JPH07193179A - リードフレーム - Google Patents
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- JPH07193179A JPH07193179A JP5332534A JP33253493A JPH07193179A JP H07193179 A JPH07193179 A JP H07193179A JP 5332534 A JP5332534 A JP 5332534A JP 33253493 A JP33253493 A JP 33253493A JP H07193179 A JPH07193179 A JP H07193179A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の組立プロセスでの歩
留まりを高めることが可能なリードフレームを提供する
ことにある。 【構成】 枠体２Ａで周囲を規定された領域内に、前記
枠体２Ａにタブ吊りリード２Ｅを介して一体化されたタ
ブ２Ｄを有するリードフレーム２において、前記タブ吊
りリード２Ｅの板厚の方向の外形寸法Ｆをその板厚ｔに
比べて大きく構成する。
留まりを高めることが可能なリードフレームを提供する
ことにある。 【構成】 枠体２Ａで周囲を規定された領域内に、前記
枠体２Ａにタブ吊りリード２Ｅを介して一体化されたタ
ブ２Ｄを有するリードフレーム２において、前記タブ吊
りリード２Ｅの板厚の方向の外形寸法Ｆをその板厚ｔに
比べて大きく構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに関
し、特に、樹脂封止型半導体装置の組立プロセスで使用
されるリードフレームに適用して有効な技術に関するも
のである。
し、特に、樹脂封止型半導体装置の組立プロセスで使用
されるリードフレームに適用して有効な技術に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置として、タブ(ダ
イパッド)のペレット塔載面上に半導体ペレットを塔載
した樹脂封止型半導体装置がある。この種の樹脂封止型
半導体装置は一般的に以下の組立プロセスで形成され
る。
イパッド)のペレット塔載面上に半導体ペレットを塔載
した樹脂封止型半導体装置がある。この種の樹脂封止型
半導体装置は一般的に以下の組立プロセスで形成され
る。
【０００３】まず、枠体で周囲を規定された領域内に、
前記枠体に一体化されたアウターリード、前記アウター
リードに一体化されたインナーリード、前記枠体に一体
化されたタブ吊りリード及びこのタブ吊りリードに一体
化されたタブ等を有するリードフレームを用意する。次
に、前記リードフレームのタブのペレット塔載面上に半
導体ペレットを塔載（ペレットボンディング）する。次
に、前記リードフレームのインナーリードと半導体ペレ
ットの外部端子（ボンディングパッド）とをボンディン
グワイヤで電気的に接続する。次に、前記半導体ペレッ
ト、インナーリード、ボンディングワイヤ、タブ吊りリ
ード及びタブ等を樹脂封止体で封止する。この樹脂封止
体はトランスファモールド法に基づいて成形される。次
に、前記リードフレームの枠体からアウターリード及び
タブ吊りリードを切断し、前記アウターリードを所定の
形状（例えばガルウィング形状）に成形する。これによ
り、タブのペレット塔載面上に半導体ペレットを塔載す
る樹脂封止型半導体装置がほぼ完成する。
前記枠体に一体化されたアウターリード、前記アウター
リードに一体化されたインナーリード、前記枠体に一体
化されたタブ吊りリード及びこのタブ吊りリードに一体
化されたタブ等を有するリードフレームを用意する。次
に、前記リードフレームのタブのペレット塔載面上に半
導体ペレットを塔載（ペレットボンディング）する。次
に、前記リードフレームのインナーリードと半導体ペレ
ットの外部端子（ボンディングパッド）とをボンディン
グワイヤで電気的に接続する。次に、前記半導体ペレッ
ト、インナーリード、ボンディングワイヤ、タブ吊りリ
ード及びタブ等を樹脂封止体で封止する。この樹脂封止
体はトランスファモールド法に基づいて成形される。次
に、前記リードフレームの枠体からアウターリード及び
タブ吊りリードを切断し、前記アウターリードを所定の
形状（例えばガルウィング形状）に成形する。これによ
り、タブのペレット塔載面上に半導体ペレットを塔載す
る樹脂封止型半導体装置がほぼ完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の樹
