KR20080037847A - 광차단판을 갖는 반도체 레이저 소자 및 반도체 레이저소자 패키지 - Google Patents

광차단판을 갖는 반도체 레이저 소자 및 반도체 레이저소자 패키지 Download PDF

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KR20080037847A
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Abstract

개시된 반도체 레이저 소자는 기판 상에 순차적으로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층을 포함하는 발광구조와, 이 발광구조가 접합되는 서브마운트와, 서브마운트에 형성되어 발광구조가 서브마운트에 접합된 때에 기판의 발광구조의 광출사면 쪽 단면을 막아 이 단면을 통하여 누출되는 광을 차단하는 광차단판을 포함한다.

Description

광차단판을 갖는 반도체 레이저 소자 및 반도체 레이저 소자 패키지{Semiconductor laser element and semiconductor laser element package having light-blockig plate}
도 1a는 사파이어 기판을 채용한 종래의 질화물 반도체 레이저 소자의 파-필드 패턴의 리플 형상을 도시한 그래프.
도 1b는 GaN 기판을 채용한 종래의 질화물 반도체 레이저 소자의 파-필드 패턴의 리플 형상을 도시한 그래프.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 일 실시예의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 일 실시예의 측면도.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 파-필드 패턴을 도시한 그래프.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 패키지의 일 실시예의 사시도.
도 6은 도 5의 A부의 확대도.
도 7은 도 5의 A부의 측면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100......발광구조 101......광출사면
110......기판 110a......컨택층
110b......기판의 단면 110c......컨택층의 단면
120......제1물질층 121......제1클래드층
122......제1도파층 130......활성층
140......제2물질층 141......제2도파층
142......제2클래드층 143......캡층
150......전류제한층 160......p형 전극층
170......리지웨이브가이드 200......서브마운트
201......서브마운트용기판 202......금속층
203......본딩메탈층 210, 320......광차단판
310......스템
본 발명은 반도체 레이저 소자 및 패키지에 관한 것으로서, 특히 광차단판을 구비하는 반도체 레이저 소자 및 패키지에 관한 것이다.
반도체 물질을 이용하여 주로 청자색의 빛을 방출하는 레이저 소자를 제조할 수 있다. 반도체 레이저 소자는 대략 파장 360nm의 자외선에서부터 490nm의 청녹색에 이르는 영역의 레이저 빛을 방출할 수 있는데, 현재 400nm ~ 450nm 파장의 청색과 자색 영역의 레이저가 다양한 분야에서 이용되고 있다. 405nm 부근의 발진 파장 을 갖는 반도체 레이저 소자는 블루-레이 디스크(Blue-Ray Disk), 고품위 디지털 비데오 디스크(HD DVD)와 같은 차세대의 고용량 광저장매체의 광원으로 활용된다. 그리고, 450nm 부근의 청색의 발진 파장을 갖는 반도체 레이저 소자는 레이저 디스플레이 시스템(laser display system)의 청색 광원으로 활용될 수 있다. 추후에 발진 파장이 더욱 길어져서 500nm 이상의 파장에서 발진하는 반도체 레이저 소자가 실현된다면 레이저 디스플레이 시스템의 녹색 광원으로도 이용될 수 있을 것이다. 또한, 청자색 반도체 레이저 소자는 고해상도 레이저 프린터(laser printer)의 광원으로도 활용될 가능성이 있다. 질화물계 반도체 물질을 이용하여 400nm 이하의 자외선 영역의 단파장을 갖는 반도체 레이저 소자도 제작할 수 있는데, 이는 생물학적 연구 및 의료용으로 응용될 수 있다.
질화물 반도체 레이저 소자에서는 AlGaN으로 된 n-클래드층에서 Al의 조성이 충분히 높지 않거나, n-클래드층의 두께가 충분히 두껍지 않으면 옵티컬 컨파인먼트(optical confinement)가 나빠져서 n-클래드층 아래쪽 층으로 광누설이 생긴다.
