JPS6340387A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims abstract description 23
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
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- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光計測に用いられる半導体レーザ装置の性能改
善に関する。
善に関する。
〈従来技術とその問題点〉
半導体レーザを用いtこ光計測においては、半導体レー
ザの駆動電流に対する光出力の非直線性や、発振波長の
変化がその計測精度を著しく劣化させる。例えば、干渉
を利用した計測では発振波長が変化すると、干渉縞が変
化して全く測定が不可能となる。
ザの駆動電流に対する光出力の非直線性や、発振波長の
変化がその計測精度を著しく劣化させる。例えば、干渉
を利用した計測では発振波長が変化すると、干渉縞が変
化して全く測定が不可能となる。
第5図に示す様に、通常半導体レーザ装置は半導体レー
ザ素子1と外囲器及び配線によって構成される。外囲器
は台2、ヒートシンク3、側壁4及び窓ガラス5より構
成される。半導体レーザ素子lはヒートシンク3に固着
されており、AuやAσからなる配線6によりリードピ
ン7にワイヤボンドされ、電流を流して動作させる。半
導体レーザ素子lから出射されたレーザ光は窓ガラス5
を通して外部は放射される。窓ガラス5は収差を防ぐた
め通常レーザ光の進行方向に垂直に配置されており、こ
のため窓ガラス5に照射されるレーザ光の一部は窓ガラ
ス5で反射されて半導体レーザ素子lに帰還される。こ
のため窓ガラス5と半導体レーザ素子lとの距離に依存
する謂ゆるエタロン特性により、ある波長に対してはレ
ーザ端面の実効的な反射率が上がり、別の波長に対して
はレーザ端面の実効的な反射率が下がる現象が生じる。
ザ素子1と外囲器及び配線によって構成される。外囲器
は台2、ヒートシンク3、側壁4及び窓ガラス5より構
成される。半導体レーザ素子lはヒートシンク3に固着
されており、AuやAσからなる配線6によりリードピ
ン7にワイヤボンドされ、電流を流して動作させる。半
導体レーザ素子lから出射されたレーザ光は窓ガラス5
を通して外部は放射される。窓ガラス5は収差を防ぐた
め通常レーザ光の進行方向に垂直に配置されており、こ
のため窓ガラス5に照射されるレーザ光の一部は窓ガラ
ス5で反射されて半導体レーザ素子lに帰還される。こ
のため窓ガラス5と半導体レーザ素子lとの距離に依存
する謂ゆるエタロン特性により、ある波長に対してはレ
ーザ端面の実効的な反射率が上がり、別の波長に対して
はレーザ端面の実効的な反射率が下がる現象が生じる。
この特性は周期的であり、その波長間隔Δλeは周期的
で Δλe−λ。′/2d ・・・(1) で示される。ここでλ。はレーザの発振波長であり、d
は窓ガラス5と半導体レーザ素子lとの距離である。
で Δλe−λ。′/2d ・・・(1) で示される。ここでλ。はレーザの発振波長であり、d
は窓ガラス5と半導体レーザ素子lとの距離である。
一方、半導体レーザの縦モード間隔Δλは良く知られて
いる様に Δλ −λ。’/2n(・・・(2) で示される。ここでnはレーザ共振器の実効屈折率、Q
はレーザ共振器長である。
いる様に Δλ −λ。’/2n(・・・(2) で示される。ここでnはレーザ共振器の実効屈折率、Q
はレーザ共振器長である。
第3図は(1)式で示される反射利得とレーザ縦モード
の相対関係を示す説明図で、Δλe=1.5Δλの場合
を示している。いま、レーザの利得ピーク近傍で(a)
で示す反射利得の高い部分とレーザ軸軸モードDが一致
しているとする。(第3図(b))電流の変化や温度の
変化で相対的にレーザ縦モードが長波長側へ動くと第3
図(c)の様に縦モードEが反射利得の高い部分と一致
する。さらに第3図(d)の様に縦モードCが一致する
様になる。この様に発振モードがD−E−Cの様にモー
ドホッピングすることになる。またモードホッピングを
せずDのモードを保った場合でも光出力が電流に対して
非直線的になったり、発振モードと非発振モードのモー
ド比が著しく低下することになる。
の相対関係を示す説明図で、Δλe=1.5Δλの場合
を示している。いま、レーザの利得ピーク近傍で(a)
で示す反射利得の高い部分とレーザ軸軸モードDが一致
しているとする。(第3図(b))電流の変化や温度の
変化で相対的にレーザ縦モードが長波長側へ動くと第3
図(c)の様に縦モードEが反射利得の高い部分と一致
する。さらに第3図(d)の様に縦モードCが一致する
様になる。この様に発振モードがD−E−Cの様にモー
ドホッピングすることになる。またモードホッピングを
せずDのモードを保った場合でも光出力が電流に対して
非直線的になったり、発振モードと非発振モードのモー
ド比が著しく低下することになる。
発振縦モードを安定化する目的で提案されている内部干
渉型レーザ複合共振器型レーザ、外部共振器型レーザ等
にも上述の影響は生じ、またDF −B(分布帰還形
)レーザにおいてもストップバンドをはさんだ2本のD
FBモード間のモードホッピングを生じたり、(2)式
と近似した間隔をもつ非発振のDFB尋−ドとのモード
比が変化したりする。この様な欠点を防ぐために、窓ガ
ラスに反射防止膜を被覆する方法も行なわれたが、低い
反射率にするためには、誘電体多層膜等の高精度な反射
防止膜を必要とし、製造工程も複雑となる欠点が生じた
。
渉型レーザ複合共振器型レーザ、外部共振器型レーザ等
にも上述の影響は生じ、またDF −B(分布帰還形
)レーザにおいてもストップバンドをはさんだ2本のD
FBモード間のモードホッピングを生じたり、(2)式
と近似した間隔をもつ非発振のDFB尋−ドとのモード
比が変化したりする。この様な欠点を防ぐために、窓ガ
ラスに反射防止膜を被覆する方法も行なわれたが、低い
反射率にするためには、誘電体多層膜等の高精度な反射
防止膜を必要とし、製造工程も複雑となる欠点が生じた
。
〈発明の目的〉
本発明は、この様な問題点に鑑みなされたちので、窓ガ
ラスの反射が有っても、レーザの縦モードに影響を与え
ない半導体レーザ装置を提供することを目的とするもの
である。
ラスの反射が有っても、レーザの縦モードに影響を与え
ない半導体レーザ装置を提供することを目的とするもの
