JPH09153506A

JPH09153506A - 半導体樹脂封止用金型及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09153506A
Application number: JP31382995A
Authority: JP
Inventors: Isamu Yoshida; 勇吉田; Junichi Saeki; 準一佐伯; Shigeharu Tsunoda; 重晴角田; Kunio Matsumoto; 邦夫松本; Naoya Isada; 尚哉諌田; Ichiro Miyano; 一郎宮野; Hideo Yamakura; 英雄山倉; Kunihiko Nishi; 邦彦西
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-12-01
Filing date: 1995-12-01
Publication date: 1997-06-10

Abstract

(57)【要約】【課題】薄型の半導体装置でも樹脂封止する際に、半導
体素子の割れの発生を防止して離型することが可能な半
導体樹脂封止用金型と信頼性の高い樹脂封止された半導
体装置の製造方法とを実現する。【解決手段】上型１、中型２及び下型３の三つのブロッ
クから構成される半導体樹脂封止用金型であって、上型
１と中型２との間でランナ８及びそれに連結されたゲー
ト６を形成し、中型２と下型３との間でゲート６に連結
されたキャビティを形成し、下型のキャビティ面に貫通
穴１０を設けると共に、貫通穴内にエジェクタピン９を
配設する。エジェクタピン９の上面は、下キャビティ４
の底面より低い位置に設けることが好ましい。インサー
ト品となる半導体素子の裏面を下キャビティ４の底面に
接触させて樹脂を注入し、離型工程においては、エジェ
クタピン９を上方向に動かし、半導体素子１４の裏面を
押圧して離型するように制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の樹脂
封止用金型及びそれを用いた半導体装置の製造方法に係
り、特に半導体素子、あるいは放熱板の裏面が露出して
いる半導体装置を製造するのに有効な樹脂封止用金型及
びそれを用いた半導体装置の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の薄型化が進むと
成形金型からの離型時に、成形品にクラックやインサー
ト品（半導体素子、リードフレーム等の樹脂封止対象物
の総称）の界面剥離等の信頼性を低下させる要因が増大
する傾向にある。

【０００３】また、薄型化に伴い成形時にインサート品
が金型内を移動し、成形不良が増加する傾向がある。こ
れに対処する一つの方法として、成形金型構造に改良を
加えて解決する方法がある。例えば、特開平４−３２６
５２９号公報に記載されているように、樹脂封止型半導
体装置を成形金型から離型する時に、半導体装置の樹脂
部の下面をエジェクタピンで押圧して離型することは、
半導体素子や樹脂などにクラックを発生させる懸念があ
るため、半導体装置の周辺のリードフレームをエジェク
タピンで押圧して離型するか、半導体装置の周辺に樹脂
溜り部を設置し、その樹脂溜り部をエジェクタピンで押
圧して離型する構造となっていた。

【０００４】また、特開平５−１０９８００号公報に記
載の例では、半導体素子が搭載されるキャビティに樹脂
を供給する経路（ランナ、ゲートなど）と半導体装置の
安定した離型を目的として、ランナ、ゲート、樹脂溜り
部などに離型時に用いるエジェクタピンが設置されてい
る構造となっていた。

【０００５】さらに、特開昭５５−１３４９４０号公報
に記載の例では、樹脂封止中に発生する半導体素子のエ
ッジ部とインナーリードの短絡を防止するために半導体
素子の保持部に吸引孔を設け、半導体素子を真空吸着に
て固定し樹脂封止する方法となっていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の金型におい
ては、半導体装置の側面に樹脂を供給するためのゲート
を有しており、半導体装置の薄型化が進むとともに半導
体装置の厚さとゲート出口部の樹脂の厚さの差が小さく
なってくるので、ゲート切断時に半導体装置の樹脂部
に、欠けやクラックなどの損傷が生じるという問題があ
った。また、半導体装置の薄型化が進むとともにリード
フレームも薄くなり、剛性が低下する。従って、離型時
にリードフレームをエジェクタピンで押圧するとリード
フレームが変形し、離型しにくくなるという問題があっ
た。

