JPS61102040A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS61102040A JPS61102040A JP22434384A JP22434384A JPS61102040A JP S61102040 A JPS61102040 A JP S61102040A JP 22434384 A JP22434384 A JP 22434384A JP 22434384 A JP22434384 A JP 22434384A JP S61102040 A JPS61102040 A JP S61102040A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パワートランジスタ、電力用ダイオード等の
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
電力用樹脂封止製半導体装置において、半導体チップが
固着された支持板の裏面にも成形樹脂層を形成すれば、
半導体装置を外部放熱体に取付ける際に従来使用してい
た絶縁薄板が不要になる。
固着された支持板の裏面にも成形樹脂層を形成すれば、
半導体装置を外部放熱体に取付ける際に従来使用してい
た絶縁薄板が不要になる。
しかし、この構造では、支持板裏面に形成される成形樹
脂層が数百μｍという薄いものであるため。
脂層が数百μｍという薄いものであるため。
この成形樹脂層が支持板から剥離してしまうことがある
。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半導体装置がオン・
オフ動作を繰り返すことによる熱ストレスに基づ（もの
と考えられる。上記剥離が生じると、機械的強度の低下
はもとより、放熱特性や絶縁性の低下などの不都合が起
る。
。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半導体装置がオン・
オフ動作を繰り返すことによる熱ストレスに基づ（もの
と考えられる。上記剥離が生じると、機械的強度の低下
はもとより、放熱特性や絶縁性の低下などの不都合が起
る。
樹脂の剥離を防止するために、樹脂な被着させる面に凹
凸や溝を設けることは公知である。この種の公知技術を
リードフレームに適用することも例えば実開昭５７−１
７５４４８号公報で知られている。
凸や溝を設けることは公知である。この種の公知技術を
リードフレームに適用することも例えば実開昭５７−１
７５４４８号公報で知られている。
ところで、リードフレームのチップ支持板に単に溝又は
凹凸を形成しても、支持板裏面の表面積を例えば２０％
程度増加させることが出来るのみであり、支持板裏面の
平面性を損わずに表面積を大幅に増大させることは困難
であった。また、支持板裏面と金型との間隔が小さい場
合に、この間 １隔を正確に保ちつつ樹脂を良好に注
入することには困難を伴なった。そこで、本発明の目的
は、支持板の裏面に薄い樹脂層を容易且つ良好に形成す
ること−が出来る樹脂封止型半導体装置の製造方法を提
供することにある。
凹凸を形成しても、支持板裏面の表面積を例えば２０％
程度増加させることが出来るのみであり、支持板裏面の
平面性を損わずに表面積を大幅に増大させることは困難
であった。また、支持板裏面と金型との間隔が小さい場
合に、この間 １隔を正確に保ちつつ樹脂を良好に注
入することには困難を伴なった。そこで、本発明の目的
は、支持板の裏面に薄い樹脂層を容易且つ良好に形成す
ること−が出来る樹脂封止型半導体装置の製造方法を提
供することにある。
上記目的ケ達成するだめの本発明は、放熱機能及び電気
伝導機能を有するように形成された支持板と、前記支持
板の一方の主表面上に固着された半導体チップと、前記
支持板の一端に連結された支持板接続用外部リードと、
前記半導体チップに接続された少なくとも１本のチップ
接続用外部リードと、前記支持板接続用及びチップ接続
用外部リードの支持板側の一部、前記半導体チップ及び
前記支持板を被稜する成形樹脂体とを含み、前記成形樹
脂体が前記支持板の他方の主表面側にも薄く形成されて
いる半導体装置の製造方法において、前記支持板の他方
の主表面に帯状の粗面が形成され、この帯状の粗面が所
定方向に沿って延びているリードフレームを用意する工
程と、前記支持板に前記半導体チップを固着し、前記チ
ップ接続用外部リードを内部リードを介して又は介さず
に前記半導体チップに接続してチップ・リードフレーム
組豆体を形成する工程と、前記チップ・リードフレーム
