JP2009147032A - 半導体装置および光ピックアップ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂による保持強度を確保することを目的とする。
【解決手段】ダイパッド１と接続されているリード端子２のダイパッド１近傍の幅を太くし、樹脂５が形成される領域のリード端子にスリット９や突起板を形成することにより、製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂５による保持強度を確保することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子を搭載する半導体装置およびその半導体装置を搭載する光ピックアップ装置に関するものである。
近年、半導体レーザを用いた、光ディスク装置は、小型軽量化に加え、薄型化が進行している。そこで、それら光ディスク装置の光源となる半導体レーザ装置においても、薄型化の実現が急務となっている。加えて、光ディスクへの書き込み速度の向上に伴う半導体レーザの発振出力の向上によって発生する発熱が問題となって、良好な放熱性が求められるようになってきている。これと同時に、半導体レーザ装置の製造工程におけるリード端子の強度向上も要求されている。
以下、従来の半導体レーザ装置について図６，図７を用いて説明する。
図６は従来のリード端子幅を大きくした半導体レーザ装置の構造を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
図６において、１は半導体レーザを搭載するダイパッド、２９はダイパッド１と一体形成されて外部端子となるリード端子、３，４はダイパッド１と接続されずに形成されて外部端子となるリード端子、３０は半導体レーザ装置を保護すると共に、各リード端子を絶縁しながら固定する枠体構造の樹脂、６はダイパッドと一体形成された基部である。これらダイパッド１，リード端子２９，リード端子３，リード端子４および基部６でリードフレームを形成している。７はリードフレームの製造時に各リード端子間の機械的強度を確保するために設けられていたタイバーを切断した切断痕であり、タイバーはリードフレームの製造工程の最後に切断されている。１７は半導体レーザであり、ダイパッド１上にサブマウント１６を介して搭載されている。１８は各リード端子と半導体レーザとを配線するワイヤである。ここで、樹脂３０は内部に形成されるリード端子の形状を明確にするために一部透視的に表している。
図６に示す従来の半導体レーザ装置では、半導体レーザ装置の製造工程におけるリード端子の強度を確保するために、リード端子２９のダイパッド１との付け根から切断痕７の間のリード幅を他のリード端子のリード幅より太く形成した幅広部１０を形成していた（例えば、特許文献１参照）。
図７は従来の薄型半導体レーザ装置の構造を示す断面図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。また、図７において、図６と共通の構成要素には同じ符号を付与し、説明を省略する。
図７に示す従来の半導体レーザ装置では、薄型化を実現するために半導体レーザ装置の半導体レーザ１７の搭載面に対する裏面に設ける樹脂３０を薄くしている。そして、裏面に設ける樹脂３０を薄くしても、リード端子２９の保持強度および樹脂３０の密着性を確保するために、リード端子２９のダイパッド１の付け根から樹脂３０に覆われる範囲において折り曲げ部８を設けて、基部６を含むダイパッド１をリード端子３，リード端子４およびリード端子２９の折り曲げ部８より切下げる形状にし、樹脂３０を折り曲げ部８を含む領域の下部に設けることにより、裏面に設ける樹脂３０を薄くすることが可能となる。さらには、裏面に設ける樹脂３０を完全になくして半導体レーザ装置裏面をダイパッド１と同一面にすることも可能となる。これにより、リード端子の保持強度をある程度維持しながら、半導体レーザ装置を薄型化することができ、また、ダイパッド１の裏面が完全に露出することにより、放熱板との接触面積が拡大して放熱効果を向上させることも可能となっていた（例えば、特許文献２参照）。
特開２００２−４３６７４号公報 特開昭６１−１０２０４０号公報 特開昭５８−１４７１４１号公報 特開平１−２４４４９号公報