【０００７】さらに、樹脂溜り部を設けることによって
樹脂の材料歩留まりが低下するという問題があった。そ
して、上記従来技術はランナ、ゲートなどにもエジェク
タピンが設けられているので金型コストが高くなるとい
う問題があった。

【０００８】また、真空吸引により半導体素子をキャビ
ティに固定する方式では、吸引装置が必要でありそれに
対応して金型構造も複雑となり装置全体のコストが高く
なるという問題があった。

【０００９】したがって、本発明の目的は上記従来技術
の問題点を解決することにあり、その第１の目的は、低
コストの金型で薄型の半導体装置でも樹脂封止し離型す
ることが可能な改良された半導体樹脂封止用金型を提供
することにあり、第２の目的は、この金型を使用して薄
型の半導体装置でも容易に樹脂封止し離型することが可
能な、樹脂封止された半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、上
型、中型及び下型の三つのブロックから構成される半導
体樹脂封止用金型であって、上型と中型との間で形成さ
れたランナと、このランナに連結されて中型に形成され
たゲートと、ゲートに連結されて中型と下型との間で形
成されたキャビティと、半導体素子を搭載したリードフ
レームを中型と下型の間に挟持し、半導体素子が接触す
る下型のキャビティ底面に形成された貫通穴と、この貫
通穴内に配設されたエジェクタピンとを有して成る半導
体樹脂封止用金型により、達成することができる。

【００１１】そして好ましくは、貫通穴内に配設される
エジェクタピンの上面を、キャビティの底面より低い位
置に設けることである。この場合の金型の装置構成とし
ては、貫通穴内に配設されたエジェクタピンの上面を、
キャビティ内への樹脂注入及び成形時には下型のキャビ
ティ底面より低い位置に、成形後の離型時には成形品の
裏面を押圧してキャビティ底面より高い位置に突出させ
るエジェクタピンの位置制御装置による離型手段を有し
ていることである。

【００１２】以下、上型、中型及び下型について代表例
を示し、その特徴点を具体的に説明する。まず、上型で
あるが、裏面の中型との対向面には、ランナの主要部を
構成する溝が所望のランナのパターンに応じて形成され
ており、この溝が中型の上面と接触してトンネル状のラ
ンナを構成する。

【００１３】中型には、このランナに連結するゲートが
貫通して設けられ、このゲート開口部を含む中型の裏面
には、一方のキャビティ部を構成する凹部が形成されて
いる。

【００１４】そして、下型の表面には、中型の裏面の一
方のキャビティ部に対向する位置に、他方のキャビティ
部となる凹部が形成され、これら両キャビティ部が合体
して成形用のキャビティを構成する。下型のキャビティ
部の底面には貫通口が設けられ、その内部にエジェクタ
ピンが配設されている。

【００１５】このような構成から成る金型を用いて、イ
ンサート品となるリードフレームに搭載された半導体素
子を、下型のキャビティの底面に接触するように設置す
ると共に、リードフレームを中型及び下型とで固定した
状態で、樹脂をランナ及びゲートを介してキャビティ内
に注入すれば、インサート品の位置ずれ無しに容易に半
導体素子を樹脂封止することができる。

【００１６】また、上記第２の目的を達成する本発明の
樹脂封止された半導体装置の製造法は、上記の樹脂封止
用金型を用いて製造するものであり、インサート品とな
るリードフレームに搭載された半導体素子を、下型のキ
ャビティの底面に接触するように設置すると共に、リー
ドフレームを中型と下型とで固定した状態で、樹脂をラ
ンナ及びゲートを介してキャビティ内に流動して半導体
素子を樹脂封止成形した後、上型、中型を離型し、次い
でエジェクタピンを用いて半導体素子の裏面を押圧して
下型からこの樹脂封止成形品を離型することを特徴とし
ている。

【００１７】なお、リードフレームの固定方法として
は、中型と下型とでリードフレームを挟持して固定する
方法、もしくは下型のキャビティ周囲にリードフレーム
の厚さ相当分か、それよりわずかに浅い深さの凹部を形
成して固定する方法が適用される。

