JPH09139541A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH09139541A JPH09139541A JP7295387A JP29538795A JPH09139541A JP H09139541 A JPH09139541 A JP H09139541A JP 7295387 A JP7295387 A JP 7295387A JP 29538795 A JP29538795 A JP 29538795A JP H09139541 A JPH09139541 A JP H09139541A
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- JP
- Japan
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- stem
- ring
- cap
- laser chip
- cylindrical ring
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小形化するＣＤプレーヤやノートパソコン用
ＣＤ−ＲＯＭなどの光源に適した小形で安価な半導体レ
ーザを提供する。 【解決手段】 金属材料からなり先端部にレーザチップ
がマウントされるヒートシンク部１ａが一体に形成され
た円筒状のリング１および該リング内に絶縁体２を介し
て気密に封止されたリード３、４からなるステム５と、
前記ヒートシンク部にマウントされたレーザチップ７
と、該レーザチップの周囲を気密に覆うキャップ８とか
らなっている。
ＣＤ−ＲＯＭなどの光源に適した小形で安価な半導体レ
ーザを提供する。 【解決手段】 金属材料からなり先端部にレーザチップ
がマウントされるヒートシンク部１ａが一体に形成され
た円筒状のリング１および該リング内に絶縁体２を介し
て気密に封止されたリード３、４からなるステム５と、
前記ヒートシンク部にマウントされたレーザチップ７
と、該レーザチップの周囲を気密に覆うキャップ８とか
らなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザチップの周囲
が気密に封止されたキャンシール型の半導体レーザに関
する。さらに詳しくは、ＣＤ（コンパクトディスク）、
ＬＤ（レーザディスク）、ＣＤ−ＲＯＭなどのピックア
ップ用光源に用いるのにとくに適した、パッケージが小
形化され、安価な半導体レーザに関する。
が気密に封止されたキャンシール型の半導体レーザに関
する。さらに詳しくは、ＣＤ（コンパクトディスク）、
ＬＤ（レーザディスク）、ＣＤ−ＲＯＭなどのピックア
ップ用光源に用いるのにとくに適した、パッケージが小
形化され、安価な半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＤ−ＲＯＭの光源などに用いら
れる半導体レーザは、図２に示されるような構造になっ
ている。すなわち、信頼性確保のため、レーザチップ２
３を外気から保護する必要から、レーザチップ２３の周
囲がキャップ２４で覆われて気密に封止されている。
れる半導体レーザは、図２に示されるような構造になっ
ている。すなわち、信頼性確保のため、レーザチップ２
３を外気から保護する必要から、レーザチップ２３の周
囲がキャップ２４で覆われて気密に封止されている。
【０００３】図２において、（ａ）は平面図、（ｂ）は
一部断面の側面図、（ｃ）はキャップ２４をステム２１
に溶接するときの断面説明図である。２１はステムで金
属の冷間鍛造加工などによりヒートシンク２１ａと一体
に形成され、図２（ｃ）に示されるように、貫通孔２１
ｂが２か所設けられ、リード２６、２７が低融点ガラス
２９などにより絶縁されてハーメチックシール（気密封
止）されている。ヒートシンク２１ａにはシリコン基板
などからなるサブマウント２２を介してレーザチップ２
３がボンディングされ、リード２６、２７の先端とワイ
ヤボンディングされている。さらに、ステムの底面側に
は共通リード２８が溶接などにより接着されている。こ
のステム２１の上部はレーザチップ２３の周囲を気密封
止するため、キャップ２４が溶接などにより均一にステ
ム２１に取りつけられている。キャップ２４のレーザ光
の通過部分には貫通孔が設けられ、窓ガラス２５が低融
点ガラスなどにより接着されている。なお、この例はレ
ーザダイオードとレーザダイオードの出力をモニターす
るためのフォトダイオードの両方が設けられているた
め、それぞれの一方の電極に接続されるリード２６、２
７とそれぞれ他方の電極が共通とされて接続された共通
リード２８との３本のリードがパッケージの外部に導出
されている。
一部断面の側面図、（ｃ）はキャップ２４をステム２１
に溶接するときの断面説明図である。２１はステムで金