しかしながら、上記２つの従来の半導体レーザ装置の特徴を合わせて、リード端子２９のリード幅を太くし、さらに、リード端子２９に折り曲げ部８を設けることにより、半導体レーザ装置の薄型化とリード端子の強度維持を図る構成にすると、リード幅を太くした分だけリード端子２９周囲の樹脂３０の量が減少してしまい、リード端子２９の保持強度が不足することになるといった問題点があった。従来、樹脂に覆われるリード端子内に穴を設け、その穴に樹脂３０を流し込むことにより、樹脂３０の密着性を確保する構成も考えられたが、その場合も、一般的には樹脂は半導体レーザ装置の全面を覆うように形成されてリード端子の保持強度を確保しており（例えば、特許文献３参照）、このような半導体レーザ装置の裏面に樹脂３０を設けないような構成では、リード端子の保持強度を確保することが困難であるという問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するために、半導体装置または樹脂付リードフレームにおいて、製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂による保持強度を確保することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明の半導体装置は、リードフレームに半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、前記リードフレームが、前記半導体素子を搭載するダイパッドと、前記ダイパッドと接続されて外部端子となる第１のリード端子と、前記ダイパッドから離間して形成されて外部端子となる１または複数の第２のリード端子と、前記第１のリード端子が折り曲げ部を介して前記ダイパッドより変位し、かつ、前記ダイパッド面に平行方向に引き出されており、前記第１のリード端子および前記第２のリード端子の前記ダイパッドと隣接する部分を含む前記半導体素子を搭載する領域の少なくとも３方向に壁面を形成しながら前記第１のリード端子および前記第２のリード端子を保持するように前記ダイパッドの前記半導体素子搭載面に対する裏面と前記折り曲げ部下部の樹脂とを面一にして形成される枠体構造の樹脂と、少なくとも前記第１のリード端子の前記ダイパッドから前記折り曲げ部を含む近傍領域の間にスリットが形成された接続部とを有し、前記スリットが形成された接続部の少なくとも一部が前記樹脂の形成領域の中にあって、前記樹脂が充填されていることを特徴とする。
また、前記スリットが複数形成されることを特徴とする。
また、前記スリットが前記樹脂の形成領域から前記ダイパッド方向と反対方向にはみ出て形成されており、はみ出たスリット内にも前記樹脂が形成されることを特徴とする。
また、前記スリットが前記樹脂の形成領域から前記ダイパッド方向にはみ出て形成されており、はみ出たスリット内にも前記樹脂が形成されることを特徴とする。
また、リードフレームに半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、前記リードフレームが、前記半導体素子を搭載するダイパッドと、前記ダイパッドと接続されて外部端子となる第１のリード端子と、前記ダイパッドから離間して形成されて外部端子となる１または複数の第２のリード端子と、前記第１のリード端子が折り曲げ部を介して前記ダイパッドより変位し、かつ、前記ダイパッド面に平行方向に引き出されており、前記第１のリード端子および前記第２のリード端子の前記ダイパッドと隣接する部分を含む前記半導体素子を搭載する領域の少なくとも３方向に壁面を形成しながら前記第１のリード端子および前記第２のリード端子を保持するように前記ダイパッドの前記半導体素子搭載面に対する裏面と前記折り曲げ部下部の樹脂とを面一にして形成される枠体構造の樹脂と、前記樹脂が形成される領域の前記折り曲げ部が形成された前記第１のリード端子から前ダイパッド方向と反対側の１辺を接続した状態で切り出して形成する突起板と、前記第１のリード端子から突起板を折り出して形成されるスリットとを有し、前記突起板が前記樹脂内で前記第１のリード端子から飛び出した状態であり、前記スリット内にも前記樹脂が形成されることを特徴とする。
また、前記第１のリード端子のリード幅が少なくとも前記ダイパッドから前記折り曲げ部を含む近傍領域の間で前記第２のリード端子のリード幅に比べて広いことを特徴とする。
また、前記スリットまたは前記突起板が形成される部分の前記第１のリード端子を構成するリードそれぞれの幅が、前記第１のリード端子の肉厚にたいして０．７から１．２倍の幅であることを特徴とする。
また、前記スリットそれぞれの幅または前記突起板の幅が、前記第１のリード端子の肉厚にたいして０．７から１．２倍の幅であることを特徴とする。
また、前記半導体素子が発光素子であることを特徴とする。
また、前記半導体素子が受光素子であることを特徴とする。
また、前記半導体素子として発光素子および発光素子の両方が搭載されることを特徴とする。