組豆体を成形用型に装着し、前記帯状の粗面が延びる方
向が樹脂の主たる流動方向となるように前記型内の成形
空所に液状樹脂を注入して前記成形樹脂体を得る工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に係わ
るものである。
伝導機能を有するように形成された支持板と、前記支持
板の一方の主表面上に固着された半導体チップと、前記
支持板の一端に連結された支持板接続用外部リードと、
前記半導体チップに接続された少なくとも１本のチップ
接続用外部リードと、前記支持板接続用及びチップ接続
用外部リードの支持板側の一部、前記半導体チップ及び
前記支持板を被稜する成形樹脂体とを含み、前記成形樹
脂体が前記支持板の他方の主表面側にも薄く形成されて
いる半導体装置の製造方法において、前記支持板の他方
の主表面に帯状の粗面が形成され、この帯状の粗面が所
定方向に沿って延びているリードフレームを用意する工
程と、前記支持板に前記半導体チップを固着し、前記チ
ップ接続用外部リードを内部リードを介して又は介さず
に前記半導体チップに接続してチップ・リードフレーム
組豆体を形成する工程と、前記チップ・リードフレーム
組豆体を成形用型に装着し、前記帯状の粗面が延びる方
向が樹脂の主たる流動方向となるように前記型内の成形
空所に液状樹脂を注入して前記成形樹脂体を得る工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に係わ
るものである。
上記発明において、支持板の他方の主表面（裏面）は粗
面を有しているので、表面積が大幅に増太し、樹脂の剥
離が生じに（くなる。また、帯状の粗面が延びる方向に
樹脂が流れるように樹脂を注入するので、樹脂層が支持
板の他方の主表面の全部に良好に充てんされる。
面を有しているので、表面積が大幅に増太し、樹脂の剥
離が生じに（くなる。また、帯状の粗面が延びる方向に
樹脂が流れるように樹脂を注入するので、樹脂層が支持
板の他方の主表面の全部に良好に充てんされる。
次に、第１図〜第８図を参照して本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型パワートランジスタの製造方法について述
べる。
る樹脂封止型パワートランジスタの製造方法について述
べる。
リードフレーム（１）を示す第１図において、（２）は
Ｎｆ被覆Ｃり板から成る支持板、（４）は支持板（２１
の一端に連結された支持板接続用外部リード、（３１（
５１はチップ接続用外部リード、（６）は外部リードを
橋絡するタイバー、（７）は外部リード端を連結する共
通接続細条、（８）は成形樹脂体に取付孔を形成するた
めのＵ字状切欠部である。第１図にはトランジスタ１個
分のリードフレーム（１）が示されているが、実際には
多数個（例えば１０個）分が並列配置されている。支持
板（２）の一方の主表面（２ａ）上にはパワートランジ
スタチップ（９）が半田（図示せず）で固着されている
。チップ（９）は、上面にベース電極及びエミッタ電極
を有し、下面にコレクタ電極を有する。従って、コレク
タ電極が支持板（２）に接続されている。チップ（９）
のペース電極と外部リード（３）の間、及びチップ（９
）のエミッタ電極と外部り一ド（５）の間は、それぞれ
Ａ１線から成る内部リードαααυで接続されている。
Ｎｆ被覆Ｃり板から成る支持板、（４）は支持板（２１
の一端に連結された支持板接続用外部リード、（３１（
５１はチップ接続用外部リード、（６）は外部リードを
橋絡するタイバー、（７）は外部リード端を連結する共
通接続細条、（８）は成形樹脂体に取付孔を形成するた
めのＵ字状切欠部である。第１図にはトランジスタ１個
分のリードフレーム（１）が示されているが、実際には
多数個（例えば１０個）分が並列配置されている。支持
板（２）の一方の主表面（２ａ）上にはパワートランジ
スタチップ（９）が半田（図示せず）で固着されている
。チップ（９）は、上面にベース電極及びエミッタ電極
を有し、下面にコレクタ電極を有する。従って、コレク
タ電極が支持板（２）に接続されている。チップ（９）
のペース電極と外部リード（３）の間、及びチップ（９
）のエミッタ電極と外部り一ド（５）の間は、それぞれ
Ａ１線から成る内部リードαααυで接続されている。
αりはジャンクションコーティングレジンと呼ばれる例
えばシリ；ン樹脂からなる保護用樹脂で、チップ（９）
を被覆及び保護して ）いる。
えばシリ；ン樹脂からなる保護用樹脂で、チップ（９）
を被覆及び保護して ）いる。
支持板（２）の裏面即ち他方の主表面（２ｂ）には第２
