。
【０００３】それから後は、外部リードに半田めっき等
を施し、外部リードを所定の形状に成形していた。
を施し、外部リードを所定の形状に成形していた。
【０００４】図２は従来の樹脂封止金型の一例における
主要部を示す断面部分図である。従来この種の樹脂封止
金型は、例えば図２に示すように、上型４及び下型５に
それぞれ対応して窪みが形成され、この窪みが型締めの
状態のときキャビティ６を形成していた。そして、樹脂
封止するときは、半導体素子１を搭載したリードフレー
ム２を上型４及び下型５で挾み、リードフレーム２をキ
ャビティ６内の両端で支え、このキャビティ６内に溶融
樹脂を注入して樹脂封止していた。
主要部を示す断面部分図である。従来この種の樹脂封止
金型は、例えば図２に示すように、上型４及び下型５に
それぞれ対応して窪みが形成され、この窪みが型締めの
状態のときキャビティ６を形成していた。そして、樹脂
封止するときは、半導体素子１を搭載したリードフレー
ム２を上型４及び下型５で挾み、リードフレーム２をキ
ャビティ６内の両端で支え、このキャビティ６内に溶融
樹脂を注入して樹脂封止していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止金
型では、封止樹脂材料によって封止条件の許容範囲が狭
く、しばしば樹脂封止時リードフレームの半導体素子搭
載部の浮き，沈み，傾きが発生し、結線した金属細線の
変形及び半導体素子端部への接触，あるいは破断に至る
という問題があった。
型では、封止樹脂材料によって封止条件の許容範囲が狭
く、しばしば樹脂封止時リードフレームの半導体素子搭
載部の浮き，沈み，傾きが発生し、結線した金属細線の
変形及び半導体素子端部への接触，あるいは破断に至る
という問題があった。
【０００６】特に最近は、パッケーシの薄型化に伴い半
導体素子搭載部の浮き，沈み，傾きによる金属細線及び
半導体素子搭載部裏面の樹脂体表面から露出するという
問題があった。
導体素子搭載部の浮き，沈み，傾きによる金属細線及び
半導体素子搭載部裏面の樹脂体表面から露出するという
問題があった。
【０００７】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、半導体素子搭載部の浮き，沈み及び傾きによる金属
細線の短絡あるいは断線を起すことなく完全に樹脂封止
する樹脂封止金型を提供することである。
く、半導体素子搭載部の浮き，沈み及び傾きによる金属
細線の短絡あるいは断線を起すことなく完全に樹脂封止
する樹脂封止金型を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止金型
は、半導体素子を搭載するリードフレームを上型と下型
と挾み、上型の窪みと下型の窪みとで形成される空間部
であるキャビティに樹脂を注入して樹脂封止する樹脂封
止金型において、前記窪みの底面より突出し、その先端
で前記キャビティ内の前記リードフレームの部分を支え
る支持体を備えている。
は、半導体素子を搭載するリードフレームを上型と下型
と挾み、上型の窪みと下型の窪みとで形成される空間部
であるキャビティに樹脂を注入して樹脂封止する樹脂封
止金型において、前記窪みの底面より突出し、その先端
で前記キャビティ内の前記リードフレームの部分を支え
る支持体を備えている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例を示
す樹脂封止金型の主要部を示す断面部分図である。本発
明の樹脂封止金型は、キャビティ空間内でリードフレー
ムを固定保持する支持体を上型及び下型の窪み面から突
出させたことである。例えば、図１（ａ）に示すよう
に、半導体素子１を搭載したリードフレーム２における
半導体素子搭載部を支持する支持リード部分の少くとも
２点を、上下より支持・固定する支持体３を設けたこと
である。このように支持体３でリードフレーム２を固定
保持すれば、樹脂封止時に半導体素子搭載部の浮き，沈
みを防止出来る。
す樹脂封止金型の主要部を示す断面部分図である。本発
明の樹脂封止金型は、キャビティ空間内でリードフレー
ムを固定保持する支持体を上型及び下型の窪み面から突
出させたことである。例えば、図１（ａ）に示すよう
に、半導体素子１を搭載したリードフレーム２における
半導体素子搭載部を支持する支持リード部分の少くとも
２点を、上下より支持・固定する支持体３を設けたこと
である。このように支持体３でリードフレーム２を固定
保持すれば、樹脂封止時に半導体素子搭載部の浮き，沈
みを防止出来る。
【００１１】また、別の例として、例えば図１（ｂ）に
示すように、上型４の窪みの底面から少くとも２本の支
持体３を突出させ、半導体素子搭載部の支持リードを支
持し、下型５の窪みの底面から少くとも１本の支持体３
を突出させ、素子搭載部を支持することにより半導体素
子搭載部が固定され、前述の例と同様に効果が得られ
る。さらに、別の例で、この例は薄型パッケージに適用
される場合であるが、図１（ｃ）に示すように、支持体
３を下型５の窪みに設け、半導体素子上の樹脂量と半導
体素子搭載部下の樹脂量との比を変えることにより半導
体素子搭載部の浮き，沈みを制御することが出来る。す
なわち、半導体素子上の樹脂量を多くとり半導体素子搭
載部を沈むようにし、半導体素子搭載部あるいは半導体
素子搭載部の支持リードを下から少くとも２本の支持体
