JPH06302636A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06302636A JPH06302636A JP9006793A JP9006793A JPH06302636A JP H06302636 A JPH06302636 A JP H06302636A JP 9006793 A JP9006793 A JP 9006793A JP 9006793 A JP9006793 A JP 9006793A JP H06302636 A JPH06302636 A JP H06302636A
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- JP
- Japan
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- resin
- chip
- back surface
- passage groove
- semiconductor device
- Prior art date
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- Granted
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子裏面側での樹脂充填性を改良し
て、超薄型化パッケージの未充填不良を防止する。 【構成】 ＩＣチップ（半導体素子）１の裏面１ａに、
樹脂３中に含まれるフィラーの通過を許す通過溝６を設
け、通過溝６をモールド金型１１のゲート部７及びエア
ベント部９に対向したＩＣチップ１の側面１ｂにそれぞ
れ開口する。ゲート部７から直接下型１１ｂ内に注入さ
れる樹脂３、及び上型１１ａを通してエアベント部９側
から廻り込んで下型１１ｂ内に注入される樹脂３は、Ｉ
Ｃチップ裏面側に通過溝６により誘導され、通過溝６内
に充填されるとともに、ＩＣチップ１の裏面１ａを被覆
する。このため、ＩＣチップ裏面側での樹脂未充填が防
止される。
て、超薄型化パッケージの未充填不良を防止する。 【構成】 ＩＣチップ（半導体素子）１の裏面１ａに、
樹脂３中に含まれるフィラーの通過を許す通過溝６を設
け、通過溝６をモールド金型１１のゲート部７及びエア
ベント部９に対向したＩＣチップ１の側面１ｂにそれぞ
れ開口する。ゲート部７から直接下型１１ｂ内に注入さ
れる樹脂３、及び上型１１ａを通してエアベント部９側
から廻り込んで下型１１ｂ内に注入される樹脂３は、Ｉ
Ｃチップ裏面側に通過溝６により誘導され、通過溝６内
に充填されるとともに、ＩＣチップ１の裏面１ａを被覆
する。このため、ＩＣチップ裏面側での樹脂未充填が防
止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に樹脂封止型半導体装置に関する。
に樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＡＢ（テープ・オートメイテッ
ド・ボンディング）型の半導体装置は、図３に示すよう
にキャリアテープのリード２に半導体素子（以下、ＩＣ
チップという）１をボンディングした後、ＩＣチップ１
は、トランスファモールドにより樹脂封止されていた
（例えば、特開平２−８９３４９号公報参照）。
ド・ボンディング）型の半導体装置は、図３に示すよう
にキャリアテープのリード２に半導体素子（以下、ＩＣ
チップという）１をボンディングした後、ＩＣチップ１
は、トランスファモールドにより樹脂封止されていた
（例えば、特開平２−８９３４９号公報参照）。
【０００３】トランスファモールドによる樹脂封止は、
図３（ａ），（ｂ）に示すように対をなす上型１１ａと
下型１１ｂとからなるモールド金型１１を使って行われ
ており、上型１１ａと下型１１ｂとの型合せ面にリード
２が挟持され、下型１１ｂ内にＩＣチップ１が収容さ
れ、モールド金型１１のゲート部７から樹脂をモールド
金型１１のキャビティ５内に注入し、その一方でモール
ド金型１１のエアベント部９からキャビティ内のエア抜
きを行い、キャビティ５内に樹脂３を充填してモールド
金型１１内のリード２及びＩＣチップ１を樹脂で被覆
し、樹脂封止を行っていた。
図３（ａ），（ｂ）に示すように対をなす上型１１ａと
下型１１ｂとからなるモールド金型１１を使って行われ
ており、上型１１ａと下型１１ｂとの型合せ面にリード
２が挟持され、下型１１ｂ内にＩＣチップ１が収容さ
れ、モールド金型１１のゲート部７から樹脂をモールド
