JP2009141157A - 半導体装置、半導体装置の製造方法および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の高放熱性と薄型化を実現すると共に、光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】円柱の一部に半導体素子２２の搭載部となる平面部が設けられる形状のステム２４に半導体素子２２を搭載し、ステム２４をキャップ２５に円柱部が接するように挿入、密封封止する構成とし、半導体素子２２を搭載できる程度の搭載部の幅としてステム２４の円柱形をできるだけ小さくすることにより、半導体装置１００の高放熱性と薄型化を実現すると共に、光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置の小型化を実現することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法および、書き換え可能な光ディスクに用いる、半導体レーザや受光素子を集積する半導体装置を搭載する光ピックアップ装置、光ディスクドライブ装置に関する。

近年、大容量の書き換え型光ディスクは、ＤＶＤレコーダーやパソコン、またブルーレイレコーダーに搭載されて急速に普及している。とりわけ、ノートパソコン等の携帯機器に搭載される場合は光ディスクドライブの薄型化が強く要望されている。

さて、光ディスクドライブを薄型化するためには、光ピックアップ装置を薄型化することが重要である。この薄型化のためには、光ピックアップ装置の光学設計や機構設計において、主要構成部品の性能や機能は保持したままで主要構成部品の構造を見直すことにより、薄型化を実現することが期待される。

光ピックアップ装置の主要構成部品として、例えば、半導体レーザや信号検出用受光素子があるが、これらが搭載された半導体装置が薄型化されることによって、光ピックアップ装置の薄型化を実現することができる。

従来の代表的な半導体装置の構成例および光ピックアップの構成例について、図９，図１０を用いて説明する。
図９は従来の半導体装置の構成を例示する模式図、図１０は従来の光ピックアップ装置の構成例を例示する模式図である。

図９（ａ）において、半導体装置１は、半導体素子２と、ステム４と、キャップ５と、半導体素子２が出力したレーザ光１８を透過するガラス６と、一対のリード端子７と、半導体素子２のアノード及びカソードの両電極とリード端子７を接続するワイヤ８と、ステム４に設けられた貫通孔にリード端子７を固定するための低融点ガラス９で構成されている。

図９（ａ）の半導体装置１の製造方法は、まず予めステム４に半導体素子２と電気的に接続してパッケージ外部に導出するためのリード端子７を低融点ガラス９で固定しておく。そして、そのステム４に、半導体素子２をボンディングし、半導体素子２のアノード及びカソードの両電極を、ワイヤ８で一対のリード端子７に接続する。次に、キャップ端面窓部にガラス６を低融点ガラスで固定し、最後にステム４平面部にキャップ５をハーメチックシール溶接で固定して封止する。これにより、調合した各種ガスを内部に封入した気密封止が実現できる（例えば、特許文献１参照）。

図１０に前記の半導体装置１を搭載した従来の光ピックアップを例示する模式図を示す。
図１０において光ピックアップ装置１２の筐体１３に半導体装置１が実装されている。半導体装置１と光ディスク１４とは、ここではコリメートレンズである光学部品１５、立ち上げミラー１６および対物レンズ１７を介して光学的に結び付けられている。すなわち、図１０の半導体装置１の半導体レーザ（図示していない）より出射したレーザ光１８は、光学部品１５で平行光にコリメートされ、立ち上げミラー１６により光路を９０°折り曲げられたのち、対物レンズ１７により光ディスク１４上に記録されたピット上に焦点を結ぶ。このピット上の信号を読み取ったレーザ光１８は光ディスク１４で反射されて、同じ経路を逆に進む。このときに光学部品１５と立ち上げミラー１６の間に配置された回折光学部品１９により、レーザ光１８は分岐されて光学部品で集光されて受光素子（図示していない）に入射して光ディスク１４に記録された信号を読み取る。

このような光ピックアップ装置１２を薄型化するためには、半導体装置１の外形寸法１１を小さくすればよい。つまり、半導体装置１の外形寸法１１を小さくすることで光ディスクドライブの薄型化も実現することができる。

