JPH06132458A - 樹脂封止型半導体装置およびそのリードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびそのリードフレーム

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JPH06132458A
JPH06132458A JP4280081A JP28008192A JPH06132458A JP H06132458 A JPH06132458 A JP H06132458A JP 4280081 A JP4280081 A JP 4280081A JP 28008192 A JP28008192 A JP 28008192A JP H06132458 A JPH06132458 A JP H06132458A
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resin
semiconductor device
lead frame
molded
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Kazuyuki Misumi
和幸 三角
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、一体樹脂成形の際のダイスパッ
ドの変位を抑制して、封止樹脂からのダイスパッドの露
出を防止する樹脂封止型半導体装置およびそのリードフ
レームを得ることを目的とする。 【構成】 ＩＣチップ２はダイスパッド１の上面に搭載
され、内部リードにワイヤボンディングされている。ま
た、ダイスパッド１の下面には足１１が固着されてい
る。ＩＣチップ２が搭載されたこのリードフレームは、
上・下金型８、９にセットされ、ゲート１０から封止樹
脂を流し込んで一体樹脂成形される。この時、ダイスパ
ッド１の下面に固着された足１１が下金型９の内底面に
接触して、封止樹脂注入の際に生じる応力によるダイス
パッド１の下降、傾斜を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレームと半
導体素子とを封止樹脂により一体樹脂成形してなる樹脂
封止型半導体装置およびそのリードフレームに関し、特
に封止樹脂により一体成形する際に生じるダイスパッド
の変位を抑制するリードフレーム構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１７は従来の樹脂封止型半導体装置の
一例を示す断面図、図１８は従来の樹脂封止型半導体装
置の樹脂封止前の状態を示す上面図であり、図において
１はダイスパッド、２はこのダイスパッド１上に搭載さ
れた半導体素子（以下、ＩＣチップという）、３は内部
リード、４はＩＣチップ２の電極パッドと内部リード３
とをワイヤボンディングする金属細線、５は封止樹脂、
６はフレーム７からダイスパッド１を支えるダイスパッ
ド吊りリードである。ここで、ダイスパッド１、内部リ
ード３、ダイスパッド吊りリード６およびフレーム７か
らリードフレームを構成している。
【０００３】つぎに、上記従来の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について説明する。まず、例えば４２アロイ
等の板材をプレス成形して、リードフレームを形成す
る。ついで、このリードフレームに金メッキを施した
後、ＩＣチップ２を例えば４００〜４５０℃に加熱しな
がらダイスパッド１上に接着する。この時、ＩＣチップ
２とダイスパッド１との接合面には金とシリコンとの共
晶合金が形成され、互いに接合される。その後、ＩＣチ
ップ２の電極パッドと内部リード３とを金属細線４、例
えば金線を用いてワイヤボンディングする。
【０００４】つぎに、図１９に示すように、ＩＣチップ
２を搭載したリードフレームを封止用の下金型９に置
き、さらに上金型８をセットして、上・下金型８、９間
にリードフレームを挟み込み、その後キャビティ（上・
下金型８、９間に形成される空間）内にゲート１０を介
して硬化前の樹脂、例えばエポキシ樹脂を流し込み、硬
化させる。
【０００５】この樹脂封止においては、ダイスパッド１
がダイスパッド吊りリード６により支えられているため
に、金型とＩＣチップ２上およびダイスパッド１下面と
の間を流れ込むエポキシ樹脂の流れが不均一であると、
ダイスパッド１が傾き、最悪の場合にはダイスパッド１
が封止樹脂５から露出してしまい、信頼性が低下するこ
とになる。そこで、図１９に示すように、ダイスパッド
吊りリード６にダイスパッド沈め部と呼ばれる曲げを形
成してダイスパッド１を沈め、ＩＣチップ２上面側とダ
イスパッド１下面側との封止樹脂５の厚さを同じくし
て、ＩＣチップ２上とダイスパッド１下面とを流れ込む
エポキシ樹脂の流れの均一化を図り、エポキシ樹脂の流
し込みの際のダイスパッド１の傾きを抑制している。
【０００６】つぎに、フレーム７をカットし、リード成
形して、図１７に示す樹脂封止型半導体装置を作製す
る。
【０００７】図２０は従来の樹脂封止型半導体装置の他
の例を示す断面図であり、この樹脂封止型半導体装置は
いわゆるＴＳＯＰ（Thin and Small Outline Package)
と呼ばれる薄形の半導体装置である。
【０００８】このＴＳＯＰでは、ＩＣチップ２上面側は
金属細線４取り付けのための高さが必要となり、ＩＣチ
ップ２上面側の封止樹脂５の厚みを薄くすることは金属
細線４の露出等の問題を発生させ、おのずと限界があ
る。そこで、リードフレームの厚さを薄くし、ダイスパ
ッド１下面側の封止樹脂５の厚さを薄くして、薄形化を
図っている。このＴＳＯＰを樹脂封止する際には、図２
１に示すように、ゲート１０から注入されたエポキシ樹
