JPS58145169A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS58145169A JPS58145169A JP57027603A JP2760382A JPS58145169A JP S58145169 A JPS58145169 A JP S58145169A JP 57027603 A JP57027603 A JP 57027603A JP 2760382 A JP2760382 A JP 2760382A JP S58145169 A JPS58145169 A JP S58145169A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光半導体装置の構造に関する。
一般に光半導体装置に於いては、光半導体素子より発光
した光を、その伝達媒体となる光フアイバ一端面に効率
よく集め、光ファイバーでの結合出力を大きくすること
が重要である。この結合出力を大きくする為、光半導体
素子より広がりをもって発光した光をレンズで集光した
り、略平行光線にかえ、光フアイバ一端面に入光させて
いる。
した光を、その伝達媒体となる光フアイバ一端面に効率
よく集め、光ファイバーでの結合出力を大きくすること
が重要である。この結合出力を大きくする為、光半導体
素子より広がりをもって発光した光をレンズで集光した
り、略平行光線にかえ、光フアイバ一端面に入光させて
いる。
このような光学系においては、光半導体素子の発光面よ
り光フアイバ一端面までの全ての部材の光軸を合わせる
ことが不可欠となる。
り光フアイバ一端面までの全ての部材の光軸を合わせる
ことが不可欠となる。
また、光半導体装置動作時に光半導体素子より発生する
熱を効率よく放熱させることも重要である。この為、従
来の光半導体装置に於いては、モニター光取出し用の貫
通孔を有するステムに、高熱伝導性の金属よりなる矩形
あるいは半円柱状をした金属ブロックを接合し、該金属
ブロック上に光半導体素子を固定してなる構造を有して
いた。
熱を効率よく放熱させることも重要である。この為、従
来の光半導体装置に於いては、モニター光取出し用の貫
通孔を有するステムに、高熱伝導性の金属よりなる矩形
あるいは半円柱状をした金属ブロックを接合し、該金属
ブロック上に光半導体素子を固定してなる構造を有して
いた。
このような従来の光半導体装置に於いては、光半導体装
置動作中に、温度が変化すると金属ブロックとステムベ
ースの熱膨張差で生じる熱応力により金属ブロックが変
形し光半導体素子固定部が変位する。このため光フアイ
バ一端面での結合効率が低下するという欠点を有してい
た。このことは特にコアー径の小さいシングルモードフ
ァイバーを使用する場合は顕著である。
置動作中に、温度が変化すると金属ブロックとステムベ
ースの熱膨張差で生じる熱応力により金属ブロックが変
形し光半導体素子固定部が変位する。このため光フアイ
バ一端面での結合効率が低下するという欠点を有してい
た。このことは特にコアー径の小さいシングルモードフ
ァイバーを使用する場合は顕著である。
本発明は従来の光半導体装置のかかる欠点を除去し光半
導体袋ms作中の温度変化に対し、結合出力の安定した
、かつ放熱性の優れた信頼度の高い光半導体装置を提供
することを目的とするものである1、 即ち、本発明は、はぼリング形状をしたステムベースと
の接合部を有し、かつそのリングのほぼ中心部に突出し
た、光半導体素子載置部を有する金属ブロックをステム
に接合し、光半導体素子を固定したこと特徴とするもの
である。
導体袋ms作中の温度変化に対し、結合出力の安定した
、かつ放熱性の優れた信頼度の高い光半導体装置を提供
することを目的とするものである1、 即ち、本発明は、はぼリング形状をしたステムベースと
の接合部を有し、かつそのリングのほぼ中心部に突出し
た、光半導体素子載置部を有する金属ブロックをステム
に接合し、光半導体素子を固定したこと特徴とするもの
である。
このような本発明の光半導体装置に於いては、金属ブロ
ックとステムの接合部が略リング形状でかつ光半導体素
子が略リングの中心部で固定されている為金属ブロック
とステムの熱膨張差で生じる熱応力を、リング半径方向
にほぼ均一に作用させることができる為金属ブロックの
光半導体素子載置部で、熱変形を小さくすることができ
る。この為、光半導体装置動作中の温度変化に対し光半
導体素子固定部が移動することなく、光フアイバ一端面
での結合出力の安定した光半導体装置を提供することが
可能である。
ックとステムの接合部が略リング形状でかつ光半導体素
子が略リングの中心部で固定されている為金属ブロック
とステムの熱膨張差で生じる熱応力を、リング半径方向
にほぼ均一に作用させることができる為金属ブロックの
光半導体素子載置部で、熱変形を小さくすることができ
る。この為、光半導体装置動作中の温度変化に対し光半
導体素子固定部が移動することなく、光フアイバ一端面
での結合出力の安定した光半導体装置を提供することが
可能である。
また、本発明の光半導体装置によれば、従来の光半導体
装置の矩形ないし半円柱状の金属ブロックと比較し、は
ぼリング形状をしたステムとの接合部を有している為、
ステムとの接合面積を大きくすることができる為、光半
導体素子より発生する熱を有効に放散させることができ
る為、信頼度の高い、光半導体装置を提供することが可
能である。
装置の矩形ないし半円柱状の金属ブロックと比較し、は
ぼリング形状をしたステムとの接合部を有している為、
ステムとの接合面積を大きくすることができる為、光半
導体素子より発生する熱を有効に放散させることができ
る為、信頼度の高い、光半導体装置を提供することが可
能である。
次に本発明を更に詳細に説明する為、従来の光半導体装
置ならびに本発明の光半導体装置の一実施例につき図面
を参照して説明する。
置ならびに本発明の光半導体装置の一実施例につき図面
を参照して説明する。
第1図は、従来の光半導体装置の蓋部材をとり除いた上
面図、第2図は、その縦断面図である。
面図、第2図は、その縦断面図である。
第3図は、本発明の光半導体装置の一実施例の蓋部材を
とり除いた上面図、第4図は、その縦断面図である。
とり除いた上面図、第4図は、その縦断面図である。
第1図、第2図に於いて、100はステムでステムベー
ス101に外部導出リード102がガラス103で気密
封着されている。また、ステムベース101の中心部に