しかし、上記従来の半導体装置１の構成では、ステム４とキャップ５のハーメチックシールを実施するためにステム４にキャップ５の端部との平面接触する面積が必要となり、寸法公差を考慮すると半導体装置の外形寸法１１の最低寸法が制限され、この半導体装置１を用いる光ピックアップ装置１２の薄型化が困難になる。

これに対し、図９（ｂ）に示すように、ハーメチックシール溶接構造は廃止することで外形寸法１１の小型化を図っている。
図９（ｂ）の半導体装置１の製造方法は、まず、予め金属薄板の絞り加工により形成されたステム４の内部に低融点ガラス９などの絶縁物でリード端子７を固定しておく。そして、そのステム４に、半導体素子２及びサブマウント３をボンディングし、半導体レーザ２のアノード及びカソードの両電極を、ワイヤ８で一対のリード端子７に接続する。次に、端面窓部に低融点ガラスでガラス６が固定されたキャップ５の内部にステム４を密着させて挿入することで、ステム４の外形とキャップ５の内径寸法の寸法公差により圧入勘合するので、気密封止が完了する。この構成により、半導体装置の外形寸法１１はハーメチックシールに必要な平面部分を廃止出来るため、図９（ａ）で示す構成と比較してより小型化が可能になる（例えば、特許文献２参照）。
特開２００６−１３４３６号公報 特開平９−１３９５４１号公報

しかしながら、ノートパソコン等の携帯機器の小型化に伴い、搭載される光ディスクドライブの薄型化、しいては半導体装置の更なる薄型化が求められているとともに、記録用途の使用では更なる高速化へ向け高出力化は必須であり、放熱特性も両立しなければ半導体装置の信頼性が確保出来ない。

このような要望に対し図９（ｂ）の半導体装置では、ステム４が絞り加工にて構成されていることからその小型化にも限界があり、半導体素子２の実装面における加工寸法精度の悪化が懸念される為、半導体装置の性能に悪影響を与えてしまう。具体的には、図９（ｂ）に示す半導体装置では外形寸法１１が２ｍｍ以下の寸法では実現することが困難である。また、放熱性の面からみてもステム４の半導体素子２及びサブマウント３の実装面は絞り加工された薄板部品の先端に構成され、外部への放熱部であるキャップ５の内面との接触部はその根元部分である円状部分のみとなるため、キャップ５との接触面積が大きく取れないことと、半導体レーザ２の実装面からの放熱経路が薄く細いため熱容量が小さく、充分な放熱特性が得られにくいという問題点があった。

本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、半導体装置の高放熱性と薄型化を実現すると共に、光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置の小型化を実現することを目的とする。

上記目的を達成するために、請求項１記載の半導体装置は、半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、円柱の一部に前記半導体素子の搭載部となる平面部が設けられる形状のステムと、前記半導体素子と電気的に接続されて外部端子となるフレキシブル配線と、前記半導体素子と前記フレキシブル配線とを電気的に接続するワイヤと、前記ステムの円柱部に形成されて前記フレキシブル配線を嵌合保持するスリットと、前記フレキシブル配線を保持し前記半導体素子を搭載した前記ステムを前記円柱部が接する状態で内包し前記フレキシブル配線の外部端子部分を露出するための開口部を備えるキャップと、前記ステムを前記キャップに密封封止するために前記開口部に設けられる封止材とを有し、前記円柱の断面円直径が前記半導体素子の搭載面として必要最小限の幅と略同一であることを特徴とする。