金型１１のキャビティ５内に注入し、その一方でモール
ド金型１１のエアベント部９からキャビティ内のエア抜
きを行い、キャビティ５内に樹脂３を充填してモールド
金型１１内のリード２及びＩＣチップ１を樹脂で被覆
し、樹脂封止を行っていた。
【０００４】近年、樹脂封止型のＴＡＢ半導体装置につ
いては、パッケージの厚味寸法が１ｍｍ以下の製品の開
発が熱望されている。パッケージ構造のうち、ＩＣチッ
プ１は、電気特性やチップ裏面の研削技術の問題から薄
型化が難しく、封止する樹脂の厚味を薄くする必要があ
る。そこで、従来では、図３（ａ）に示すようにＩＣチ
ップ１の裏面１ａとキャビティ５の内底面５ａとの間の
樹脂充填隙間寸法を僅少にしてＩＣチップ１の裏面１ａ
を被覆する樹脂の厚味を薄くし、パッケージの薄型化を
図っている。
いては、パッケージの厚味寸法が１ｍｍ以下の製品の開
発が熱望されている。パッケージ構造のうち、ＩＣチッ
プ１は、電気特性やチップ裏面の研削技術の問題から薄
型化が難しく、封止する樹脂の厚味を薄くする必要があ
る。そこで、従来では、図３（ａ）に示すようにＩＣチ
ップ１の裏面１ａとキャビティ５の内底面５ａとの間の
樹脂充填隙間寸法を僅少にしてＩＣチップ１の裏面１ａ
を被覆する樹脂の厚味を薄くし、パッケージの薄型化を
図っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３
（ｃ）に示すようにＩＣチップ１の側面１ｂは、キャビ
ティ５内へのゲート部７からの樹脂流れ及び上型１１ａ
内を通してエアベント部９側から廻り込む樹脂流れに対
して垂直に切立っており、そのため、樹脂の流れがＩＣ
チップ１の側面１ｂで阻害されて、樹脂がＩＣチップ１
の裏面とキャビティ５の内底面５ａとの間にスムーズに
流れ込まず、未充填不良８が発生しやすくなり、ＩＣチ
ップ１を樹脂で完全に封止することができる製品歩留り
が低下するという問題があった。
（ｃ）に示すようにＩＣチップ１の側面１ｂは、キャビ
ティ５内へのゲート部７からの樹脂流れ及び上型１１ａ
内を通してエアベント部９側から廻り込む樹脂流れに対
して垂直に切立っており、そのため、樹脂の流れがＩＣ
チップ１の側面１ｂで阻害されて、樹脂がＩＣチップ１
の裏面とキャビティ５の内底面５ａとの間にスムーズに
流れ込まず、未充填不良８が発生しやすくなり、ＩＣチ
ップ１を樹脂で完全に封止することができる製品歩留り
が低下するという問題があった。
【０００６】また、特開平２−８９３４９号公報では、
パッケージ金型１１の上型１１ａと下型１１ｂとの２つ
に樹脂流を分岐させることにより、樹脂の流れを改善さ
せているが、ＩＣチップ１の側面が垂直に切立っている
ため、その側面によりＩＣチップ１の裏面とキャビティ
内底面との間に樹脂がスムーズに流れず、未充填を完全
に解決するには至っていない。
パッケージ金型１１の上型１１ａと下型１１ｂとの２つ
に樹脂流を分岐させることにより、樹脂の流れを改善さ
せているが、ＩＣチップ１の側面が垂直に切立っている
ため、その側面によりＩＣチップ１の裏面とキャビティ
内底面との間に樹脂がスムーズに流れず、未充填を完全
に解決するには至っていない。
【０００７】本発明の目的は、パッケージ裏面側での樹
脂の流れ，充填性を改良し、超薄型化パッケージの未充
填不良を防止した半導体装置を提供することにある。
脂の流れ，充填性を改良し、超薄型化パッケージの未充
填不良を防止した半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、半導体素子がトランス
ファモールドにより樹脂封止されてなる半導体装置であ
って、半導体素子は、樹脂封止時にモールド金型内に、
素子裏面とキャビティ内底面との間に僅少な樹脂の充填
隙間を残して収容されて樹脂封止されるものであり、通
過溝を有し、通過溝は、半導体素子の裏面にモールド金
型のゲート部からエアベント部側の方向に向けて設けら
れ、半導体素子の対向側面にそれぞれ開口し、封止樹脂
中に含まれるフィラーの通過を許し、素子裏面とキャビ
ティ内底面との間に残された樹脂の充填隙間内に樹脂を
誘導するものであり、通過溝は、樹脂封止終了時に樹脂
が充填され、半導体素子の裏面は、樹脂で被覆されたも
のである。
め、本発明に係る半導体装置は、半導体素子がトランス
ファモールドにより樹脂封止されてなる半導体装置であ
って、半導体素子は、樹脂封止時にモールド金型内に、
素子裏面とキャビティ内底面との間に僅少な樹脂の充填
隙間を残して収容されて樹脂封止されるものであり、通
過溝を有し、通過溝は、半導体素子の裏面にモールド金
