JPH0213462B2 - - Google Patents
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- JPH0213462B2 JPH0213462B2 JP22434384A JP22434384A JPH0213462B2 JP H0213462 B2 JPH0213462 B2 JP H0213462B2 JP 22434384 A JP22434384 A JP 22434384A JP 22434384 A JP22434384 A JP 22434384A JP H0213462 B2 JPH0213462 B2 JP H0213462B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パワートランジスタ、電力用ダイオ
ード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
ード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
電力用樹脂封止型半導体装置において、半導体
チツプが固着された支持板の裏面にも成形樹脂層
を形成すれば、半導体装置を外部放熱体に取付け
る際に従来使用していた絶縁薄板が不要になる。
しかし、この構造では、支持板裏面に形成される
成形樹脂層が数百μｍという薄いものであるた
め、この成形樹脂層が支持板から剥離してしまう
ことがある。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半
導体装置がオン・オフ動作を繰り返すことによる
熱ストレスに基づくものと考えられる。上記剥離
が生じると、機械的強度の低下はもとより、放熱
特性や絶縁性の低下などの不都合が起る。
チツプが固着された支持板の裏面にも成形樹脂層
を形成すれば、半導体装置を外部放熱体に取付け
る際に従来使用していた絶縁薄板が不要になる。
しかし、この構造では、支持板裏面に形成される
成形樹脂層が数百μｍという薄いものであるた
め、この成形樹脂層が支持板から剥離してしまう
ことがある。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半
導体装置がオン・オフ動作を繰り返すことによる
熱ストレスに基づくものと考えられる。上記剥離
が生じると、機械的強度の低下はもとより、放熱
特性や絶縁性の低下などの不都合が起る。
樹脂の剥離を防止するために、樹脂を被着させ
る面に凹凸が溝を設けることは公知である。この
種の公知技術をリードフレームに適用することも
例えば実開昭57−175448号公報で知られている。
る面に凹凸が溝を設けることは公知である。この
種の公知技術をリードフレームに適用することも
例えば実開昭57−175448号公報で知られている。
ところで、リードフレームのチツプ支持板に単
に溝又は凹凸を形成しても、支持板裏面の表面積
を例えば20％程度増加させることが出来るのみで
あり、支持板裏面の平面性を損わずに表面積を大
幅に増大させることは困難であつた。また、支持
板裏面と金型との間隔が小さい場合に、この間隔
を正確に保ちつつ樹脂を良好に注入することには
困難を伴なつた。そこで、本発明の目的は、支持
板の裏面に薄い樹脂層を容易且つ良好に形成する
ことが出来る樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供することにある。
に溝又は凹凸を形成しても、支持板裏面の表面積
を例えば20％程度増加させることが出来るのみで
あり、支持板裏面の平面性を損わずに表面積を大
幅に増大させることは困難であつた。また、支持
板裏面と金型との間隔が小さい場合に、この間隔
を正確に保ちつつ樹脂を良好に注入することには
困難を伴なつた。そこで、本発明の目的は、支持
板の裏面に薄い樹脂層を容易且つ良好に形成する
ことが出来る樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、放熱機能
及び電気伝導機能を有するように形成された支持
板と、前記支持板の一方の主表面上に固着された
半導体チツプと、前記支持板の一端に連結された
支持板接続用外部リードと、前記半導体チツプに
