JPH0376286A - 半導体レーザ装置とその組立方法 - Google Patents
半導体レーザ装置とその組立方法Info
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- JPH0376286A JPH0376286A JP1212822A JP21282289A JPH0376286A JP H0376286 A JPH0376286 A JP H0376286A JP 1212822 A JP1212822 A JP 1212822A JP 21282289 A JP21282289 A JP 21282289A JP H0376286 A JPH0376286 A JP H0376286A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ０発明の概要
Ｃ６従来技術
【第６図、第７図】
Ｄ０発明が解決しようとする問題点
Ｅ１問題点を解決するための手段
１０作用
Ｇ、実施例【第１図乃至第５図〕
Ｈ１発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ装置とその組立方法、特にステム
のリード取付孔に絶縁体を介して貫通状に固定されたリ
ードを有する半導体レーザ装置とその組立方法に関する
。 （Ｂ、発明の概要） 本発明は、上記の半導体・レーザ装置とその組立方法に
おいて、 組立工数の低減を図り、半導体レーザ装置を低価格化す
るため、 ステムのリード取付孔にリードを電気絶縁樹脂を絶縁体
として介在させて貫通状に固定するようにしたものであ
る。 （Ｃ，従来技術）【第６図、第７図］ 半導体レーザ装置として実開昭６１−８５１７５号公報
に紹介されたもののようにステム上に例えばヒートシン
クを介して半導体レーザ素子をマウンティングし、キャ
ップにより封止したものがある。このような半導体レー
ザ装置の電極取り出しは、ステムに形成されたリード取
付孔にリードをガラスを介して貫通状に固定し、リード
の内端と半導体レーザ装置の電極との間をワイヤを介し
て接続することにより行なわれている。 第６図はそのような半導体レーザ装置のステム及びリー
ドを示すものである。 図面において、ａはステム、ｂは該ステムａの表面中央
部に一体又は一体的に形成された支持部で、該支持部す
に半導体レーザ素子がボンディングされる＠ Ｃｉ、
Ｃ％Ｃはリードで、そのうちの−本のリードＣはステム
ａの裏面に直接溶接により固定され、他の二本のリード
Ｃ，Ｃはガラスｄ、ｄに絶縁された状態でステムａのリ
ード取付孔ｅに貫通状に固定されている。 ところで、その二本のリードＣ，Ｃのステムａへの取り
付けは第７図（Ａ）、（Ｂ）に示すように行なわれてい
た。先ず、同図（Ａ）に示すように表面を陽極酸化した
リードＣと、特殊な低融点ガラス粉末をリング状に成形
したガラスリングｄを用意する。リードＣを陽極酸化す
るのは熱融着によりガラスリングｄに固着できるように
するためである。 次に、ステムａのリード取付孔ｅにガラスリングｄを通
し、更に、そのガラスリングｄにリードＣを通した状態
にし、その状態で炉に通して例えば４２０〜４３０℃の
温度でガラスリングｄを焼成することにより同図（Ｂ）
に示すようにステムａに対するリードＣの取付けを行な
う。 その後、リードＣの表面の陽極酸化膜を除去し、しかる
後、表面をメツキする。陽極酸化膜を除去するのは、そ
れが絶縁物であり導電性を確保することの妨げになるか
らである。 （Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、第７
図に示すような半導体レーザ装置の組立方法、即ち、ス
テムのリード取付孔ｅにリードＣをガラスｄを介して貫
通状に固定した半導体レーザ装置の組立方法は組立工数
が多く、半導体レーザ装置の低価格化が難しいという問
題があった。というのは、リードＣ，Ｃを成形加工した
後陽極酸化し、リードＣ，Ｃのガラスリングｄを介して
のステムａへの熱融着をし、その後、リード表面の陽極
酸化膜を除去し、リード表面をメツキするということが
リード付けだけのために必要となるからである。 しかも、ガラスリングｄは非常に材料費が高いうえに形
が崩れ易いので、ガラスリングｄにり−ドＣを通したり
、ガラスリングｄをステムａのリード取付孔ｅに通す作
業がやりにくい、そして、ガラス焼成のためにステムａ
を炉に通す際ステムａ、ガラスリングｄ、リードＣを一
定の位置関係に保つ必要があり、そのため高価な特別の
カーボン治具を必要とする。これ等のことも半導体レー
ザ装置の価格を高いものにし、半導体レーザ装置の低価