属の冷間鍛造加工などによりヒートシンク２１ａと一体
に形成され、図２（ｃ）に示されるように、貫通孔２１
ｂが２か所設けられ、リード２６、２７が低融点ガラス
２９などにより絶縁されてハーメチックシール（気密封
止）されている。ヒートシンク２１ａにはシリコン基板
などからなるサブマウント２２を介してレーザチップ２
３がボンディングされ、リード２６、２７の先端とワイ
ヤボンディングされている。さらに、ステムの底面側に
は共通リード２８が溶接などにより接着されている。こ
のステム２１の上部はレーザチップ２３の周囲を気密封
止するため、キャップ２４が溶接などにより均一にステ
ム２１に取りつけられている。キャップ２４のレーザ光
の通過部分には貫通孔が設けられ、窓ガラス２５が低融
点ガラスなどにより接着されている。なお、この例はレ
ーザダイオードとレーザダイオードの出力をモニターす
るためのフォトダイオードの両方が設けられているた
め、それぞれの一方の電極に接続されるリード２６、２
７とそれぞれ他方の電極が共通とされて接続された共通
リード２８との３本のリードがパッケージの外部に導出
されている。
【０００４】前述のキャップ２４とステム２１との溶接
は、図２（ｃ）に示されるように、キャップ２４の底部
における鍔部２４ａの底面側に設けられた突起２４ｂに
より電流が集中するようにして上下から電極３１、３２
により挟みつけて溶接をしている。そのため、キャップ
２４の底部に鍔部２４ａが必要となり、またステム２１
の端部にもキャップ２４の位置ずれのマージンやレーザ
チップの組立てなどに基準面とするための幅Ａのスペー
スを必要とする。
は、図２（ｃ）に示されるように、キャップ２４の底部
における鍔部２４ａの底面側に設けられた突起２４ｂに
より電流が集中するようにして上下から電極３１、３２
により挟みつけて溶接をしている。そのため、キャップ
２４の底部に鍔部２４ａが必要となり、またステム２１
の端部にもキャップ２４の位置ずれのマージンやレーザ
チップの組立てなどに基準面とするための幅Ａのスペー
スを必要とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種の半導体
レーザは、前述のようにステムにキャップを溶接する構
造になっているため、ステムの端部の幅Ａは０.５ｍｍ
以上は必要であり、またキャップ２４の鍔部２４ａも
０.４ｍｍ以上は必要となり、さらにリード２６、２７
を設けるため、ステム２１に別々に貫通孔２１ｂを設け
なければならないため、たとえばパッケージの外径の最
大寸法は５.６ｍｍ程度が限界で、外形が大きくなり小
形化することができないという問題がある。
レーザは、前述のようにステムにキャップを溶接する構
造になっているため、ステムの端部の幅Ａは０.５ｍｍ
以上は必要であり、またキャップ２４の鍔部２４ａも
０.４ｍｍ以上は必要となり、さらにリード２６、２７
を設けるため、ステム２１に別々に貫通孔２１ｂを設け
なければならないため、たとえばパッケージの外径の最
大寸法は５.６ｍｍ程度が限界で、外形が大きくなり小
形化することができないという問題がある。
【０００６】さらに、ステム２１は厚い板状体からヒー
トシンク２１ａとともに一体で冷間鍛造加工などにより
作られるため、加工設備が大掛かりとなり、コストアッ
プとなって安価に製造することができないという問題が
ある。
トシンク２１ａとともに一体で冷間鍛造加工などにより
作られるため、加工設備が大掛かりとなり、コストアッ
プとなって安価に製造することができないという問題が
ある。
【０００７】一方で、最近の音響機器やＯＡ機器などの
携帯タイプの発展に伴い、ＣＤプレーヤやＬＤプレーヤ
さらにはノートパソコン用ＣＤ−ＲＯＭなどに用いられ
る半導体レーザの薄型化が要求され、パッケージの最大
寸法が３ｍｍ以下にされることが望まれている。
携帯タイプの発展に伴い、ＣＤプレーヤやＬＤプレーヤ
さらにはノートパソコン用ＣＤ−ＲＯＭなどに用いられ
る半導体レーザの薄型化が要求され、パッケージの最大
寸法が３ｍｍ以下にされることが望まれている。
【０００８】本発明はこのような問題を解決し、小形化
するＣＤプレーヤやノートパソコン用ＣＤ−ＲＯＭなど
の光源に適した小形で安価な半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
するＣＤプレーヤやノートパソコン用ＣＤ−ＲＯＭなど
の光源に適した小形で安価な半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザは、金属材料からなり先端部にレーザチップがマウン
トされるヒートシンク部が一体に形成された円筒状のリ
ングおよび該リング内に絶縁体を介して気密に封止され
たリードからなるステムと、前記ヒートシンク部にマウ