接続された少なくとも１本のチツプ接続用外部リ
ードと、前記支持板接続用及びチツプ接続用外部
リードの支持板側の一部、前記半導体チツプ及び
前記支持板を被覆する成形樹脂体とを含み、前記
成形樹脂体が前記支持板の他方の主表面側にも薄
く形成されている半導体装置の製造方法におい
て、前記支持板の他方の主表面に帯状の粗面が形
成され、この帯状の粗面が所定方向に沿つて延び
ているリードフレームを用意する工程と、前記支
持板に前記半導体チツプを固着し、前記チツプ接
続用外部リードを内部リードを介して又は介さず
に前記半導体チツプに接続してチツプ・リードフ
レーム組立体を形成する工程と、前記チツプ・リ
ードフレーム組立体を成形用型に装着し、前記帯
状の粗面が延びる方向が樹脂の主たる流動方向と
なるように前記型内の成形空所に液状樹脂を注入
して前記成形樹脂体を得る工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法に係わるもので
ある。
及び電気伝導機能を有するように形成された支持
板と、前記支持板の一方の主表面上に固着された
半導体チツプと、前記支持板の一端に連結された
支持板接続用外部リードと、前記半導体チツプに
接続された少なくとも１本のチツプ接続用外部リ
ードと、前記支持板接続用及びチツプ接続用外部
リードの支持板側の一部、前記半導体チツプ及び
前記支持板を被覆する成形樹脂体とを含み、前記
成形樹脂体が前記支持板の他方の主表面側にも薄
く形成されている半導体装置の製造方法におい
て、前記支持板の他方の主表面に帯状の粗面が形
成され、この帯状の粗面が所定方向に沿つて延び
ているリードフレームを用意する工程と、前記支
持板に前記半導体チツプを固着し、前記チツプ接
続用外部リードを内部リードを介して又は介さず
に前記半導体チツプに接続してチツプ・リードフ
レーム組立体を形成する工程と、前記チツプ・リ
ードフレーム組立体を成形用型に装着し、前記帯
状の粗面が延びる方向が樹脂の主たる流動方向と
なるように前記型内の成形空所に液状樹脂を注入
して前記成形樹脂体を得る工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法に係わるもので
ある。
上記発明において、支持板の他方の主表面（裏
面）は粗面を有しているので、表面積が大幅に増
大し、樹脂の剥離が生じにくくなる。また、帯状
の粗面が延びる方向に樹脂が流れるように樹脂を
注入するので、樹脂層が支持板の他方の主表面の
全部に良好に充てんされる。
面）は粗面を有しているので、表面積が大幅に増
大し、樹脂の剥離が生じにくくなる。また、帯状
の粗面が延びる方向に樹脂が流れるように樹脂を
注入するので、樹脂層が支持板の他方の主表面の
全部に良好に充てんされる。
次に、第１図〜第８図を参照して本発明の実施
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法について述べる。
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法について述べる。
リードフレーム１を示す第１図において、２は
Ni被覆Cu板から成る支持板、４は支持板２の一
端に連結された支持板接続用外部リード、３，５
はチツプ接続用外部リード、６は外部リードを橋
絡するタイバー、７は外部リード端を連結する共
通接続細条、８は成形樹脂体に取付孔を形成する
ためのＵ字状切欠部である。第１図にはトランジ
スタ１個分のリードフレーム１が示されている
が、実際には多数個（例えば10個）分が並列配置
されている。支持板２の一方の主表面２ａ上には
パワートランジスタチツプ９が半田（図示せず）
で固着されている。チツプ９は、上面にベース電
極及びエミツタ電極を有し、下面にコレクタ電極
を有する。従つて、コレクタ電極が支持板２に接
続されている。チツプ９のベース電極と外部リー
ド３の間、及びチツプ９のエミツタ電極と外部リ
ード５の間は、それぞれA1線から成る内部リー
ド１０，１１で接続されている。１２はジヤンク
シヨンコーテイングレジンと呼ばれる例えばシリ
コン樹脂からなる保護用樹脂で、チツプ９を被覆
及び保護している。
Ni被覆Cu板から成る支持板、４は支持板２の一
端に連結された支持板接続用外部リード、３，５
はチツプ接続用外部リード、６は外部リードを橋