請求項２記載の半導体装置は、半導体レーザを搭載してなる半導体装置であって、円柱の一部に前記半導体レーザの搭載部となる平面部が設けられる形状のステムと、前記半導体レーザと電気的に接続されて外部端子となるフレキシブル配線と、前記半導体レーザと前記フレキシブル配線とを電気的に接続するワイヤと、前記ステムの円柱部に形成されて前記フレキシブル配線を嵌合保持するスリットと、前記フレキシブル配線を保持し前記半導体レーザを搭載した前記ステムを前記円柱部が接する状態で内包し前記フレキシブル配線の外部端子部分を露出するための開口部を備えるキャップと、前記キャップの前記開口部と対向する面に設けられる貫通孔と、前記貫通孔に設けられるガラスと、前記ステムを前記キャップに密封封止するために前記開口部に設けられる封止材とを有し、前記円柱の断面円直径が前記半導体レーザの搭載面として必要最小限の幅と略同一であることを特徴とする。

請求項３記載の半導体装置は、請求項２記載の半導体装置において、前記キャップの貫通孔に光学部品を備えることを特徴とする。
請求項４記載の半導体装置は、請求項２または請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記半導体レーザが窒化物半導体レーザであることを特徴とする。

請求項５記載の半導体装置は、請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置において、受光素子が混載されることを特徴とする。
請求項６記載の半導体装置は、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記ステムの側面にカット面を備えることを特徴とする。

請求項７記載の半導体装置は、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記キャップの前記開口部側端部にフランジを形成し、その一面もしくは二面をカットし、直線部分を形成することを特徴とする。

請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置を製造するに際し、前記半導体素子または前記半導体レーザを前記ステムの搭載部上に接着する装着工程と、前記半導体素子または前記半導体レーザと前記フレキシブル配線とを接続する工程と、その後に前記ステムと前記キャップを固定する工程とを備え、前記ステムと前記キャップを固定する工程を圧入勘合及び封止剤による気密封止により行なうことを特徴とする。

請求項９記載の光ピックアップ装置は、筐体に支持される光ピックアップ装置であって、レーザ光を出射する半導体レーザ装置と、光ディスクで反射した前記レーザ光を受光する光受光装置と、前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズとを有し、前記半導体レーザ装置が請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であることを特徴とする。

請求項１０記載の光ピックアップ装置は、筐体に支持される光ピックアップ装置であって、レーザ光を出射する半導体レーザ装置と、光ディスクで反射した前記レーザ光を受光する光受光装置と、前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズ、前記光ディスクで反射したレーザ光の一部を分岐する回折光学素子とを有し、前記半導体レーザ装置が請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であることを特徴とする。

請求項１１記載の光ピックアップ装置は、請求項９または請求項１０のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ装置から出射する前記レーザ光を平行光に変換するコリメートレンズをさらに備えることを特徴とする。

請求項１２記載の光ディスクドライブ装置は、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置と、前記光ピックアップ装置を前記光ディスクの半径方向に移動自在なトラバース機構と、前記光ディスクを回転するドライブ機構とを有することを特徴とする。

以上により、半導体装置の高放熱性と薄型化を実現すると共に、光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置の小型化を実現することができる。

以上のように、円柱の一部に半導体素子の搭載部となる平面部が設けられる形状のステムに半導体素子を搭載し、ステムをキャップに円柱部が接するように挿入、密封封止する構成とし、半導体素子を搭載できる程度の搭載部の幅としてできるだけステムの円柱形を小さくすることにより、半導体装置の高放熱性と薄型化を実現すると共に、光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置の小型化を実現することができる。

以下、本発明の実施の形態にかかる半導体装置について、図面を参照しながら説明する。なお、図面で同じ符号が付いたものは、説明を省略する場合もある。
（第１の実施の形態）
図１から図４は本発明の実施の形態を示す図である。

図１は第１の実施の形態における半導体装置の構成を示す図であり、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態における半導体装置の斜視図、図１（ｂ）は第１の実施の形態の半導体装置のキャップの組立前の半導体装置の構成の斜視図、図１（ｃ）は第１の実施の形態の半導体装置の断面図を示す。図２はフレキシブル配線が折り曲げられた半導体装置の構成を示す図であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は断面図を示す。図３は受光素子が混載された半導体装置の構成を示す図であり、図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は断面図を示す。図４はステムの円柱部に形成されるスリットの形状を示す円柱部の断面図である。