型のゲート部からエアベント部側の方向に向けて設けら
れ、半導体素子の対向側面にそれぞれ開口し、封止樹脂
中に含まれるフィラーの通過を許し、素子裏面とキャビ
ティ内底面との間に残された樹脂の充填隙間内に樹脂を
誘導するものであり、通過溝は、樹脂封止終了時に樹脂
が充填され、半導体素子の裏面は、樹脂で被覆されたも
のである。
【０００９】また、本発明に係る半導体装置は、半導体
素子がトランスファモールドにより樹脂封止されてなる
半導体装置であって、半導体素子は、樹脂封止時にモー
ルド金型内に、素子裏面とキャビティ内底面との間に僅
少な樹脂の充填空間を残して収容されて樹脂封止される
ものであり、一対の傾斜面を有し、一対の傾斜面は、モ
ールド金型のゲート部とエアベント部とを結ぶ線上に位
置する半導体素子の対向側面を斜めに切欠いて左右対称
に形成され、素子裏面とキャビティ内底面との間に残さ
れた樹脂の充填隙間内に樹脂を誘導するものであり、半
導体素子の一対の傾斜面及び裏面は、樹脂封止終了時に
樹脂で被覆されたものである。
素子がトランスファモールドにより樹脂封止されてなる
半導体装置であって、半導体素子は、樹脂封止時にモー
ルド金型内に、素子裏面とキャビティ内底面との間に僅
少な樹脂の充填空間を残して収容されて樹脂封止される
ものであり、一対の傾斜面を有し、一対の傾斜面は、モ
ールド金型のゲート部とエアベント部とを結ぶ線上に位
置する半導体素子の対向側面を斜めに切欠いて左右対称
に形成され、素子裏面とキャビティ内底面との間に残さ
れた樹脂の充填隙間内に樹脂を誘導するものであり、半
導体素子の一対の傾斜面及び裏面は、樹脂封止終了時に
樹脂で被覆されたものである。
【００１０】
【作用】ＩＣチップの裏面に、樹脂中に含まれるフィラ
ーの通過を許す通過溝を設ける、或いはＩＣチップの側
面をＩＣチップ裏面に向けて傾斜させた構造とすること
により、ＩＣチップ裏面とキャビティ内底面との間に形
成される僅少な樹脂充填隙間内への樹脂の流れを円滑に
して、樹脂の未充填を防止する。
ーの通過を許す通過溝を設ける、或いはＩＣチップの側
面をＩＣチップ裏面に向けて傾斜させた構造とすること
により、ＩＣチップ裏面とキャビティ内底面との間に形
成される僅少な樹脂充填隙間内への樹脂の流れを円滑に
して、樹脂の未充填を防止する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１２】（実施例１）図１（ａ）は、本発明の実施
例１に係る半導体装置を示す縦断面図、（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
例１に係る半導体装置を示す縦断面図、（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００１３】図１において、本発明の実施例１に係る半
導体装置は、半導体素子（以下、ＩＣチップという）１
がトランスファモールドにより樹脂封止されたものであ
る。
導体装置は、半導体素子（以下、ＩＣチップという）１
がトランスファモールドにより樹脂封止されたものであ
る。
【００１４】ＩＣチップ１は、キャリアテープのリード
２にバンプ４を介して接続され、樹脂封止時にモールド
金型１１内に、素子裏面１ａとキャビティ５の内底面５
ａとの間に僅少な樹脂の充填隙間を残して収容されて樹
脂封止されるものであり、通過溝６を有している。とこ
ろで、モールド金型１１では、ゲート部７から樹脂をキ
ャビティ５内に注入し、一方エアベント部９からキャビ
ティ５内のエア抜きを行い、キャビテイ５内に樹脂を充
填するものであるため、ゲート部７から下型１１ｂ間に
直接注入されてＩＣチップ１の側面１ｂに当接する樹脂
の流れ、及び上型１１ａを通してエアベント部９側から
下型１１ｂ内に廻り込む樹脂の流れをＩＣチップ１の裏
面１ａに導くことにより、ＩＣチップ裏面１ａでの樹脂
未充填を防止することができることとなる。
２にバンプ４を介して接続され、樹脂封止時にモールド
金型１１内に、素子裏面１ａとキャビティ５の内底面５
ａとの間に僅少な樹脂の充填隙間を残して収容されて樹
脂封止されるものであり、通過溝６を有している。とこ
ろで、モールド金型１１では、ゲート部７から樹脂をキ
ャビティ５内に注入し、一方エアベント部９からキャビ
ティ５内のエア抜きを行い、キャビテイ５内に樹脂を充
填するものであるため、ゲート部７から下型１１ｂ間に
直接注入されてＩＣチップ１の側面１ｂに当接する樹脂
の流れ、及び上型１１ａを通してエアベント部９側から
下型１１ｂ内に廻り込む樹脂の流れをＩＣチップ１の裏