사파이어 기판을 채용하는 질화물 반도체 레이저 소자에서는 n-클래드층 아래쪽으로 빠져나간 빛이 사파이어 기판과 n-클래드층 사이의 n-컨택층에 존재하면서 일부는 기판과 n-컨택층의 광출사면쪽 단면을 통하여 외부로 빠져나간다. 또, GaN 기판 상에 성장된 질화물 반도체 레이저 소자에서는 n-클래드층 아래쪽으로 빠져나간 빛이 기판 내부에 존재하면서 일부는 기판의 광출사면쪽 단면을 통하여 외부로 빠져나간다. 빠져나간 빛이 반도체 레이저 소자로부터 출사되는 광의 파-필드 패턴(far field pattern)에 간섭을 일으켜서 도 1a, 도 1b에 도시된 바와 같이 리 플(ripple) 형상을 형성하게 된다.
이러한 파-필드 패턴의 리플 형상은 청자색 반도체 레이저 소자의 시스템 응용에 있어서 문제점을 야기할 수 있다. 예를 들어, 레이저 디스플레이의 청색 광원으로 이용하는 경우에, 리플 형상은 디스플레이 영상을 불균일하게 만들어서 화면의 품질을 크게 저하시키게 된다. 또한, 광저장 매체의 광원으로 이용하는 경우에는 잡음을 증가시켜 정보 재생시의 신호 판독에 오류를 만들게 되므로 광픽업의 신뢰성에 문제를 야기하게 된다.
파-필드 패턴에서 리플을 줄이기 위하여는 n-클래드층의 아래쪽에서 발생되는 광누출을 차단하여야 한다. 이를 위하여 n-클래드층의 Al 조성을 높이거나 n-클래드층의 두께를 두껍게 해서 옵티컬 컨파인먼트를 강하게 할 필요가 있다. 하지만, n-클래드층의 Al 조성이 너무 높거나 또 n-클래드층의 두께가 너무 두꺼우면, 반도체 레이저 소자의 제조를 위한 성장 과정에서 크랙(crack)이 유발될 가능성이 커지므로 이러한 방법을 통하여 광누출을 차단하는데에는 한계가 있다. 광의 파장이 길어질수록 광누출이 증가되어 특히 레이저 디스플레이의 광원으로의 응용에 있어서 심각한 문제가 될 수 있다.
일본공개특허공보 제2005-101457에는 질화물 반도체 레이저 소자의 광출사면측의 기판 단면에 광차단막을 증착함으로써 기판을 통한 광누출을 차단하는 기술이 개시되어 있다. 상기 문헌에 따르면, 반도체 레이저 소자의 광출사면 중에서 광차단막이 형성되어서는 안되는 영역을 가릴 수 있는 지그(zig)에 반도체 레이저 소자를 부착시키고 기판의 단면에 광차단막을 증착한다.
하지만, 반도체 레이저 소자의 광출사면 중에서 광차단막이 형성되어서는 안되는 영역의 두께는 수 ㎛ 정도에 불과하여 이를 가릴 수 있는 지그를 제작하기가 쉽지 않다. 지그가 기판의 광출사면측 단면까지 가려버리면 광차단막이 불충분하게 형성되어 광누출을 충분히 차단할 수 없다. 또, 반도체 레이저 소자를 지그에 부착시킬 때에도 수 ㎛의 정밀도가 요구되나 실제로 이와 같은 정밀도를 유지하기가 그리 쉬운 것은 아니다. 따라서, 반도체 레이저 소자를 지그에 부착하는 과정에서 광출사면이 손상되어 발광성능을 저하시킬 가능성을 완전히 배제할 수는 없다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 창출된 것으로서, 기판을 통한 광누출을 방지하는 광차단판을 반도체 레이저 소자의 발광구조 이외의 영역에 형성한 반도체 레이저 소자 및 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층을 포함하는 발광구조; 상기 발광구조가 접합되는 서브마운트; 상기 서브마운트에 형성되어 상기 발광구조가 상기 서브마운트에 접합된 때에 상기 기판의 상기 발광구조의 광출사면 쪽 단면을 막아 상기 단면을 통하여 누출되는 광을 차단하는 광차단판;을 포함한다.