さらに、本発明の光ピックアップ装置は、光ディスクにレーザ光を照射し、光ディスクに信号を書き込みあるいは、光ディスクの信号を読み取る光ピックアップ装置であって、構成部品を保持する筐体と、前記筐体に保持されて前記レーザ光を発光する請求項１３または請求項１５のいずれかに記載の半導体装置と、前記筐体に保持されて前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズと、前記筐体に保持されて前記半導体装置からの出射光を前記光ディスクの方向に折り曲げる立ち上げミラーとを有することを特徴とする。
以上により、製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂による保持強度を確保することができる。
以上のように、ダイパッドと接続されているリード端子のダイパッド近傍の幅を太くし、樹脂が形成される領域のリード端子にスリットや突起板を形成することにより、製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂による保持強度を確保することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。ここで、既出の図面と共通の構成要素には同じ符号を付与し、説明を省略する。また、半導体レーザ素子を搭載する半導体レーザ装置またはそれに用いるリードフレームを例として説明する。
（実施の形態１）
まず、実施の形態１について図１を用いて詳細に説明する。
図１は実施の形態１におけるリードフレームの構成を示す図であり、図１（ａ）はリードフレームの平面図、図１（ｂ）は樹脂を形成した状態の平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）の側面図である。
図１において、１は半導体レーザを搭載するダイパッド、２はダイパッド１と一体形成されて外部端子となるリード端子、３，４はダイパッド１と接続されずに形成されて外部端子となるリード端子、５は半導体レーザ装置を保護すると共に、各リード端子を絶縁しながら固定する枠体構造の樹脂であり、ダイパッド１の半導体チップ搭載領域を保護し、各リード端子のワイヤ接続領域を開口して各リード端子を保持するように形成されている。６はダイパッドと一体形成され、実装時の位置決めと搭載された半導体レーザ素子が発する熱の放熱を行うための基部である。これらダイパッド１，リード端子２，リード端子３，リード端子４および基部６で図１（ａ）に示すリードフレームを形成している。また、リード端子２，リード端子３，リード端子４には、リードフレームの製造時に各リード端子間の機械的強度を確保するために設けられていたタイバーがリードフレームの製造工程の最後に切断されてできた切断痕７が残存している。また、リード端子２のダイパッド１の付け根から切断痕７までに、機械強度を向上させるためにリード幅を広げた幅広部１０を設けている。ここで、樹脂５は内部に形成されるリード端子の形状を明確にするために一部透視的に表している。
図１に示す樹脂付のリードフレームでは、薄型化を実現するために半導体レーザ搭載面に対する裏面に設ける樹脂５を薄くしている。そして、リード端子２のダイパッド１の付け根から樹脂５に覆われる範囲において折り曲げ部８を設けて、基部６を含むダイパッド１をリード端子３，リード端子４およびリード端子２の切断痕７より下げる形状にし、樹脂５を折り曲げ部８領域の下部にも設けることにより、裏面に設ける樹脂５を薄くしている。また、折り曲げ部８領域の下部にも設ける樹脂５をダイパッド１裏面と同一面になるようにし、ダイパッド１と放熱板との接触面積を広くして放熱効率を向上させることも可能である（図１（ｃ）に示す状態）。さらに、本実施の形態におけるリードフレームでは、リード端子２の樹脂５に覆われる領域にスリット９を設け、スリット９内にも樹脂５を設けることにより、リード端子２の保持強度および樹脂５の密着性を確保している。このとき、スリット９を切断痕７方向あるいはダイパッド１方向、または両方向に樹脂５よりはみ出すように形成し、はみ出したスリット９内にも樹脂５を充填することにより、樹脂５とリード端子２の接触面積が多くなることから、さらにリード端子２の保持強度および樹脂５の密着性を向上させることができ、リード端子２の機械強度を向上させるために幅広部１０を設けることによりリード端子２の保持強度が不足した場合等に特に有効となる。