面１ａに導くことにより、ＩＣチップ裏面１ａでの樹脂
未充填を防止することができることとなる。
【００１５】そこで、通過溝６は、ＩＣチップ１の裏面
１ａにモールド金型１１のゲート部７からエアベント部
９側の方向に向けて設けられ、ＩＣチップ１の対向側面
１ｂ，１ｂに開口され、封止樹脂中に含まれるフィラー
の通過を許し、ＩＣチップ１の裏面１ａとキャビティ５
の内底面５ａとの間に残された樹脂の充填隙間内に樹脂
を誘導するものである。また、通過溝６は、樹脂封止終
了時に樹脂が充填され、ＩＣチップ１の裏面１ａは、樹
脂で被覆される。
１ａにモールド金型１１のゲート部７からエアベント部
９側の方向に向けて設けられ、ＩＣチップ１の対向側面
１ｂ，１ｂに開口され、封止樹脂中に含まれるフィラー
の通過を許し、ＩＣチップ１の裏面１ａとキャビティ５
の内底面５ａとの間に残された樹脂の充填隙間内に樹脂
を誘導するものである。また、通過溝６は、樹脂封止終
了時に樹脂が充填され、ＩＣチップ１の裏面１ａは、樹
脂で被覆される。
【００１６】通過溝６は、ＩＣチップの製造プロセス中
に、ＩＣチップの裏面に設けられる。すなわち、ＩＣチ
ップ１は、ダイシング工程において、１枚のウェハから
個片に切り出されるものであり、このダイシング工程に
おいて、ウェハの裏面をハーフカットして通過溝６を形
成する。この場合、ＩＣチップ１がモールド金型１１内
にセットされた際に、通過溝６がモールド金型１１のゲ
ート部７からエアベント部９側の方向に向けて位置する
ようにウェハの裏面をハーフカットする。また、通過溝
６の寸法は、その深さが０．１０ｍｍ，巾が０．１０ｍ
ｍに設定してあるが、樹脂中のフィラーの通過を許す寸
法のものであれば、この寸法に限定されるものではな
い。
に、ＩＣチップの裏面に設けられる。すなわち、ＩＣチ
ップ１は、ダイシング工程において、１枚のウェハから
個片に切り出されるものであり、このダイシング工程に
おいて、ウェハの裏面をハーフカットして通過溝６を形
成する。この場合、ＩＣチップ１がモールド金型１１内
にセットされた際に、通過溝６がモールド金型１１のゲ
ート部７からエアベント部９側の方向に向けて位置する
ようにウェハの裏面をハーフカットする。また、通過溝
６の寸法は、その深さが０．１０ｍｍ，巾が０．１０ｍ
ｍに設定してあるが、樹脂中のフィラーの通過を許す寸
法のものであれば、この寸法に限定されるものではな
い。
【００１７】また、ＩＣチップ１は、矩形状に切り出し
たが、この形状に限定されるものではない。
たが、この形状に限定されるものではない。
【００１８】次に、本発明における半導体素子のトラン
スファモールドによる樹脂封止について説明する。図１
に示すように、モールド金型１１の上型１１ａと下型１
１ｂとの型合せ面にリード２を挟持し、下型１１ｂ内に
ＩＣチップ１を収容する。この場合、パッケージの薄型
化を図るため、ＩＣチップ１は、モールド金型１１内
に、ＩＣチップ裏面１ａとキャビティ内底面５ａとの間
に僅少な樹脂の充填隙間を残して収容される。
スファモールドによる樹脂封止について説明する。図１
に示すように、モールド金型１１の上型１１ａと下型１
１ｂとの型合せ面にリード２を挟持し、下型１１ｂ内に
ＩＣチップ１を収容する。この場合、パッケージの薄型
化を図るため、ＩＣチップ１は、モールド金型１１内
に、ＩＣチップ裏面１ａとキャビティ内底面５ａとの間
に僅少な樹脂の充填隙間を残して収容される。
【００１９】上型１１ａと下型１１ｂとの型締めを行っ
た後に、モールド金型１１のゲート部７から樹脂をキャ
ビティ５内に注入し、一方モールド金型１１のエアベン
ト部９からキャビティ５内のエア抜きを行い、樹脂封止
を行う。
た後に、モールド金型１１のゲート部７から樹脂をキャ
ビティ５内に注入し、一方モールド金型１１のエアベン
ト部９からキャビティ５内のエア抜きを行い、樹脂封止
を行う。
【００２０】モールド金型１１のゲート部７からキャビ
ティ５内に注入された樹脂の一部は、直接下型１１ｂ内
に注入され、残りは上型１１ａを通してエアベント部９
側から下型１１ｂ内に廻り込んでキャビティ５内に注入
され、ゲート部７及びエアベント部９側からそれぞれ注
入された樹脂３はＩＣチップ１の切立った側面１ｂに当
接する。
ティ５内に注入された樹脂の一部は、直接下型１１ｂ内
に注入され、残りは上型１１ａを通してエアベント部９
側から下型１１ｂ内に廻り込んでキャビティ５内に注入
され、ゲート部７及びエアベント部９側からそれぞれ注
入された樹脂３はＩＣチップ１の切立った側面１ｂに当
接する。