格化を阻む要因となっていた。 本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、組立工数の低減を図り、半導体レーザ装置を低価
格化することを目的とする。 （Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するため、ステムのリード取
付孔にリードを電気絶縁樹脂を介して貫通状に固定する
ようにしたことを特徴とする。 （Ｆ、作用） 本発明によれば、リードに陽極酸化膜を形成し、リード
のステムへの取付は後陽極酸化膜を除去し、リードをメ
ツキするという面倒な工程は不要で、必要なメツキをし
たリードのつぶし部分に電気絶縁樹脂をモールドしたも
のを用意し、そのモールド部分をステムのリード取付孔
に圧太し、その後ステムをかしめるだけでリードの取付
けができ、組立工数の低減を図ることができる。そして
、電気絶縁樹脂はガラスに比較して材料費が安くて済む
。従って、半導体レーザ装置の低価格化を図ることがで
きる。 （Ｇ、実施例）【第１図乃至第５図１ 以下、本発明半導体レーザ装置とその組立方法を図示実
施例に従って詳細に説明する。 第１図は本発明半導体レーザ装置の一つの実施例を示す
分解斜視図、第２図はリードを示す斜視図である。 図面において、１は金属からなるステム、２は該ステム
１の表面の略中央部に一体に形成された支持部、３ａ、
３ａ、３ｂは軟鋼線の表面に金メツキ処理を施してなる
リードで、そのうちの２本３ａ、３ａは上端部４．４、
が圧潰され、中間部のつぶし部分１３にて電気絶縁樹脂
５．５を介してステム１のリード取付孔６．６に貫通状
に固着されている。残りの１本３ｂはその２本のリード
３ａ、３ａよりも短く形成され、ステム１の底面に直接
垂直に溶接されている。 ７はステム１の支持部２にポンディングされた半導体レ
ーザ素子で、レーザ出力モニター用フォトダイオードを
も有している。８．８は半導体レーザ素子７の電極と、
上記リード３ａ、３ａの圧潰された上端部４．４との間
を接続するコネクトワイヤ、９は封止用キャップ、１０
は非点隔差補正のために斜めに形成された頭部、１１は
該頭部１０に形成された光を通す窓、１２は該窓１１を
閉塞するガラス板である。 本半導体レーザ装置は、第５図に示した従来の半導体レ
ーザ装置とはリード３ａ、３ａとステム１との電気的絶
縁が樹脂５．５により行なわれている点で相違している
。そのため、必要なメツキを施したリード３ａのつぶし
部分１３に樹脂５をモールドしたものを予め用意してお
き、そのモールド部分をステム１のリード取付孔６に圧
入して、その後ステム１をまわりから加圧することによ
りかしめてリード３ａ、３’ａをステムｌに強固に固定
するという非常に簡単な組立て工程でリードの取付けを
行なうことができ、延いては半導体レーザ装置の組立工
数を低減することができる。 また、電気絶縁樹脂［例えばポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）、ポリイミド（ＰＩＱ）］５は、従来にお
いて使用されていたところのガラス粉末を主材料として
成形したガラスリングに比較して材料費が安くて済む。 従って、半導体レーザ装置の低価格化を図ることができ
る。 第３図（Ａ）乃至（Ｃ）はキャップにガラス板を固着す
る方法を工程順に示すものである。 先ず、同図（Ａ）に示すように上下逆さまにしたキャッ
プ９の頭部内面にデイスペンサ１４により接着用樹脂１
５を滴下して塗布する。この樹脂１５はＵＶ光により硬
化する性質の樹脂を用いる。 次に、同図（Ｂ）に示すようにガラス板１２を落下させ
て頭部１０内面上に位置させる。 その後、同図（Ｃ）に示すようにＵＶランプ１６により
ＵＶ光を照射することにより樹脂を硬化させてガラス板
１２をキャップ９の頭部１０に内側から固着する。尚、
熱硬化性樹脂を用い、加熱することにより固着するよう
にしても良い。 第４図（Ａ）乃至（Ｄ）はステム１に直接り一ド３ｂを
固定する方法を工程順に示す斜視図である。 同図（Ａ）に示すように、リール１７に巻かれた金メツ
キ線１８を先端から所定の長さの場所にてホルダー１９
で強く把持し、ホルダー１９で金メツキ線１８の先端部
をヘッダー加工用金型２０に叩き付けてヘッダー加工す
る。このヘッダー加工は、同図（Ｂ）に示すように先端
部がフランジ状になり、フランジの表面中央部に突起の
ある形状になるようにする。フランジ状にするのはリー
ド３ｂが曲げに強くなるようにするためである。また、
突起を設けるのは溶接による接着性を良くするためであ
る。 次に、同図（Ｃ）に示すように溶接機２１によってリー