脂はダイスパッド１下面側よりＩＣチップ２上面側の方
が広いために、ＩＣチップ２上面側で良く流れ、先に充
填されることになる。その結果、先に流れた樹脂により
ＩＣチップ２上面側からダイスパッド１側に押す応力Ｆ
が生じ、ダイスパッド１が傾き、最悪の場合には封止樹
脂５からダイスパッド１が露出し、信頼性を低下させる
ことになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置の多
ピン化、薄形化にともない内部リード３の高密度化が進
んできている。従来の樹脂封止型半導体装置およびリー
ドフレームは以上のように構成されているので、内部リ
ード３の高密度化にともない、ダイスパッド吊りリード
６は細く、長く、薄くなり、その強度不足が生じてしま
う。その結果、ダイスパッド１が樹脂封止の際に注入さ
れる樹脂による応力を受けて大きく傾き、封止樹脂５か
ら露出する不良が発生し、半導体装置の封止歩留まりが
低下し、信頼性を損なうという課題があった。
【００１０】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、樹脂封止の際に生じるダイスパ
ッドの変位を抑制し、ダイスパッド露出不良率を低減し
て、封止歩留まりを向上できるとともに信頼性を向上で
きる樹脂封止型半導体装置およびリードフレームを得る
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイスパ
ッドの上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された
樹脂封止型半導体装置において、ダイスパッドにその下
面側に突出するようにダイスパッド変位抑制用突起体を
配設したものである。
【００１２】また、この発明の請求項２に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドはその下面側に突出するように配設されたダイスパッ
ド変位抑制用突起体を備えているものである。
【００１３】また、この発明の請求項３に係る樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上面
に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型
半導体装置において、ダイスパッドの側面から外側に向
かって略水平にダイスパッド変位抑制用突起片を延設し
たものである。
【００１４】また、この発明の請求項４に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドはその側面から外側に向かって略水平に延設されたダ
イスパッド変位抑制用突起片を備えているものである。
【００１５】また、この発明の請求項５に係る半導体装
置は、リードフレームのダイスパッドの上面に半導体素
子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体装置
において、ダイスパッドを支持するダイスパッド吊りリ
ードに補強部材を配設したものである。
【００１６】また、この発明の請求項６に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドを支持するダイスパッド吊りリードに配設された補強
部材を備えているものである。
【００１７】また、この発明の請求項７に係る樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上面
に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型
半導体装置において、ダイスパッドを支持するダイスパ
ッド吊りリードの断面を耐圧構造としたものである。
【００１８】また、この発明の請求項８に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドを支持するダイスパッド吊りリードの断面を耐圧構造
としたものである。
【００１９】また、この発明の請求項９に係る樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上面
に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型
半導体装置において、ダイスパッドを支持するダイスパ
ッド吊りリードのダイスパッドとの接続部を幅広に形成
したものである。
【００２０】また、この発明の請求項１０に係る樹脂封
止型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッド
の上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂
封止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパ
ッドを支持するダイスパッド吊りリードのダイスパッド
との接続部を幅広に形成したものである。
【００２１】また、この発明の請求項１１に係る樹脂封
止型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上
面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止
型半導体装置において、一体樹脂成形の際にダイスパッ
ドの変位を抑制する支持部材をダイスパッドの下面側に
配設したものである。
【００２２】
【作用】この発明の請求項１および請求項２において
は、ダイスパッドにその下面側に突出するように配設さ
れたダイスパッド変位抑制用突起体が、一体樹脂成形時