以上のように、リード端子２の機械強度を向上させるために幅広部１０を設けると共に、薄型化および放熱性向上のためにダイパッド１裏面に樹脂５を形成しないリードフレームにおいて、リード端子２にスリット９を設け、スリット９内に樹脂５を流入させることにより、樹脂５を含めたリードフレームを薄くしながらリード端子２の保持強度および樹脂５の密着性を確保することができる。また、ダイパッド１の裏面が完全に露出することにより、放熱板との接触面積が拡大して放熱効果を向上させることも可能となる。
なお、スリット９の両側に残るリード端子それぞれの幅は、リードフレームの製造限界によりリード端子の肉厚の０．７倍以上とすることが好ましく、リードの寸法制限によりリード端子の肉厚の１．２倍以下とすることが好ましい。同様に、スリット９の幅もリード端子の肉厚の０．７倍以上で１．２倍以下とすることが好ましい。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について図２を用いて詳細に説明する。
図２は実施の形態２におけるリードフレームの構成を示す図であり、図２（ａ）はリードフレームの平面図、図２（ｂ）は樹脂を形成した状態の平面図、図２（ｃ）は図２（ｂ）の側面図である。
図２において、１は半導体レーザを搭載するダイパッド、１１はダイパッド１と一体形成されて外部端子となるリード端子、３，４はダイパッド１と接続されずに形成されて外部端子となるリード端子、５は半導体レーザ装置を保護すると共に、各リード端子を絶縁しながら固定する枠体構造の樹脂であり、ダイパッド１の半導体チップ搭載領域を保護し、各リード端子のワイヤ接続領域を開口して各リード端子を保持するように形成されている。６はダイパッドと一体形成され、実装時の位置決めと搭載された半導体レーザ素子が発する熱の放熱を行うための基部である。これらダイパッド１，リード端子１１，リード端子３，リード端子４および基部６で図２（ａ）に示すリードフレームを形成している。また、リード端子１１，リード端子３，リード端子４には、リードフレームの製造時に各リード端子間の機械的強度を確保するために設けられていたタイバーがリードフレームの製造工程の最後に切断されてできた切断痕７が残存している。また、リード端子１１のダイパッド１の付け根から切断痕７までに、機械強度を向上させるためにリード幅を広げた幅広部１０を設けている。ここで、樹脂５は内部に形成されるリード端子の形状を明確にするために一部透視的に表している。
図２に示す樹脂付のリードフレームでは、リード端子１１の樹脂５に覆われる領域に複数本のスリット１２を設け、スリット９内にも樹脂５を設けることにより、リード端子１１の保持強度および樹脂５の密着性を確保している。このとき、スリット１２を切断痕７方向あるいはダイパッド１方向、または両方向に樹脂５よりはみ出すように形成し、はみ出したスリット１２内にも樹脂５を流入させることにより、さらにリード端子１１の保持強度および樹脂５の密着性を向上させることができる。
以上のように、リード端子１１の機械強度を向上させるために幅広部１０を設けると共に、薄型化のために樹脂５を少なくしたリードフレームにおいて、リード端子１１に複数本のスリット１２を設け、スリット１２内に樹脂５を流入させることにより、リード端子１１の機械強度を向上させ、さらに樹脂５を含めたリードフレームを薄くしながらリード端子１１の保持強度および樹脂５の密着性を向上させることができる。
なお、スリット１２の各スリット両側に残るリード端子それぞれの幅は、リードフレームの製造限界によりリード端子の肉厚の０．７倍以上とすることが好ましく、リードの寸法制限によりリード端子の肉厚の１．２倍以下とすることが好ましい。同様に、スリット１２の幅もリード端子の肉厚の０．７倍以上で１．２倍以下とすることが好ましい。
また、本実施の形態ではリード端子１１に折り曲げ部を設けず、ダイパッド１の裏面に樹脂５を形成する構成を例に説明したが、実施の形態１と同様にリード端子１１に折り曲げ部を設けて、ダイパッド１裏面とリード端子下部の樹脂とを面一に形成した樹脂付のリードフレームにも適用できる。
（実施の形態３）
次に、実施の形態３について図３を用いて詳細に説明する。
図３は実施の形態３におけるリードフレームの構成を示す図であり、図３（ａ）はリードフレームの平面図、図３（ｂ）は樹脂を形成した状態の平面図、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