絡するタイバー、７は外部リード端を連結する共
通接続細条、８は成形樹脂体に取付孔を形成する
ためのＵ字状切欠部である。第１図にはトランジ
スタ１個分のリードフレーム１が示されている
が、実際には多数個（例えば10個）分が並列配置
されている。支持板２の一方の主表面２ａ上には
パワートランジスタチツプ９が半田（図示せず）
で固着されている。チツプ９は、上面にベース電
極及びエミツタ電極を有し、下面にコレクタ電極
を有する。従つて、コレクタ電極が支持板２に接
続されている。チツプ９のベース電極と外部リー
ド３の間、及びチツプ９のエミツタ電極と外部リ
ード５の間は、それぞれA1線から成る内部リー
ド１０，１１で接続されている。１２はジヤンク
シヨンコーテイングレジンと呼ばれる例えばシリ
コン樹脂からなる保護用樹脂で、チツプ９を被覆
及び保護している。
支持板２の裏面即ち他方の主表面２ｂには第２
図に示す如く帯状に粗面１３が設けられている。
この粗面１３の形成は、リードフレーム１にチツ
プ９を装着する前になされている。即ち、粗面１
３の形成は、板状部材からリードフレーム１を製
作する工程において、ラツピングパウダーをスプ
レー銃を用いて高圧エアーで支持板２の裏面部分
に吹き付けることによつて行う。従つて、粗面１
３を形成することにより、支持板２の平面性が損
われることは殆んどない。粗面１３は第３図に示
す如く微細な略半球状の多数の凹部と凸部とを有
する梨地面である。粗面１３は、支持板２の他方
の主表面２ｂの全部に形成されておらず、各リー
ド３〜５及び支持板２が延びている方向に沿つて
帯状に形成され、、これ等の相互間に平滑面１４
が存在している。
図に示す如く帯状に粗面１３が設けられている。
この粗面１３の形成は、リードフレーム１にチツ
プ９を装着する前になされている。即ち、粗面１
３の形成は、板状部材からリードフレーム１を製
作する工程において、ラツピングパウダーをスプ
レー銃を用いて高圧エアーで支持板２の裏面部分
に吹き付けることによつて行う。従つて、粗面１
３を形成することにより、支持板２の平面性が損
われることは殆んどない。粗面１３は第３図に示
す如く微細な略半球状の多数の凹部と凸部とを有
する梨地面である。粗面１３は、支持板２の他方
の主表面２ｂの全部に形成されておらず、各リー
ド３〜５及び支持板２が延びている方向に沿つて
帯状に形成され、、これ等の相互間に平滑面１４
が存在している。
第１図に示すチツプ・リードフレーム組立体が
得られたら、次に第４図及び第５図に示す如く、
上部金型１５と下部金型１６とによつて生じる成
形空所１７内にチツプ９、支持板２、及び外部リ
ード３〜５の一部を配置し、外部リード３〜５を
上下の金型１５，１６で挾持する。支持板２は金
型１５，１６によつて片持ち梁状態に支持されて
いるので、その他方の主表面２ｂと下部金型１６
との間に１mm以内（例えば約0.4mm）の間隔が生
じている。１５ａは円筒状ピンであり、上部金型
１５下方に延びて支持板２の一方の主表面２ａに
当接している。従つて、支持板２の上限位置はピ
ン１５ａによつて決まる。なお、支持板２の先端
は第１図から明らかな如く二叉に分かれているの
で、ピン１５ａも２本設けられている。１５ｂは
取付孔を得るための円筒状ピンであり、上部金型
１５から下方に延びて下部金型１６に当接してい
る。１５ｃは樹脂の流れを制御するための突出部
であり、上部金型１５から下方に突出している。
この突出部１５ｃの先端と支持板２との間隔は、
ピン１５ｂの近傍における支持板２と金型１５と
の間隔よりも小であるので、樹脂の流れがここで
制限される。１８は樹脂注入孔であり、この例で
は、外部リード３〜５の導出側と反対側に設けら
れている。
得られたら、次に第４図及び第５図に示す如く、
上部金型１５と下部金型１６とによつて生じる成
形空所１７内にチツプ９、支持板２、及び外部リ
ード３〜５の一部を配置し、外部リード３〜５を
上下の金型１５，１６で挾持する。支持板２は金
型１５，１６によつて片持ち梁状態に支持されて
いるので、その他方の主表面２ｂと下部金型１６
との間に１mm以内（例えば約0.4mm）の間隔が生
じている。１５ａは円筒状ピンであり、上部金型
１５下方に延びて支持板２の一方の主表面２ａに
当接している。従つて、支持板２の上限位置はピ