脂封止型半導体装置について以下の問題点を見出した。
脂封止型半導体装置について以下の問題点を見出した。
【０００５】前記樹脂封止型半導体装置の組立プロセス
において、半導体ペレット、インナーリード、ボンディ
ングワイヤ、タブ及びタブ吊りリード等をトランスファ
モールド法に基づいて成形される樹脂封止体で封止する
際、キャビティ内に供給された樹脂の流動でタブが上下
方向に変動する。このため、タブやボンディングワイヤ
等が樹脂封止体から露出し、樹脂封止型半導体装置の組
立プロセスでの歩留まりが低下するという問題があっ
た。この現象は、特に、樹脂の肉厚が薄いＴＳＯＰ（Ｔ
in Ｓmall Ｏut-line Ｐackage）型のパッケージ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置において顕著になる。
において、半導体ペレット、インナーリード、ボンディ
ングワイヤ、タブ及びタブ吊りリード等をトランスファ
モールド法に基づいて成形される樹脂封止体で封止する
際、キャビティ内に供給された樹脂の流動でタブが上下
方向に変動する。このため、タブやボンディングワイヤ
等が樹脂封止体から露出し、樹脂封止型半導体装置の組
立プロセスでの歩留まりが低下するという問題があっ
た。この現象は、特に、樹脂の肉厚が薄いＴＳＯＰ（Ｔ
in Ｓmall Ｏut-line Ｐackage）型のパッケージ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置において顕著になる。
【０００６】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
組立プロセスでの歩留まりを高めることが可能なリード
フレームを提供することにある。
組立プロセスでの歩留まりを高めることが可能なリード
フレームを提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００９】枠体で周囲を規定された領域内に、前記枠
体にタブ吊りリードを介して一体化されたタブを有する
リードフレームにおいて、前記タブ吊りリードの板厚の
方向の外形寸法をその板厚に比べて大きく構成する。
体にタブ吊りリードを介して一体化されたタブを有する
リードフレームにおいて、前記タブ吊りリードの板厚の
方向の外形寸法をその板厚に比べて大きく構成する。
【００１０】
【作用】上述した手段によれば、タブ吊りリードの機械
的強度を高めることができるので、樹脂封止型半導体装
置の組立プロセス中の封止工程において、樹脂の流動に
よるタブの変動を防止することができる。この結果、タ
ブやボンディングワイヤ等が樹脂封止体から露出するの
を防止できるので、樹脂封止型半導体装置の組立プロセ
スでの歩留まりを高めることができる。
的強度を高めることができるので、樹脂封止型半導体装
置の組立プロセス中の封止工程において、樹脂の流動に
よるタブの変動を防止することができる。この結果、タ
ブやボンディングワイヤ等が樹脂封止体から露出するの
を防止できるので、樹脂封止型半導体装置の組立プロセ
スでの歩留まりを高めることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の構成について、実施例ととも
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１２】本発明の一実施例である樹脂封止型半導体
装置の概略構成を図１（樹脂封止体の上部を除去した状
態の平面図）、図２（図１に示すＡ−Ａ切断線で切った
断面図）及び図３（図１に示すＢ−Ｂ切断線で切った断
面図）に示す。
装置の概略構成を図１（樹脂封止体の上部を除去した状
態の平面図）、図２（図１に示すＡ−Ａ切断線で切った
断面図）及び図３（図１に示すＢ−Ｂ切断線で切った断
面図）に示す。
【００１３】図１、図２及び図３に示すように、樹脂封
止型半導体装置はＴＳＯＰ型のパッケージ構造で構成さ
れる。この樹脂封止型半導体装置は、タブ２Ｄのペレッ
ト塔載面上に半導体ペレット３を塔載する。
止型半導体装置はＴＳＯＰ型のパッケージ構造で構成さ
れる。この樹脂封止型半導体装置は、タブ２Ｄのペレッ
ト塔載面上に半導体ペレット３を塔載する。
【００１４】前記半導体ペレット３は例えば平面が方形
状の単結晶珪素基板を主体に構成される。この半導体ペ
