JPH0653264A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0653264A JPH0653264A JP22502992A JP22502992A JPH0653264A JP H0653264 A JPH0653264 A JP H0653264A JP 22502992 A JP22502992 A JP 22502992A JP 22502992 A JP22502992 A JP 22502992A JP H0653264 A JPH0653264 A JP H0653264A
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの位置を常に一定箇所に保持し
た状態で樹脂封止することができる半導体装置の製造方
法を提供する。 【構成】 上下金型３１、３２のうち少なくとも一方の
金型３２の主型面３３に突起部３４を形成し、この突起
部３４側に半導体チップ１を付勢させた状態に保持し
て、上下金型３１、３２のキャビティ３６内に樹脂を充
填する。これにより半導体チップ１は上下に変動するこ
となく樹脂封止されるようになる。
た状態で樹脂封止することができる半導体装置の製造方
法を提供する。 【構成】 上下金型３１、３２のうち少なくとも一方の
金型３２の主型面３３に突起部３４を形成し、この突起
部３４側に半導体チップ１を付勢させた状態に保持し
て、上下金型３１、３２のキャビティ３６内に樹脂を充
填する。これにより半導体チップ１は上下に変動するこ
となく樹脂封止されるようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止タイプの半導
体装置の製造方法に関するものである。
体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体装置の製造方法を説
明する側断面図である。図において、５１は半導体チッ
プ、５２はインナリード、５３は絶縁テープ（固定部
材）であり、半導体チップ５１の電極部５４とインナリ
ード５２とはワイヤ５５を介して接続されている。
明する側断面図である。図において、５１は半導体チッ
プ、５２はインナリード、５３は絶縁テープ（固定部
材）であり、半導体チップ５１の電極部５４とインナリ
ード５２とはワイヤ５５を介して接続されている。
【０００３】これらの構成部材を上下金型を用いて樹脂
封止する場合は、まず図示のように上金型６１と下金型
６２とをクランプして、そのキャビティ６３内に半導体
チップ５１を配置する。続いて、図示せぬランナ及びゲ
ートを通して上下金型６１、６２のキャビティ６３内に
樹脂を充填する。これにより、上述した各構成部材が樹
脂によって封止される。
封止する場合は、まず図示のように上金型６１と下金型
６２とをクランプして、そのキャビティ６３内に半導体
チップ５１を配置する。続いて、図示せぬランナ及びゲ
ートを通して上下金型６１、６２のキャビティ６３内に
樹脂を充填する。これにより、上述した各構成部材が樹
脂によって封止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の製
造方法においては、上下金型６１、６２のキャビティ６
３内に樹脂を注入した際、半導体チップ５１の上下位置
が樹脂の注入圧によって変動し、樹脂硬化後の半導体チ
ップ５１の位置が上側又は下側に偏倚してしまうという
問題があった。また、これが原因で、パッケージ表面に
ワイヤ５５が露出したり、樹脂の未充填が発生したり、
さらにはインナリード５２と半導体チップ５１のエッジ
とが接触してしまうなど、種々の不具合が生じていた。
造方法においては、上下金型６１、６２のキャビティ６
３内に樹脂を注入した際、半導体チップ５１の上下位置
が樹脂の注入圧によって変動し、樹脂硬化後の半導体チ
ップ５１の位置が上側又は下側に偏倚してしまうという
問題があった。また、これが原因で、パッケージ表面に
ワイヤ５５が露出したり、樹脂の未充填が発生したり、
さらにはインナリード５２と半導体チップ５１のエッジ
とが接触してしまうなど、種々の不具合が生じていた。
【０００５】さらに、ディプレス加工を施したリードフ
レームを採用した場合は、その寸法出しの難易度からリ
ードフレーム形状にバラツキが生じ、これによってキャ
ビティ６３内での半導体チップ５１の上下位置が偏倚し
たり、半導体チップ５１が傾いて保持されるなどの問題
も抱えていた。
レームを採用した場合は、その寸法出しの難易度からリ
ードフレーム形状にバラツキが生じ、これによってキャ
ビティ６３内での半導体チップ５１の上下位置が偏倚し
たり、半導体チップ５１が傾いて保持されるなどの問題
も抱えていた。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、半導体チップの位置を常に一定箇所に保持
した状態で樹脂封止することができる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
れたもので、半導体チップの位置を常に一定箇所に保持
した状態で樹脂封止することができる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、上面に電極部が設けられ
た半導体チップと、この半導体チップ上に配置されたイ
ンナリードと、半導体チップとインナリードとの間に設
けられた固定部材とを、上下金型を用いて樹脂封止する
ための半導体装置の製造方法において、上下金型のうち
少なくとも一方の金型の主型面に突起部を形成し、この
突起部側に半導体チップを付勢させた状態に保持して、
上下金型のキャビティ内に樹脂を充填するようにしたも