３で支持することにより、半導体素子搭載部が固定され
同じ効果が得られる。
示すように、上型４の窪みの底面から少くとも２本の支
持体３を突出させ、半導体素子搭載部の支持リードを支
持し、下型５の窪みの底面から少くとも１本の支持体３
を突出させ、素子搭載部を支持することにより半導体素
子搭載部が固定され、前述の例と同様に効果が得られ
る。さらに、別の例で、この例は薄型パッケージに適用
される場合であるが、図１（ｃ）に示すように、支持体
３を下型５の窪みに設け、半導体素子上の樹脂量と半導
体素子搭載部下の樹脂量との比を変えることにより半導
体素子搭載部の浮き，沈みを制御することが出来る。す
なわち、半導体素子上の樹脂量を多くとり半導体素子搭
載部を沈むようにし、半導体素子搭載部あるいは半導体
素子搭載部の支持リードを下から少くとも２本の支持体
３で支持することにより、半導体素子搭載部が固定され
同じ効果が得られる。
【００１２】このような樹脂封止型で樹脂封止された半
導体装置の樹脂外郭体は、所々に支持体により窪みが生
ずるが、捺印するのには支障はない。必要とあれば、窪
みに樹脂を充填すれば、外観上支障はない。
導体装置の樹脂外郭体は、所々に支持体により窪みが生
ずるが、捺印するのには支障はない。必要とあれば、窪
みに樹脂を充填すれば、外観上支障はない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の樹脂封止金
型は、キャビティである空間を形成する上型及び下型の
窪みに突出する支持体を設け、この支持体により樹脂封
入中にリードフレームを固定保持することで、リードフ
レームの素子搭載部の浮き，沈み，傾きの発生がなくな
り、金属細線の変形、半導体素子端部との接触、及び破
断がなくなり、半導体装置の信頼性が向上する効果を有
する。また、薄型パッケージにおいても金属細線，素子
搭載部が樹脂表面へ露出することがなくなるという効果
がある。
型は、キャビティである空間を形成する上型及び下型の
窪みに突出する支持体を設け、この支持体により樹脂封
入中にリードフレームを固定保持することで、リードフ
レームの素子搭載部の浮き，沈み，傾きの発生がなくな
り、金属細線の変形、半導体素子端部との接触、及び破
断がなくなり、半導体装置の信頼性が向上する効果を有
する。また、薄型パッケージにおいても金属細線，素子
搭載部が樹脂表面へ露出することがなくなるという効果
がある。
【図１】本発明の樹脂封止金型の実施例における主要部
を示す断面部分図である。
を示す断面部分図である。
【図２】従来の樹脂封止金型の一例における主要部を示
す断面部分図である。
す断面部分図である。
【符号の説明】 １ 半導体素子 ２ リードフレーム ３ 支持体 ４ 上型 ５ 下型 ６ キャビティ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するリードフレームを
上型と下型と挾み、上型の窪みと下型の窪みとで形成さ
れる空間部であるキャビティに樹脂を注入して樹脂封止
する樹脂封止金型において、前記窪みの底面より突出
し、その先端で前記キャビティ内の前記リードフレーム
の部分を支える支持体を備えることを特徴とする樹脂封
止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24866391A JPH0590315A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24866391A JPH0590315A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 樹脂封止金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590315A true JPH0590315A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17181490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24866391A Pending JPH0590315A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016082065A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
| KR20190040789A (ko) * | 2017-10-11 | 2019-04-19 | 주식회사 아이티엠반도체 | 배터리보호회로 패키지 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24866391A patent/JPH0590315A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016082065A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
| KR20190040789A (ko) * | 2017-10-11 | 2019-04-19 | 주식회사 아이티엠반도체 | 배터리보호회로 패키지 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |