JPS61253872A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
- Publication number
- JPS61253872A JPS61253872A JP60094728A JP9472885A JPS61253872A JP S61253872 A JPS61253872 A JP S61253872A JP 60094728 A JP60094728 A JP 60094728A JP 9472885 A JP9472885 A JP 9472885A JP S61253872 A JPS61253872 A JP S61253872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lens
- light emitting
- emitting semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光ファイバーを用いた光通信の光源となる発
光ダイオードあるいは半導体レーザーなどの発光半導体
装置に関するものである。
光ダイオードあるいは半導体レーザーなどの発光半導体
装置に関するものである。
従来の技術
この種の発光半導体装置として既に実現されているもの
の構造は第２図に示すようである。すなわち、ステム基
体１の上に発光半導体素子２を固着し、この発光半導体
素子上の電極とステム基体１に植設された外部リード３
とを金属細線４で接続するとともに、発光半導体素子２
の上に球レンズ５を樹脂などの接着剤６によって固着し
て形成した組立構体を、透孔７をもつキャップ８で封止
した構造となっている。このような構造の発光半導体装
置を使用するにあたっては、透孔７から外部へ放出され
る光を集束性レンズ（図示せず）で集束し、光ファイバ
ーへ結合することで結合効率を高めている。
の構造は第２図に示すようである。すなわち、ステム基
体１の上に発光半導体素子２を固着し、この発光半導体
素子上の電極とステム基体１に植設された外部リード３
とを金属細線４で接続するとともに、発光半導体素子２
の上に球レンズ５を樹脂などの接着剤６によって固着し
て形成した組立構体を、透孔７をもつキャップ８で封止
した構造となっている。このような構造の発光半導体装
置を使用するにあたっては、透孔７から外部へ放出され
る光を集束性レンズ（図示せず）で集束し、光ファイバ
ーへ結合することで結合効率を高めている。
発明が解決しようとする問題点
このような構造を有する従来の発光半導体装置では、外
部へ放出される光を集束するための集束性ロッドレンズ
の設置が不可欠であり、両者の相対的な位置関係を高精
度に保ち、この状態で集束性ロッドレンズを固定しなけ
ればならず、この位置合わせが極めて困難であった。な
お、この位置合わせの精度が低下すると、光ファイバー
との結合効率を高める効果が損なわれてしまう。
部へ放出される光を集束するための集束性ロッドレンズ
の設置が不可欠であり、両者の相対的な位置関係を高精
度に保ち、この状態で集束性ロッドレンズを固定しなけ
ればならず、この位置合わせが極めて困難であった。な
お、この位置合わせの精度が低下すると、光ファイバー
との結合効率を高める効果が損なわれてしまう。
本発明は、かかる従来の発光半導体装置に存在した問題
の解決を意図してなされたもので、集束性ロッドレンズ
を用いることなく高い結合効率で発光半導体装置を光フ
ァイバーへ直接的に結合できる構造の発光半導体装置を
実現するものである。
の解決を意図してなされたもので、集束性ロッドレンズ
を用いることなく高い結合効率で発光半導体装置を光フ
ァイバーへ直接的に結合できる構造の発光半導体装置を
実現するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の発光半導体装置は、発光半導体素子上に球状ま
たは半球状の第１のレンズが配設されるとともに、同発
光半導体素子が外装体で封止され、さらに、同外装体に
、前記第１のレンズと光軸が合致する球状または半球状
の第２のレンズが取りつけられた構造となっている。
たは半球状の第１のレンズが配設されるとともに、同発
光半導体素子が外装体で封止され、さらに、同外装体に
、前記第１のレンズと光軸が合致する球状または半球状
の第２のレンズが取りつけられた構造となっている。
作 用
この構造によると、発光半導体素子から放出される光が
第１のレンズで平行光線とされ、さらに、この平行光線
が第２のレンズによって外装体の外側の所定点に集光さ
れる。したがって、この集光点に光ファイバーの光入射
口を位置させるならば、光フアイバー内へ効率よく光を
入射させることが可能であり、集束性ロッドレンズを用
いることなく、発光半導体装置と光ファイバーとを高結
合効率で直結することができる。
第１のレンズで平行光線とされ、さらに、この平行光線
が第２のレンズによって外装体の外側の所定点に集光さ
れる。したがって、この集光点に光ファイバーの光入射
口を位置させるならば、光フアイバー内へ効率よく光を
入射させることが可能であり、集束性ロッドレンズを用
いることなく、発光半導体装置と光ファイバーとを高結
合効率で直結することができる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例にかかる発光半導体装置例
えば発光ダイオードの断面図であり、基本的な構造は第
１図で示した従来のものと同じであるが、外装体である
キャップ８の天面に球レンズ２と光軸が合致する球レン
ズ９が取９つけられている点で従来のものと相違してい
る。
えば発光ダイオードの断面図であり、基本的な構造は第
１図で示した従来のものと同じであるが、外装体である
キャップ８の天面に球レンズ２と光軸が合致する球レン
ズ９が取９つけられている点で従来のものと相違してい
る。
このような構造の発光半導体装置は、まず、ステ基体１
の中央部に発光ダイオード２１をマウントし、この発光
ダイオード２１の電極を外リード３へ金属細線４でし、
次に、球レンズ２を発光ダイオード２１の発光面上にエ
ポキシ樹脂などの接着剤６を用いて接着したのち、天面
の中央部に低融点ガラスで作られた球レンズ９が取９つ
けられたキャップ７で封止する過程を経て製作される。
の中央部に発光ダイオード２１をマウントし、この発光
ダイオード２１の電極を外リード３へ金属細線４でし、
次に、球レンズ２を発光ダイオード２１の発光面上にエ
ポキシ樹脂などの接着剤６を用いて接着したのち、天面
の中央部に低融点ガラスで作られた球レンズ９が取９つ
けられたキャップ７で封止する過程を経て製作される。
この製作において、キャップ７に取りつけた球レンズ６
と発光ダイオード上の球レンズ２の光軸を合致させるこ
とが大切であるが、発光ダイオード２１をマウントする
際の位置決めを正しく行なうことで容易に光軸合わせが
できる。
と発光ダイオード上の球レンズ２の光軸を合致させるこ
とが大切であるが、発光ダイオード２１をマウントする
際の位置決めを正しく行なうことで容易に光軸合わせが
できる。
なお、以上の説明では、発光半導体装置として発光ダイ
オードを示したが、これが半導体レーザであってもよい
。また、実施例では、球状レンズを用いているが、球状
レンズにかえて半球状のレンズを使用してもよい。すな
わち、発光素子からの発光を先ず平行光線とし、この平
行光線を外装体の外側の所定点で集光させることができ
ればよく、球状あるいは半球状レンズのいずれを用いて
もこの状態をうろことができる。
オードを示したが、これが半導体レーザであってもよい
。また、実施例では、球状レンズを用いているが、球状
レンズにかえて半球状のレンズを使用してもよい。すな
わち、発光素子からの発光を先ず平行光線とし、この平
行光線を外装体の外側の所定点で集光させることができ
ればよく、球状あるいは半球状レンズのいずれを用いて
もこの状態をうろことができる。
発明の効果
本発明の発光半導体装置は、外部へ出射される光が所定
の点で集光されるものであるため、従来のもののように
集束性ロッドレンズを介することなく光ファイバーと直
接的に結合しても高い結合効率をうることかできる。し
たがって、発光半導体装置の使用に際して、従来必要と
された集束性ロッドレンズが不要となり、使い易さの面
で飛躍的な改善がはかられる。
の点で集光されるものであるため、従来のもののように
集束性ロッドレンズを介することなく光ファイバーと直
接的に結合しても高い結合効率をうることかできる。し
たがって、発光半導体装置の使用に際して、従来必要と
された集束性ロッドレンズが不要となり、使い易さの面
で飛躍的な改善がはかられる。
第１図は、本発明の発光半導体装置の一実施例である発
光ダイオードの構造を示す断面図、第２図は、従来の発
光半導体装置の構造を示す断面図である。 １・・・・・・ステム基体、２１・・・・・・発光ダイ
オード、３・・・・・・外部リード、４・・・・・・金
属細線、５，９・・・・・・球状レンズ、６・・・・・
・接着剤、８・・・・・・キャップ。
光ダイオードの構造を示す断面図、第２図は、従来の発
光半導体装置の構造を示す断面図である。 １・・・・・・ステム基体、２１・・・・・・発光ダイ
オード、３・・・・・・外部リード、４・・・・・・金
属細線、５，９・・・・・・球状レンズ、６・・・・・
・接着剤、８・・・・・・キャップ。
Claims (1)
- 発光半導体素子上に球状または半球状の第１のレンズが
配設されるとともに、同発光半導体素子が外装体で封止
され、さらに、同外装体に前記第１のレンズと光軸が合
致する球状または半球状の第２のレンズが取りつけられ
ていることを特徴とする発光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094728A JPS61253872A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094728A JPS61253872A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253872A true JPS61253872A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14118172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094728A Pending JPS61253872A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253872A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111481A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ド |
| JPS6437065U (ja) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | ||
| EP0456131A2 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-13 | Omron Corporation | Photoelectric sensor |
| DE19631736A1 (de) * | 1996-08-06 | 1998-02-12 | Stm Sensor Technologie Muenche | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Linsen mikrooptischer Systeme sowie Lichtsender/Lichtempfängersystem |
| US7214116B2 (en) | 2001-10-09 | 2007-05-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light-emitting diode and method for its production |
| JP2008545258A (ja) * | 2005-07-05 | 2008-12-11 | ウーハン テレコミュニケーション ディバイス カンパニー、 リミテッド | 小型フォームファクタ絶縁構造を有する同軸光電デバイス |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60094728A patent/JPS61253872A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111481A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ド |
| JPS6437065U (ja) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | ||
| EP0456131A2 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-13 | Omron Corporation | Photoelectric sensor |
| DE19631736A1 (de) * | 1996-08-06 | 1998-02-12 | Stm Sensor Technologie Muenche | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Linsen mikrooptischer Systeme sowie Lichtsender/Lichtempfängersystem |
| US5945041A (en) * | 1996-08-06 | 1999-08-31 | Stm Sensor Technologie Munchen Gmbh | Method and device for producing lenses of microoptical systems and optical emitter/receiver system |
| US7214116B2 (en) | 2001-10-09 | 2007-05-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light-emitting diode and method for its production |
| JP2008545258A (ja) * | 2005-07-05 | 2008-12-11 | ウーハン テレコミュニケーション ディバイス カンパニー、 リミテッド | 小型フォームファクタ絶縁構造を有する同軸光電デバイス |
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