【００１８】

【発明の実施の形態】この発明における半導体樹脂封止
用金型は、半導体素子を下型のキャビティ面に接触する
ように設置し、キャビティ部の上面からゲートを用いて
樹脂を封止するので、樹脂の下向きに流れる力により半
導体素子は固定され半導体素子のエッジ部とインナーリ
ードの接触を防止する。

【００１９】また、ゲートをキャビティ部の上面に設け
たことによりゲートの樹脂と半導体装置の切離しが容易
になる。また、半導体素子を下型のキャビティ面に接触
するように設置されているので、樹脂と下型のキャビテ
ィ底面の接触面積は減少し離型時のエジェクタピンの離
型力も小さくなり、半導体素子の裏面を押圧しても割れ
ることなく離型することが可能になる。さらに、従来の
ように樹脂溜り部を設けなくても離型できるので、樹脂
の材料歩留りを向上できる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図面に基づ
いて説明する。〈実施例１〉図１は、本発明の半導体樹脂封止用金型の
要部を示す一部切欠き断面斜視図である。半導体樹脂封
止用金型は、上型にあたるランナプレート１、中型にあ
たる上キャビティプレート２、下型にあたる下キャビテ
ィプレート３の３枚のプレートで構成している。

【００２１】下キャビティプレート３には、半導体装置
の下半分を形成する下キャビティ４、上キャビティプレ
ート２には半導体装置の上半分を形成する上キャビティ
５、樹脂（図示せず）を供給するゲート６、ランナプレ
ート１には樹脂が最初に供給されるカル７、及びカル７
からゲート６へ樹脂を供給するランナ８で構成されてい
る。また、樹脂封止後、半導体装置（図示せず）を下キ
ャビティ４から離型するときに用いるエジェクタピン
９、エジェクタピン９が収納されている貫通穴１０が下
キャビティプレート３に構成されている。なお、ゲート
６と貫通穴１０とは、図示のようにキャビティ４、５の
中央部に位置し、互いに対向して配置することが望まし
い。

【００２２】図２は、ランナプレート１を上から見たと
きの平面図を示す。ランナ８は、カル７から２分岐して
さらに４つに分岐し８本のランナとなってゲート（図示
せず）へ接続する構造になっている。

【００２３】図３は、図２のＡ−Ａの断面図を示す。カ
ル７は、樹脂封止後のランナプレート１の離型時に上キ
ャビティプレート２からランナ、カル部の樹脂も同時に
離型するように上面の方が下面の面積より大きい形状に
なっている。

【００２４】図４は、上キャビティプレート２を上から
見たときの平面図を示す。上キャビティプレート２には
上キャビティ５とゲート６が形成されており、ゲート６
は上キャビティ５の上面の中心部に位置するところで接
続されている。

【００２５】図５は、図４のＢ−Ｂの断面図を示す。ゲ
ート６は、離型時にゲートの樹脂がランナの樹脂と同時
に離型するようにゲート上面の面積は広くゲート下面の
面積は小さくなるように先細りになっている。

【００２６】図６は、下キャビティプレート３を上から
見たときの平面図を示す。下キャビティプレート３には
下キャビティ４と貫通穴１０が形成されており、貫通穴
１０は下キャビティ４の上面の中心部に位置するところ
で接続されている。

【００２７】図７は、図６のＣ−Ｃの断面図を示す。貫
通穴１０には、エジェクタピン９が設置されており、エ
ジェクタピン９の上面は離型時以外は下キャビティ４の
下面より低い位置に設置されている。

【００２８】また、下キャビティプレート３のキャビテ
ィ周縁部、すなわち、リードフレーム（図示せず）を搭
載するリードフレーム搭載部１１では、リードフレーム
の厚み分だけ低くなって凹部を形成し、上キャビティプ
レート２と合わせた時に合わせ面が平面を保つようにな
っている。

【００２９】図２〜７で各プレートについて説明した
が、各プレートとの位置合わせ機能、リードフレームの
位置合わせ機能が設けられているのは言うまでもない。
また、この実施例では８個取りの金型について述べた
が、必要に応じて取り数を増減させても何ら支障のない
ことは言うまでもない。