図３において、１は半導体レーザを搭載するダイパッド、１３はダイパッド１と一体形成されて外部端子となるリード端子、３，４はダイパッド１と接続されずに形成されて外部端子となるリード端子、５は半導体レーザ装置を保護すると共に、各リード端子を絶縁しながら固定する枠体構造の樹脂であり、ダイパッド１の半導体チップ搭載領域を保護し、各リード端子のワイヤ接続領域を開口して各リード端子を保持するように形成されている。６はダイパッドと一体形成され、実装時の位置決めと搭載された半導体レーザ素子が発する熱の放熱を行うための基部である。これらダイパッド１，リード端子１３，リード端子３，リード端子４および基部６で図３（ａ）に示すリードフレームを形成している。また、リード端子１３，リード端子３，リード端子４には、リードフレームの製造時に各リード端子間の機械的強度を確保するために設けられていたタイバーがリードフレームの製造工程の最後に切断されてできた切断痕７が残存している。また、リード端子１３のダイパッド１の付け根から樹脂５に覆われる範囲において折り曲げ部８を設けて、基部６を含むダイパッド１をリード端子３，リード端子４およびリード端子１３の切断痕７より下げる形状にし、樹脂５を折り曲げ部８領域の下部にも設けることにより、裏面に設ける樹脂５を薄くしている。さらに、折り曲げ部８領域の下部にも設ける樹脂５をダイパッド１裏面と同一面になるようにし、ダイパッド１と放熱板との接触面積を広くして放熱効率を向上させることも可能である（図３（ｃ）に示す状態）。ここで、樹脂５は内部に形成されるリード端子の形状を明確にするために一部透視的に表している。
図３に示す樹脂付のリードフレームでは、リード端子１３の樹脂５に覆われる領域に突起板１４を設ける。突起板１４は、リード端子１３の樹脂５に覆われる領域において、切断痕７に近い辺を接続したまま突起板１４の形状に切れ目を入れ、切れ目を入れた部分をダイパッド１に平行またはそれに近い角度に折り曲げることにより形成され、リード端子１３の突起板１４があった部分にはスリット１５が残る形状である。この構成のリードフレームにおいて、スリット１５内にも樹脂５を設け、樹脂５内にリード端子１３と接続された突起板１４が存在することにより、リード端子１３の保持強度および樹脂５の密着性を向上することができる。
以上のように、薄型化および放熱性向上のためにダイパッド１裏面に樹脂５を形成しないリードフレームにおいて、リード端子１３に突起板１４およびスリット１５を設け、スリット１５内に樹脂５を流入させると共に樹脂５内にリード端子１３と接続した突起板１４を形成することにより、樹脂５を含めたリードフレームを薄くしながらリード端子１３の保持強度および樹脂５の密着性を確保することができる。また、ダイパッド１の裏面が完全に露出することにより、放熱板との接触面積が拡大して放熱効果を向上させることも可能となる。
なお、スリット１４の両側に残るリード端子それぞれの幅および突起板１４，スリット１５の幅は、リードフレームの製造限界によりリード端子の肉厚の０．７倍以上とすることが好ましく、リードの寸法制限によりリード端子の肉厚の１．２倍以下とすることが好ましい。
また、実施の形態１，実施の形態２と同様に、リード端子１３のダイパッド１の付け根から切断痕７までにリード幅を広げた幅広部１０を設けても良い。幅広部１０を設けることにより、さらに、リード端子１３の機械強度も向上させることができる。
また、以上の各実施の形態では、ダイパッドに接続されないリード端子が２本である構成を例に説明したが、ダイパッドに接続されないリード端子は１本でも良く、逆に３本以上であっても同様に適応できる。
以上の説明では、切断痕が残るリードフレームを例に説明したが、タイバーの切断において切断痕を残さずに切断できる場合はあえて切断痕を残す必要はない。その場合、スリットの端部は折り曲げ部の近傍等、樹脂が流出できる範囲に任意の長さで形成しても良い。
（実施の形態４）
次に、実施の形態４の半導体装置について図４を用いて詳細に説明する。
図４は実施の形態４における半導体レーザ装置の構成を示す平面図である。
図４に示す半導体レーザ装置では、実施の形態１で説明した樹脂付のリードフレームのダイパッド１上にサブマウント１６を介して半導体レーザ１７を搭載する。そして、半導体レーザ１７とリード端子２を直接電気的に接続し、半導体レーザ１７とリード端子３，リード端子４をサブマウント１６を介して電気的に接続するワイヤ１８がボンディングされている。さらに、樹脂５に囲まれた半導体レーザ１７搭載領域を密封するために、必要に応じてレーザ透過領域を設けたキャップ（図示せず）が装着されている。
以上のように、半導体レーザ装置として、実施の形態１における樹脂付のリードフレームに半導体レーザを搭載することにより、半導体レーザ装置を薄くしながらリード端子２の保持強度および樹脂５の密着性を確保することができる。