のである。
成するためになされたもので、上面に電極部が設けられ
た半導体チップと、この半導体チップ上に配置されたイ
ンナリードと、半導体チップとインナリードとの間に設
けられた固定部材とを、上下金型を用いて樹脂封止する
ための半導体装置の製造方法において、上下金型のうち
少なくとも一方の金型の主型面に突起部を形成し、この
突起部側に半導体チップを付勢させた状態に保持して、
上下金型のキャビティ内に樹脂を充填するようにしたも
のである。
【０００８】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法においては、上
下金型のキャビティ内に配置された半導体チップが一方
の金型の主型面に設けた突起部側に付勢された状態で保
持されるため、この状態からキャビティ内に樹脂を充填
させるようにすれば、半導体チップは、上下に変動する
ことなく常に一定箇所に保持され且つその位置は上述し
た突起部によって規制される。
下金型のキャビティ内に配置された半導体チップが一方
の金型の主型面に設けた突起部側に付勢された状態で保
持されるため、この状態からキャビティ内に樹脂を充填
させるようにすれば、半導体チップは、上下に変動する
ことなく常に一定箇所に保持され且つその位置は上述し
た突起部によって規制される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例を説明する側断面
図である。図において、１は半導体チップであり、この
半導体チップ１の上面には複数の電極部２（図では１個
だけ表示）が設けられている。この半導体チップ１上に
は絶縁テープ３（固定部材）を介してインナリード４が
配置されている。また、半導体チップ１の電極部２とイ
ンナリード４とはワイヤ５を介して接続されている。
に説明する。図１は本発明の一実施例を説明する側断面
図である。図において、１は半導体チップであり、この
半導体チップ１の上面には複数の電極部２（図では１個
だけ表示）が設けられている。この半導体チップ１上に
は絶縁テープ３（固定部材）を介してインナリード４が
配置されている。また、半導体チップ１の電極部２とイ
ンナリード４とはワイヤ５を介して接続されている。
【００１０】一方、図中３１は上金型、３２は下金型で
あり、これら上下金型３１、３２のうち一方の金型、す
なわち下金型３２の主型面３３には突起部３４が設けら
れている。この下金型３２の突起部３４は、他方の上金
型３１の主型面３５に向けて所定量だけ突出して形成さ
れており、この突起部３４の突出量によってキャビティ
３６内での半導体チップ１１の上下位置が規定される。
あり、これら上下金型３１、３２のうち一方の金型、す
なわち下金型３２の主型面３３には突起部３４が設けら
れている。この下金型３２の突起部３４は、他方の上金
型３１の主型面３５に向けて所定量だけ突出して形成さ
れており、この突起部３４の突出量によってキャビティ
３６内での半導体チップ１１の上下位置が規定される。
【００１１】ところで、半導体チップ１１を上下金型３
１、３２のキャビティ３６内に配置する前の状態では、
図２に示すように、インナリード４の先端側が幾分下方
に傾斜したかたちで形成されている。こうした状態の構
成部材を図１に示すように上下金型３１、３２でクラン
プして、そのキャビティ３６内に半導体チップ１を配置
しようとすると、そのクランプ途中において、まず下金
型３２の突起部３４が半導体チップ１の下面に当接す
る。さらに上下金型３１、３２のクランプを進行させる
と、それに伴ってインナリード４の先端側が半導体チッ
プ１の下面と下金型３２の突起部３４との圧接によって
徐々に押し戻されていく。そして、クランプが完了した
時点では、インナリード４の先端側はほぼ水平に保持さ
れるとともに、半導体チップ１はインナリード４の弾性
力によって下金型３２の突起部３４側に付勢された状態
で位置決め保持される。
１、３２のキャビティ３６内に配置する前の状態では、
図２に示すように、インナリード４の先端側が幾分下方
に傾斜したかたちで形成されている。こうした状態の構
成部材を図１に示すように上下金型３１、３２でクラン
プして、そのキャビティ３６内に半導体チップ１を配置
しようとすると、そのクランプ途中において、まず下金
型３２の突起部３４が半導体チップ１の下面に当接す
る。さらに上下金型３１、３２のクランプを進行させる
と、それに伴ってインナリード４の先端側が半導体チッ
プ１の下面と下金型３２の突起部３４との圧接によって
徐々に押し戻されていく。そして、クランプが完了した
時点では、インナリード４の先端側はほぼ水平に保持さ
れるとともに、半導体チップ１はインナリード４の弾性
力によって下金型３２の突起部３４側に付勢された状態
で位置決め保持される。
【００１２】このような状態の下で上下金型３１、３２
のキャビティ３６内に樹脂を充填した場合、半導体チッ
プ１は、インナリード４の弾性力によって突起部３４側
に付勢されているため、樹脂の注入圧がかかっても上下
に変動することはない。すなわち、キャビティ３６内の
半導体チップ１はインナリード４の弾性力により常に一
定箇所に保持された状態で樹脂封止される。
のキャビティ３６内に樹脂を充填した場合、半導体チッ
プ１は、インナリード４の弾性力によって突起部３４側
に付勢されているため、樹脂の注入圧がかかっても上下
に変動することはない。すなわち、キャビティ３６内の
半導体チップ１はインナリード４の弾性力により常に一
定箇所に保持された状態で樹脂封止される。
【００１３】そのうえ、図例のようにディプレス加工を
施したリードフレームを採用した場合でも、上下金型３
１、３２のキャビティ３６内における半導体チップ１の