ン１５ａによつて決まる。なお、支持板２の先端
は第１図から明らかな如く二叉に分かれているの
で、ピン１５ａも２本設けられている。１５ｂは
取付孔を得るための円筒状ピンであり、上部金型
１５から下方に延びて下部金型１６に当接してい
る。１５ｃは樹脂の流れを制御するための突出部
であり、上部金型１５から下方に突出している。
この突出部１５ｃの先端と支持板２との間隔は、
ピン１５ｂの近傍における支持板２と金型１５と
の間隔よりも小であるので、樹脂の流れがここで
制限される。１８は樹脂注入孔であり、この例で
は、外部リード３〜５の導出側と反対側に設けら
れている。
次に、公知のトランスフアモールド法に基づい
て、加熱されて粘液状となつた熱硬化性エポキシ
樹脂を注入孔１８を通して空所１６に圧入・充て
んする。注入孔１８は粗面１３および平滑面１４
が帯状に延びる方向と同じ方向に延びる孔である
ため、樹脂の主たる流動方向は粗面１３および平
滑面１４が帯状に延びる方向と一致する。金型１
５，１６はこの樹脂の熱硬化可能温度例えば180
℃に加熱されており、圧入・充てんされた樹脂は
短時間（数分以内）の内に熱硬化し、第６図及び
第７図に示す如く成形樹脂体１９が形成される。
しかる後、金型１５，１６の型締めを解いて、リ
ードフレームを金型１５，１６から取り外し、成
形樹脂１９を完全に熱硬化させるために更に長時
間の熱処理を行い、その後タイバー６と共通接続
細条７をプレス加工で切断除去して、第８図に示
すパワートランジスタを完成させる。第８図にお
いて、２０，２１はピン１５ａに対応して形成さ
れた凹部、２２は突出部１５ｃに対応して形成さ
れた溝状の凹部である。２３は、ピン１５ｂに対
応するもので、このパワートランジスタを外部放
熱体等に取付けるときにネジを通すための取付孔
である。
て、加熱されて粘液状となつた熱硬化性エポキシ
樹脂を注入孔１８を通して空所１６に圧入・充て
んする。注入孔１８は粗面１３および平滑面１４
が帯状に延びる方向と同じ方向に延びる孔である
ため、樹脂の主たる流動方向は粗面１３および平
滑面１４が帯状に延びる方向と一致する。金型１
５，１６はこの樹脂の熱硬化可能温度例えば180
℃に加熱されており、圧入・充てんされた樹脂は
短時間（数分以内）の内に熱硬化し、第６図及び
第７図に示す如く成形樹脂体１９が形成される。
しかる後、金型１５，１６の型締めを解いて、リ
ードフレームを金型１５，１６から取り外し、成
形樹脂１９を完全に熱硬化させるために更に長時
間の熱処理を行い、その後タイバー６と共通接続
細条７をプレス加工で切断除去して、第８図に示
すパワートランジスタを完成させる。第８図にお
いて、２０，２１はピン１５ａに対応して形成さ
れた凹部、２２は突出部１５ｃに対応して形成さ
れた溝状の凹部である。２３は、ピン１５ｂに対
応するもので、このパワートランジスタを外部放
熱体等に取付けるときにネジを通すための取付孔
である。
この実施例には次の作用効果がある。
(a) 粗面１３を形成したことにより、支持板２の
裏面の表面積が大きく増加し、支持板２の裏面
における成形樹脂体１９の剥離が生じ難くなつ
た。粗面１３を半球状の突起と半球状のへこみ
の集合体（球の半径：ｒ）であると仮定する
と、粗面の場合の表面積と平滑面の場合の表面
との比は、2πr2／πr2＝２となる。即ち、平滑
面を粗面とすることにより、表面積を約２倍
（100％増加）にすることが出来る。従つて、支
持板２の裏面の全面積の1/3、1/2、2/3を粗面
１３とすると、支持板２の裏面の表面積は、支
持板２の裏面全体が平滑面であつたときに比べ
て、それぞれ33％、50％、67％の増加となる。
これは、前記公開公報の発明の実施例における
20％増加という数値例を大きく上回わるもので
ある。
裏面の表面積が大きく増加し、支持板２の裏面
における成形樹脂体１９の剥離が生じ難くなつ
た。粗面１３を半球状の突起と半球状のへこみ
の集合体（球の半径：ｒ）であると仮定する
と、粗面の場合の表面積と平滑面の場合の表面
との比は、2πr2／πr2＝２となる。即ち、平滑
面を粗面とすることにより、表面積を約２倍
（100％増加）にすることが出来る。従つて、支
持板２の裏面の全面積の1/3、1/2、2/3を粗面
１３とすると、支持板２の裏面の表面積は、支
持板２の裏面全体が平滑面であつたときに比べ