ントされたレーザチップと、該レーザチップの周囲を気
密に覆うキャップとからなっている。
ザは、金属材料からなり先端部にレーザチップがマウン
トされるヒートシンク部が一体に形成された円筒状のリ
ングおよび該リング内に絶縁体を介して気密に封止され
たリードからなるステムと、前記ヒートシンク部にマウ
ントされたレーザチップと、該レーザチップの周囲を気
密に覆うキャップとからなっている。
【００１０】前記円筒状のリングの外周部で前記キャッ
プが気密に封止されていることが、キャップに鍔部を必
要とせず、小形化を達成することができるため好まし
い。
プが気密に封止されていることが、キャップに鍔部を必
要とせず、小形化を達成することができるため好まし
い。
【００１１】前記円筒状のリングの底部に鍔部を有し、
該鍔部の表面を基準として該鍔部の表面から前記レーザ
チップまでの高さが一定に形成され、かつ、該鍔部に円
周方向の位置決めをする切欠部が設けられていること
が、微妙なレーザビームの方向や位置を容易に一定にす
ることができるため好ましい。
該鍔部の表面を基準として該鍔部の表面から前記レーザ
チップまでの高さが一定に形成され、かつ、該鍔部に円
周方向の位置決めをする切欠部が設けられていること
が、微妙なレーザビームの方向や位置を容易に一定にす
ることができるため好ましい。
【００１２】前記円筒状のリングの底部に該リングと一
体にコモンリードが延出されていることが、コモンリー
ドを後から溶接する必要がなく工数削減の点から好まし
い。
体にコモンリードが延出されていることが、コモンリー
ドを後から溶接する必要がなく工数削減の点から好まし
い。
【００１３】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体レーザについて説明をする。
明の半導体レーザについて説明をする。
【００１４】図１は本発明の半導体レーザの一実施形態
の断面説明図および底面図である。図１において、１は
厚さが０.２〜０.４ｍｍ程度の鉄系や銅系の金属材料の
板材から絞り加工と打抜き加工により形成された円筒状
のリングで、その先端部には上方に延びるように折り曲
げられたヒートシンク部１ａを有し、レーザチップ７を
マウントしたサブマウント６が接着されるようになって
いる。円筒状のリング１の底部には、鍔部１ｂが０.３
ｍｍ程度の幅で設けられ、さらにその鍔部１ｂの一部か
らは共通リード１ｃが下方に延びている。このヒートシ
ンク１ａや共通リード１ｃはリードフレームを打ち抜い
たのち折り曲げるだけで簡単に形成される。また鍔部１
ｂには、図１（ｃ）に示されるように、切欠部１ｄが設
けられ、回転方向の位置決めがされるようになってい
る。このリング１内に、たとえば低融点ガラスなどの絶
縁体２により絶縁保持されたリード３、４が気密（ハー
メチック）に封入され、円筒状のリング１、絶縁体２お
よびリード３、４によりステム５が形成されている。な
お、切欠部１ｄは図１（ｃ）に示されるような凹状でな
くても、円弧部をストレートに切り落とした形状など、
他の形状の切欠きでもよい。
の断面説明図および底面図である。図１において、１は
厚さが０.２〜０.４ｍｍ程度の鉄系や銅系の金属材料の
板材から絞り加工と打抜き加工により形成された円筒状
のリングで、その先端部には上方に延びるように折り曲
げられたヒートシンク部１ａを有し、レーザチップ７を
マウントしたサブマウント６が接着されるようになって
いる。円筒状のリング１の底部には、鍔部１ｂが０.３
ｍｍ程度の幅で設けられ、さらにその鍔部１ｂの一部か
らは共通リード１ｃが下方に延びている。このヒートシ
ンク１ａや共通リード１ｃはリードフレームを打ち抜い
たのち折り曲げるだけで簡単に形成される。また鍔部１
ｂには、図１（ｃ）に示されるように、切欠部１ｄが設
けられ、回転方向の位置決めがされるようになってい
る。このリング１内に、たとえば低融点ガラスなどの絶
縁体２により絶縁保持されたリード３、４が気密（ハー
メチック）に封入され、円筒状のリング１、絶縁体２お
よびリード３、４によりステム５が形成されている。な
お、切欠部１ｄは図１（ｃ）に示されるような凹状でな
くても、円弧部をストレートに切り落とした形状など、
他の形状の切欠きでもよい。
【００１５】ヒートシンク１ａにはレーザチップ７がボ
ンディングされたサブマウント６が吸着コレットにより
搬送され、位置合せされてマウントされる。このサブマ
ウント６の位置合せは、リング１の鍔部１ｂの表面Ｂを
基準面として行われる。そうすることにより、ＣＤプレ
ーヤなどのセットに取りつける場合に、この鍔部１ｂの
表面を基準とすることにより正確な位置決めをすること
ができる。その点からリング１の底部に鍔部１ｂを設け
ることが好ましいが、基準面とするだけで、キャップ８
の横ずれのマージンを必要としないため、その幅は０.