に金型のキャビティ内に注入される封止樹脂の不均一な
流れにより生じる応力がダイスパッドに加わり、ダイス
パッドが傾こうとする際に、ダイスパッド変位抑制用突
起体の先端部が金型の内底面に当接し、ダイスパッドの
傾きを抑えるように働く。
【００２３】また、この発明の請求項３および請求項４
においては、ダイスパッドの側面から外側に向かって略
水平に延設されたダイスパッド変位抑制用突起片が、一
体樹脂成形時に金型のキャビティ内に注入される封止樹
脂の不均一な流れにより生じる応力がダイスパッドに加
わり、ダイスパッドが傾こうとする際に、ダイスパッド
変位抑制用突起片の先端部が金型の内底面あるいは内側
面に当接し、ダイスパッドの傾きを抑えるように働く。
【００２４】また、この発明の請求項５および請求項６
においては、ダイスパッドを支持するダイスパッド吊り
リードに配設された補強部材が、ダイスパッド吊りリー
ド部の剛性を高め、一体樹脂成形時に金型のキャビティ
内に注入される封止樹脂の不均一な流れにより生じる応
力がダイスパッドに加わり、ダイスパッドが傾こうとす
るのを抑えるように働く。
【００２５】また、この発明の請求項７および請求項８
においては、ダイスパッドを支持するダイスパッド吊り
リードの断面を耐圧構造としているので、一体樹脂成形
時に金型のキャビティ内に注入される封止樹脂の不均一
な流れにより生じる応力がダイスパッドに加わり、ダイ
スパッドが傾こうとするのが抑えられる。
【００２６】また、この発明の請求項９および請求項１
０においては、ダイスパッドを支持するダイスパッド吊
りリードのダイスパッドとの接続部を幅広に形成してい
るので、ダイスパッド吊りリード部の剛性が高められ、
一体樹脂成形時に金型のキャビティ内に注入される封止
樹脂の不均一な流れにより生じる応力がダイスパッドに
加わり、ダイスパッドが傾こうとするのが抑えられる。
【００２７】また、この発明の請求項１１においては、
ダイスパッドの下面側に配設された支持部材が、一体樹
脂成形時に金型のキャビティ内に注入される封止樹脂の
不均一な流れにより生じる応力がダイスパッドに加わ
り、傾斜するダイスパッドに当接し、ダイスパッドの傾
きを抑えるように働く。
【００２８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．この実施例１は、この発明の請求項１および
請求項２に係る一実施例である。図１および図２はそれ
ぞれこの発明の実施例１を示す樹脂封止型半導体装置に
用いられるリードフレームのダイスパッドの斜視図およ
び側面図であり、図において図１７乃至図２１に示した
従来の半導体装置と同一または相当部分には同一符号を
付し、その説明を省略する。
【００２９】図において、１１はダイスパッド変位抑制
用突起体としての足であり、この足１１は例えばポリイ
ミド樹脂で直方体形状に形成され、ダイスパッド１の下
面に接着剤１２により４ケ所固着されている。ここで、
足１１の高さは、ダイスパッド１の下面側の封止樹脂５
の厚みとほぼ等しくしている。
【００３０】つぎに、この実施例１における一体樹脂成
形について図３に基づいて説明する。ダイスパッド１上
にＩＣチップ２が搭載されたリードフレームを上・下金
型８、９にセットする。この時、足１１の高さが、ダイ
スパッド１の下面側の封止樹脂５の厚み、すなわちダイ
スパッド１と下金型９との間隙とほぼ等しく形成されて
いるので、足１１の底面が下金型９の内底面に接してい
る。ついで、ゲート１０を介してキャビティ内に硬化前
のエポキシ樹脂を注入する。注入された樹脂のＩＣチッ
プ２上面側とダイスパッド１下面側との流れが不均一で
あると、ＩＣチップ２側からダイスパッド１側に応力が
発生し、ダイスパッド１が下降、傾斜しようとする。し
かし、足１１の底面が下金型９の内底面に接しているの
で、ダイスパッド１の下降、傾斜が阻止される。その結
果、ダイスパッド１の変位が抑制され、封止樹脂５から
ダイスパッド１の露出が防止される。
【００３１】このように実施例１によれば、ダイスパッ
ド１の下面に足１１を配設してリードフレームを構成し
ているので、このリードフレームを用いて、ダイスパッ
ド１上にＩＣチップ２を搭載し、一体樹脂成形して樹脂
封止型半導体装置を作製する際に、一体樹脂成形の樹脂
注入時の応力により発生するダイスパッド１の下降、傾
斜が防止でき、ダイスパッド１の変位を抑えた樹脂封止
型半導体装置を得ることができる。
【００３２】また、樹脂封止型半導体装置のリードフレ
ームのダイスパッド１の下面に足１１を配設しているの
で、例え一体樹脂成形の樹脂注入時に応力が発生して
も、足１１の底面が下金型９の内底面に接してダイスパ
ッド１の下降、傾斜を防止でき、封止樹脂５からのダイ
スパッド１の露出を防止し、半導体装置の信頼性の向上
を図ることができる。
【００３３】ここで、上記実施例１では、封止樹脂５か
ら足１１の底面が露出しているので、足１１は封止樹脂
５と接着性の良好な材料を使用することが望ましい。し
かし、例え足１１と封止樹脂５との界面剥離が生じて
も、ダイスパッド１が封止樹脂５から直接露出していな
いので、封止樹脂５表面からＩＣチップ２までの距離が
長く、境面剥離部から侵入する水分のＩＣチップ２への
到達が阻止される。
【００３４】実施例２．この実施例２は、この発明の請
求項１および請求項２に係る他の実施例である。上記実
施例１では、ダイスパッド１の下面に配設した足１１の
高さをダイスパッド１の下面側の封止樹脂５の厚みとほ
ぼ等しく形成するものとしているが、この実施例２で
は、ダイスパッド１の下面に配設される足１１の高さを
ダイスパッド１の下面側の封止樹脂５の厚みより小さ
く、例えばダイスパッド１の下面側の封止樹脂５の厚み
０．５ｍｍに対して、足１１の高さを０．４ｍｍとする