ド３ｂをステム１の底面に溶接する。 すると、同図（Ｄ）に示すように底面にリード３ｂが固
定されたステム１ができる。 第５図は（Ａ）乃至（Ｄ）はリード３ｂが固定されたス
テム１に樹脂５を介してリードを固定する方法を工程順
に示す斜視図である。 同図（Ａ）に示すように、金メツキ線に所定間隔でつぶ
し部分゛１３．１３、・・・を設け、各つぶし部分１３
．１３、・・・を電気絶縁樹脂５，５、・・・でモール
ドした線材２２．２２をリール２３．２３に巻いておく
、そして、線材２２．２２の最も先端側の電気絶縁樹脂
５．５よりも稍奥側の部分をホルダー２４により強く把
持し、線材２２．２２をステム１のリード取付孔６．６
に臨ませる。そして、ホルダー２４を動かして電気絶縁
樹脂５．５をリード取付孔６．６に圧入する。 その後、線材２２．２２を適宜な位置にて切断すると、
同図（Ｂ）に示すようにリード３ａ。 ３ａが樹脂５．５、を介してステム１に貫通状に仮付け
された状態になる。 次に、同図（Ｃ）に示すようにステム１をその周縁から
加圧してかしめることによりリード３ ａ ｓ ３ ａ
を樹脂５．５を介してリード取付孔６．６に強固に固着
する。 その後、同図（Ｄ）に示すようにリード３ａ、３ａの上
端部４．４を圧潰してワイヤボンディングをし易くする
。 尚、その後、半導体レーザ素子のグイボンディング、ワ
イヤボンディング、キャップのステムへの取り付けが順
次行なわれる。 （Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明は、ステムのリード取付孔
に電気絶縁樹脂を介して貫通状に固定されたリードを有
することを特徴とするものである。 従って、本発明によれば、リードに陽極酸化膜を形成し
、リードのステムへの取付は後その陽極酸化膜を除去し
、リードをメツキするという面倒な工程は不要で、必要
なメツキをしたところのリードのつぶし部分に電気絶縁
樹脂をモールドしたものを用意し、そのモールド部分を
ステムのリード取付孔に圧入し、その後ステムをかしめ
るだけでリードの取付けができ、組立工数の低減を図る
ことができる。そして、電気絶縁樹脂はガラスに比較し
て材料費が安い、従って、半導体レーザ装置の低価格化
を図ることができる。
のリード取付孔に絶縁体を介して貫通状に固定されたリ
ードを有する半導体レーザ装置とその組立方法に関する
。 （Ｂ、発明の概要） 本発明は、上記の半導体・レーザ装置とその組立方法に
おいて、 組立工数の低減を図り、半導体レーザ装置を低価格化す
るため、 ステムのリード取付孔にリードを電気絶縁樹脂を絶縁体
として介在させて貫通状に固定するようにしたものであ
る。 （Ｃ，従来技術）【第６図、第７図］ 半導体レーザ装置として実開昭６１−８５１７５号公報
に紹介されたもののようにステム上に例えばヒートシン
クを介して半導体レーザ素子をマウンティングし、キャ
ップにより封止したものがある。このような半導体レー
ザ装置の電極取り出しは、ステムに形成されたリード取
付孔にリードをガラスを介して貫通状に固定し、リード
の内端と半導体レーザ装置の電極との間をワイヤを介し
て接続することにより行なわれている。 第６図はそのような半導体レーザ装置のステム及びリー
ドを示すものである。 図面において、ａはステム、ｂは該ステムａの表面中央
部に一体又は一体的に形成された支持部で、該支持部す
に半導体レーザ素子がボンディングされる＠ Ｃｉ、
Ｃ％Ｃはリードで、そのうちの−本のリードＣはステム
ａの裏面に直接溶接により固定され、他の二本のリード
Ｃ，Ｃはガラスｄ、ｄに絶縁された状態でステムａのリ
ード取付孔ｅに貫通状に固定されている。 ところで、その二本のリードＣ，Ｃのステムａへの取り
付けは第７図（Ａ）、（Ｂ）に示すように行なわれてい
た。先ず、同図（Ａ）に示すように表面を陽極酸化した
リードＣと、特殊な低融点ガラス粉末をリング状に成形
したガラスリングｄを用意する。リードＣを陽極酸化す
るのは熱融着によりガラスリングｄに固着できるように
するためである。 次に、ステムａのリード取付孔ｅにガラスリングｄを通
し、更に、そのガラスリングｄにリードＣを通した状態
にし、その状態で炉に通して例えば４２０〜４３０℃の
温度でガラスリングｄを焼成することにより同図（Ｂ）
に示すようにステムａに対するリードＣの取付けを行な
う。 その後、リードＣの表面の陽極酸化膜を除去し、しかる
後、表面をメツキする。陽極酸化膜を除去するのは、そ
れが絶縁物であり導電性を確保することの妨げになるか
らである。 （Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、第７