【００２１】本発明では、ＩＣチップ１の側面１ｂに通
過溝６が開口してある。そのため、流路長が短いゲート
部７側の樹脂の流れは、側面１ｂに開口した通過溝６に
よりＩＣチップ裏面側に誘導され、ＩＣチップ裏面１ａ
とキャビティ内底面５ａとの間の僅少な樹脂の充填隙間
に樹脂が誘導される。ＩＣチップ裏面１ａとキャビティ
内底面５ａとの間の樹脂充填隙間内にゲート部７側から
注入された樹脂は、エアベント部９側の樹脂が上型１１
ａ内を通して遅れて注入されるため、ＩＣチップ裏面１
ａ側の樹脂充填隙間内に存在するエアをエアベント部９
からモールド金型１１の外部に強制的に追い出す。
過溝６が開口してある。そのため、流路長が短いゲート
部７側の樹脂の流れは、側面１ｂに開口した通過溝６に
よりＩＣチップ裏面側に誘導され、ＩＣチップ裏面１ａ
とキャビティ内底面５ａとの間の僅少な樹脂の充填隙間
に樹脂が誘導される。ＩＣチップ裏面１ａとキャビティ
内底面５ａとの間の樹脂充填隙間内にゲート部７側から
注入された樹脂は、エアベント部９側の樹脂が上型１１
ａ内を通して遅れて注入されるため、ＩＣチップ裏面１
ａ側の樹脂充填隙間内に存在するエアをエアベント部９
からモールド金型１１の外部に強制的に追い出す。
【００２２】そして、上型１１ａを介してエアベント部
９側から遅れて注入される樹脂は、通過溝６を介してＩ
Ｃチップ裏面１ａとキャビティ内底面５ａとの間に誘導
され、ゲート部７側の樹脂に合流し、この合流した樹脂
は、樹脂封止終了時点で、通過溝６内に充填され、かつ
ＩＣチップ１の裏面１ａを被覆する。このため、ＩＣチ
ップ裏面側の未充填を防止して超薄型化パッケージの製
品歩留りを向上させることができる。
９側から遅れて注入される樹脂は、通過溝６を介してＩ
Ｃチップ裏面１ａとキャビティ内底面５ａとの間に誘導
され、ゲート部７側の樹脂に合流し、この合流した樹脂
は、樹脂封止終了時点で、通過溝６内に充填され、かつ
ＩＣチップ１の裏面１ａを被覆する。このため、ＩＣチ
ップ裏面側の未充填を防止して超薄型化パッケージの製
品歩留りを向上させることができる。
【００２３】（実施例２）図２（ａ）は、本発明の実施
例２に係る半導体装置を示す縦断面図、図２（ｂ）は、
図２（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
例２に係る半導体装置を示す縦断面図、図２（ｂ）は、
図２（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００２４】本実施例は、ＩＣチップ１の一対の傾斜面
１ｃ，１ｄを有している。一対の傾斜面１ｃ，１ｄは、
モールド金型１１のゲート部７とエアベント部９とを結
ぶ線上に位置するＩＣチップ１の対向側面１ｂ，１ｂを
斜めに切欠いて左右対称に形成され、ＩＣチップ裏面１
ａとキャビティ内底面との間に残された樹脂の充填隙間
内に樹脂を誘導するようになっている。ＩＣチップ１の
一対の傾斜面１ｃ，１ｄは、ダイシング工程においてＩ
Ｃチップ１の対向側面１ｂ，１ｂをハーフカットして斜
めに切欠いて設けられる。
１ｃ，１ｄを有している。一対の傾斜面１ｃ，１ｄは、
モールド金型１１のゲート部７とエアベント部９とを結
ぶ線上に位置するＩＣチップ１の対向側面１ｂ，１ｂを
斜めに切欠いて左右対称に形成され、ＩＣチップ裏面１
ａとキャビティ内底面との間に残された樹脂の充填隙間
内に樹脂を誘導するようになっている。ＩＣチップ１の
一対の傾斜面１ｃ，１ｄは、ダイシング工程においてＩ
Ｃチップ１の対向側面１ｂ，１ｂをハーフカットして斜
めに切欠いて設けられる。
【００２５】本実施例によれば、実施例１の通過溝６に
代えて、ＩＣチップ１の対向側面１ｂ，１ｂを切欠いて
傾斜させた左右対称な傾斜面１ｃ，１ｄを設けているた
め、ＩＣチップ裏面１ａ側への樹脂の流れ量が多くな
り、ＩＣチップ裏面側での樹脂充填不良の発生をより小
さくすることができるという利点がある。
代えて、ＩＣチップ１の対向側面１ｂ，１ｂを切欠いて
傾斜させた左右対称な傾斜面１ｃ，１ｄを設けているた
め、ＩＣチップ裏面１ａ側への樹脂の流れ量が多くな
り、ＩＣチップ裏面側での樹脂充填不良の発生をより小
さくすることができるという利点がある。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂封止
型半導体装置の半導体素子裏面に、樹脂封止時のモール
ド金型のゲート部からエアベント側に向けて通過溝を設
け、通過溝により封止樹脂中のフィラーの通過を許し
て、樹脂を素子裏面側にスムーズに誘導するため、素子