レット３の素子形成面には例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等
の回路システムが塔載される。また、半導体ペレット３
の素子形成面側には複数の外部端子（ボンディングパッ
ド）ＢＰが配列される。
状の単結晶珪素基板を主体に構成される。この半導体ペ
レット３の素子形成面には例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等
の回路システムが塔載される。また、半導体ペレット３
の素子形成面側には複数の外部端子（ボンディングパッ
ド）ＢＰが配列される。
【００１５】前記半導体ペレット３の外部端子ＢＰは、
ボンディングワイヤ４を介してインナーリード２Ｂに電
気的に接続される。ボンディングワイヤ４としては、例
えばアルミニウム（Ａｌ）ワイヤ、金（Ａｕ）ワイヤを
使用する。ボンディングワイヤ４は例えば熱圧着に超音
波振動を併用したボンディング法によりボンディングさ
れる。
ボンディングワイヤ４を介してインナーリード２Ｂに電
気的に接続される。ボンディングワイヤ４としては、例
えばアルミニウム（Ａｌ）ワイヤ、金（Ａｕ）ワイヤを
使用する。ボンディングワイヤ４は例えば熱圧着に超音
波振動を併用したボンディング法によりボンディングさ
れる。
【００１６】前記タブ２Ｄは平面形状が方形状に形成さ
れる。このタブ２Ｄには、方形状の対向する２辺（短
辺）の夫々にタブ吊りリード２Ｅが一体化される。つま
り、本実施例の樹脂封止型半導体装置は、２つのタブ吊
りリード２Ｅでタブ２Ｄを支持する。
れる。このタブ２Ｄには、方形状の対向する２辺（短
辺）の夫々にタブ吊りリード２Ｅが一体化される。つま
り、本実施例の樹脂封止型半導体装置は、２つのタブ吊
りリード２Ｅでタブ２Ｄを支持する。
【００１７】前記半導体ペレット３、インナーリード２
Ｂ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊りリー
ド２Ｅ等は樹脂封止体１で封止される。この樹脂封止体
１はトランスファモールド法に基づいて成形された樹脂
１Ａで成形される。この樹脂１Ａは、低応力化を図るた
めに例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフ
ィラーが添加された絶縁性のエポキシ系樹脂で形成され
る。
Ｂ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊りリー
ド２Ｅ等は樹脂封止体１で封止される。この樹脂封止体
１はトランスファモールド法に基づいて成形された樹脂
１Ａで成形される。この樹脂１Ａは、低応力化を図るた
めに例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフ
ィラーが添加された絶縁性のエポキシ系樹脂で形成され
る。
【００１８】前記樹脂封止体１は平面形状が方形状で形
成される。この樹脂封止体１の外部には、方形状の互い
に対向する２辺（長辺）の夫々の辺側に複数のアウター
リード２Ｃが配列される。アウターリード２Ｃはインナ
ーリード２Ｂに一体化される。このアウターリード２Ｃ
は、前述のように、半導体ペレット３、インナーリード
２Ｃ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊りリ
ード２Ｅ等を樹脂封止体１で封止した後、タブ吊りリー
ド２Ｅと共に、リードフレームから切断され、ガルウィ
ング形状に成形される。
成される。この樹脂封止体１の外部には、方形状の互い
に対向する２辺（長辺）の夫々の辺側に複数のアウター
リード２Ｃが配列される。アウターリード２Ｃはインナ
ーリード２Ｂに一体化される。このアウターリード２Ｃ
は、前述のように、半導体ペレット３、インナーリード
２Ｃ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊りリ
ード２Ｅ等を樹脂封止体１で封止した後、タブ吊りリー
ド２Ｅと共に、リードフレームから切断され、ガルウィ
ング形状に成形される。
【００１９】このように構成される本実施例の樹脂封止
型半導体装置は、組立プロセスにおいて、図４（平面
図）に示すリードフレーム２を使用する。リードフレー
ム２は、枠体２Ａで周囲を規定された領域内に、インナ
ーリード２Ｂ、アウターリード２Ｃ、タブ２Ｄ及びタブ
吊りリード２Ｅ等を有する。インナーリード２Ｂはアウ
ターリード２Ｃに一体化される。アウターリード２Ｃは
枠体２Ａに一体化される。タブ２Ｄはタブ吊りリード２