일 실시예로서, 상기 제2클래드층은 일부가 상방으로 돌출되어 리지웨이브가이드를 형성하며, 상기 광차단판의 폭은 상기 리지웨이브가이드의 폭 이상이다.
일 실시예로서, 상기 광차단판은 Si, SiC, SiN, AlN, 금속물질 중 적어도 하나 이상을 포함하는 물질로 형성된다.
일 실시예로서, 상기 기판은 GaN기판, SiC기판, 사파이어기판 중 어느 하나이다.
일 실시예로서, 상기 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층은 AlxGa1-xInyN1-y(0≤x≤0.3, 0≤y≤0.3)물질로 형성된다.
일 실시예로서, 상기 광차단판과 상기 광출사면 사이에는 갭이 형성된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 레이저 소자 패키지는, 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층을 포함하는 발광구조; 상기 발광구조가 접합되는 서브마운트; 상기 서브마운트가 부착되는 스템; 상기 스템에 형성되어 상기 서브마운트가 상기 스템에 부착된 때에 상기 기판의 상기 발광구조의 광출사면 쪽 단면을 막아 상기 단면을 통하여 누출되는 광을 차단하는 광차단판;을 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층을 포함하는 발광구조; 상기 발광구조가 접합되는 서브마운트; 상기 서브마운트가 접합되는 스템; 상기 기판의 상기 발광구조의 광출사면 쪽 단면을 막아 상기 단면을 통하여 누출되는 광을 차단하는 광차단판;을 포함하며, 상기 광차단판은 상기 발광구조 이외의 영역에 마련된다.
이하 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2와 도 3은 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 일 실시예를 도시한 사시도와 측면도이다. 도 2와 도 3은 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 특징을 명확히 도시하기 위해 다소 과장되게 표현돠어 있다. 본 실시예의 반도체 레이저 소자는 GaN계열 III-V족 질화물 반도체 레이저 소자이다.
도 2를 보면, 기판(110) 상에는 제1물질층(120)과 활성층(130) 및 제2물질층(140)이 차례로 적층되어 발광구조(100)가 형성된다.
기판(110)은 GaN 또는 SiC 등의 III-V족 화합물 질화물 반도체층 기판, 또는 사파이어 기판과 같은 고저항성 기판일 수 있다. 특히 기판(110)으로서 GaN 또는 SiC기판을 채용하는 경우에는 용이하게 수직구조의 발광구조(100)를 형성할 수 있다.
제1물질층(120)은 제1클래드층(121)을 포함한다. 제1클래드층(121)은 예를 들면 n-AlGaN/GaN층이다. 참조부로 122는 제1도파층을 표시한다. 제1도파층(122)은 GaN계열의 III-V족 질화물 화합물 질화물 반도체층으로서 n-GaN층이다. 제1도파층(122)은 활성층(130)에 비해 굴절률이 낮고, 제1클래드층(121)보다는 굴절률이 높다.
활성층(130)은 전자-정공 등의 캐리어 재결합에 의해 광 방출이 일어나는 물질층으로서, 다중 양자 우물(MQW: Multi Quantum Well) 구조를 갖는 GaN계열의 III-V족 질화물 화합물 질화물 반도체층이 바람직하다. 활성층(130)은 GaN계열의 III-V족 질화물 화합물 반도체층에 인듐(In)을 소정의 비율로 함유하는 물질층, 예를 들면 InGaN층일 수 있다.