図に示す如く帯状に粗面α３が設けられている。この粗
面（１３の形成は、リードフレーム（１）Ｋチップ（９
）を接着する前はなされている。即ち、粗面αＪの形成
は、板状部材からリードフレーム（１）を製作する工程
において、ラッピングパウダーをスプレー銃を用いて高
圧エアーで支持板（２）の裏面部分に吹き付けることに
よって行う。従って、粗面ａ３を形成することにより、
支持板（２１の平面性が損われることは殆んどない。粗
面（１３は第３図に示す如く微細な略半球状の多数の凹
部と凸部とを有する梨地面である。粗面α〜は、支持板
（２）の他方の主表面（２ｂ）の全部に形成されておら
ず、外部リード（３）〜（５）及び支持板（２）が延び
ている方向に沿って帯状に形成され、これ等の相互間に
平滑面α□□□が存在している。
図に示す如く帯状に粗面α３が設けられている。この粗
面（１３の形成は、リードフレーム（１）Ｋチップ（９
）を接着する前はなされている。即ち、粗面αＪの形成
は、板状部材からリードフレーム（１）を製作する工程
において、ラッピングパウダーをスプレー銃を用いて高
圧エアーで支持板（２）の裏面部分に吹き付けることに
よって行う。従って、粗面ａ３を形成することにより、
支持板（２１の平面性が損われることは殆んどない。粗
面（１３は第３図に示す如く微細な略半球状の多数の凹
部と凸部とを有する梨地面である。粗面α〜は、支持板
（２）の他方の主表面（２ｂ）の全部に形成されておら
ず、外部リード（３）〜（５）及び支持板（２）が延び
ている方向に沿って帯状に形成され、これ等の相互間に
平滑面α□□□が存在している。
第１図に示すチップ・リードフレーム組立体が得られた
ら、次に、第４図及び第５図に示す如（、上部金製α９
と下部金型（１６１とによって生じる成形空所αＤ内に
チップα９、支持板（２）、及び外部リード（３）〜（
５）の一部を配置し、外部リード（３）〜（５１を上下
の金！ 霞（１６１で挾持する。支持板（２）は金型（
１５１αｅによって片持ち梁状態に支持されているので
、その他方の主表面（２ｂ）と下部側Ｉｅとの間に１ｍ
ｍ以内（例えば約Ｑ、４ｍｍ）の間隔が生じている。（
１５ａ）は円筒状ピンであり、上部金Ｗａ９下方に延び
て支持板（２）の一方の主表面（２ａ）に当接している
。従って、支持板（２）の上限位置はピン（１５ａ）に
よつ【決まる。なお、支持板（２）の先端は第１図から
明らかな如く二叉に分かれているので、ピン（１５ａ）
も２本設けられている。（１５ｂ）は取付孔を得るため
の円筒状ピンであり、上部金星α９から下方に延びて下
部金型αｅに当接している。（１５ｃ）は樹脂の流れを
制御するための突出部であり、上部金Ｗ（Ｉｓから下方
に突出している。この突出部（１５ｃ）の先端と支持板
（２）との間隔は、ピン（１５ｂ）の近傍における支持
板（２）と金屋霞との間隔よりも小であるので、樹脂の
流れがここで制限される。α秒は樹脂注入孔であり、こ
の例では、外部リード（３）〜（５）の導出側と反対側
に設けられている。
ら、次に、第４図及び第５図に示す如（、上部金製α９
と下部金型（１６１とによって生じる成形空所αＤ内に
チップα９、支持板（２）、及び外部リード（３）〜（
５）の一部を配置し、外部リード（３）〜（５１を上下
の金！ 霞（１６１で挾持する。支持板（２）は金型（
１５１αｅによって片持ち梁状態に支持されているので
、その他方の主表面（２ｂ）と下部側Ｉｅとの間に１ｍ
ｍ以内（例えば約Ｑ、４ｍｍ）の間隔が生じている。（
１５ａ）は円筒状ピンであり、上部金Ｗａ９下方に延び
て支持板（２）の一方の主表面（２ａ）に当接している
。従って、支持板（２）の上限位置はピン（１５ａ）に
よつ【決まる。なお、支持板（２）の先端は第１図から
明らかな如く二叉に分かれているので、ピン（１５ａ）
も２本設けられている。（１５ｂ）は取付孔を得るため
の円筒状ピンであり、上部金星α９から下方に延びて下
部金型αｅに当接している。（１５ｃ）は樹脂の流れを
制御するための突出部であり、上部金Ｗ（Ｉｓから下方
に突出している。この突出部（１５ｃ）の先端と支持板
（２）との間隔は、ピン（１５ｂ）の近傍における支持
板（２）と金屋霞との間隔よりも小であるので、樹脂の
流れがここで制限される。α秒は樹脂注入孔であり、こ
の例では、外部リード（３）〜（５）の導出側と反対側
に設けられている。
次に、公知のトラップァそ−ルビ法に基づいて、加熱さ
れて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂を注入孔αｅ
を通して空所α６１Ｋ圧入・充てんする。