Ｅに一体化される。タブ吊りリード２Ｅは枠体２Ａに一
体化される。つまり、タブ２Ｄは、２つのタブ吊りリー
ド２Ｅによる２点で枠体２Ａに支持される。
型半導体装置は、組立プロセスにおいて、図４（平面
図）に示すリードフレーム２を使用する。リードフレー
ム２は、枠体２Ａで周囲を規定された領域内に、インナ
ーリード２Ｂ、アウターリード２Ｃ、タブ２Ｄ及びタブ
吊りリード２Ｅ等を有する。インナーリード２Ｂはアウ
ターリード２Ｃに一体化される。アウターリード２Ｃは
枠体２Ａに一体化される。タブ２Ｄはタブ吊りリード２
Ｅに一体化される。タブ吊りリード２Ｅは枠体２Ａに一
体化される。つまり、タブ２Ｄは、２つのタブ吊りリー
ド２Ｅによる２点で枠体２Ａに支持される。
【００２０】前記タブ吊りリード２Ｅは、図５（図４に
示すＣ−Ｃ切断線で切った拡大断面図）に示すように、
プレス加工が施され、断面形状がＶ字形状で形成され
る。このプレス加工はタブ吊りリード２Ｅの延在方向に
沿って施されている。つまり、タブ吊りリード２Ｅの板
厚の方向の外形寸法Ｆはその板厚ｔに比べて大きく構成
される。このように、タブ吊りリード２Ｅの板厚の方向
の外形寸法Ｆをその板厚ｔに比べて大きく構成すること
により、タブ吊りリード２Ｅの断面二次モーメントを増
加でき、タブ吊りリード２Ｅの機械的強度を高めること
ができるので、外力によるタブ２Ｄの変動を防止でき
る。
示すＣ−Ｃ切断線で切った拡大断面図）に示すように、
プレス加工が施され、断面形状がＶ字形状で形成され
る。このプレス加工はタブ吊りリード２Ｅの延在方向に
沿って施されている。つまり、タブ吊りリード２Ｅの板
厚の方向の外形寸法Ｆはその板厚ｔに比べて大きく構成
される。このように、タブ吊りリード２Ｅの板厚の方向
の外形寸法Ｆをその板厚ｔに比べて大きく構成すること
により、タブ吊りリード２Ｅの断面二次モーメントを増
加でき、タブ吊りリード２Ｅの機械的強度を高めること
ができるので、外力によるタブ２Ｄの変動を防止でき
る。
【００２１】なお、前記タブ吊りリード２Ｅは、図６
（断面図）に示すように、断面形状をＵ字形状で形成し
てもよい。また、タブ吊りリード２Ｅは、図７（断面
図）に示すように、リード幅方向の中央部にタブ吊りリ
ード２Ｅの延在方向に沿って凹み若しくは溝を設けた構
成にしてもよい。
（断面図）に示すように、断面形状をＵ字形状で形成し
てもよい。また、タブ吊りリード２Ｅは、図７（断面
図）に示すように、リード幅方向の中央部にタブ吊りリ
ード２Ｅの延在方向に沿って凹み若しくは溝を設けた構
成にしてもよい。
【００２２】次に、前記樹脂封止型半導体装置の組立プ
ロセスについて簡単に説明する。
ロセスについて簡単に説明する。
【００２３】まず、前述のリードフレーム２を準備す
る。
る。
【００２４】次に、前記リードフレーム２のタブ２Ｄの
ペレット塔載面上に半導体ペレット３を塔載（ペレット
ボンディング）する。
ペレット塔載面上に半導体ペレット３を塔載（ペレット
ボンディング）する。
【００２５】次に、前記リードフレーム２のインナーリ
ード２Ｂと半導体ペレット３の外部端子ＢＰとをボンデ
ィングワイヤ４で電気的に接続する。
ード２Ｂと半導体ペレット３の外部端子ＢＰとをボンデ
ィングワイヤ４で電気的に接続する。
【００２６】次に、前記半導体ペレット３、インナーリ
ード２Ｂ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊
りリード２Ｅ等を樹脂封止体１で封止する。この樹脂封
止体１はトランスファモールド法に基づいて成形され
る。トランスファモールド法は図８に示すように、成形
金型５の上型５Ａと下型５Ｂとの間にリードフレーム２
を配置すると共に、上型５Ａと下型５Ｂとで形成される
キャビティ６内に半導体ペレット３、インナーリード２
Ｂ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊りリー
ド２Ｅ等を配置した後、ゲート７からキャビティ内に樹
脂１Ａを供給し、キャビティ６内に配置された前述のも
のを樹脂１Ａからなる樹脂封止体１で封止する。この
時、タブ吊りリード２Ｅの機械的強度は高められている
ので、キャビティ６内に供給された樹脂１Ａの流動によ
るタブ２Ｄの変動を防止できる。
ード２Ｂ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊
りリード２Ｅ等を樹脂封止体１で封止する。この樹脂封
止体１はトランスファモールド法に基づいて成形され