て、それぞれ33％、50％、67％の増加となる。
これは、前記公開公報の発明の実施例における
20％増加という数値例を大きく上回わるもので
ある。
(b) 支持板２の裏面側において、樹脂の充てん圧
力の不足や樹脂の未充てんが起らない。従つ
て、この部分の樹脂にピンホール様のものが発
生して絶縁耐圧の低い樹脂層が形成されたり、
明らかな未充てん部分が生じることがない。即
ち、粗面１３は支持板２の裏面と金型１６の間
の高さ0.4mmという狭い空間に流れ込もうとす
る粘液状の樹脂に対してその流動性を妨げるよ
うに作用してしまう。このため、支持板２の裏
面全体を粗面としてしまうと、樹脂注入時に問
題が発生し易い。しかし本発明では、帯状の平
滑面１４を樹脂の主たる流動方向に沿つて設け
ているので、この平滑面１４が、樹脂の未充て
ん等が起こり易い支持板２の右端側（外部リー
ド側）への樹脂の流動を促進し、樹脂注入が良
好に達成される。なお、金型の仕切状突出部１
５ｃは、支持板２の上面側の広い空間への樹脂
の流れを抑制し、支持板２の裏面側の狭い空間
への樹脂の流れを増強し、支持板２の上面側と
裏面側での樹脂の流れのバランスを取る。これ
により、支持板２の上面側を流れる樹脂と裏面
側を流れる樹脂とが支持板２の右側部近傍（外
部リード導出側）でぶつかるようになり、樹脂
が良好に充てんされる。本実施例では、粗面１
３を帯状に形成する事と突出部１５ｃを設ける
事とが組み合わされているので、支持板２の裏
面側に樹脂層を良好に形成することが出来る。
力の不足や樹脂の未充てんが起らない。従つ
て、この部分の樹脂にピンホール様のものが発
生して絶縁耐圧の低い樹脂層が形成されたり、
明らかな未充てん部分が生じることがない。即
ち、粗面１３は支持板２の裏面と金型１６の間
の高さ0.4mmという狭い空間に流れ込もうとす
る粘液状の樹脂に対してその流動性を妨げるよ
うに作用してしまう。このため、支持板２の裏
面全体を粗面としてしまうと、樹脂注入時に問
題が発生し易い。しかし本発明では、帯状の平
滑面１４を樹脂の主たる流動方向に沿つて設け
ているので、この平滑面１４が、樹脂の未充て
ん等が起こり易い支持板２の右端側（外部リー
ド側）への樹脂の流動を促進し、樹脂注入が良
好に達成される。なお、金型の仕切状突出部１
５ｃは、支持板２の上面側の広い空間への樹脂
の流れを抑制し、支持板２の裏面側の狭い空間
への樹脂の流れを増強し、支持板２の上面側と
裏面側での樹脂の流れのバランスを取る。これ
により、支持板２の上面側を流れる樹脂と裏面
側を流れる樹脂とが支持板２の右側部近傍（外
部リード導出側）でぶつかるようになり、樹脂
が良好に充てんされる。本実施例では、粗面１
３を帯状に形成する事と突出部１５ｃを設ける
事とが組み合わされているので、支持板２の裏
面側に樹脂層を良好に形成することが出来る。
(c) 突出部１５ｃを設けて上側での樹脂の流れを
制限すると、樹脂が支持板２を下から上に押し
上げるように作用するが、ピン１５ａが設けら
れているので、支持板２の上下方向の位置にほ
ぼ一定に保つことが出来る。
制限すると、樹脂が支持板２を下から上に押し
上げるように作用するが、ピン１５ａが設けら
れているので、支持板２の上下方向の位置にほ
ぼ一定に保つことが出来る。
本発明は上述の実施例に限定されるものではな
く、例えば、次の変形例が可能なものである。
く、例えば、次の変形例が可能なものである。
(イ) 粗面１３を第９図に示す如く分布させてもよ
い。この例では、支持板２が延びる方向に直交
する方向にも樹脂が流れるように第２図では１
続きであつた帯状粗面１３が分断されている。
この第９図では、支持板２の外部リード導出側
の端の全部に粗面１３が設けられているが、こ
れは、この部分近傍まで樹脂が順調に注入すれ
ば、問題が生じないからである。粗面１３を第
１０図に示す如く形成してもよい。第１０図で
は支持板２の凹部８側端部へ樹脂が流入し始め
る時期の流動性を重視し、且つ粗面１３の面積
を大きくとるために、粗面１３が支持板２の外
部リード側に行くにつれて幅広になつている。
い。この例では、支持板２が延びる方向に直交
する方向にも樹脂が流れるように第２図では１
続きであつた帯状粗面１３が分断されている。
この第９図では、支持板２の外部リード導出側
の端の全部に粗面１３が設けられているが、こ