図１において、本発明の半導体装置１００は、半導体素子２２と、半導体素子２２のサブマウント２３、ステム２４と、半導体素子２２が出力したレーザ光を通すための貫通孔を設けたキャップ２５と、その貫通孔に固定したガラス２６と、フレキシブル配線２７と、半導体素子２２のアノード及びカソードの両電極とフレキシブル配線２７を接続するワイヤ２８と、ステム２４をキャップ２５に圧入勘合して組み込んだ後、封止固定を行なうための封止材２９で構成されている。

ステム２４は円柱状の材料からなり、半導体素子２２及びサブマウント２３、そして半導体素子２２と外部を電気的に接続するためのフレキシブル配線２７の内部配線部を設置するために一部が円柱の長さ方向にカットされており、円柱部と前記の各部材を固定する面となる搭載面とからなる構成である。サブマウント２３に搭載された半導体素子２２のレーザ光出射面をステム２４のフレキシブル配線が配置された方向と逆方向に向けてステム２４基台上にハンダ材を用いてサブマウント２３を実装する。この実装を行なう工程において、半導体素子２２の平面方向の四方にステム２４の枠体及びリード配線端子が存在しないため、半導体素子２２を吸着しているコレットとステム２４の干渉が発生しない。したがって半導体素子２２の外形寸法に対し、ステム２４の半導体素子２２設置面の寸法を必要最小限な大きさに設定が可能であり、ひいてはキャップ２５の外形寸法も最小限に設定出来る。具体的には、半導体素子の搭載面を、コレットの干渉等を考慮することなく半導体素子を搭載するのに必要最小限の領域を確保するだけでよい。さらに、搭載面を円柱の直径を含む断面に形成することにより、円柱の径を最小にしてステムの寸法を最小にすることができ、半導体装置の薄型化を実現することができる。つまり、円柱の断面円直径を半導体素子の搭載面として必要最小限の幅とほぼ同一にし、搭載面の幅を断面円直径の幅とすることにより、半導体素子２２のレーザ光出射方向に対し直角方向のサブマウントの寸法に対し、＋８００μｍの外形寸法でステムの外形寸法の構成が可能である。

これは従来の半導体装置の厚みや幅半分以下の寸法であり、実装時の厚みが２ｍｍ以下の半導体装置が製作できる。
本実施の形態の構成により、半導体装置の厚みを薄くすることが可能となり、半導体装置の薄型化が実現できる。

また、ステムを完全にキャップ内部に内蔵し、円柱部でステムとキャップが接するため、ステムとキャップの接触面積を大きく確保でき、半導体素子から発生した熱をキャップ全体から放熱させて放熱性が向上する。

フレキシブル配線２７の配置については、図４に示すように、ステム円柱部に一定のスリット幅３８を設け、その内部でフレキシブル配線２７をはさむように固定して配置を行なう。このスリット幅３８については使用するフレキシブル配線２７の厚み寸法に合わせに最小限に設定すれば良く、設置後のクリアランスについては後述する封止工程で充填することで気密性を確保する。

また、本発明の半導体装置１００は、半導体素子２２のアノード及びカソードの両電極とフレキシブル配線２７をワイヤ２８で接続した後、ステム２４をキャップ２５に挿入し、キャップ開口側部分に封止材２９を塗布、充填することでステムの封止固定を実施する。この封止材については搭載する半導体素子により選択が可能であるが、代表的な例では低融点ハンダを用いれば、半導体素子２２が窒化物半導体レーザであっても、窒化物半導体レーザから出射されるレーザ光が有機化合物と化学反応を起こし、その化合物が窒化物半導体レーザの出射端面に堆積することで、窒化物半導体レーザの特性劣化や信頼性を低下させることがなく、高信頼性の半導体装置を実現できる。その他の半導体素子の場合はより生産性の良い樹脂系の接着剤も使用可能である。