である。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明の半導体レーザ装置は、前記目的を達成するため
に従来注目されずに決められていたレーザ窓ガラスとレ
ーザ素子の距離に注目し、窓ガラスとレーザ素子端面に
よって生じる反射利得の間隔とレーザ縦モード間隔を一
致させ、相対的な関係が変化しても各々の縦モードが同
じ反射利得の影響を受ける様にするものである。つまり
、縦モード間隔をΔλ、窓ガラスと半導体レーザ出射端
面との距離をdとするとき、 の関係となる構成を要旨とするものである。
に従来注目されずに決められていたレーザ窓ガラスとレ
ーザ素子の距離に注目し、窓ガラスとレーザ素子端面に
よって生じる反射利得の間隔とレーザ縦モード間隔を一
致させ、相対的な関係が変化しても各々の縦モードが同
じ反射利得の影響を受ける様にするものである。つまり
、縦モード間隔をΔλ、窓ガラスと半導体レーザ出射端
面との距離をdとするとき、 の関係となる構成を要旨とするものである。
このことを第4図により説明する。第4図は波長間隔Δ
λe−縦モード間隔Δλとした場合である。第3図(b
)と同様に第4図(b)で縦モードDが発振しているも
のとする。レーザ縦モードが(cXd)に移動した場合
も各モードは同じ反射利得の影響を受けることとなり、
モードホッピングやモード比の変化は生じず、安定に縦
モードDで発振が維持される。
λe−縦モード間隔Δλとした場合である。第3図(b
)と同様に第4図(b)で縦モードDが発振しているも
のとする。レーザ縦モードが(cXd)に移動した場合
も各モードは同じ反射利得の影響を受けることとなり、
モードホッピングやモード比の変化は生じず、安定に縦
モードDで発振が維持される。
〈実施例〉
以下、本発明を図示の実施例で詳説する。
第1図は本発明の半導体レーザ装置の主要部を示したも
のである。半導体レーザ素子lはレーザ共振器長eは2
50μ11発振波長は約7800人であり、縦モード間
隔は2.9人であった。窓ガラス5と半導体レーザ素子
lまでの距離dは1.0mxであり、(3)式の条件に
ある。一方、半導体レーザ素子Cよエツチングによって
形成した溝9によってレーザ部分lと受光器8の部分を
モノリシックに形成しており、受光器8の端面によって
外部共振器型の波長安定化機能を有している。
のである。半導体レーザ素子lはレーザ共振器長eは2
50μ11発振波長は約7800人であり、縦モード間
隔は2.9人であった。窓ガラス5と半導体レーザ素子
lまでの距離dは1.0mxであり、(3)式の条件に
ある。一方、半導体レーザ素子Cよエツチングによって
形成した溝9によってレーザ部分lと受光器8の部分を
モノリシックに形成しており、受光器8の端面によって
外部共振器型の波長安定化機能を有している。
第2図(a)は従来の窓ガラス位置d−0,7xmの場
合の一定先出力時の温度に対する発振波長の変化を示し
たもので、発振波長の変化は通常のファプリーペローレ
ーザよりは小さく抑えられているが、窓ガラスの影響に
より周期的に隣接モード間のモードポツピングが生じた
。
合の一定先出力時の温度に対する発振波長の変化を示し
たもので、発振波長の変化は通常のファプリーペローレ
ーザよりは小さく抑えられているが、窓ガラスの影響に
より周期的に隣接モード間のモードポツピングが生じた
。
第2図(b)は第1図に示す本発明の場合(d=1am
)であり、25℃の広い温度範囲にわたってモードホッ
ピングを生じず、安定に一本の縦モードによって発振を
推持した。
)であり、25℃の広い温度範囲にわたってモードホッ
ピングを生じず、安定に一本の縦モードによって発振を
推持した。
尚、d−λ。′/2Δλ に一致することが望ましいが
、発明者の実験によれば の範囲であれば第2図(b)の様な良好な結果が得られ
ている。
、発明者の実験によれば の範囲であれば第2図(b)の様な良好な結果が得られ
ている。
実施例では外部共振器型の半導体レーザ素子について適
用した場合を示したが、本発明は特許請求の範囲を満た
せば半導体レーザ素子の種類に依らない。
用した場合を示したが、本発明は特許請求の範囲を満た
せば半導体レーザ素子の種類に依らない。
〈発明の効果〉
以上の如く、本発明によれば、半導体レーザ装置の窓ガ
ラスによる影響を無くし、安定な発振縦モードや光出力
特性が得られる。
ラスによる影響を無くし、安定な発振縦モードや光出力
特性が得られる。
第1図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の概略図
、第2図(a)は従来の半導体レーザ装置における温度
変化と発振波長の関係を示す特性図、第2図(b)は本
発明の半導体レーザ装置における温度変化と発振波長の
関係を示す特性図、第3゜第4図は窓ガラスの影響を示
す概念図、第5図は従来の半導体レーザ装置の構成図で
ある。 l・・・半導体レーザ素子、 2・・・台、3・・・
ヒートシンク、4・・側壁、5・・・窓ガラス、6・・
・配線、7・・・リードピン、8・・・受光器、9・・
溝。
、第2図(a)は従来の半導体レーザ装置における温度
変化と発振波長の関係を示す特性図、第2図(b)は本
発明の半導体レーザ装置における温度変化と発振波長の
関係を示す特性図、第3゜第4図は窓ガラスの影響を示
す概念図、第5図は従来の半導体レーザ装置の構成図で
ある。 l・・・半導体レーザ素子、 2・・・台、3・・・
ヒートシンク、4・・側壁、5・・・窓ガラス、6・・
・配線、7・・・リードピン、8・・・受光器、9・・
溝。
Claims (2)
- (1)発振波長がλ_0、縦モード間隔がΔλのとき、
半導体レーザの外囲器の窓ガラスと半導体レーザの出射
端面との距離dが 0.4×(λ_0^2/Δλ)≦d≦0.6×(λ_0
^2/Δλ)であることを特徴とする半導体レーザ装置
。 - (2)上記半導体レーザが発振波長を安定化する手段を
有する特許請求の範囲第1項に記載の半導体レーザ装置
。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61184905A JPS6340387A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体レ−ザ装置 |
GB8718382A GB2195493B (en) | 1986-08-05 | 1987-08-04 | A semiconductor laser apparatus |