ものとしている。
【００３５】この実施例２では、リードフレームはその
足１１の底面と下金型９の内底面とが０．１ｍｍの間隙
をもって上・下金型８、９にセットされている。そこ
で、一体樹脂成形する際に注入される樹脂による応力が
作用し、ダイスパッド１が下降、傾斜しても、ダイスパ
ッド１の下降、傾斜とともに足１１が下降、傾斜して、
足１１の底面が下金型９の内底面に当接し、それ以上の
下降、傾斜が阻止されることになる。したがって、上記
実施例１と同様の効果を奏する。
【００３６】実施例３．この実施例３は、この発明の請
求項１および請求項２に係るさらに他の実施例である。
上記実施例１では、足１１をポリイミド樹脂で形成する
ものとしているが、この実施例３では、足１１を封止樹
脂５と同じ材料、この場合エポキシ樹脂で形成するもの
としている。
【００３７】この実施例３では、足１１が封止樹脂５と
同じ材料で構成されているので、一体樹脂成形により足
１１と封止樹脂５とが一体化され、足１１と封止樹脂５
との界面剥離がなく、ダイスパッド１の変位により封止
樹脂５から足１１の一部が露出しても、吸湿性の低下が
なく、信頼性の向上を一層図ることができる。
【００３８】なお、上記実施例１〜３では、ダイスパッ
ド変位抑制用突起体として、直方体形状の足１１をダイ
スパッド１の下面に配設するものとして説明している
が、足１１の形状は直方体に限らず、その高さがダイス
パッド１の下面側の封止樹脂５の厚み以下の高さを有し
ていればよく、例えば多角柱、円柱、円錐台、角錐台、
半球等を用いることができる。
【００３９】また、上記実施例１〜３では、ダイスパッ
ド変位抑制用突起体として、足１１をダイスパッド１の
下面に４ケ所配設するものとして説明しているが、足１
１は１ケ所以上配設していればよい。
【００４０】実施例４．この実施例４は、この発明の請
求項１および請求項２に係るさらに他の実施例である。
図４の（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例４を
示す樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレーム
のダイスパッドの斜視図および側面図であり、図におい
て１３はダイスパッド１に４ケ所設けられたダイスパッ
ド変位抑制用突起体としての足である。
【００４１】上記実施例１では、ダイスパッド変位抑制
用突起体としてポリイミド樹脂からなる直方体の足１１
をダイスパッド１の下面に接着剤１２により固着するも
のとしているが、この実施例４では、リードフレームを
プレス成形する際にダイスパッド１に切り込みを形成
し、下面側に突出するように折り曲げて足１３を形成す
るものとし、上記実施例１の効果に加えて、ダイスパッ
ド変位抑制用突起体をあらたに取り付ける必要もなく、
リードフレームをプレス加工する際に同時に形成でき、
コスト的に安価とすることができる。
【００４２】実施例５．この実施例５は、この発明の請
求項１および請求項２に係るさらに他の実施例である。
【００４３】上記実施例４では、リードフレームをプレ
ス成形する際にダイスパッド１に切り込みを形成し、下
面側に突出するように折り曲げてダイスパッド変位抑制
用突起体としての足１３を形成するものとしているが、
この実施例５では、リードフレームをプレス成形する際
に、図５の（ａ）に示すように、ダイスパッド１の四隅
に片１３ａを形成し、その後片１３ａを下面側に突出す
るように折り曲げて、図５の（ｂ）に示すように、ダイ
スパッド変位抑制用突起体としての足１３を形成するも
のとしている。
【００４４】この実施例５では、足１３を形成する際
に、ＩＣチップ２裏面への耐湿性、耐応力性の低下に影
響する切り込みをダイスパッド１に設ける必要がなく、
上記実施例４に比べて、耐湿性、耐応力性を向上するこ
とができる。
【００４５】なお、ダイスパッド変位抑制用突起体とし
ての足１３は、上記実施例５による設置場所、設置位置
および形状に限らず、ダイスパッド１の下面側に突出す
るように形成されていればよく、例えば、図６の（ａ）
〜（ｅ）に示される足１３を用いることができる。さら
に、ＩＣチップ２の耐湿性を考慮すると、封止樹脂５か
ら露出する面積を小さくすることが好ましく、図６の
（ｄ）、（ｅ）の示すような足１３の先端部を先鋭な形
状とすることが望ましい。
【００４６】実施例６．この実施例６は、この発明の請
求項３および請求項４に係る一実施例である。図７はこ
の発明の実施例６を示す樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームのダイスパッドの平面図、図８はこ
の発明の実施例６に係る樹脂封止型半導体装置における
一体樹脂成形の模式図であり、図において１４はダイス
パッド１の側面から外側に向かって略水平に延設された
ダイスパッド変位抑制用突起片としての突起片である。
【００４７】この実施例６では、リードフレームをプレ
ス成形する際にダイスパッド１の側面から外側に向かっ
て突出する突起片１４を同時に形成している。ここで、
一体樹脂成形する際に、キャビティ内に注入される樹脂
の流れが、ＩＣチップ２の上面側とダイスパッド１の下
面側とで不均一となると、応力が発生する。この応力に
よりダイスパッド吊りリード６が捩れ、ダイスパッド１
がキャビティ内で傾斜する。しかしながら、図８に示す
ように、このダイスパッド１の傾斜により突起片１４の
先端部が上・下金型８、９の内面に当接し、それ以上の
ダイスパッド１の傾斜が阻止される。
【００４８】この場合、耐湿性の点を考慮すると、突起
片１４の先端部の形状を先鋭な形状として、封止樹脂５
からの突起片１４の露出面を小さくすることが好まし
い。
【００４９】この実施例６によれば、ダイスパッド１の