図に示すような半導体レーザ装置の組立方法、即ち、ス
テムのリード取付孔ｅにリードＣをガラスｄを介して貫
通状に固定した半導体レーザ装置の組立方法は組立工数
が多く、半導体レーザ装置の低価格化が難しいという問
題があった。というのは、リードＣ，Ｃを成形加工した
後陽極酸化し、リードＣ，Ｃのガラスリングｄを介して
のステムａへの熱融着をし、その後、リード表面の陽極
酸化膜を除去し、リード表面をメツキするということが
リード付けだけのために必要となるからである。 しかも、ガラスリングｄは非常に材料費が高いうえに形
が崩れ易いので、ガラスリングｄにり−ドＣを通したり
、ガラスリングｄをステムａのリード取付孔ｅに通す作
業がやりにくい、そして、ガラス焼成のためにステムａ
を炉に通す際ステムａ、ガラスリングｄ、リードＣを一
定の位置関係に保つ必要があり、そのため高価な特別の
カーボン治具を必要とする。これ等のことも半導体レー
ザ装置の価格を高いものにし、半導体レーザ装置の低価
格化を阻む要因となっていた。 本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、組立工数の低減を図り、半導体レーザ装置を低価
格化することを目的とする。 （Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するため、ステムのリード取
付孔にリードを電気絶縁樹脂を介して貫通状に固定する
ようにしたことを特徴とする。 （Ｆ、作用） 本発明によれば、リードに陽極酸化膜を形成し、リード
のステムへの取付は後陽極酸化膜を除去し、リードをメ
ツキするという面倒な工程は不要で、必要なメツキをし
たリードのつぶし部分に電気絶縁樹脂をモールドしたも
のを用意し、そのモールド部分をステムのリード取付孔
に圧太し、その後ステムをかしめるだけでリードの取付
けができ、組立工数の低減を図ることができる。そして
、電気絶縁樹脂はガラスに比較して材料費が安くて済む
。従って、半導体レーザ装置の低価格化を図ることがで
きる。 （Ｇ、実施例）【第１図乃至第５図１ 以下、本発明半導体レーザ装置とその組立方法を図示実
施例に従って詳細に説明する。 第１図は本発明半導体レーザ装置の一つの実施例を示す
分解斜視図、第２図はリードを示す斜視図である。 図面において、１は金属からなるステム、２は該ステム
１の表面の略中央部に一体に形成された支持部、３ａ、
３ａ、３ｂは軟鋼線の表面に金メツキ処理を施してなる
リードで、そのうちの２本３ａ、３ａは上端部４．４、
が圧潰され、中間部のつぶし部分１３にて電気絶縁樹脂
５．５を介してステム１のリード取付孔６．６に貫通状
に固着されている。残りの１本３ｂはその２本のリード
３ａ、３ａよりも短く形成され、ステム１の底面に直接
垂直に溶接されている。 ７はステム１の支持部２にポンディングされた半導体レ
ーザ素子で、レーザ出力モニター用フォトダイオードを
も有している。８．８は半導体レーザ素子７の電極と、
上記リード３ａ、３ａの圧潰された上端部４．４との間
を接続するコネクトワイヤ、９は封止用キャップ、１０
は非点隔差補正のために斜めに形成された頭部、１１は
該頭部１０に形成された光を通す窓、１２は該窓１１を
閉塞するガラス板である。 本半導体レーザ装置は、第５図に示した従来の半導体レ
ーザ装置とはリード３ａ、３ａとステム１との電気的絶
縁が樹脂５．５により行なわれている点で相違している
。そのため、必要なメツキを施したリード３ａのつぶし
部分１３に樹脂５をモールドしたものを予め用意してお
き、そのモールド部分をステム１のリード取付孔６に圧
入して、その後ステム１をまわりから加圧することによ
りかしめてリード３ａ、３’ａをステムｌに強固に固定
するという非常に簡単な組立て工程でリードの取付けを
行なうことができ、延いては半導体レーザ装置の組立工
数を低減することができる。 また、電気絶縁樹脂［例えばポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）、ポリイミド（ＰＩＱ）］５は、従来にお
いて使用されていたところのガラス粉末を主材料として
成形したガラスリングに比較して材料費が安くて済む。 従って、半導体レーザ装置の低価格化を図ることができ
る。 第３図（Ａ）乃至（Ｃ）はキャップにガラス板を固着す
る方法を工程順に示すものである。 先ず、同図（Ａ）に示すように上下逆さまにしたキャッ
プ９の頭部内面にデイスペンサ１４により接着用樹脂１
５を滴下して塗布する。この樹脂１５はＵＶ光により硬
化する性質の樹脂を用いる。 次に、同図（Ｂ）に示すようにガラス板１２を落下させ