제2물질층(140)은 제2클래드층(142)과 캡층(143)을 포함한다. 제2클래드층(142)은 도핑 물질이 p형인 것을 제외하고는 제1클래드층(121)과 동일한 물질층이다. 리지웨이브가이드(170)를 형성하기 위하여 제2클래드층(142)의 일부는 상방으로 돌출된다. 참조부호 141은 제2도파층을 표시한다. 제2도파층(141)은 GaN계열의 III-V족 질화물 화합물 질화물 반도체층으로서 p-GaN층인 것이 바람직하다. 제2도파층(141)은 활성층(130)에 비해 굴절률이 낮고, 제2클래드층(142)보다는 굴절률이 높다.
제1클래드층(121), 활성층(130), 제2클래드층(142)의 조성은 예를 들면, AlxGa1-xInyN1-y(0≤x≤0.3, 0≤y≤0.3)으로 표현될 수 있다.
캡층(143)은 GaN계열의 III-V족 질화물 화합물 질화물 반도체층으로서, p형 도전성 불순물이 도핑된 직접 천이형인 것이 바람직하고, 그 중에서도 p-GaN층이 더욱 바람직하다 또한, GaN층, 알루미늄(Al)이나 인듐(In)을 소정의 비율로 함유하는 AlGaN층 또는 InGaN층일 수 있다.
참조부호 160은 캡층(143)과 전기적으로 접속되는 p형 전극층이다. 참조부호 150은 p형 전극층(160)이 캡층(143)과 제한적으로 접촉되도록 하기 위한 전류제한층이다.
기판(110)으로서 사파이어 기판을 채용하는 경우에는, 제2클래드층(142)으로 전류를 공급하기 위하여 기판(110)과 제2클래드층(142) 사이에 컨택층(110a)이 더 형성될 수 있다. 컨택층(110a)은 AlxGa1-xN(0≤x≤0.05)인 것이 바람직하다.
서브마운트(200)는 서브마운트용기판(201) 위에 제1물질층(120)으로 전류를 공급하기 위한 금속층(202)과, 이 금속층(202)을 기판(110)과의 접합시키기 위한 본딩메탈층(203)이 적층된 형태이다. 서브마운트(200)의 구조는 당업계에서 잘 알려진 것이므로 더 이상의 설명은 생략한다.
발광구조(100)를 서브마운트(200) 위에 올려놓고 본딩메탈층(203)을 용융시킴으로써 발광구조(100)와 서브마운트(200)가 접합된다.
본 발명의 반도체 레이저 소자는 광차단판(210)이 서브마운트에 마련된 것을 특징으로 한다. 광차단판(210)은 광을 반사 또는 흡수하는 물질로 형성된다. 광차단판(210)은 서브마운트용기판(201)과 동일한 재료로 일체로 형성될 수 있다. 또 광차단판(210)은 서브마운트용기판(201)에 증착 등의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 서브마운트(200)에 광차단판(210)을 형성하는 방법은 소정 높이의 광차단판(210)을 형성할 수 있는 방법인 한 특별히 제한되지 않는다. 광차단판(210)은 예를 들면 Si, SiC, SiN, AlN, 금속물질 중 적어도 하나 이상을 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
광차단판(210)의 높이는 기판(110)의 광출사면(101) 쪽 단면(110b)의 적어도 50% 이상을 덮을 수 있는 높이가 되는 것이 바람직하다. 광차단판(210)은 기판(110)의 광출사면(101) 쪽 단면(110b) 전부를 덮는 것이 더 바람직하다. 또, n- 컨택층(110a)이 마련되는 경우에는 광차단판(210)은 n-컨택층(110a)의 광출사면(101) 쪽 단면(110c)까지 덮는 것이 바람직하다.
활성층(130)에서 발생된 광은 대부분 리지웨이브가이드(170)의 폭(W2)에 해당되는 영역으로 방출된다. 따라서, 광차단판(210)의 폭(W1)은 적어도 리지웨이브가이드(170)의 폭(W2) 이상이 되는 것이 바람직하다.