る。トランスファモールド法は図８に示すように、成形
金型５の上型５Ａと下型５Ｂとの間にリードフレーム２
を配置すると共に、上型５Ａと下型５Ｂとで形成される
キャビティ６内に半導体ペレット３、インナーリード２
Ｂ、ボンディングワイヤ４、タブ２Ｄ及びタブ吊りリー
ド２Ｅ等を配置した後、ゲート７からキャビティ内に樹
脂１Ａを供給し、キャビティ６内に配置された前述のも
のを樹脂１Ａからなる樹脂封止体１で封止する。この
時、タブ吊りリード２Ｅの機械的強度は高められている
ので、キャビティ６内に供給された樹脂１Ａの流動によ
るタブ２Ｄの変動を防止できる。
【００２７】次に、前記リードフレーム２の枠体２Ａか
らアウターリード２Ｃ、タブ吊りリード２Ｅの夫々を切
断し、前記アウターリード２Ｃを所定の形状（ガルウィ
ング形状）に成形する。これにより、本実施例の樹脂封
止型半導体装置がほぼ完成する。
らアウターリード２Ｃ、タブ吊りリード２Ｅの夫々を切
断し、前記アウターリード２Ｃを所定の形状（ガルウィ
ング形状）に成形する。これにより、本実施例の樹脂封
止型半導体装置がほぼ完成する。
【００２８】このように、枠体２Ａで周囲を規定された
領域内に、前記枠体２Ａにタブ吊りリード２Ｅを介して
一体化されるタブ２Ｄを有するリードフレーム２におい
て、前記タブ吊りリード２Ｅの板厚の方向の外形寸法Ｆ
をその板厚ｔに比べて大きく構成する。この構成によ
り、タブ吊りリード２Ｅの断面二次モーメントを増加で
き、タブ吊りリード２Ｅの機械的強度を高めることがで
きるので、樹脂封止型半導体装置の組立プロセス中の封
止工程において、樹脂１Ａの流動によるタブ２Ｄの変動
を防止することができる。この結果、タブ２Ｄやボンデ
ィングワイヤ４等が樹脂封止体１から露出するのを防止
できるので、樹脂封止型半導体装置の組立プロセスでの
歩留まりを高めることができる。
領域内に、前記枠体２Ａにタブ吊りリード２Ｅを介して
一体化されるタブ２Ｄを有するリードフレーム２におい
て、前記タブ吊りリード２Ｅの板厚の方向の外形寸法Ｆ
をその板厚ｔに比べて大きく構成する。この構成によ
り、タブ吊りリード２Ｅの断面二次モーメントを増加で
き、タブ吊りリード２Ｅの機械的強度を高めることがで
きるので、樹脂封止型半導体装置の組立プロセス中の封
止工程において、樹脂１Ａの流動によるタブ２Ｄの変動
を防止することができる。この結果、タブ２Ｄやボンデ
ィングワイヤ４等が樹脂封止体１から露出するのを防止
できるので、樹脂封止型半導体装置の組立プロセスでの
歩留まりを高めることができる。
【００２９】また、樹脂１Ａの流動によるタブ２Ｄの変
動を防止できるので、タブ２Ｄの変動によるボンディン
グワイヤ４のループ形状の変形を防止できる。この結
果、ボンディングワイヤ４間の短絡を防止できるので、
樹脂封止型半導体装置の電気的信頼性を高めることがで
きる。
動を防止できるので、タブ２Ｄの変動によるボンディン
グワイヤ４のループ形状の変形を防止できる。この結
果、ボンディングワイヤ４間の短絡を防止できるので、
樹脂封止型半導体装置の電気的信頼性を高めることがで
きる。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００３１】例えば、本発明は、４つのタブ吊りリード
でタブを枠体に支持するリードフレームに適用できる。
でタブを枠体に支持するリードフレームに適用できる。
【００３２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３３】樹脂封止型半導体装置の組立プロセスでの
歩留まりを高めることが可能なリードフレームを提供で
きる。
歩留まりを高めることが可能なリードフレームを提供で
きる。
【図１】 本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の樹脂封止体の上部を除去した状態の平面図。
置の樹脂封止体の上部を除去した状態の平面図。
【図２】 図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図。
【図３】 図１に示すＢ−Ｂ切断線で切った断面図。
【図４】 前記樹脂封止型半導体装置の組立プロセスに
使用されるリードフレームの平面図。
使用されるリードフレームの平面図。
【図５】 図４に示すＣ−Ｃ切断線で切った拡大断面
図。
図。
【図６】 本発明の変形例を示す断面図。
【図７】 本発明の変形例を示す断面図。
【図８】 前記樹脂封止型半導体装置の組立プロセス中