て頭部１０内面上に位置させる。 その後、同図（Ｃ）に示すようにＵＶランプ１６により
ＵＶ光を照射することにより樹脂を硬化させてガラス板
１２をキャップ９の頭部１０に内側から固着する。尚、
熱硬化性樹脂を用い、加熱することにより固着するよう
にしても良い。 第４図（Ａ）乃至（Ｄ）はステム１に直接り一ド３ｂを
固定する方法を工程順に示す斜視図である。 同図（Ａ）に示すように、リール１７に巻かれた金メツ
キ線１８を先端から所定の長さの場所にてホルダー１９
で強く把持し、ホルダー１９で金メツキ線１８の先端部
をヘッダー加工用金型２０に叩き付けてヘッダー加工す
る。このヘッダー加工は、同図（Ｂ）に示すように先端
部がフランジ状になり、フランジの表面中央部に突起の
ある形状になるようにする。フランジ状にするのはリー
ド３ｂが曲げに強くなるようにするためである。また、
突起を設けるのは溶接による接着性を良くするためであ
る。 次に、同図（Ｃ）に示すように溶接機２１によってリー
ド３ｂをステム１の底面に溶接する。 すると、同図（Ｄ）に示すように底面にリード３ｂが固
定されたステム１ができる。 第５図は（Ａ）乃至（Ｄ）はリード３ｂが固定されたス
テム１に樹脂５を介してリードを固定する方法を工程順
に示す斜視図である。 同図（Ａ）に示すように、金メツキ線に所定間隔でつぶ
し部分゛１３．１３、・・・を設け、各つぶし部分１３
．１３、・・・を電気絶縁樹脂５，５、・・・でモール
ドした線材２２．２２をリール２３．２３に巻いておく
、そして、線材２２．２２の最も先端側の電気絶縁樹脂
５．５よりも稍奥側の部分をホルダー２４により強く把
持し、線材２２．２２をステム１のリード取付孔６．６
に臨ませる。そして、ホルダー２４を動かして電気絶縁
樹脂５．５をリード取付孔６．６に圧入する。 その後、線材２２．２２を適宜な位置にて切断すると、
同図（Ｂ）に示すようにリード３ａ。 ３ａが樹脂５．５、を介してステム１に貫通状に仮付け
された状態になる。 次に、同図（Ｃ）に示すようにステム１をその周縁から
加圧してかしめることによりリード３ ａ ｓ ３ ａ
を樹脂５．５を介してリード取付孔６．６に強固に固着
する。 その後、同図（Ｄ）に示すようにリード３ａ、３ａの上
端部４．４を圧潰してワイヤボンディングをし易くする
。 尚、その後、半導体レーザ素子のグイボンディング、ワ
イヤボンディング、キャップのステムへの取り付けが順
次行なわれる。 （Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明は、ステムのリード取付孔
に電気絶縁樹脂を介して貫通状に固定されたリードを有
することを特徴とするものである。 従って、本発明によれば、リードに陽極酸化膜を形成し
、リードのステムへの取付は後その陽極酸化膜を除去し
、リードをメツキするという面倒な工程は不要で、必要
なメツキをしたところのリードのつぶし部分に電気絶縁
樹脂をモールドしたものを用意し、そのモールド部分を
ステムのリード取付孔に圧入し、その後ステムをかしめ
るだけでリードの取付けができ、組立工数の低減を図る
ことができる。そして、電気絶縁樹脂はガラスに比較し
て材料費が安い、従って、半導体レーザ装置の低価格化
を図ることができる。
第１図乃至第５図は本発明の一つの実施例を説明するた
めのもので、第１図は半導体レーザ装置の分解斜視図、
第２図は電気絶縁樹脂を介してステムに取り付けられる
リードの斜視図、第３図（Ａ）乃至（Ｃ）はキャップに
ガラス板を固着する方法を工程順に示す斜視図、第４図
（Ａ）乃至（Ｄ）はステムに直接リードを固定する方法
を工程順に示す斜視図、第５図（Ａ）乃至（Ｄ）はステ
ムに樹脂を介してリードを固定する方法を工程順に示す
斜視図、第６図及び第７図は従来例を示すもので、第６
図は半導体レーザ装置のステム及びリードを示す斜視図
、第７図（Ａ）、（Ｂ）は組立方法を順に示す斜視図で
ある。 符号の説明 １・・・ステム、３ａ・・・リード、 ５・・・電気絶縁樹脂、 ６・・・リード取付孔、 １３・・・つぶし部分。 ｑコ ↑
めのもので、第１図は半導体レーザ装置の分解斜視図、
第２図は電気絶縁樹脂を介してステムに取り付けられる
リードの斜視図、第３図（Ａ）乃至（Ｃ）はキャップに
ガラス板を固着する方法を工程順に示す斜視図、第４図
（Ａ）乃至（Ｄ）はステムに直接リードを固定する方法
を工程順に示す斜視図、第５図（Ａ）乃至（Ｄ）はステ
ムに樹脂を介してリードを固定する方法を工程順に示す
斜視図、第６図及び第７図は従来例を示すもので、第６
図は半導体レーザ装置のステム及びリードを示す斜視図