발광구조(100)와 서브마운트(200)를 접합함으로써 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 광차단판(210)에 의하여 기판(110)의 단면(110b)이 덮인 형태의 반도체 레이저 소자가 형성된다. 이 때, 발광구조(100)의 광출사면(101)과 광차단판(210) 사이에는 약간의 갭(gap)이 있을 수 있다. 하지만, 반드시 갭이 있어야하는 것은 아니다. 갭을 형성함으로써 발광구조(100)를 서브마운트(200)에 접합하는 과정에서 발광구조(100)의 광출사면(101)의 손상을 방지할 수 있다.
도 2, 도 3에 도시된 형태의 반도체 레이저 소자를 스템에 부착하고 하우징으로 패키징함으로써 반도체 레이저 소자 패키지를 형성할 수 있다.
제1, 제2물질층(120)(140)에 전류가 공급되면, 활성층(130)에서는 전자-정공 등의 캐리어 재결합에 의해 광 방출이 일어난다. 활성층(130)의 상하에 있는 제1, 제2도파층(122)(141)은 활성층(130)에서 방출되는 광을 증폭시킨다. 증폭된 광(L)은 발광구조(100)의 광출사면(101)을 통하여 방출된다. 이 때, 활성층(130)에서 발생된 광의 일부(L1)는 제1클래드층(121)을 통과하여 컨택층(110a)과 기판(110)으로 빠져나간다. 이 광(L1)이 기판(110)의 단면(110b) 또는 컨택층(110a)의 단면(110c)을 통하여 빠져나가면 광(L)의 파-필드 패턴(far field pattern)에 간섭을 일으켜 서 도 1a, 도 1b에 도시된 바와 같이 리플(ripple) 형상을 형성하게 된다. 본 실시예에 의하여 제조된 반도체 레이저 소자에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이 컨택층(110a)과 기판(110)으로 누출된 광(L1)이 광차단판(210)에 의하여 차단되므로 기판(110)의 단면(110b) 또는 컨택층(110a)의 단면(110c)을 통한 광누출이 발생되지 않는다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이 리플형상이 없는 고품질의 광을 얻을 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 질화물 반도체 레이저 소자 패키지의 일 실시예를 도시한 부분 절개 사시도이며, 도 6은 도 5의 A부의 확대도이다.
발광구조(100)는 도 2에서 설명한 바와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다. 또, 서브마운트(200a)는 광차단판(210)이 없다는 점을 제외하고는 도 2에 도시된 서브마운트(200)와 동일하므로 역시 중복되는 설명은 생략한다. 발광구조(100)는 서브마운트(200a)에 접합된다. 도 5와 도 6을 보면, 하우징(300) 내부에는 발광구조(100)가 마운트된 서브마운트(200a)가 부착되는 스템(310)이 마련된다. 리드(301)(302)는 와이어(303)(304)에 의하여 각각 리지웨이브가이드(170) 및 서브마운트(200a)의 금속층(202)에 전기적으로 연결된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 반도체 레이저 소자 패키지 스템(310)에 광차단판(320)이 마련된 것을 특징으로 한다. 일반적으로 스템(310)은 Cu, Fe 등의 금속으로 제조되는데, 스템(310)에 광차단판(320)을 형성하는 것은 그다지 어려운 일이 아니다. 광차단판(320)의 높이는 기판(110)의 광출사면(101) 쪽 단면(110b)의 적어도 50% 이상을 덮을 수 있는 높이가 되는 것이 바람직하며, 기 판(110)의 광출사면(101) 쪽 단면(110b) 전부를 덮는 높이가 되는 것이 더 바람직하다. 또, n-컨택층(110a)이 마련되는 경우에는 광차단판(320)은 n-컨택층(110a)의 광출사면(101) 쪽 단면(110c)까지 덮는 것이 바람직하다. 또, 광차단판(320)의 폭(W1)은 적어도 리지웨이브가이드(170)의 폭(W2) 이상이 되는 것이 바람직하다.