裏面側での樹脂未充填不良を防止することができる。
型半導体装置の半導体素子裏面に、樹脂封止時のモール
ド金型のゲート部からエアベント側に向けて通過溝を設
け、通過溝により封止樹脂中のフィラーの通過を許し
て、樹脂を素子裏面側にスムーズに誘導するため、素子
裏面側での樹脂未充填不良を防止することができる。
【００２７】さらに、通過溝に代えて素子側面を斜めに
切欠いてモールド金型のゲート部とエアベント部とを結
ぶ線上で左右対称な傾斜面を形成するため、素子裏面へ
の樹脂の流量を増やして素子裏面側での樹脂未充填不良
の発生をより小さくすることができる。
切欠いてモールド金型のゲート部とエアベント部とを結
ぶ線上で左右対称な傾斜面を形成するため、素子裏面へ
の樹脂の流量を増やして素子裏面側での樹脂未充填不良
の発生をより小さくすることができる。
【００２８】さらに、半導体素子を接続するリードは、
モールド金型のゲート部とエアベント部とに対応する箇
所に設けられていないものであり、本発明ではモールド
金型のゲート部とエアベント部とを結ぶ線上に通過溝，
傾斜面を設けているため、モールド金型のキャビティに
注入される樹脂の注入圧を受けてリードが損傷を受ける
ことがなく、半導体素子の機能を維持して樹脂封止を行
うことができる。
モールド金型のゲート部とエアベント部とに対応する箇
所に設けられていないものであり、本発明ではモールド
金型のゲート部とエアベント部とを結ぶ線上に通過溝，
傾斜面を設けているため、モールド金型のキャビティに
注入される樹脂の注入圧を受けてリードが損傷を受ける
ことがなく、半導体素子の機能を維持して樹脂封止を行
うことができる。
【００２９】また、通過溝，傾斜面は、半導体素子をウ
ェハから個片に切り出すダイシング工程において、設け
ることができ、製造工程数を増やすことなく、製造する
ことができる。
ェハから個片に切り出すダイシング工程において、設け
ることができ、製造工程数を増やすことなく、製造する
ことができる。
【００３０】さらに、実験の結果、従来例では樹脂未充
填不良率が９８％であったのに対して、実施例１の場合
には約４０％に低下させることができ、実施例２の場合
には約２０％に低下させることができる。
填不良率が９８％であったのに対して、実施例１の場合
には約４０％に低下させることができ、実施例２の場合
には約２０％に低下させることができる。
【図１】（ａ）は、本発明の実施例１に係る半導体装置
を示す縦断面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図
である。
を示す縦断面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図
である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施例２に係る半導体装置
を示す縦断面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
である。
を示す縦断面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
である。
【図３】（ａ）は、従来例を示す縦断面図、（ｂ）は、
（ａ）のＣ−Ｃ’線断面図、（ｃ）は、従来例において
樹脂未充填不良が発生する場合を説明するための縦断面
図である。
（ａ）のＣ−Ｃ’線断面図、（ｃ）は、従来例において
樹脂未充填不良が発生する場合を説明するための縦断面
図である。
１ ＩＣチップ（半導体素子） １ａ ＩＣチップの裏面 １ｂ ＩＣチップの対向側面 ２ リード ３ 樹脂 ４ バンプ ５ キャビティ ６ 通過溝 ７ モールド金型のゲート部 ８ 未充填不良 ９ モールド金型のエアベント部 １０ ＩＣチップの傾斜面 １１ モールド金型 １１ａ モールド金型の上型 １１ｂ モールド金型の下型
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子がトランスファモールドによ
り樹脂封止されてなる半導体装置であって、 半導体素子は、樹脂封止時にモールド金型内に、素子裏
面とキャビティ内底面との間に僅少な樹脂の充填隙間を
残して収容されて樹脂封止されるものであり、通過溝を
有し、 通過溝は、半導体素子の裏面にモールド金型のゲート部
からエアベント部側の方向に向けて設けられ、半導体素
子の対向側面にそれぞれ開口し、封止樹脂中に含まれる
フィラーの通過を許し、素子裏面とキャビティ内底面と
の間に残された樹脂の充填隙間内に樹脂を誘導するもの