、第７図（Ａ）、（Ｂ）は組立方法を順に示す斜視図で
ある。 符号の説明 １・・・ステム、３ａ・・・リード、 ５・・・電気絶縁樹脂、 ６・・・リード取付孔、 １３・・・つぶし部分。 ｑコ ↑
Claims (2)
- （１）ステムのリード取付孔に電気絶縁樹脂を介して貫
通状に固定されたリードを有することを特徴とする半導
体レーザ装置 - （２）予め設けたつぶし部分に電気絶縁樹脂をモールド
したリードのその電気絶縁樹脂モールド部分をステムの
リード取付孔に圧入し、 上記ステムを加圧してかしめることにより上記リードを
上記電気絶縁樹脂を介してステムに固定する ことを特徴とする半導体レーザ装置の組立方法
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212822A JPH0376286A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体レーザ装置とその組立方法 |
| KR1019900012559A KR0147287B1 (ko) | 1989-08-18 | 1990-08-16 | 반도체레이저장치와 그 조립방법 |
| US07/568,768 US5052009A (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Semiconductor laser device and process of assembling the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212822A JPH0376286A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体レーザ装置とその組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376286A true JPH0376286A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16628933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1212822A Pending JPH0376286A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体レーザ装置とその組立方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5052009A (ja) |
| JP (1) | JPH0376286A (ja) |
| KR (1) | KR0147287B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003020324A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Somar Corp | 金細線固定化用熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
| JP2003110181A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| WO2006075544A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Rohm Co., Ltd. | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| WO2014010140A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
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| US5516727A (en) * | 1993-04-19 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Method for encapsulating light emitting diodes |
| JP3120695B2 (ja) * | 1995-05-19 | 2000-12-25 | 株式会社日立製作所 | 電子回路の製造方法 |
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| US7004644B1 (en) | 1999-06-29 | 2006-02-28 | Finisar Corporation | Hermetic chip-scale package for photonic devices |