また、図２に示すように、本発明の半導体装置は、ステム２４の内部配線側のフレキシブル配線２７を半導体素子２２の搭載面に対して直角に折り曲げ固定する構成も可能である。この構成によりフレキシブル配線２７の内部配線側を配置する平面的スペースが不要となり、半導体装置の全長方向の寸法が約１ｍｍ短縮出来る。このとき、半導体素子２２及びサブマウント２３とフレキシブル配線２７間を接続するワイヤ２８は直角方向へのボンディング動作が必要となるが、これは既存の設備において実現可能であり、問題は無い。

ところで、書き換え型光ディスクでは高出力半導体レーザの光出力の制御が重要である。光出力が必要以上に増大すると光ディスクに記録した情報を消去する。または半導体レーザに大きい負荷をかけて信頼性に影響を与えるような問題が生じることがある。また、光出力が所定の出力より小さいと光ディスクに記録するときに、前に記録されていた内容の消去が不十分となり、記録そのものが不完全にしかできないという問題が生じる。または記録されている情報を正確に読み取れないという問題を生じることがある。したがって、高出力半導体レーザの光出力を一定にして、かつ正確に制御することは非常に重要である。そのためには、高出力半導体レーザから光ディスクの方へ出射するレーザ光の一部を検出して、その検出値を基に光出力が一定になるように、レーザ電源の電流値を制御することが通常行われる。

図３に高出力半導体レーザの光出力の一部を検出するために、フレキシブル配線上に搭載した光出力モニター用の受光素子３５を示す。半導体素子２２の後端面の後方に光出力モニター用の受光素子３５を形成することにより、半導体素子２２の後端面から出射するレーザ光（図示せず）の一部を受光し、レーザ光全体の光出力を推定して、所望の光出力が正確に維持されるようにレーザ光を駆動する電流値を制御することができる。したがって、一定の出力のレーザ光がさらに安定して半導体装置から出力される。

また、図１（ａ）に示すようにキャップ端部にフランジ３２を設け、その一部をカットし、カット部３９を一面ないし二面設けることで、キャップ２５を精度良く保持したり、完成品である半導体装置１００を光ピックアップ装置へ組み込む際においても位置決めが正確になり、例えば半導体装置の実装精度が向上する。また、光ピックアップ装置の製造においても半導体装置の実装精度が向上し、半導体装置及び光ピックアップ装置の製造における歩留を改善することができる。

なお、本実施の形態において、ステム２４については金属ステムを用いて説明したが、他の樹脂製ステムなどを用いてもよく、ステム２５の材料や形態については光デバイスに用いられるものであれば制限はない。

また、本実施の形態では、半導体素子として半導体レーザ素子を例に説明したが、その他の半導体素子を搭載する半導体装置としても同様の構成を用いることができる。
（第２の実施の形態）
次に、本発明の半導体装置の製造方法および製造装置について、図１，図５，図６を用いて説明する。

図５は第２の実施の形態における半導体装置の製造方法と製造装置を示す斜視図であり、図６は第２の実施の形態における半導体装置の製造方法と製造装置を示す断面図である。

図５において、本発明の半導体装置の製造方法とその製造装置は、ステム２４を精度良く保持、固定するための規正爪３６にて固定する機構を示している。このように、ステム２４に設けられたカット面３４を規正爪３６で保持することにより半導体素子２２及びサブマウント２３の実装固定及び、ワイヤ２８を接続する際にも高い精度で位置決めが可能である。

図６は、ステム２４をキャップ２５に挿入後、封止材を塗布、充填する製造方法を示したものである。キャップ２５の開口部を上面に向けて、封止材を例えばディスペンス装置などで塗布し、スリット幅３８やステム２４の外形周辺部に充填し、固定を持って封止を完了する。このとき、半導体素子２２を設置している内部にも大気もしくは調整された各種ガスが残っているため、スリット幅３８からは必要以上の封止材が流入することは無い。