位置は下金型３２の突起部３４によって一定箇所に規制
される。
施したリードフレームを採用した場合でも、上下金型３
１、３２のキャビティ３６内における半導体チップ１の
位置は下金型３２の突起部３４によって一定箇所に規制
される。
【００１４】なお、上記実施例においては、半導体チッ
プ１の電極部２とインナリード４とがワイヤ１５を介し
て接続されたものを、上下金型３１、３２によって樹脂
封止する場合について説明したが、本発明の製造方法の
適用はこのタイプに限定されるものではない。すなわ
ち、図３に示すように、半導体チップ２１の電極部（不
図示）とインナリード２２とがバンプ２３（固定部材）
によって接続された、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体装置に
対しても適用可能である。
プ１の電極部２とインナリード４とがワイヤ１５を介し
て接続されたものを、上下金型３１、３２によって樹脂
封止する場合について説明したが、本発明の製造方法の
適用はこのタイプに限定されるものではない。すなわ
ち、図３に示すように、半導体チップ２１の電極部（不
図示）とインナリード２２とがバンプ２３（固定部材）
によって接続された、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体装置に
対しても適用可能である。
【００１５】このＴＡＢ方式の場合においては、上下金
型３１、３２のキャビティ３６内に半導体チップ２１を
配置する前の状態でインナリード２２の先端側が図４に
示すように幾分下方に傾いて形成されているが、上下金
型３１、３２をクランプする際の半導体チップ２１の下
面と下金型３２の突起部３４との圧接によって図３に示
すように略水平に保持される。この状態で、半導体チッ
プ２１はインナリード２２の弾性力により下金型３２の
突起部３４側に付勢され、且つその位置は下金型３２の
突起部３４によって規制される。
型３１、３２のキャビティ３６内に半導体チップ２１を
配置する前の状態でインナリード２２の先端側が図４に
示すように幾分下方に傾いて形成されているが、上下金
型３１、３２をクランプする際の半導体チップ２１の下
面と下金型３２の突起部３４との圧接によって図３に示
すように略水平に保持される。この状態で、半導体チッ
プ２１はインナリード２２の弾性力により下金型３２の
突起部３４側に付勢され、且つその位置は下金型３２の
突起部３４によって規制される。
【００１６】さらに上記いずれの場合においても、上下
金型３１、３２のうち、下金型３２側に突起部３４が設
けられているが、これとは反対に、図５に示す如く上金
型３１の主型面３５に突起部３４が設けられる場合も考
えられる。このような場合は、上下金型３１、３２のキ
ャビティ３６内に半導体チップ２１を配置する前の状態
でインナリード２２の先端側が幾分上方に傾斜したかた
ちで形成されており、上下金型３１、３２をクランプす
る際の突起部３４との圧接によってインナリード２２は
図５に示すように略水平に保持される。この状態におい
ても、半導体チップ２１はインナリード２２の弾性力に
より上金型３１の突起部３４側に付勢され、且つその位
置は上金型３１の突起部３４によって規制される。
金型３１、３２のうち、下金型３２側に突起部３４が設
けられているが、これとは反対に、図５に示す如く上金
型３１の主型面３５に突起部３４が設けられる場合も考
えられる。このような場合は、上下金型３１、３２のキ
ャビティ３６内に半導体チップ２１を配置する前の状態
でインナリード２２の先端側が幾分上方に傾斜したかた
ちで形成されており、上下金型３１、３２をクランプす
る際の突起部３４との圧接によってインナリード２２は
図５に示すように略水平に保持される。この状態におい
ても、半導体チップ２１はインナリード２２の弾性力に
より上金型３１の突起部３４側に付勢され、且つその位
置は上金型３１の突起部３４によって規制される。
【００１７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体装
置の製造方法によれば、上下金型のうち一方の金型の主
型面に設けた突起部側に半導体チップを付勢させた状態
で保持し、この状態からキャビティ内に樹脂を充填する
ようにしたので、樹脂の注入圧がかかっても半導体チッ
プは上下に変動することなく常に一定箇所に保持された
状態で樹脂封止されるようになる。これにより樹脂硬化
後の半導体チップの位置精度が格段に高められ、もって
半導体装置の薄型化が可能となる。
置の製造方法によれば、上下金型のうち一方の金型の主
型面に設けた突起部側に半導体チップを付勢させた状態
で保持し、この状態からキャビティ内に樹脂を充填する
ようにしたので、樹脂の注入圧がかかっても半導体チッ
プは上下に変動することなく常に一定箇所に保持された
状態で樹脂封止されるようになる。これにより樹脂硬化
後の半導体チップの位置精度が格段に高められ、もって
半導体装置の薄型化が可能となる。
【００１８】さらに、本発明によれば、ディプレス加工
を施したリードフレームを採用した場合でも、上下金型
のキャビティ内での半導体チップの位置が上述の突起部
によって一定箇所に規制されるようになるため、従来の
ようにリードフーム形状に多少のバラツキがあっても半
導体チップが傾いて保持されるようなことはない。ま
た、これによってリードフレームのディプレス量の許容
幅を従来よりも大きく設定できるようになるため、リー
ドフレームの寸法出しの難易度が大幅に緩和される。
を施したリードフレームを採用した場合でも、上下金型
のキャビティ内での半導体チップの位置が上述の突起部
によって一定箇所に規制されるようになるため、従来の