側面から外側に向かって突起片１４が延設されているの
で、一体樹脂成形の際に発生する応力によるダイスパッ
ド１の傾斜が抑制され、封止樹脂５からのダイスパッド
１の露出不良を防止することができる。
【００５０】また、突起片１４はリードフレームをプレ
ス成形する際に同時に形成され、折り曲げ加工も必要が
なく、製造工程が簡素化でき、コスト的にも安価とな
る。
【００５１】実施例７．この実施例７は、この発明の請
求項５および請求項６に係る一実施例である。図９はこ
の発明の実施例７を示す樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームの要部斜視図であり、図において１
５はダイスパッド吊りリード６上に接着剤、はんだ等に
より固着された補強部材としての補強片であり、この補
強片１５は剛性の大きい材料、例えば４２アロイの厚肉
材を用いている。
【００５２】この実施例７では、ダイスパッド吊りリー
ド６上に補強片１５が固着されているので、ダイスパッ
ド吊りリード６の剛性が高められている。したがって、
一体樹脂成形する際に発生する応力がダイスパッド１に
作用しても、ダイスパッド吊りリード６の剛性がダイス
パッド１の下降、傾斜を抑制するように働く。その結
果、一体樹脂成形の際に発生する応力によるダイスパッ
ド１の下降、傾斜量が軽減され、封止樹脂５からのダイ
スパッド１の露出不良を防止できる。
【００５３】実施例８．この実施例８は、この発明の請
求項５および請求項６に係る他の実施例である。上記実
施例７では、ダイスパッド吊りリード６の幅より狭い幅
の補強片１５を用いるものとしているが、この実施例８
では、図１０に示すように、ダイスパッド吊りリード６
の幅と同等の幅の補強片１５を用いるものとし、同様の
効果を奏する。
【００５４】実施例９．この実施例９は、この発明の請
求項５および請求項６に係るさらに他の実施例である。
上記実施例７では、補強部材として補強片１５を４２ア
ロイの厚肉材から構成するものとしているが、この実施
例９では、補強片１５を一体樹脂成形の際の金型温度近
傍でダイスパッド１の変位を抑制する形状となる形状記
憶合金で構成するものとし、同様の効果を奏する。
【００５５】なお、上記実施例９では、補強片１５を形
状記憶合金で構成するものとしているが、ダイスパッド
１を形状記憶合金で構成しても、同様の効果を奏する。
【００５６】実施例１０．この実施例１０は、この発明
の請求項７および請求項８に係る一実施例である。図１
１はこの発明の実施例１０を示す樹脂封止型半導体装置
に用いられるリードフレームのダイスパッド吊りリード
の破断斜視図である。
【００５７】この実施例１０では、ダイスパッド吊りリ
ード６をＬ字状にプレス加工し、ダイスパッド吊りリー
ド６の断面を耐圧構造としている。その結果、ダイスパ
ッド吊りリード６の剛性が高められ、一体樹脂成形の際
に発生する応力によるダイスパッド１の下降、傾斜量が
軽減され、封止樹脂５からのダイスパッド１の露出不良
が防止できる。また、補強片１５等を取り付ける必要が
なく、製造工程が簡素化される。
【００５８】なお、上記実施例１０では、ダイスパッド
吊りリード６をＬ字状にプレス加工するものとしている
が、ダイスパッド吊りリード６はＬ字状に限らず、その
断面が耐圧構造であればよく、例えば図１２の（ａ）〜
（ｃ）に示すように、Ｖ字状、コの字状、Ｕ字状でもよ
い。
【００５９】実施例１１．この実施例１１は、この発明
の請求項９および請求項１０に係る一実施例である。図
１３の（ａ）、（ｂ）は、それぞれこの発明の実施例１
１を示す樹脂封止型半導体装置用いられるリードフレー
ムの要部側面図および平面図である。
【００６０】この実施例１１では、ダイスパッド吊りリ
ード６のダイスパッド１との接続部を幅広に形成し、ダ
イスパッド吊りリード６の剛性を高めている。特に、ダ
イスパッド沈め部６ａはダイスパッド吊りリード６のダ
イスパッド１との接続部をプレスで押して形成されるた
め、その接続部の強度が弱くなり易い。しかし、その接
続部が幅広に形成されているので、ダイスパッド沈め部
６ａの形成における強度の低下が抑えられる。
【００６１】この実施例１１によれば、ダイスパッド吊
りリード６のダイスパッド１との接続部を幅広に形成し
ているので、その接続部の剛性が高められ、一体樹脂成
形の際に発生する応力によるダイスパッド１の下降、傾
斜量が抑えられ、封止樹脂５からのダイスパッド１の露
出不良が防止できる。また、補強片１５等を取り付ける
必要がなく、製造工程が簡素化され、コスト的に安価と
なる。
【００６２】なお、上記実施例１１では、ダイスパッド
吊りリード６のダイスパッド１との接続部を幅広に形成
するものとしているが、その形状は図１３に示す形状に
限らず、例えば図１４の（ａ）〜（ｃ）に示す形状であ
ってもよい。
【００６３】実施例１２．この実施例１２は、この発明
の請求項１１に係る一実施例である。図１５の（ａ）、
（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例１２を示す樹脂封止
型半導体装置における一体樹脂封止時の下金型部の分解
斜視図および斜視図であり、図において１６は一体樹脂
成形の際にダイスパッド１の変位を抑制する支持部材と
しての支持体であり、この支持体１６は例えばポリイミ
ド樹脂からなり、厚みの薄い直方体に構成されている。
【００６４】この実施例１２では、一体樹脂成形する際
に、図１５の（ｂ）に示すように支持体１６を下金型９
内に配設し、その後ダイスパッド１上にＩＣチップ２が
搭載されたリードフレームを上・下金型８、９にセット
し、樹脂を注入硬化させる。上・下金型８、９から取り