はモニター光取出し用の貫通孔104が設けられ、貫通
孔104はガラスあるいはサファイア等よりなるモニタ
ー窓部材105で気密封止されている。ステムベース1
01には、高熱伝導性の金属よりなり、上部が貫通孔1
04のほぼ中心部に突出した光半導体素子111の載置
部106を有する、略矩形ないし半円柱状をした金属ブ
ロック107が接合されている。光半導体素子111は
金属ブロック107の光半導体素子111の載置部10
6に固定され、光半導体素子111の電極(図示せず)
は、外部導出リード102と、金属細線108で電気的
に接続されている。また、ステムベース101には中央
にガラスあるいはサファイア等よりなる窓部材109の
固定された蓋部材110が光半導体装置内部が気密にな
るよう取付けられている。
ス101に外部導出リード102がガラス103で気密
封着されている。また、ステムベース101の中心部に
はモニター光取出し用の貫通孔104が設けられ、貫通
孔104はガラスあるいはサファイア等よりなるモニタ
ー窓部材105で気密封止されている。ステムベース1
01には、高熱伝導性の金属よりなり、上部が貫通孔1
04のほぼ中心部に突出した光半導体素子111の載置
部106を有する、略矩形ないし半円柱状をした金属ブ
ロック107が接合されている。光半導体素子111は
金属ブロック107の光半導体素子111の載置部10
6に固定され、光半導体素子111の電極(図示せず)
は、外部導出リード102と、金属細線108で電気的
に接続されている。また、ステムベース101には中央
にガラスあるいはサファイア等よりなる窓部材109の
固定された蓋部材110が光半導体装置内部が気密にな
るよう取付けられている。
5−
このような従来の光半導体装置に於ては、金属ブロック
107とステムベース101の熱膨張差で生じる熱応力
により金属ブロック107が変形し、光半導体装置動作
中に温度が変化すると、光半導体素子111の載置部1
06が移動し、光ファイバー(図示ぜす)端面での結合
出力が変動するといった欠点を有していた。
107とステムベース101の熱膨張差で生じる熱応力
により金属ブロック107が変形し、光半導体装置動作
中に温度が変化すると、光半導体素子111の載置部1
06が移動し、光ファイバー(図示ぜす)端面での結合
出力が変動するといった欠点を有していた。
本発明は従来の光半導体装置のかかる欠点を除去し、光
半導体装置動作中の温度変化に対し結合出力の安定した
、かつ放熱性の優れた、信頼度の高い光半導体装置を提
供することを目的とするものである。
半導体装置動作中の温度変化に対し結合出力の安定した
、かつ放熱性の優れた、信頼度の高い光半導体装置を提
供することを目的とするものである。
次に本発明の光半導体装置の一実施例につき図面を参照
して説明する。
して説明する。
第3図、第4図に於いて、207は高熱伝導性の金属よ
りなる金属ブロックで、はぼリング形状をしたステムベ
ース201との接合部212を有し、かつ該リングの中
心部に突出した光半導体素子211の載置部206を有
している。金属ブロック207は、ステムベース201
の中心部に設6一 けられたモニター光取出し用の貫通孔204の周囲を囲
むように、接合部211でステムベース201と接合さ
れている。なお、その他の構成については、従来の光半
導体装置と同一であるので、ここでは説明を省略する。
りなる金属ブロックで、はぼリング形状をしたステムベ
ース201との接合部212を有し、かつ該リングの中
心部に突出した光半導体素子211の載置部206を有
している。金属ブロック207は、ステムベース201
の中心部に設6一 けられたモニター光取出し用の貫通孔204の周囲を囲
むように、接合部211でステムベース201と接合さ
れている。なお、その他の構成については、従来の光半
導体装置と同一であるので、ここでは説明を省略する。
このような本発明の光半導体装置によれば、金属ブロッ
ク207とステムベース201の接合部212がほぼリ
ング形状で、かつ光半導体素子211がリングの中心部
に相当する位置で固定されている為、金属ブロック20
7とステムベース201の熱膨張差で生じる熱応力を、
リング半径方向にほぼ均一に作用させることができる為
、金属ブロック207の光半導体素子211の載置部2
06の熱変形を小さくすることができる。この為、光半
導体装置動作中の温度変化に対し、光半導体素子205
の載置部206が移動することなく、光フアイバ一端面
での結合出力の変動のない安定した光半導体装置を提供
することが可能である。
ク207とステムベース201の接合部212がほぼリ
ング形状で、かつ光半導体素子211がリングの中心部
に相当する位置で固定されている為、金属ブロック20
7とステムベース201の熱膨張差で生じる熱応力を、
リング半径方向にほぼ均一に作用させることができる為
、金属ブロック207の光半導体素子211の載置部2
06の熱変形を小さくすることができる。この為、光半
導体装置動作中の温度変化に対し、光半導体素子205
の載置部206が移動することなく、光フアイバ一端面
での結合出力の変動のない安定した光半導体装置を提供
することが可能である。
また、このような本発明の光半導体装置によれ7−
ば従来の光半導体装置の矩形ないし半円柱状の金属ブロ
ック107と比較し、はぼリング形状をしたステムベー
ス201との接合部212を有している為ステムベース
201との接合面積を大きくすることができる。この為
、光半導体素子より発生する熱を有効に放散させること
ができ、信頼度の高い光半導体装置を提供することが可
能である。
ック107と比較し、はぼリング形状をしたステムベー
ス201との接合部212を有している為ステムベース
201との接合面積を大きくすることができる。この為
、光半導体素子より発生する熱を有効に放散させること
ができ、信頼度の高い光半導体装置を提供することが可
能である。
以上、本発明の一実施例につき、図面を参照して説明し
たが、本発明の効果は、特許請求範囲番こ記す、全ての
光半導体装置に及ぶことは明らかである。
たが、本発明の効果は、特許請求範囲番こ記す、全ての
光半導体装置に及ぶことは明らかである。
第1図は従来の光半導体装置の蓋部材をとり除いた上面
図であり、第2図は従来の光半導体装置の縦断面図であ
る。第3図は本発明の光半導体装置の一実施例の蓋部材
をとり除いた上面図であり、第4図は本発明の光半導体