れて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂を注入孔αｅ
を通して空所α６１Ｋ圧入・充てんする。
注入孔αＳは粗面αＪおよび平滑面α委が帯状に延びる
方向と同じ方向に延びる孔であるため、樹脂の主たる流
動方向は粗面住３および平滑面Ｉが帯状に延びる方向と
一致する。金型α５（Ｉｅはこの樹脂の熱硬化可能温度
例えば１ＢＯｒに加熱されており、圧入・充てんされた
樹脂は短時間（数分以内）の内に熱硬化し、第６図及び
第７図に示す如（成形横脂体０が形成される。しかる後
、金型α５１αｅの型締めを解いて、リードフレームを
金型（Ｌ９αｅから取り外し、成形樹脂体ａ！Ｊを完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行い令その
後タイバー（６）と共通接続細条（７）をプレス加工で
切断除去して、第８図に示すパワートランジスタを完成
させる。第８図において、（２［］■Ｄはピン（１５ａ
） Ｋ対応して形成された凹部、（２つは突出部（１５
ｃ）に対応して形成された溝状の凹部で・ある。（ハ）
は、ピン（１５ｂ）に対応するもので、このパワートラ
ンジスタを外部放熱 １体等に取付けるときにネジを
通すための取付孔である。
方向と同じ方向に延びる孔であるため、樹脂の主たる流
動方向は粗面住３および平滑面Ｉが帯状に延びる方向と
一致する。金型α５（Ｉｅはこの樹脂の熱硬化可能温度
例えば１ＢＯｒに加熱されており、圧入・充てんされた
樹脂は短時間（数分以内）の内に熱硬化し、第６図及び
第７図に示す如（成形横脂体０が形成される。しかる後
、金型α５１αｅの型締めを解いて、リードフレームを
金型（Ｌ９αｅから取り外し、成形樹脂体ａ！Ｊを完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行い令その
後タイバー（６）と共通接続細条（７）をプレス加工で
切断除去して、第８図に示すパワートランジスタを完成
させる。第８図において、（２［］■Ｄはピン（１５ａ
） Ｋ対応して形成された凹部、（２つは突出部（１５
ｃ）に対応して形成された溝状の凹部で・ある。（ハ）
は、ピン（１５ｂ）に対応するもので、このパワートラ
ンジスタを外部放熱 １体等に取付けるときにネジを
通すための取付孔である。
この実施例には次の作用効果がある。
（ａ） 粗面住３を形成したことにより、支持板（２
）の裏面の表面積が大きく増加し、支持板（２）の裏面
にである。と仮定すると、粗面の場合の表面積と平滑面
の場合の表面積との比は、２π％ ／πｒ２＝２となる
。即ち、平滑面を粗面とすることにより、表面積を約２
倍（１００％増加）にすることが出支持板（２）の裏面
全体が平滑面であったときに比べて、それぞれ３３％、
５０％、６７％の増加となる。これは、前記公開公報の
発明の実施例における２０％増加という数値例を大きく
上回わるものである。
）の裏面の表面積が大きく増加し、支持板（２）の裏面
にである。と仮定すると、粗面の場合の表面積と平滑面
の場合の表面積との比は、２π％ ／πｒ２＝２となる
。即ち、平滑面を粗面とすることにより、表面積を約２
倍（１００％増加）にすることが出支持板（２）の裏面
全体が平滑面であったときに比べて、それぞれ３３％、
５０％、６７％の増加となる。これは、前記公開公報の
発明の実施例における２０％増加という数値例を大きく
上回わるものである。
（ｂ） 支持板（２）の裏面側において、樹脂の充て
ん圧力の不足や樹脂の未充てんが起らない。従って、こ
の部分の樹脂にピンホール様のものが発生して絶縁耐圧
の低い樹脂層が形成されたり、明らかな未充てん部分が
生じることがない。即ち、粗面Ｑ３は支持板（２）の裏
面と金を住ｅの間の高さ０．４ｍｍという狭い空間に流
れ込もうとする粘液状の樹脂に対してその流動性を妨げ
るように作用してしまう。
ん圧力の不足や樹脂の未充てんが起らない。従って、こ
の部分の樹脂にピンホール様のものが発生して絶縁耐圧
の低い樹脂層が形成されたり、明らかな未充てん部分が
生じることがない。即ち、粗面Ｑ３は支持板（２）の裏
面と金を住ｅの間の高さ０．４ｍｍという狭い空間に流
れ込もうとする粘液状の樹脂に対してその流動性を妨げ
るように作用してしまう。
このため、支持板（２）の裏面全体を粗面としてしまう
と、樹脂注入時に問題が発生し易い。しかし本発明では
、帯状の平滑面α４を樹脂の主たる流動方向に沿って設
けているので、この平滑面（１４１が、樹脂の未充てん
等が起こり易い支持板（２）の右端側（外部リード側）