本実施の形態の製造方法とその製造装置により、容易に第１の実施の形態で示した半導体装置において、薄型で且つ気密封止を実現できる。
（第３の実施の形態）
図７は第３の実施の形態における光ピックアップ装置を示す模式図であり、第１の実施の形態で示した半導体装置を搭載した光ピックアップ１０１の模式図を示す。

図７において、半導体装置１００の半導体レーザチップ（図示していない）より出射したレーザ光１０２は、例えば、コリメートレンズ等の光学部品１０３で平行光にコリメートされ、立ち上げミラー１０４により光路を９０°折り曲げられたのち、対物レンズ１０５により光ディスク１０６上に記録されたピット上に焦点を結ぶ。このピット上の信号を読み取ったレーザ光１０２は光ディスク１０６で反射されて、同じ経路を逆に進んで半導体装置１００に戻る。このときに光学部品１０３と立ち上げミラー１０４の間に配置された回折光学部品１０８により、レーザ光１０２は分岐されて光学部品１０３で集光されて受光素子（図示していない）に入射して光ディスクに記録された信号を読み取る。なお、光ディスク１０６はスピンドルモータで回転している回転軸１０９により回転している。

このように構成された光ピックアップ装置１０１の厚さは半導体装置１００の幅１０７で決まり、本実施の形態では、図１０で示した従来の光ピックアップ装置１２に対して厚さで８０％が実現できた。

図８は本発明の光ディスクドライブを示す概略構成図であり、本実施の形態の光ピックアップ装置１０１を用いた光ディスクドライブ装置（以下、光ディスクドライブとする）１１０を示す。

図８において、光ディスクドライブ１１０は光ディスク１０６を回転するドライブ機構により回転軸１０９を駆動している。光ディスク１０６の信号の記録・再生のために、光ピックアップ装置１０１はディスクの半径方向に移動自在なトラバース機構の支持軸１１１、１１２により、移動方向１１３を移動する。光ピックアップ装置１０１には薄型化された本発明の半導体装置１００が搭載されているので、光ピックアップ装置１０１は、図７で説明したように薄型化されている。

なお、本実施の形態において、半導体レーザは、２波長レーザや３波長レーザ等の多波長レーザを用いてもよい。

本発明は、高放熱性と薄型化を実現でき、半導体装置、半導体装置の製造方法および、書き換え可能な光ディスクに用いる、半導体レーザや受光素子を集積する半導体装置を搭載する光ピックアップ装置、光ディスクドライブ装置等に有用である。

第１の実施の形態における半導体装置の構成を示す図 フレキシブル配線が折り曲げられた半導体装置の構成を示す図 受光素子が混載された半導体装置の構成を示す図 ステムの円柱部に形成されるスリットの形状を示す円柱部の断面図 第２の実施の形態における半導体装置の製造方法と製造装置を示す斜視図 第２の実施の形態における半導体装置の製造方法と製造装置を示す断面図 第３の実施の形態における光ピックアップ装置を示す模式図 本発明の光ピックアップを用いた光ディスクドライブを示す概略構成図 従来の半導体装置の構成を例示する模式図 従来の光ピックアップ装置の構成例を例示する模式図

符号の説明

１、１００ 半導体装置
２、２２ 半導体素子
３、２３ サブマウント
４、２４ ステム
５、２５ キャップ
６、２６ ガラス
７ リード端子
８、２８ ワイヤ
９ 低融点ガラス
１１ 外形寸法
１２、１０１ 光ピックアップ装置
１３ 筐体
１４、１０６ 光ディスク
１５、１０３ 光学部品
１６、１０４ 立ち上げミラー
１７、１０５ 対物レンズ
１８、１０２ レーザ光
１９、１０８ 回折光学部品
２７ フレキシブル配線
２９ 封止材
３２ フランジ
３３ スリット
３４ カット面
３５ 受光素子
３６ 規正爪
３７ 塗布ノズル
３８ スリット幅
３９ カット部
１０７ 幅
１０９ 回転軸
１１０ 光ディスクドライブ
１１１、１１２ 支持軸
１１３ 移動方向