３ｍｍ程度あれば充分である。
ンディングされたサブマウント６が吸着コレットにより
搬送され、位置合せされてマウントされる。このサブマ
ウント６の位置合せは、リング１の鍔部１ｂの表面Ｂを
基準面として行われる。そうすることにより、ＣＤプレ
ーヤなどのセットに取りつける場合に、この鍔部１ｂの
表面を基準とすることにより正確な位置決めをすること
ができる。その点からリング１の底部に鍔部１ｂを設け
ることが好ましいが、基準面とするだけで、キャップ８
の横ずれのマージンを必要としないため、その幅は０.
３ｍｍ程度あれば充分である。
【００１６】サブマウント６は、たとえばシリコン基板
などにより形成され、２００μｍ×１５０μｍ程度の小
さなレーザチップ７を組み立てやすくするために設けら
れている。この例では、シリコン基板からなるサブマウ
ント６にレーザチップ７の発光量をモニターする受光用
の図示しないフォトダイオードが形成されている。この
レーザチップ７および図示しないフォトダイオードの各
電極が金線１１によりリード４、３とそれぞれワイヤボ
ンディングされ電気的に接続されている。レーザチップ
７およびフォトダイオードのそれぞれ他方の電極はサブ
マウント６の裏面を介して共通リード１ｃに接続され、
３本のリード１ｃ、３、４がステム５の裏面側に延びて
いる。
などにより形成され、２００μｍ×１５０μｍ程度の小
さなレーザチップ７を組み立てやすくするために設けら
れている。この例では、シリコン基板からなるサブマウ
ント６にレーザチップ７の発光量をモニターする受光用
の図示しないフォトダイオードが形成されている。この
レーザチップ７および図示しないフォトダイオードの各
電極が金線１１によりリード４、３とそれぞれワイヤボ
ンディングされ電気的に接続されている。レーザチップ
７およびフォトダイオードのそれぞれ他方の電極はサブ
マウント６の裏面を介して共通リード１ｃに接続され、
３本のリード１ｃ、３、４がステム５の裏面側に延びて
いる。
【００１７】レーザチップ７の周囲は外気から遮断され
るように、キャップ８が気密封止（ハーメチックシー
ル）されている。キャップ８はコバールなどからなって
おり、レーザ光が通過する部分は貫通孔が設けられてお
り、レーザ光を透過するガラスなどからなる透過窓９が
低融点ガラス１０などにより気密に接着されている。
るように、キャップ８が気密封止（ハーメチックシー
ル）されている。キャップ８はコバールなどからなって
おり、レーザ光が通過する部分は貫通孔が設けられてお
り、レーザ光を透過するガラスなどからなる透過窓９が
低融点ガラス１０などにより気密に接着されている。
【００１８】本発明では、キャップ８の底面に鍔部が設
けられないで、ステム５との気密封止は円筒状のリング
１の側壁の外周面とキャップ８の内周側面の部分とで行
われている。この側壁における気密封止は、圧入、軟金
属の厚メッキ、エポキシ系樹脂などによる接着などの種
々の方法で行われる。
けられないで、ステム５との気密封止は円筒状のリング
１の側壁の外周面とキャップ８の内周側面の部分とで行
われている。この側壁における気密封止は、圧入、軟金
属の厚メッキ、エポキシ系樹脂などによる接着などの種
々の方法で行われる。
【００１９】本発明によれば、リードフレームから形成
され得る円筒状のリング１を用いてステム５を形成して
いるため、リード３、４は直接絶縁体２によりリング１
内に固着でき、従来キャップ８の外径がたとえば３.６
ｍｍ程度あったものを２.５ｍｍ程度に小形化できると
ともに、鍛造加工などの複雑な加工をする必要がなく、
安価に製造することができる。なお、リング１内へのリ
ード３、４の固着は、たとえばリード３、４用の孔が形
成された低融点ガラスなどのタブレット（絶縁体２）を
リード３、４とともに挿入して加熱溶融することによ
り、簡単にステム５を形成することができる。
され得る円筒状のリング１を用いてステム５を形成して
いるため、リード３、４は直接絶縁体２によりリング１
内に固着でき、従来キャップ８の外径がたとえば３.６
ｍｍ程度あったものを２.５ｍｍ程度に小形化できると
ともに、鍛造加工などの複雑な加工をする必要がなく、
安価に製造することができる。なお、リング１内へのリ
ード３、４の固着は、たとえばリード３、４用の孔が形
成された低融点ガラスなどのタブレット（絶縁体２）を
リード３、４とともに挿入して加熱溶融することによ
り、簡単にステム５を形成することができる。
【００２０】さらに、ステム１とキャップ８との気密封
止をそれぞれの側面で行うことにとり、キャップ８とス
テム１との半径方向の位置合せをセルフアライメントで
行うことができ、ステム（鍔部１ｂ）に半径方向のマー
ジンを設ける必要がない。さらに、キャップ８に鍔部を
設ける必要もない。その結果、従来キャップの鍔部およ
び半径方向の位置ずれマージンとしてステムの鍔部１ｂ
がたとえば１ｍｍ以上必要であったのが０.３ｍｍ程度
ですみ、直径で１.４ｍｍ程度小さくすることができ
る。
止をそれぞれの側面で行うことにとり、キャップ８とス
テム１との半径方向の位置合せをセルフアライメントで
行うことができ、ステム（鍔部１ｂ）に半径方向のマー
ジンを設ける必要がない。さらに、キャップ８に鍔部を
設ける必要もない。その結果、従来キャップの鍔部およ
び半径方向の位置ずれマージンとしてステムの鍔部１ｂ
がたとえば１ｍｍ以上必要であったのが０.３ｍｍ程度
ですみ、直径で１.４ｍｍ程度小さくすることができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
テムをリードフレームから形成され得る円筒状のリング
を用いて形成しているため、半導体レーザを外径が３ｍ
ｍ以下の非常に小形に形成することができるとともに、
安価にすることができる。
テムをリードフレームから形成され得る円筒状のリング
を用いて形成しているため、半導体レーザを外径が３ｍ
ｍ以下の非常に小形に形成することができるとともに、