出した半導体装置は、図１６の（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、ダイスパッド１の下面側に支持体１６が位置して
封止樹脂５でモールディングされ、１本の支持体１６に
複数個の半導体装置が連設されている。そこで、封止樹
脂５から突出している支持体１６部分を切断して、各半
導体装置に分離している。
【００６５】この実施例１２によれば、一体樹脂成形の
際に発生する応力によりダイスパッド１が下降、傾斜す
るが、ダイスパッド１の下面側に配設されている支持体
１６にダイスパッド１が当接し、それ以上の下降、傾斜
が阻止され、封止樹脂５からのダイスパッド１の露出不
良が防止できる。
【００６６】実施例１３．この実施例１３は、この発明
の請求項１１に係る他の実施例である。上記実施例１２
では、支持体１６をポリイミド樹脂で構成するものとし
ているが、この実施例１３では、支持体１６を封止樹脂
５であるエポキシ樹脂で構成するものとし、封止樹脂５
と支持体１６との一体化を図り、封止樹脂５と支持体１
６との界面剥離を抑え、耐湿性を一層向上することがで
きる。
【００６７】実施例１４．この実施例１４は、この発明
の請求項１１に係るさらに他の実施例である。上記実施
例１２では、支持体１６を下金型９の複数のキャビティ
に連続して設置するものとしているが、この実施例１４
では、支持体１６を下金型９の各キャビティ毎に分離し
て設置するものとし、支持体１６の切断作業を省略し
て、生産性を向上することができる。
【００６８】なお、上記各実施例では、リードフレーム
をプレス成形するものとして説明しているが、リードフ
レームをエッチングにより形成するものとしても、同様
の効果を奏する。
【００６９】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００７０】この発明の請求項１に係る樹脂封止型半導
体装置は、リードフレームのダイスパッドの上面に半導
体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体
装置において、ダイスパッドにその下面側に突出するよ
うにダイスパッド変位抑制用突起体を配設しているの
で、一体樹脂成形におけるダイスパッドの変位が抑えら
れ、封止樹脂からのダイスパッドの露出が防止でき、封
止歩留まりを向上できるとともに、信頼性を向上するこ
とができる。
【００７１】また、この発明の請求項２に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドはその下面側に突出するように配設されたダイスパッ
ド変位抑制用突起体を備えているので、樹脂封止型半導
体装置を製造する際の一体樹脂成形におけるダイスパッ
ドの変位を抑えることができる。
【００７２】また、この発明の請求項３に係る樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上面
に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型
半導体装置において、ダイスパッドの側面から外側に向
かって略水平にダイスパッド変位抑制用突起片を延設し
ているので、この発明の請求項１に係る発明の効果に加
え、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００７３】また、この発明の請求項４に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドはその側面から外側に向かって略水平に延設されたダ
イスパッド変位抑制用突起片を備えているので、この発
明の請求項２に係る発明の効果に加え、製造工程の簡素
化を図ることができる。
【００７４】また、この発明の請求項５に係る半導体装
置は、リードフレームのダイスパッドの上面に半導体素
子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体装置
において、ダイスパッドを支持するダイスパッド吊りリ
ードに補強部材を配設しているので、ダイスパッド吊り
リードの剛性が高められ、一体樹脂成形におけるダイス
パッドの変位が抑えられ、封止樹脂からのダイスパッド
の露出が防止でき、封止歩留まりを向上できるととも
に、信頼性を向上することができる。
【００７５】また、この発明の請求項６に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドを支持するダイスパッド吊りリードに配設された補強
部材を備えているので、ダイスパッド吊りリードの剛性
が高められ、樹脂封止型半導体装置を製造する際の一体
樹脂成形におけるダイスパッドの変位を抑えることがで
きる。
【００７６】また、この発明の請求項７に係る樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上面
に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型
半導体装置において、ダイスパッドを支持するダイスパ
ッド吊りリードの断面を耐圧構造としているので、この
発明の請求項５に係る発明の効果に加え、製造工程の簡
素化を図ることができる。
【００７７】また、この発明の請求項８に係る樹脂封止
型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッドの
上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封
止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパッ
ドを支持するダイスパッド吊りリードの断面を耐圧構造