Claims (12)

1. 半導体素子を搭載してなる半導体装置であって、
   円柱の一部に前記半導体素子の搭載部となる平面部が設けられる形状のステムと、
   前記半導体素子と電気的に接続されて外部端子となるフレキシブル配線と、
   前記半導体素子と前記フレキシブル配線とを電気的に接続するワイヤと、
   前記ステムの円柱部に形成されて前記フレキシブル配線を嵌合保持するスリットと、
   前記フレキシブル配線を保持し前記半導体素子を搭載した前記ステムを前記円柱部が接する状態で内包し前記フレキシブル配線の外部端子部分を露出するための開口部を備えるキャップと、
   前記ステムを前記キャップに密封封止するために前記開口部に設けられる封止材と
   を有し、前記円柱の断面円直径が前記半導体素子の搭載面として必要最小限の幅と略同一であることを特徴とする半導体装置。
2. 半導体レーザを搭載してなる半導体装置であって、
   円柱の一部に前記半導体レーザの搭載部となる平面部が設けられる形状のステムと、
   前記半導体レーザと電気的に接続されて外部端子となるフレキシブル配線と、
   前記半導体レーザと前記フレキシブル配線とを電気的に接続するワイヤと、
   前記ステムの円柱部に形成されて前記フレキシブル配線を嵌合保持するスリットと、
   前記フレキシブル配線を保持し前記半導体レーザを搭載した前記ステムを前記円柱部が接する状態で内包し前記フレキシブル配線の外部端子部分を露出するための開口部を備えるキャップと、
   前記キャップの前記開口部と対向する面に設けられる貫通孔と、
   前記貫通孔に設けられるガラスと、
   前記ステムを前記キャップに密封封止するために前記開口部に設けられる封止材と
   を有し、前記円柱の断面円直径が前記半導体レーザの搭載面として必要最小限の幅と略同一であることを特徴とする半導体装置。
3. 前記キャップの貫通孔に光学部品を備えることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 前記半導体レーザが窒化物半導体レーザであることを特徴とする請求項２または請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 受光素子が混載されることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記ステムの側面にカット面を備えることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記キャップの前記開口部側端部にフランジを形成し、その一面もしくは二面をカットし、直線部分を形成することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置を製造するに際し、
   前記半導体素子または前記半導体レーザを前記ステムの搭載部上に接着する装着工程と、
   前記半導体素子または前記半導体レーザと前記フレキシブル配線とを接続する工程と、
   その後に前記ステムと前記キャップを固定する工程と
   を備え、前記ステムと前記キャップを固定する工程を圧入勘合及び封止剤による気密封止により行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 筐体に支持される光ピックアップ装置であって、
   レーザ光を出射する半導体レーザ装置と、
   光ディスクで反射した前記レーザ光を受光する光受光装置と、
   前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズと
   を有し、前記半導体レーザ装置が請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であることを特徴とする光ピックアップ装置。
10. 筐体に支持される光ピックアップ装置であって、
    レーザ光を出射する半導体レーザ装置と、
    光ディスクで反射した前記レーザ光を受光する光受光装置と、
    前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズ、
    前記光ディスクで反射したレーザ光の一部を分岐する回折光学素子と
    を有し、前記半導体レーザ装置が請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であることを特徴とする光ピックアップ装置。
11. 前記半導体レーザ装置から出射する前記レーザ光を平行光に変換するコリメートレンズをさらに備えることを特徴とする請求項９または請求項１０のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置。
12. 請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置と、
    前記光ピックアップ装置を前記光ディスクの半径方向に移動自在なトラバース機構と、
    前記光ディスクを回転するドライブ機構と
    を有することを特徴とする光ディスクドライブ装置。

Images