の封止工程を説明するための成形金型の要部断面図。
の封止工程を説明するための成形金型の要部断面図。
１…樹脂封止体、１Ａ…樹脂、２…リードフレーム、２
Ａ…枠体、２Ｂ…インナーリード、２Ｃ…アウターリー
ド、２Ｄ…タブ、２Ｅ…タブ吊りリード、３…半導体ペ
レット、４…ボンディングワイヤ、５…成形金型、５Ａ
…上型、５Ｂ…下金、６…キャビティ、７…ゲート。
Ａ…枠体、２Ｂ…インナーリード、２Ｃ…アウターリー
ド、２Ｄ…タブ、２Ｅ…タブ吊りリード、３…半導体ペ
レット、４…ボンディングワイヤ、５…成形金型、５Ａ
…上型、５Ｂ…下金、６…キャビティ、７…ゲート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桃井 敏光 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 枠体で周囲を規定された領域内に、前記
枠体にタブ吊りリードを介して一体化されたタブを有す
るリードフレームにおいて、前記タブ吊りリードの板厚
の方向の外形寸法をその板厚に比べて大きく構成したこ
とを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332534A JPH07193179A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332534A JPH07193179A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193179A true JPH07193179A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18256000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5332534A Pending JPH07193179A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193179A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013024561A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP2016105506A (ja) * | 2016-02-24 | 2016-06-09 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5332534A patent/JPH07193179A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013024561A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP2013041951A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
| CN103636013A (zh) * | 2011-08-12 | 2014-03-12 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
| US9331254B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9537072B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, lead frame and resin cavity molding package |
| CN109786536A (zh) * | 2011-08-12 | 2019-05-21 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN109786536B (zh) * | 2011-08-12 | 2021-09-28 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| JP2016105506A (ja) * | 2016-02-24 | 2016-06-09 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
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