としているので、この発明の請求項６に係る発明の効果
に加え、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００７８】また、この発明の請求項９に係る樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上面
に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型
半導体装置において、ダイスパッドを支持するダイスパ
ッド吊りリードのダイスパッドとの接続部を幅広に形成
しているので、この発明の請求項５に係る発明の効果に
加え、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００７９】また、この発明の請求項１０に係る樹脂封
止型半導体装置のリードフレームは、そのダイスパッド
の上面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂
封止型半導体装置のリードフレームにおいて、ダイスパ
ッドを支持するダイスパッド吊りリードのダイスパッド
との接続部を幅広に形成しているので、この発明の請求
項６に係る発明の効果に加え、製造工程の簡素化を図る
ことができる。
【００８０】また、この発明の請求項１１に係る樹脂封
止型半導体装置は、リードフレームのダイスパッドの上
面に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止
型半導体装置において、一体樹脂成形の際にダイスパッ
ドの変位を抑制する支持部材をダイスパッドの下面側に
配設しているので、この発明の請求項１に係る発明と同
様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１を示す樹脂封止型半導体装
置に用いられるリードフレームのダイスパッドの斜視図
である。
【図２】この発明の実施例１を示す樹脂封止型半導体装
置に用いられるリードフレームのダイスパッドの側面図
である。
【図３】この発明の実施例１を示す樹脂封止型半導体装
置における樹脂封止を説明する断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例４
を示す樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレー
ムのダイスパッドの斜視図および側面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例５
を示す樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレー
ムのダイスパッドのプレス成形状態の平面図および折り
曲げ加工後の斜視図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれこの発明の実施例５
の実施対応を示す樹脂封止型半導体装置に用いられるリ
ードフレームのダイスパッドの斜視図である。
【図７】この発明の実施例６を示す樹脂封止型半導体装
置に用いられるリードフレームのダイスパッドの平面図
である。
【図８】この発明の実施例６を示す樹脂封止型半導体装
置における一体樹脂成形の模式図である。
【図９】この発明の実施例７を示す樹脂封止型半導体装
置に用いられるリードフレームの要部斜視図である。
【図１０】この発明の実施例８を示す樹脂封止型半導体
装置に用いられるリードフレームの要部斜視図である。
【図１１】この発明の実施例１０を示す樹脂封止型半導
体装置に用いられるリードフレームのダイスパッド吊り
リードの破断斜視図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれこの発明の実施例
１０の実施対応を示す樹脂封止型半導体装置に用いられ
るリードフレームのダイスパッド吊りリードの破断斜視
図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例
１１を示す樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフ
レームの要部側面図および平面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれこの発明の実施例
１１の実施対応を示す樹脂封止型半導体装置に用いられ
るリードフレームの要部平面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例
１２を示す樹脂封止型半導体装置における一体樹脂成形
時の下金型部の分解斜視図および斜視図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の実施例
１２を示す樹脂封止型半導体装置の縦断面図および横断
面図である。
【図１７】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断
面図である。
【図１８】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止前の
状態を示す上面図である。
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置における一体樹
脂成形工程を説明する断面図である。
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の他の例を示す
断面図である。
【図２１】従来の樹脂封止型半導体装置における一体樹
脂成形工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