ここでは、実施の形態１の樹脂付リードフレームを用いた半導体レーザ装置を例に説明したが、実施の形態２，実施の形態３の樹脂付リードフレームを用いても、同様の構成で半導体レーザ装置を形成することができる。
さらに、ここでは、樹脂付のリードフレームに搭載する半導体素子として発光素子である半導体レーザを例に説明したが、受光素子や抵抗素子、その他の回路素子を単独、または複数混載して搭載することにより、製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂による保持強度を確保することができる種々の半導体装置を形成することができる。ダイパッドと放熱板との接触面積を広くして放熱効率を向上できるため、発熱する素子を搭載する場合に特に有効である。さらに、リード端子の幅広部を有することにより、パッケージの寸法精度が保たれるため、光学素子などの搭載位置精度が求められる用途に有効である。
（実施の形態５）
次に、実施の形態５の光ピックアップ装置について図５を用いて詳細に説明する。
図５は実施の形態５における光ピックアップ装置の構成を説明する図である。
図５に示すように、光ピックアップ装置２１は光学部品を支持する筐体２２を有し、光学デバイスとして実施の形態４の半導体レーザ装置１９が搭載されている。半導体レーザ装置１９より出射したレーザ光２０は、コリメートレンズ２３により平行光にコリメートされ、立ち上げミラー２４により光路を９０°折り曲げられたのち、対物レンズ２５により光ディスク２６上に記録されたピット上に焦点を結ぶ。このピット上の信号を読み取ったレーザ光２０は光ディスク２６で反射されて、同じ経路を逆に戻りビームスプリッター２７にて分岐され、受光素子（図示せず）に入射して光ディスクに記録された信号を読み取る。本実施の形態５における光ピックアップ装置２１は、以上の、半導体レーザ装置１９，筐体２２，コリメートレンズ２３，立ち上げミラー２４，対物レンズ２５およびビームスプリッター２７から構成される。尚、光ディスク２６の回転軸２８をスピンドルモータで回すことにより回転している。
以上のように、製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂による保持強度を確保した半導体レーザ装置を用いることにより、光ピックアップ装置への実装を容易に行うことができる。
本発明は、製造工程中のリード端子の強度を確保すると共に薄型化を実現しながら、リード端子の樹脂による保持強度を確保することができ、半導体素子を搭載する半導体装置およびその半導体装置を搭載する光ピックアップ装置等に有用である。
実施の形態１におけるリードフレームの構成を示す図 実施の形態２におけるリードフレームの構成を示す図 実施の形態３におけるリードフレームの構成を示す図 実施の形態４における半導体レーザ装置の構成を示す平面図 実施の形態５における光ピックアップ装置の構成を説明する図 従来のリード端子幅を大きくした半導体レーザ装置の構造を示す図 従来の薄型半導体レーザ装置の構造を示す断面図
符号の説明
１ ダイパッド
２ リード端子
３ リード端子
４ リード端子
５ 樹脂
６ 基部
７ 切断痕
８ 折り曲げ部
９ スリット
１０ 幅広部
１１ リード端子
１２ スリット
１３ リード端子
１４ 突起板
１５ スリット
１６ サブマウント
１７ 半導体レーザ
１８ ワイヤ
１９ 半導体レーザ装置
２０ レーザ光
２１ 光ピックアップ装置
２２ 筐体
２３ コリメートレンズ
２４ 立ち上げミラー
２５ 対物レンズ
２６ 光ディスク
２７ ビームスプリッター
２８ 回転軸
２９ リード端子
３０ 樹脂

Claims (12)

  1. リードフレームに半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、
    前記リードフレームが、
    前記半導体素子を搭載するダイパッドと、
    前記ダイパッドと接続されて外部端子となる第１のリード端子と、
    前記ダイパッドから離間して形成されて外部端子となる１または複数の第２のリード端子と、
    前記第１のリード端子が折り曲げ部を介して前記ダイパッドより変位し、かつ、前記ダイパッド面に平行方向に引き出されており、
    前記第１のリード端子および前記第２のリード端子の前記ダイパッドと隣接する部分を含む前記半導体素子を搭載する領域の少なくとも３方向に壁面を形成しながら前記第１のリード端子および前記第２のリード端子を保持するように前記ダイパッドの前記半導体素子搭載面に対する裏面と前記折り曲げ部下部の樹脂とを面一にして形成される枠体構造の樹脂と、