であり、 通過溝は、樹脂封止終了時に樹脂が充填され、半導体素
子の裏面は、樹脂で被覆されたものであることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 半導体素子がトランスファモールドによ
り樹脂封止されてなる半導体装置であって、 半導体素子は、樹脂封止時にモールド金型内に、素子裏
面とキャビティ内底面との間に僅少な樹脂の充填空間を
残して収容されて樹脂封止されるものであり、一対の傾
斜面を有し、 一対の傾斜面は、モールド金型のゲート部とエアベント
部とを結ぶ線上に位置する半導体素子の対向側面を斜め
に切欠いて左右対称に形成され、素子裏面とキャビティ
内底面との間に残された樹脂の充填隙間内に樹脂を誘導
するものであり、 半導体素子の一対の傾斜面及び裏面は、樹脂封止終了時
に樹脂で被覆されたものであることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090067A JP2556250B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090067A JP2556250B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302636A true JPH06302636A (ja) | 1994-10-28 |
| JP2556250B2 JP2556250B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=13988203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5090067A Expired - Lifetime JP2556250B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556250B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5920768A (en) * | 1996-12-19 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Manufacturing method for a resin sealed semiconductor device |
| KR100476668B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2006-06-13 | 삼성전자주식회사 | 공기방출구를갖는볼그리드어레이패키지용인쇄회로기판구조 |
| KR100691942B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2007-03-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102040A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-16 JP JP5090067A patent/JP2556250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102040A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5920768A (en) * | 1996-12-19 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Manufacturing method for a resin sealed semiconductor device |
| KR100476668B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2006-06-13 | 삼성전자주식회사 | 공기방출구를갖는볼그리드어레이패키지용인쇄회로기판구조 |
| KR100691942B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2007-03-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2556250B2 (ja) | 1996-11-20 |
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