JPS63244781A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JPS63244781A
JPS63244781A JP62076231A JP7623187A JPS63244781A JP S63244781 A JPS63244781 A JP S63244781A JP 62076231 A JP62076231 A JP 62076231A JP 7623187 A JP7623187 A JP 7623187A JP S63244781 A JPS63244781 A JP S63244781A
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JP
Japan
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light emitting
opening
emitting element
lens
stem
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JP62076231A
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English (en)
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Toru Fukushima
徹 福島
Yoshikazu Ikegami
池上　嘉一
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光通信、光センサ、表示デバイス等の用途に
用いられる半導体発光装置に関する。
〔従来の技術とその問題点〕
半導体面発光素子を用いた半導体発光装置は、一般に出
射光の広がり角が大きく、高効率、高輝度を必要とする
光通信用光源、情報記録用光ピツクアップ、或は光セン
サ等への適用が困難であるとされてきた。かかる欠点を
解消するために例えば素子基板へ球レンズを装着するこ
とが行われている。しかし、素子基板へ球レンズを光学
的に高い位置決め精度で装着するのは困難であった。ま
た、素子をダイポンディングしたステム忙球しンズ付き
キャブｆｆ装着することが行われている。
しかし、この場合溶接時に球レンズ付キャップとステム
の取付は位置がずれる問題がある。また、素子自体に集
光機能を持たせることが行われている。しかし、集光機
能を持たせるために素子自体をレンズ状に加工するのは
技術的に困難であり、歩留りを低下すると共に製造コス
トを高くする問題があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであシ、素子
を所定位置に装着して正確な光軸合せが可能であると共
に、気密性、放熱性及び機械的強度に優れ、かつ、歩留
りの向上全達成した半導体発光装置を提供するものであ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、床部にレンズ取付は用の開口部が形成された
ステムと、前記開口部内に装着されたレンズと、前記ス
テム内に発光窓が前記開口部を介して前記レンズに対向
するようにして装着された面発光素子と、該面発光素子
を封止するように前記ステム内に充てんされた封止樹脂
とを具備することを特徴とする半導体発光装置である。
〔作用〕
本発明に係る半導体発光装置によれば、面発光素子が発
光窓を開口部を介してレンズに対向させるようにして位
置付けられているので、素子の装着時に正確な光軸合せ
を容易に達成できる。また、面発光素子を封止樹脂で完
全に封止しているので、気密性、放熱性及び機械的強度
全向上させることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１は、素子を収容する金属性ステムである
。金属性ステム１の床部には、外部に向って次第に開口
径を大きくなるようにして開口部２が形成されている。
開口部２は。
球レンズ３が接着されている。球レンズ３０代わシにセ
ルフォックロッドレンズ等を使用しても良い。また、金
属性ステム１の床部の所定位置には、絶縁部材４を介し
て絶縁された状態のリードビン５と、絶縁部材４″ｆ：
介さず導電した状態のリードピン６とが立設されている
。金属性ステム１の床部には、第２図に示すような発光
窓７の部分が、開口部２に臨むようにして面発光素子８
がダイポンディングされている。面発光素子８の片面側
には、第３図に示す如く、発光窓７の部分を開口するよ
うにして電極９が形成され、他面側には全面に亘って電
極１０が形成されている。この他面側の電極１０と絶縁
されたリードビン５の突起部１１間には、金線１２がワ
イヤポンディングにより架設されている。また、金属性
ステム１内には、面発光素子８を保護する目的で例えば
エポキシ樹脂１３が充てんされている。なお、同図１４
は、面発光素子８の発光領域である。
このように構成された半導体発光装置１５では、発光窓
７が開口部２に臨む構造になっているので、面発光素子
８の取付けの際に外部から球レンズ３を介して発光窓７
が球レンズ３に対して正しい位置に来るように観察する
ことができる。その結果、球レンズ３の光軸中心に対し
て面発光素子８を極めて高い位置決め精度で、かつ、容
易に装着することができ石。また、従来使用していたキ
ャップを不要にしてキャップの溶接工程を省くことがで
きる。また、球レンズ３の装着、位置決めをポンディン
グの段階で全て終了することができる。更に、エポキシ
樹脂１３を金属性ステム１内に充てんしているので、気
密性、放熱性、機械的強度を高めることができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る半導体発光装置忙よれ
ば、素子を所定位置に装着して正確な光軸合せが可能で
あると共に、気密性、放熱性及び機械的強度に優れ、か
つ、高い歩留りを発揮することができる等顕著な効果を
有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第２図は、同実施例の発光窓の部分を示す説明図、第３
図は、同実施例の素子部分の説明図である。 １・・・金属性ステム、２・・・開口部、３・・・球レ
ンズ、４・・・砲艦部材、５，６・・・リードピン、７
・・・発光窓、８・・・面発光素子、９．１０・・・電
極、１１・・・突起部、１２・・・金線、１３・・・エ
ポキシ樹脂、１４・・・発光領域、１５・・・半導体発
光装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 床部にレンズ取付け用の開口部が形成されたステムと、
    前記開口部内に装着されたレンズと、前記ステム内に発
    光窓が前記開口部を介して前記レンズに対向するように
    して装着された面発光素子と、該面発光素子を封止する
    ように前記ステム内に充てんされた封止樹脂とを具備す
    ることを特徴とする半導体発光装置。
JP62076231A 1987-03-31 1987-03-31 半導体発光装置 Pending JPS63244781A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5414293A (en) * 1992-10-14 1995-05-09 International Business Machines Corporation Encapsulated light emitting diodes
WO2001009962A1 (de) * 1999-07-28 2001-02-08 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung
WO2003075064A2 (de) * 2002-03-01 2003-09-12 Siemens Aktiengesellschaft Faseroptisches kommunikationsmodul und verfahren zum betreiben eines solchen moduls
JP2006013127A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Sony Corp 光源装置及び表示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5414293A (en) * 1992-10-14 1995-05-09 International Business Machines Corporation Encapsulated light emitting diodes
WO2001009962A1 (de) * 1999-07-28 2001-02-08 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung
US6781209B1 (en) 1999-07-28 2004-08-24 Infineon Technologies Ag Optoelectronic component with thermally conductive auxiliary carrier
WO2003075064A2 (de) * 2002-03-01 2003-09-12 Siemens Aktiengesellschaft Faseroptisches kommunikationsmodul und verfahren zum betreiben eines solchen moduls
WO2003075064A3 (de) * 2002-03-01 2004-01-15 Siemens Ag Faseroptisches kommunikationsmodul und verfahren zum betreiben eines solchen moduls
JP2006013127A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Sony Corp 光源装置及び表示装置

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