への樹脂の流動を促進し、樹脂注人が良好に達成される
。なお、金型の仕切状突出部（１５ｃ）は、支持板（２
）の上面側の広い空間への樹脂の流れを抑制し、支持板
（２）の裏面側の狭い空間への樹脂の流れを増強し、支
持板（２）の上面側と裏面側での樹脂の流れのバランス
を取る。これにより、支持板（２）の上面側を流れる樹
脂と裏面側を流れる樹脂とが支持板（２）の右側部近傍
（外部リード導出側）でぶつかるようになり、樹脂が良
好に充てんされる。本実施例では、粗面（１３を帯状に
形成する事と突出部（１５ｃ）を設ける事とが組み合わ
されているので、支持板（２）の裏面側に樹脂層を良好
に形成することが出来る。
と、樹脂注入時に問題が発生し易い。しかし本発明では
、帯状の平滑面α４を樹脂の主たる流動方向に沿って設
けているので、この平滑面（１４１が、樹脂の未充てん
等が起こり易い支持板（２）の右端側（外部リード側）
への樹脂の流動を促進し、樹脂注人が良好に達成される
。なお、金型の仕切状突出部（１５ｃ）は、支持板（２
）の上面側の広い空間への樹脂の流れを抑制し、支持板
（２）の裏面側の狭い空間への樹脂の流れを増強し、支
持板（２）の上面側と裏面側での樹脂の流れのバランス
を取る。これにより、支持板（２）の上面側を流れる樹
脂と裏面側を流れる樹脂とが支持板（２）の右側部近傍
（外部リード導出側）でぶつかるようになり、樹脂が良
好に充てんされる。本実施例では、粗面（１３を帯状に
形成する事と突出部（１５ｃ）を設ける事とが組み合わ
されているので、支持板（２）の裏面側に樹脂層を良好
に形成することが出来る。
（Ｃ） 突出部（１５ｃ）を設けて上側での樹脂の流
れを制限すると、樹脂が支持板（２）を下から上に押し
上げるように作用するが、ピン（１５ａ）が設けられて
いるので、支持板（２）の上下方向の位置をはぼ一定国
保つことが出来る。
れを制限すると、樹脂が支持板（２）を下から上に押し
上げるように作用するが、ピン（１５ａ）が設けられて
いるので、支持板（２）の上下方向の位置をはぼ一定国
保つことが出来る。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
、次の変形例が可能なものである。
、次の変形例が可能なものである。
（イ）粗面Ｑ３を第９図に示す如く分布させてもよい。
この例では、支持板（２）が延びる方向に直交する方向
にも樹脂が流れるように第２図では１続きであった帯状
粗面α３が分断されている。この第９図では、支持板（
２）の外部リード導出側の端の全部に粗面α四が設けら
れているが、これは、この部分近傍まで樹脂が順調に注
入すれば、問題が生じないからである。粗面０を第１０
図に示す如く形成してもよい。第１０図では支持板（２
）の凹部（８）側端部へ樹脂が流入し始める時期の流動
性を重視し、且つ粗面（１３の面積を大きくとるために
、粗面（１３が支持板（２）の外部リード側に行くにつ
れて幅広になっている。
にも樹脂が流れるように第２図では１続きであった帯状
粗面α３が分断されている。この第９図では、支持板（
２）の外部リード導出側の端の全部に粗面α四が設けら
れているが、これは、この部分近傍まで樹脂が順調に注
入すれば、問題が生じないからである。粗面０を第１０
図に示す如く形成してもよい。第１０図では支持板（２
）の凹部（８）側端部へ樹脂が流入し始める時期の流動
性を重視し、且つ粗面（１３の面積を大きくとるために
、粗面（１３が支持板（２）の外部リード側に行くにつ
れて幅広になっている。
（ロ）支持板（２）が完全に露出しない製品を希望する
場合には、凹部■圓に樹脂を注入してもよい。
場合には、凹部■圓に樹脂を注入してもよい。
また、支持板（２）の金型のピン（１５ａ）と当接する
部分にあらかじめポリイミド系樹脂層のような絶縁層を
形成しておき、この絶縁層の上から、ビン（１５ａ）で
支持板（２）を挾持して、支持板（２）が完全に絶縁物
で被覆された半導体装置を得挺もよい。
部分にあらかじめポリイミド系樹脂層のような絶縁層を
形成しておき、この絶縁層の上から、ビン（１５ａ）で
支持板（２）を挾持して、支持板（２）が完全に絶縁物
で被覆された半導体装置を得挺もよい。
（／→ 支持板（２）の上下方向の位置ずれを防ぐため
に、ピン（１５ａ）に対向するビンを下部金型ｌＱに設
け、支持板（２）を挾持するようにしてもよい。また、
支持板（２］の先端から細条を引き出し、この細条を金
型αＳαＱで挾持することによって支持板（２）の位置
決めを行ってもよい。また、ビン（１５ａ）を省いた構
成としてもよい。
に、ピン（１５ａ）に対向するビンを下部金型ｌＱに設