れは、この部分近傍まで樹脂が順調に注入すれ
ば、問題が生じないからである。粗面１３を第
１０図に示す如く形成してもよい。第１０図で
は支持板２の凹部８側端部へ樹脂が流入し始め
る時期の流動性を重視し、且つ粗面１３の面積
を大きくとるために、粗面１３が支持板２の外
部リード側に行くにつれて幅広になつている。
(ロ) 支持板２が完全に露出しない製品を希望する
場合には、凹部２０，２１に樹脂を注入しても
よい。また、支持板２の金型のピン１５ａと当
接する部分にあらかじめポリイミド系樹脂層の
ような絶縁層を形成しておき、この絶縁層の上
からピン１５ａで支持板２を挾持して、支持板
２が完全に絶縁物で被覆された半導体装置を得
てもよい。
場合には、凹部２０，２１に樹脂を注入しても
よい。また、支持板２の金型のピン１５ａと当
接する部分にあらかじめポリイミド系樹脂層の
ような絶縁層を形成しておき、この絶縁層の上
からピン１５ａで支持板２を挾持して、支持板
２が完全に絶縁物で被覆された半導体装置を得
てもよい。
(ハ) 支持板２の上下方向の位置ずれを防ぐため
に、ピン１５ａに対向するピンを下部金型１６
に設け、支持板２を挾持するようにしてもよ
い。また、支持板２の先端から細条を引き出
し、、この細条を金型１５，１６で挾持するこ
とによつて支持板２の位置決めを行つてもよ
い。また、ピン１５ａを省いた構成としてもよ
い。
に、ピン１５ａに対向するピンを下部金型１６
に設け、支持板２を挾持するようにしてもよ
い。また、支持板２の先端から細条を引き出
し、、この細条を金型１５，１６で挾持するこ
とによつて支持板２の位置決めを行つてもよ
い。また、ピン１５ａを省いた構成としてもよ
い。
上述から明らかな如く、本発明では、支持板の
他方の主表面に粗面を帯状に設け、この帯状粗面
の延びる方向が樹脂の主たる流れの方向となるよ
うにしたので、剥離しにくい成形樹脂層を支持板
の他方の主表面側に良好に形成することが出来
る。
他方の主表面に粗面を帯状に設け、この帯状粗面
の延びる方向が樹脂の主たる流れの方向となるよ
うにしたので、剥離しにくい成形樹脂層を支持板
の他方の主表面側に良好に形成することが出来
る。
第１図は本発明の実施例に係わるパワートラン
ジスタのリードフレームにチツプを接着し、内部
リードを接続した状態を示す斜視図、第２図は第
１図のリードフレームの裏面側を示す底面図、第
３図は支持板の一部拡大断面図、第４図は金型に
第１図のリードフレームを収容した状態を外部リ
ード４に沿う断面で示す断面図、第５図は金型と
リードフレームを外部リード５に沿う断面で示す
断面図、第６図及び第７図は第４図及び第５図の
空所に樹脂体を設けた状態を示す断面図、第８図
は完成したトランジスタの斜視図、第９図及び第
１０図は変形例のリードフレームの底面図であ
る。 １……リードフレーム、２……支持板、３，５
……チツプ接続用外部リード、４……支持板接続
用外部リード、９……チツプ、１０，１１……内
部リード、１３……粗面、１４……平滑面、１７
……成形空所、１９……成形樹脂体。
ジスタのリードフレームにチツプを接着し、内部
リードを接続した状態を示す斜視図、第２図は第
１図のリードフレームの裏面側を示す底面図、第
３図は支持板の一部拡大断面図、第４図は金型に
第１図のリードフレームを収容した状態を外部リ
ード４に沿う断面で示す断面図、第５図は金型と
リードフレームを外部リード５に沿う断面で示す
断面図、第６図及び第７図は第４図及び第５図の
空所に樹脂体を設けた状態を示す断面図、第８図
は完成したトランジスタの斜視図、第９図及び第
１０図は変形例のリードフレームの底面図であ
る。 １……リードフレーム、２……支持板、３，５
……チツプ接続用外部リード、４……支持板接続
用外部リード、９……チツプ、１０，１１……内
部リード、１３……粗面、１４……平滑面、１７
……成形空所、１９……成形樹脂体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放熱機能及び電気伝導機能を有するように形
成された支持板と、前記支持板の一方の主表面上
に固着された半導体チツプと、前記支持板の一端
に連結された支持板接続用外部リードと、前記半
導体チツプに接続された少なくとも１本のチツプ
接続用外部リードと、前記支持板接続用及びチツ