US07/081,503 US4811350A (en) | 1986-08-05 | 1987-08-04 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61184905A JPS6340387A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6340387A true JPS6340387A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16161380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61184905A Withdrawn JPS6340387A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4811350A (ja) |
JP (1) | JPS6340387A (ja) |
GB (1) | GB2195493B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4953006A (en) * | 1989-07-27 | 1990-08-28 | Northern Telecom Limited | Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device |
JPH0376286A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Sony Corp | 半導体レーザ装置とその組立方法 |
US4989214A (en) * | 1990-05-11 | 1991-01-29 | Northern Telecom Limited | Laser diode, method for making device and method for monitoring performance of laser diode |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3573654A (en) * | 1969-07-18 | 1971-04-06 | Us Navy | Narrow band tunable laser oscillator amplifier |
DE2737345C2 (de) * | 1976-08-20 | 1991-07-25 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Halbleiterlaser-Vorrichtung mit einem Peltier-Element |
JPS54142988A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Hitachi Ltd | Photo semiconductor device |
JPS55148482A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
NL181963C (nl) * | 1979-06-26 | 1987-12-01 | Philips Nv | Halfgeleiderlaserinrichting. |
US4355321A (en) * | 1981-02-02 | 1982-10-19 | Varian Associates, Inc. | Optoelectronic assembly including light transmissive single crystal semiconductor window |
JPS58111387A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ド |
JPS58143594A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ−装置 |
JPS58145169A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Nec Corp | 光半導体装置 |
JPS5978589A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-07 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JPS59117279A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH0827422B2 (ja) * | 1983-10-04 | 1996-03-21 | 日本電気株式会社 | 光結合装置 |
JPS611077A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
JPS61168985A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | Nec Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPS61174688A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザ用発光性半導体チツプのダイボンデング位置設定方法 |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61184905A patent/JPS6340387A/ja not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-08-04 US US07/081,503 patent/US4811350A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-04 GB GB8718382A patent/GB2195493B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8718382D0 (en) | 1987-09-09 |
GB2195493A (en) | 1988-04-07 |
GB2195493B (en) | 1989-12-28 |
US4811350A (en) | 1989-03-07 |
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