ようにリードフーム形状に多少のバラツキがあっても半
導体チップが傾いて保持されるようなことはない。ま
た、これによってリードフレームのディプレス量の許容
幅を従来よりも大きく設定できるようになるため、リー
ドフレームの寸法出しの難易度が大幅に緩和される。
【図１】本発明の一実施例を説明する側断面図である。
【図２】クランプ前のリードフレーム形状を説明する図
である。
である。
【図３】本発明の他の実施例を説明する側断面図であ
る。
る。
【図４】クランプ前のリードフレーム形状を説明する図
である。
である。
【図５】本発明のさらに他の実施例を説明する側断面図
である。
である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法を説明する側断面
図である。
図である。
１、２１ 半導体チップ ２ 電極部 ３ 絶縁テープ（固定部材） ４、２２ インナリード ２３ バンプ（固定部材） ３１ 上金型 ３２ 下金型 ３３、３５ 主型面 ３４ 突起部 ３６ キャビティ
Claims (1)
- 【請求項１】 上面に電極部が設けられた半導体チップ
と、この半導体チップ上に配置されたインナリードと、
前記半導体チップと前記インナリードとの間に設けられ
た固定部材とを、上下金型を用いて樹脂封止するための
半導体装置の製造方法において、 前記上下金型のうち少なくとも一方の金型の主型面に突
起部を形成し、この突起部側に前記半導体チップを付勢
させた状態に保持して、前記上下金型のキャビティ内に
樹脂を充填するようにしたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22502992A JP3128976B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22502992A JP3128976B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653264A true JPH0653264A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3128976B2 JP3128976B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=16822950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22502992A Expired - Fee Related JP3128976B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128976B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807972A2 (en) | 1996-05-09 | 1997-11-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| WO1999050908A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispositif a semi-conducteur, appareil pour le moulage de dispositif a semi-conducteur et semi-conducteur |
| KR100260993B1 (ko) * | 1997-11-28 | 2000-07-01 | 김규현 | 칩 어레이 볼 그리드 어레이 패키지의 몰드금형 및 이를 이용한 몰드구조 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP22502992A patent/JP3128976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807972A2 (en) | 1996-05-09 | 1997-11-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| EP0807972A3 (en) * | 1996-05-09 | 2000-05-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| US6258621B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device having insulating tape interposed between chip and chip support |
| KR100260993B1 (ko) * | 1997-11-28 | 2000-07-01 | 김규현 | 칩 어레이 볼 그리드 어레이 패키지의 몰드금형 및 이를 이용한 몰드구조 |
| WO1999050908A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispositif a semi-conducteur, appareil pour le moulage de dispositif a semi-conducteur et semi-conducteur |
| US6821822B1 (en) | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3128976B2 (ja) | 2001-01-29 |
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