装置の一実施例を示す縦断面図である。 一一一一、〜\1、 代4人 弁理士 内 原 ・−、、”: 、’
1−8−−”’
図であり、第2図は従来の光半導体装置の縦断面図であ
る。第3図は本発明の光半導体装置の一実施例の蓋部材
をとり除いた上面図であり、第4図は本発明の光半導体
装置の一実施例を示す縦断面図である。 一一一一、〜\1、 代4人 弁理士 内 原 ・−、、”: 、’
1−8−−”’
Claims (1)
- ステムベースの中央部にモニター光取出し用の貫通孔を
有するステム上に、高熱伝導性を有する金属ブロックを
固定し、該金属ブロックに光半導体素子を塔載してなる
光半導体装置に8いて、該金属ブロックは、ステムベー
スと接合する為の、はぼリング形状をした接合部とリン
グの中心部まで突出した光半導体素子載置部を有し、該
接合部で、前記モニター光取出し用の貫通孔を囲みステ
ムベースに接合されていることを特徴とする光半導体装
置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57027603A JPS58145169A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 光半導体装置 |
US06/468,316 US4567598A (en) | 1982-02-23 | 1983-02-22 | Optoelectronic semiconductor devices in hermetically sealed packages |
EP83101770A EP0087167B1 (en) | 1982-02-23 | 1983-02-23 | Hermetically sealed package for optoelectronic semiconductor devices |
DE8383101770T DE3379305D1 (en) | 1982-02-23 | 1983-02-23 | Hermetically sealed package for optoelectronic semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57027603A JPS58145169A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58145169A true JPS58145169A (ja) | 1983-08-29 |
JPS6220716B2 JPS6220716B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=12225494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57027603A Granted JPS58145169A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 光半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4567598A (ja) |
EP (1) | EP0087167B1 (ja) |
JP (1) | JPS58145169A (ja) |
DE (1) | DE3379305D1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4661959A (en) * | 1984-02-17 | 1987-04-28 | Ricoh Company, Ltd. | Lasing device |
DE3413748A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-10-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Optisches system |
GB2166003B (en) * | 1984-10-18 | 1989-06-07 | Sean Noone | Photo-electric switch |
US4763334A (en) * | 1985-01-30 | 1988-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Laser beam emitting apparatus |
JPS6340387A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
US4805177A (en) * | 1988-04-25 | 1989-02-14 | Laser Diode Products, Inc. | Laser construction |
US4910741A (en) * | 1988-06-06 | 1990-03-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser diode source assembly |
US4953006A (en) * | 1989-07-27 | 1990-08-28 | Northern Telecom Limited | Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device |
DE69124822T2 (de) * | 1990-04-27 | 1997-10-09 | Omron Tateisi Electronics Co | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit Fresnel-Linse |
US5156999A (en) * | 1990-06-08 | 1992-10-20 | Wai-Hon Lee | Packaging method for semiconductor laser/detector devices |
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JPH06314857A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
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