け、支持板（２）を挾持するようにしてもよい。また、
支持板（２］の先端から細条を引き出し、この細条を金
型αＳαＱで挾持することによって支持板（２）の位置
決めを行ってもよい。また、ビン（１５ａ）を省いた構
成としてもよい。
上述から明らかな如く、本発明では、支持板の他方の主
表面に粗面を帯状に設け、この帯状粗面の延びる方向が
樹脂の主たる流れの方向となるようにしたので、剥離し
にくい成形樹脂層を支持板の他方の主表面側に良好に形
成することが出来る。
表面に粗面を帯状に設け、この帯状粗面の延びる方向が
樹脂の主たる流れの方向となるようにしたので、剥離し
にくい成形樹脂層を支持板の他方の主表面側に良好に形
成することが出来る。
第１図は本発明め実施例に係わるパワートランジスタの
リードフレームにチップを接着し、内部リードを接続し
た状態を示す斜視図、第２図は第１図のリードフレーム
の裏面側を示す底面図、第３図は支持板の一部拡大断面
図、第４図は金型に第１図のリードフレームを収容した
状態を外部リード（４）に沿う断面で示す断面図、第５
図は金型とリードフレームを外部リード（５）に沿う断
面で示す断面図、第６図及び第７図は第４図及び第５図
の空所に樹脂体を設けた状態を示す断面図、第８図は完
成したトランジスタの斜視図、第９図及び第１Ｏ図は変
形例のリードフレームの底面図である。 （１）・・・リードフレーム、（２）・・・支持板、（
３１（５１・・・チップ接続用外部リード、（４）・・
・支持板接続用外部＋７−ド、（９）・・・チップ、α
ｌ（ｔυ・・・内部リード、α３・・・粗面、α４・・
・平滑面、（Ｌη・・・成形空所、（Ｌ９・・・成形樹
脂体。
リードフレームにチップを接着し、内部リードを接続し
た状態を示す斜視図、第２図は第１図のリードフレーム
の裏面側を示す底面図、第３図は支持板の一部拡大断面
図、第４図は金型に第１図のリードフレームを収容した
状態を外部リード（４）に沿う断面で示す断面図、第５
図は金型とリードフレームを外部リード（５）に沿う断
面で示す断面図、第６図及び第７図は第４図及び第５図
の空所に樹脂体を設けた状態を示す断面図、第８図は完
成したトランジスタの斜視図、第９図及び第１Ｏ図は変
形例のリードフレームの底面図である。 （１）・・・リードフレーム、（２）・・・支持板、（
３１（５１・・・チップ接続用外部リード、（４）・・
・支持板接続用外部＋７−ド、（９）・・・チップ、α
ｌ（ｔυ・・・内部リード、α３・・・粗面、α４・・
・平滑面、（Ｌη・・・成形空所、（Ｌ９・・・成形樹
脂体。
Claims (1)
- （１）放熱機能及び電気伝導機能を有するように形成さ
れた支持板と、前記支持板の一方の主表面上に固着され
た半導体チップと、前記支持板の一端に連結された支持
板接続用外部リードと、前記半導体チップに接続された
少なくとも１本のチップ接続用外部リードと、前記支持
板接続用及びチップ接続用外部リードの支持板側の一部
、前記半導体チップ及び前記支持板を被覆する成形樹脂
体とを含み、前記成形樹脂体が前記支持板の他方の主表
面側にも薄く形成されている半導体装置の製造方法にお
いて、 前記支持板の他方の主表面に帯状の粗面が形成され、こ
の帯状の粗面が所定方向に沿つて延びているリードフレ
ームを用意する工程と、 前記支持板に前記半導体チップを固着し、前記チップ接
続用外部リードを内部リードを介して又は介さずに前記
半導体チップに接続してチップ・リードフレーム組立体
を形成する工程と、 前記チップ・リードフレーム組立体を成形用型に装着し
、前記帯状の粗面が延びる方向が樹脂の主たる流動方向
となるように前記型内の成形空所に液状樹脂を注入して
前記成形樹脂体を得る工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22434384A JPS61102040A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22434384A JPS61102040A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102040A true JPS61102040A (ja) | 1986-05-20 |