    少なくとも前記第１のリード端子の前記ダイパッドから前記折り曲げ部を含む近傍領域の間にスリットが形成された接続部と
    を有し、前記スリットが形成された接続部の少なくとも一部が前記樹脂の形成領域の中にあって、前記樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記スリットが複数形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記スリットが前記樹脂の形成領域から前記ダイパッド方向と反対方向にはみ出て形成されており、はみ出たスリット内にも前記樹脂が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
  4. 前記スリットが前記樹脂の形成領域から前記ダイパッド方向にはみ出て形成されており、はみ出たスリット内にも前記樹脂が形成されることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. リードフレームに半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、
    前記リードフレームが、
    前記半導体素子を搭載するダイパッドと、
    前記ダイパッドと接続されて外部端子となる第１のリード端子と、
    前記ダイパッドから離間して形成されて外部端子となる１または複数の第２のリード端子と、
    前記第１のリード端子が折り曲げ部を介して前記ダイパッドより変位し、かつ、前記ダイパッド面に平行方向に引き出されており、
    前記第１のリード端子および前記第２のリード端子の前記ダイパッドと隣接する部分を含む前記半導体素子を搭載する領域の少なくとも３方向に壁面を形成しながら前記第１のリード端子および前記第２のリード端子を保持するように前記ダイパッドの前記半導体素子搭載面に対する裏面と前記折り曲げ部下部の樹脂とを面一にして形成される枠体構造の樹脂と、
    前記樹脂が形成される領域の前記折り曲げ部が形成された前記第１のリード端子から前ダイパッド方向と反対側の１辺を接続した状態で切り出して形成する突起板と、
    前記第１のリード端子から突起板を折り出して形成されるスリットと
    を有し、前記突起板が前記樹脂内で前記第１のリード端子から飛び出した状態であり、前記スリット内にも前記樹脂が形成されることを特徴とする半導体装置。
  6. 前記第１のリード端子のリード幅が少なくとも前記ダイパッドから前記折り曲げ部を含む近傍領域の間で前記第２のリード端子のリード幅に比べて広いことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 前記スリットまたは前記突起板が形成される部分の前記第１のリード端子を構成するリードそれぞれの幅が、前記第１のリード端子の肉厚にたいして０．７から１．２倍の幅であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 前記スリットそれぞれの幅または前記突起板の幅が、前記第１のリード端子の肉厚にたいして０．７から１．２倍の幅であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 前記半導体素子が発光素子であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 前記半導体素子が受光素子であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 前記半導体素子として発光素子および発光素子の両方が搭載されることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 光ディスクにレーザ光を照射し、光ディスクに信号を書き込みあるいは、光ディスクの信号を読み取る光ピックアップ装置であって、
    構成部品を保持する筐体と、
    前記筐体に保持されて前記レーザ光を発光する請求項１３または請求項１５のいずれかに記載の半導体装置と、
    前記筐体に保持されて前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズと、
    前記筐体に保持されて前記半導体装置からの出射光を前記光ディスクの方向に折り曲げる立ち上げミラーと
    を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
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