발광구조(100)가 접합된 서브마운트(200a)를 스템(310)에 부착함으로써 도 7에 도시된 바와 같이 광차단판(320)에 의하여 기판(110)의 단면(110b)이 덮인 형태의 반도체 레이저 소자 패키지가 형성된다. 이 때에도 역시 발광구조(100)의 광출사면(101)과 광차단판(320) 사이에는 약간의 갭(gap)이 있을 수 있다. 갭을 형성함으로써 발광구조(100)가 마운트된 서브마운트(200a)를 스템(310)에 부착하는 과정에서 발광구조(100)의 광출사면(101)의 손상을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같은 구성에 의하여, 컨택층(110a)과 기판(110)으로 누출된 광이 광차단판(320)에 의하여 차단되므로 기판(110)의 단면(110b) 또는 컨택층(110a)의 단면(110c)을 통한 광누출이 발생되지 않는다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이 리플형상이 없는 고품질의 광을 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자 및 패키지에 의하염 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 광차단판이 발광구조가 아닌 서브마운트나 패키지의 스템이 마련되기 때문에, 발광구조 자체에 광차단판을 증착하는 방식에 비하여 제조공정을 간소화할 수 있으며, 광차단판을 형성하는 과정에서 발광구조의 손상위험을 피할 수 있다.
둘째, 광차단판과 발광구조의 광출사면 사이에 갭을 형성함으로써 조립과정에서의 광출사면의 손상위험을 줄일 수 있다.
본 발명은 상기에 설명되고 도면에 예시된 것에 의해 한정되는 것은 아니며, 다음에 기재되는 청구의 범위 내에서 더 많은 변형 및 변용예가 가능한 것임은 물론이다.

Claims (12)

  1. 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층을 포함하는 발광구조;
    상기 발광구조가 접합되는 서브마운트;
    상기 서브마운트에 형성되어 상기 발광구조가 상기 서브마운트에 접합된 때에 상기 기판의 상기 발광구조의 광출사면 쪽 단면을 막아 상기 단면을 통하여 누출되는 광을 차단하는 광차단판;을 포함하는 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2클래드층은 일부가 상방으로 돌출되어 리지웨이브가이드를 형성하며, 상기 광차단판의 폭은 상기 리지웨이브가이드의 폭 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 광차단판은 Si, SiC, SiN, AlN, 금속물질 중 적어도 하나 이상을 포함하는 물질로 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판은 GaN기판, SiC기판, 사파이어기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층은 AlxGa1-xInyN1-y(0≤x≤0.3, 0≤y≤0.3)물질로 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 광차단판과 상기 광출사면 사이에는 갭이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  7. 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층을 포함하는 발광구조;
    상기 발광구조가 접합되는 서브마운트;
    상기 서브마운트가 부착되는 스템;
    상기 스템에 형성되어 상기 서브마운트가 상기 스템에 부착된 때에 상기 기판의 상기 발광구조의 광출사면 쪽 단면을 막아 상기 단면을 통하여 누출되는 광을 차단하는 광차단판;을 포함하는 반도체 레이저 소자 패키지.
  8. 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1클래드층, 활성층, 제2클래드 층을 포함하는 발광구조;
    상기 발광구조가 접합되는 서브마운트;
    상기 서브마운트가 접합되는 스템;
    상기 기판의 상기 발광구조의 광출사면 쪽 단면을 막아 상기 단면을 통하여 누출되는 광을 차단하는 광차단판;을 포함하며,
    상기 광차단판은 상기 발광구조 이외의 영역에 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자 패키지.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제2클래드층은 일부가 상방으로 돌출되어 리지웨이브가이드를 형성하며, 상기 광차단판의 폭은 상기 리지웨이브가이드의 폭 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자 패키지.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 기판은 GaN기판, SiC기판, 사파이어기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자 패키지.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층은 AlxGa1-xInyN1-y(0≤x≤0.3, 0≤y≤ 0.3)물질로 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자 패키지.
  12. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 광차단판과 상기 광출사면 사이에는 갭이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자 패키지.
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