安価にすることができる。
【００２２】その結果、携帯用のＣＤプレーヤーやノー
トパソコンなどを一層小形化することができ、小形電子
機器のさらなる普及に寄与する。
トパソコンなどを一層小形化することができ、小形電子
機器のさらなる普及に寄与する。
【図１】本発明の半導体レーザの構造を示す説明図であ
る。
る。
【図２】従来の半導体レーザの構造を示す説明図であ
る。
る。
１ 円筒状のリング １ａ ヒートシンク部 １ｂ 鍔部 １ｃ 共通リード ２ 絶縁体 ３、４ リード ５ ステム ７ レーザチップ ８ キャップ
Claims (4)
- 【請求項１】 金属材料からなり先端部にレーザチップ
がマウントされるヒートシンク部が一体に形成された円
筒状のリングおよび該リング内に絶縁体を介して気密に
封止されたリードからなるステムと、前記ヒートシンク
部にマウントされたレーザチップと、該レーザチップの
周囲を気密に覆うキャップとからなる半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記円筒状のリングの側壁外周部で前記
キャップが気密に封止されてなる請求項１記載の半導体
レーザ。 - 【請求項３】 前記円筒状のリングの底部に鍔部を有
し、該鍔部の表面を基準として該鍔部の表面から前記レ
ーザチップまでの高さが一定に形成され、かつ、該鍔部
に円周方向の位置決めをする切欠部が設けられてなる請
求項１または２記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記円筒状のリングの底部に該リングと
一体にコモンリードが延出されてなる請求項１、２また
は３記載の半導体レーザ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29538795A JP3787184B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 半導体レーザ |
| KR1019960053225A KR100436467B1 (ko) | 1995-11-14 | 1996-11-11 | 반도체레이저및그제조방법 |
| US08/747,337 US5878069A (en) | 1995-11-14 | 1996-11-12 | Semiconductor laser diode assembly |
| DE19646907A DE19646907A1 (de) | 1995-11-14 | 1996-11-13 | Halbleiter-Laserdiodenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
| NL1004522A NL1004522C2 (nl) | 1995-11-14 | 1996-11-13 | Halfgeleiderlaserdiodesamenstel en werkwijze voor het vervaardigen ervan. |
| KR1020040020472A KR100439115B1 (ko) | 1995-11-14 | 2004-03-25 | 전자부품용 캡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29538795A JP3787184B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139541A true JPH09139541A (ja) | 1997-05-27 |
| JP3787184B2 JP3787184B2 (ja) | 2006-06-21 |
Family
ID=17819974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29538795A Expired - Fee Related JP3787184B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3787184B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133627A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| KR100418880B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| US6816522B2 (en) * | 2001-12-10 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2009038195A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP29538795A patent/JP3787184B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418880B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2003133627A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US6836491B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6816522B2 (en) * | 2001-12-10 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2009038195A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3787184B2 (ja) | 2006-06-21 |
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