| JPH0213462B2 JPH0213462B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=16812269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22434384A Granted JPS61102040A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102040A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0545487A3 (en) * | 1991-12-05 | 1994-06-08 | Cons Ric Microelettronica | Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process |
| JPH06302636A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0712634U (ja) * | 1993-08-06 | 1995-03-03 | 日産ディーゼル工業株式会社 | 車両のクラッチ制御装置 |
| US7961585B2 (en) | 2007-12-13 | 2011-06-14 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and optical pickup device |
| JP2017188694A (ja) * | 2017-06-15 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法、ならびに半導体モジュール |
| US10008430B2 (en) | 2014-05-21 | 2018-06-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor module |
| WO2020246373A1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 樹脂成形体及び樹脂成形体の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22434384A patent/JPS61102040A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0545487A3 (en) * | 1991-12-05 | 1994-06-08 | Cons Ric Microelettronica | Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process |
| US5766985A (en) * | 1991-12-05 | 1998-06-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink |
| JPH06302636A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0712634U (ja) * | 1993-08-06 | 1995-03-03 | 日産ディーゼル工業株式会社 | 車両のクラッチ制御装置 |
| US7961585B2 (en) | 2007-12-13 | 2011-06-14 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and optical pickup device |
| US10008430B2 (en) | 2014-05-21 | 2018-06-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor module |
| US11417578B2 (en) | 2014-05-21 | 2022-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor module |
| JP2017188694A (ja) * | 2017-06-15 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法、ならびに半導体モジュール |
| WO2020246373A1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 樹脂成形体及び樹脂成形体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213462B2 (ja) | 1990-04-04 |
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