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| JP2004128378A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US20080137700A1 (en) * | 2005-01-11 | 2008-06-12 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor Laser Device and Method for Manufacturing Same |
| US20110280267A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
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| JPS52137279A (en) * | 1976-05-12 | 1977-11-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device for optical coupling |
| DE2737345C2 (de) * | 1976-08-20 | 1991-07-25 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Halbleiterlaser-Vorrichtung mit einem Peltier-Element |
| DE3040867C2 (de) * | 1980-10-30 | 1985-01-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| US4768070A (en) * | 1986-03-20 | 1988-08-30 | Hitachi, Ltd | Optoelectronics device |
| US4797728A (en) * | 1986-07-16 | 1989-01-10 | General Electric Company | Semiconductor device assembly and method of making same |
| JPS6340387A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1212822A patent/JPH0376286A/ja active Pending
-
1990
- 1990-08-16 KR KR1019900012559A patent/KR0147287B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-08-17 US US07/568,768 patent/US5052009A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2003020324A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Somar Corp | 金細線固定化用熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
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| KR100903709B1 (ko) * | 2005-01-11 | 2009-06-19 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2014010140A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
| JPWO2014010140A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2016-06-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0147287B1 (ko) | 1998-11-02 |
| US5052009A (en) | 1991-09-24 |
| KR910005531A (ko) | 1991-03-30 |
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