プ接続用外部リードの支持板側の一部、前記半導
体チツプ及び前記支持板を被覆する成形樹脂体と
を含み、前記成形樹脂体が前記支持板の他方の主
表面側にも薄く形成されている半導体装置の製造
方法において、 前記支持板の他方の主表面に帯状の粗面が形成
され、この帯状の粗面が所定方向に沿つて延びて
いるリードフレームを用意する工程と、 前記支持板に前記半導体チツプを固着し、前記
チツプ接続用外部リードを内部リードを介して又
は介さずに前記半導体チツプに接続してチツプ・
リードフレーム組立体を形成する工程と、 前記チツプ・リードフレーム組立体を成形用型
に装着し、前記帯状の粗面が延びる方向が樹脂の
主たる流動方向となるように前記型内の成形空所
に液状樹脂を注入して前記成形樹脂体を得る工程
と を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22434384A JPS61102040A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22434384A JPS61102040A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102040A JPS61102040A (ja) | 1986-05-20 |
| JPH0213462B2 true JPH0213462B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=16812269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22434384A Granted JPS61102040A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102040A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1252624B (it) * | 1991-12-05 | 1995-06-19 | Cons Ric Microelettronica | Dispositivo semiconduttore incapsulato in resina e elettricamente isolato di migliorate caratteristiche di isolamento,e relativo processo di fabbricazione |
| JP2556250B2 (ja) * | 1993-04-16 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0712634U (ja) * | 1993-08-06 | 1995-03-03 | 日産ディーゼル工業株式会社 | 車両のクラッチ制御装置 |
| JP2009147032A (ja) | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Panasonic Corp | 半導体装置および光ピックアップ装置 |
| JP6162643B2 (ja) | 2014-05-21 | 2017-07-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP6448712B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2019-01-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN113874188B (zh) * | 2019-06-06 | 2023-10-20 | 日立安斯泰莫株式会社 | 树脂成形体和树脂成形体的制造方法 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22434384A patent/JPS61102040A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61102040A (ja) | 1986-05-20 |
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