【００３０】〈実施例２〉図８〜図１３は、実施例１の
金型を用いたときの樹脂封止半導体装置の製造方法の工
程図を示す。すなわち、図８は、リードフレーム１２を
設置したときの金型の断面図を示す。上キャビティプレ
ート２と下キャビティプレート３の間にはリードフレー
ム１２が設置され、リードフレーム１２には金バンプ１
３を介して半導体素子１４が搭載されている。この状態
で樹脂封止の準備ができたことになる。

【００３１】図９は、樹脂封止中の金型の状態を示す。
樹脂１５は、ランナ８、ゲート６を流れて上下キャビテ
ィ部４、５によって構成されたキャビティ１６に充填さ
れる。このとき、樹脂１５の流れは、半導体素子１４の
中心部の上面にあるゲート６から流れるので半導体素子
１４を下キャビティ４に押さえつけるように働き、半導
体素子１４の移動防止の効果がある。また、半導体素子
１４の裏面には貫通穴１０が設けられており、エアベン
トとしての働きもあるので半導体装置のボイド発生を防
ぐ効果がある。

【００３２】図１０は、樹脂充填を完了したときの金型
の断面図を示す。樹脂１５がキャビティ内に隅々まで充
填すると完了となる。

【００３３】図１１は、ランナプレート１（上型）を離
型したときの金型の状態を断面図で示す。図２で説明し
たようにランナプレート１を離型すると、ランナ８、ゲ
ート６の樹脂１５もいっしょに離型する。この後、ラン
ナプレート１から樹脂１５を離型させる。

【００３４】図１２は、上キャビティプレート２（中
型）を離型させたときの金型の状態を断面図で示す。上
キャビティプレート２には、エジェクタピンを設けてな
いため、インサート品（リードフレームや半導体素子な
ど）が上キャビティプレート２の方に接着して離型する
と上キャビティプレート２から離型できなくなるので、
必ず下キャビティプレート３に残るような構造にしてお
く必要がある。そこで、上キャビティ５の抜き角θ１を
大きくし下キャビティ４の抜き角θ２を小さくすること
により必ず下キャビティプレート３に残るようにした。

【００３５】図１３は、下キャビティプレート３（下
型）からインサート品を離型させたときの金型の状態を
断面図で示す。貫通穴１０の中に下キャビティ４の底面
より低い位置に設置されているエジェクタピン９を上方
向に移動させて半導体素子１４の裏面を直接押圧して離
型させる構造になっている。

【００３６】この実施例によれば、半導体素子１４の裏
面を樹脂１５で封止していないので下キャビティ４と樹
脂１５の接着面積が少なく離型力が小さくてすみ半導体
素子１４を直接押圧して離型させても半導体素子１４は
割れずに離型できるという効果がある。また、半導体素
子１４を半導体装置の裏面に露出させているので放熱性
を向上できるという効果もある。

【００３７】〈実施例３〉図１４〜図１５は、本発明の
他の実施例となる樹脂封止半導体装置の製造方法の工程
を断面図で示したものである。使用した金型は、図１に
示した実施例１のものと同一であるが、樹脂封止するイ
ンサート品の構成が異なる。

【００３８】すなわち、図１４は金型にインサート品が
挿入され、樹脂注入前の状態を示している。上キャビテ
ィ５と下キャビティ４の間には、リードフレーム１２が
設置され金バンプ１３を介して半導体素子１４が搭載さ
れ、半導体素子１４の裏面に放熱板１７が固着搭載され
下キャビティ４の底面と接触している。樹脂充填、並び
にランナプレート１、上キャビティプレート２の離型工
程は、実施例２と同様な過程を経る。

【００３９】図１５は、下キャビティプレート３からイ
ンサート品を離型させたときの金型の状態を断面図で示
す。貫通穴１０の中に下キャビティ４の底面より低い位
置に設置されているエジェクタピン９を、上方向に移動
させて放熱板１７の裏面を直接押圧して離型させる構造
になっている。

【００４０】この実施例によれば、放熱板１７の裏面を
樹脂で封止していないので、下キャビティ４と樹脂の接
着面積が少なく離型力が小さくてすみ、放熱板１７を直
接押圧して離型させてもその上に搭載されている半導体
素子１４は、割れずに離型できるという効果がある。ま
た、放熱板１７を半導体装置の裏面に露出させているの
で放熱性を向上できるという効果もある。