１ ダイスパッド（リードフレーム） ２ ＩＣチップ（半導体素子） ３ 内部リード（リードフレーム） ５ 封止樹脂 ６ ダイスパッド吊りリード（リードフレーム） ７ フレーム（リードフレーム） １１ 足（ダイスパッド変位抑制用突起体） １３ 足（ダイスパッド変位抑制用突起体） １４ 突起片（ダイスパッド変位抑制用突起片） １５ 補強片（補強部材） １６ 支持体（支持部材）

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームのダイスパッドの上面に
    半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半
    導体装置において、前記ダイスパッドにその下面側に突
    出するようにダイスパッド変位抑制用突起体を配設した
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 そのダイスパッドの上面に半導体素子を
    搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体装置のリ
    ードフレームにおいて、前記ダイスパッドはその下面側
    に突出するように配設されたダイスパッド変位抑制用突
    起体を備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置のリードフレーム。
  3. 【請求項３】 リードフレームのダイスパッドの上面に
    半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半
    導体装置において、前記ダイスパッドの側面から外側に
    向かって略水平にダイスパッド変位抑制用突起片を延設
    したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 そのダイスパッドの上面に半導体素子を
    搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体装置のリ
    ードフレームにおいて、前記ダイスパッドはその側面か
    ら外側に向かって略水平に延設されたダイスパッド変位
    抑制用突起片を備えていることを特徴とする樹脂封止型
    半導体装置のリードフレーム。
  5. 【請求項５】 リードフレームのダイスパッドの上面に
    半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半
    導体装置において、前記ダイスパッドを支持するダイス
    パッド吊りリードに補強部材を配設したことを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 そのダイスパッドの上面に半導体素子を
    搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体装置のリ
    ードフレームにおいて、前記ダイスパッドを支持するダ
    イスパッド吊りリードに配設された補強部材を備えてい
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  7. 【請求項７】 リードフレームのダイスパッドの上面に
    半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半
    導体装置において、前記ダイスパッドを支持するダイス
    パッド吊りリードの断面を耐圧構造としたことを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
  8. 【請求項８】 そのダイスパッドの上面に半導体素子を
    搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体装置のリ
    ードフレームにおいて、前記ダイスパッドを支持するダ
    イスパッド吊りリードの断面を耐圧構造としたことを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置。
  9. 【請求項９】 リードフレームのダイスパッドの上面に
    半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半
    導体装置において、前記ダイスパッドを支持するダイス
    パッド吊りリードの前記ダイスパッドとの接続部を幅広
    に形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  10. 【請求項１０】 そのダイスパッドの上面に半導体素子
    を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型半導体装置の
    リードフレームにおいて、前記ダイスパッドを支持する
    ダイスパッド吊りリードの前記ダイスパッドとの接続部
    を幅広に形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
  11. 【請求項１１】 リードフレームのダイスパッドの上面
    に半導体素子を搭載し、一体樹脂成形された樹脂封止型
    半導体装置において、一体樹脂成形の際に前記ダイスパ
    ッドの変位を抑制する支持部材を前記ダイスパッドの下
    面側に配設したことを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
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