【００４１】〈実施例４〉図１６〜図１７は、本発明の
他の実施例となる樹脂封止半導体装置の製造方法の工程
を断面図で示したものである。使用した金型は、実施例
１のものと同一であるが、インサート品は、リードフレ
ーム１２に半導体装置１４を金線１９でワイヤーボンデ
ィングした構造ものを使用した。

【００４２】図１６に示のように、上キャビティ５（中
型２）と下キャビティ４（下型３）の間には、リードフ
レーム１２が設置され耐熱性の絶縁テープ１８を介して
半導体素子１４が搭載され、下キャビティ４の底面と接
触している。また、半導体素子１４とリードフレーム１
２は金線１９により電気的に接続されている。樹脂充
填、並びにランナプレート１、上キャビティプレート２
の離型工程は、実施例２と同様な過程を経る。

【００４３】図１７は、下キャビティプレート３（下型
３）からインサート品を離型させたときの金型の状態を
示している。貫通穴１０の中に下キャビティ４の底面よ
り低い位置に設置されているエジェクタピン９を上方向
に移動させて、半導体素子１４の裏面を直接押圧して離
型させる構造になっている。この実施例によれば、半導
体素子１４とリードフレーム１２の接続を金線１９によ
り接続しているので、実施例２、３の金バンプ１３によ
る接続に比べて安価で接続でき製品コストを低減できる
効果がある。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、半導体素子
の裏面を直接エジェクタピンで押圧して金型から離型さ
せても、半導体素子を割ることなく離型させることがで
きる金型と、それを使用することにより信頼性の高い樹
脂封止半導体装置の製造方法とを実現することができ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例となる半導体樹脂封止用金型の
一部切欠き要部断面斜視図。

【図２】図１に示したランナプレートの平面図。

【図３】図１に示したランナプレートの断面図。

【図４】図１に示した上キャビティプレートの平面図。

【図５】図１に示した上キャビティプレートの断面図。

【図６】図１に示した下キャビティプレートの平面図。

【図７】図１に示した下キャビティプレートの断面図。

【図８】図１の金型を用いて半導体装置を製造する樹脂
注入前の工程図。

【図９】図１の金型を用いて半導体装置を製造する樹脂
注入中の状態を示す工程図。

【図１０】図１の金型を用いて半導体装置を製造する樹
脂注入終了時点の状態を示す工程図。

【図１１】図１の金型を用いて上型を離型する状態を示
す工程図。

【図１２】図１の金型を用いて中型を離型する状態を示
す工程図。

【図１３】図１の金型を用いて下型からインサート品を
離型する状態を示す工程図。

【図１４】図１の金型を用いて半導体装置を製造する他
の実施例となる樹脂注入前の工程図。

【図１５】図１の金型を用いて下型からインサート品を
離型する状態を示す工程図。

【図１６】図１の金型を用いて半導体装置を製造する他
の実施例となる樹脂注入前の工程図。

【図１７】図１の金型を用いて下型からインサート品を
離型する状態を示す工程図。

【符号の説明】

１…ランナプレート（上型）、２…上キャビティプレート（中型）、３…下キャビティプレート（下型）、４…下キャビティ、５…上キャビティ、６…ゲート、７…カル、８…ランナ、９…エジェクタピン、１０…貫通穴、１１…凹部、１２…リードフレーム、１３…金バンプ、１４…半導体素子、１５…樹脂、１６…キャビティ、１７…放熱板、１８…絶縁テープ、１９…金線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松本邦夫神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者諌田尚哉神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者宮野一郎神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者山倉英雄神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者西邦彦東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上型、中型及び下型の三つのブロックから
構成される半導体樹脂封止用金型であって、上型と中型
との間で形成されたランナと、このランナに連結されて
中型に形成されたゲートと、ゲートに連結されて中型と
下型との間で形成されたキャビティと、半導体素子を搭
載したリードフレームを中型と下型の間に挟持し、半導
体素子が接触する下型のキャビティ底面に形成された貫
通穴と、この貫通穴内に配設されたエジェクタピンとを
有して成る半導体樹脂封止用金型。
【請求項２】貫通穴内に配設されたエジェクタピンの上
面を、キャビティ内への樹脂注入及び成形時には下型の
キャビティ底面より低い位置に、成形後の離型時には成
形品の裏面を押圧してキャビティ底面より高い位置に突
出させるエジェクタピンの位置制御装置による離型手段
を有して成る請求項１記載の半導体樹脂封止用金型。
【請求項３】貫通穴及び貫通穴内に配設されたエジェク
タピンを、下型のキャビティ底面の少なくとも中央部近
傍に有して成る請求項１もしくは２記載の半導体樹脂封
止用金型。
【請求項４】中型と下型との対向面にそれぞれ形成され
た凹部が合体することによってキャビティが形成され、
中型に形成されたキャビティ面の中央部にランナに連結
されたゲートが開口し、下型に形成されたキャビティ面
の中央部にエジェクタピンを嵌装した貫通口が形成され
ると共に、ゲートと貫通口の中心が略同軸上に配置され
て成る請求項１乃至３の何れか一つに記載の半導体樹脂
封止用金型。
【請求項５】中型に形成されたゲートの直径が、樹脂の
流動方向に移行するにしたがい絞られて先細りとなって
キャビティ面に開口して成る請求項１乃至４の何れか一
つに記載の半導体樹脂封止用金型。
【請求項６】中型に対面する下型のキャビティ周縁部
に、リードフレームの厚さ相当分の深さの凹部を形成し
て、中型と下型とでリードフレームを挟持したときにリ
ードフレーム表面と下型の表面とを同一平面として段差
を解消して成る請求項１乃至５の何れか一つに記載の半
導体樹脂封止用金型。
【請求項７】中型に形成したキャビティの型抜き角θ₁
を、下型に形成したキャビティの型抜き角θ₂より大き
くして成る請求項１乃至６の何れか一つに記載の半導体
樹脂封止用金型。
【請求項８】上型と中型の間でランナを、中型でゲート
を、中型と下型でキャビティをそれぞれ形成し、リード
フレームに半導体素子を搭載し、この半導体素子をキャ
ビティの底面に接触するように設置し、半導体素子が接
触するキャビティ面には貫通穴を設け、貫通穴の中には
キャビティ面より低い位置に上面があるエジェクタピン
を設置してランナ、ゲート及びキャビティの順に樹脂を
流動させる工程と、樹脂を硬化させた後、上型、中型を
順次離型させる工程と、エジェクタピンを動作させて半
導体素子の裏面を直接押圧して下型から樹脂成形された
半導体装置を離型させる工程とを有して成る半導体装置
の製造方法。
【請求項９】上型と中型の間でランナを、中型でゲート
を、中型と下型でキャビティをそれぞれ形成し、リード
フレームに半導体素子を搭載し、半導体素子の裏面に放
熱板を搭載し、放熱板をキャビティの底面に接触するよ
うに設置し、放熱板が接触するキャビティ面には貫通穴
を設け、貫通穴の中にはキャビティ面より低い位置に上
面があるエジェクタピンを設置してランナ、ゲート及び
キャビティの順に樹脂を流動させる工程と、樹脂を硬化
させた後、上型、中型を順次離型させる工程と、エジェ
クタピンを動作させて放熱板の裏面を直接押圧して下型
から樹脂成形された半導体装置を離型させる工程とを有
して成る半導体装置の製造方法。
【請求項１０】半導体素子が搭載されたリードフレーム
を、中型と下型との間に挟持し、半導体素子をキャビテ
ィの底面に接触させて樹脂成形する工程を有して成る請
求項８もしくは９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】半導体素子が搭載されたリードフレーム
を、キャビティ周縁部に設けられたリードフレーム厚さ
相当分の深さの凹部に装着し、中型と下型との合わせ面
を平坦に保持しつつ半導体素子をキャビティの底面に接
触させて樹脂成形する工程を有して成る請求項８もしく
は９記載の半導体装置の製造方法。