JPS5817644A - ステム - Google Patents
ステムInfo
- Publication number
- JPS5817644A JPS5817644A JP11508781A JP11508781A JPS5817644A JP S5817644 A JPS5817644 A JP S5817644A JP 11508781 A JP11508781 A JP 11508781A JP 11508781 A JP11508781 A JP 11508781A JP S5817644 A JPS5817644 A JP S5817644A
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- JP
- Japan
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- flange
- heat sink
- stem
- plating
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はキャン封止型半導体装におけるステムに関する
ものである。信頼性の高いパッケージ形態として、金属
製のステム上に半導体回路素子を組み込み、ステム上に
金属製のキャップをリングウェルドによって衆付け、半
導体回路素子を気管的に封止する構造が一般的に採用さ
れている。
ものである。信頼性の高いパッケージ形態として、金属
製のステム上に半導体回路素子を組み込み、ステム上に
金属製のキャップをリングウェルドによって衆付け、半
導体回路素子を気管的に封止する構造が一般的に採用さ
れている。
本発明を成す上に先だって、以下のようなステムが考え
られた。すなわち、そのステムは、第１図の平面図およ
び第２図の断面図で示すように、表面に電解ニッケルメ
ッキ膜または電解鋼めっき膜１を有する鉄製のフランジ
２と、この７ランジ２の中央近辺に嵌合される銅製のヒ
ートシンク４には側面外周に燐を含む無電解ニッケルメ
ッキ３が１０ｐｍｍ度以上に厚くメッキされている。こ
のヒートシンク４の近傍の７ランジ部分に絶縁材である
ガラス５を介して慣通固定される２本の鉄−ニッケル合
金からなるリード６とからなっている。この組立【られ
た状態で更に全体に電解ニッケルメッキまたは燐を含む
無電解ニッケルメッキが施されている。
られた。すなわち、そのステムは、第１図の平面図およ
び第２図の断面図で示すように、表面に電解ニッケルメ
ッキ膜または電解鋼めっき膜１を有する鉄製のフランジ
２と、この７ランジ２の中央近辺に嵌合される銅製のヒ
ートシンク４には側面外周に燐を含む無電解ニッケルメ
ッキ３が１０ｐｍｍ度以上に厚くメッキされている。こ
のヒートシンク４の近傍の７ランジ部分に絶縁材である
ガラス５を介して慣通固定される２本の鉄−ニッケル合
金からなるリード６とからなっている。この組立【られ
た状態で更に全体に電解ニッケルメッキまたは燐を含む
無電解ニッケルメッキが施されている。
このステムの製造方法は鉄板よりプレス打抜きされたフ
ランジ２へ電解ニッケルメッキ又は電解鋼メッキ１がな
される。次に銅板よりプレス打抜きされたヒートシンク
４の側面外周に燐を含む無電解ニッケルメッキ３がなさ
れる。このヒートシンク４を７ランジ２に穿たれた嵌合
孔に嵌合されるとともにカシメられる。またリード６は
フランジ２に穿たれた取付孔にガラスピーズを挿入した
後、このガラスピーズを１００Ｏｃ１！度の温度で溶か
してリード６をフランジ２に気密的に固定する。一方ヒ
ートシンク４とフランジ２の間はガラスピーズを溶かす
際の熱でヒートシンク４の側面外周に付けられている燐
を含む無電解ニッケルメッキ３が溶融（燐を１１％含む
無電解ニッケルメッキの融点は８８０Ｃ）して、カシメ
部分の隙間を埋めて気密性を保持している。このようＫ
して組立られた後、全面に電解ニッケルメッキまたは無
電解Ｎｉメッキが施されることによってステムは作られ
ていた。しかし、このステムは製造工程の合理化あるい
は価格に限界があった。
ランジ２へ電解ニッケルメッキ又は電解鋼メッキ１がな
される。次に銅板よりプレス打抜きされたヒートシンク
４の側面外周に燐を含む無電解ニッケルメッキ３がなさ
れる。このヒートシンク４を７ランジ２に穿たれた嵌合
孔に嵌合されるとともにカシメられる。またリード６は
フランジ２に穿たれた取付孔にガラスピーズを挿入した
後、このガラスピーズを１００Ｏｃ１！度の温度で溶か
してリード６をフランジ２に気密的に固定する。一方ヒ
ートシンク４とフランジ２の間はガラスピーズを溶かす
際の熱でヒートシンク４の側面外周に付けられている燐
を含む無電解ニッケルメッキ３が溶融（燐を１１％含む
無電解ニッケルメッキの融点は８８０Ｃ）して、カシメ
部分の隙間を埋めて気密性を保持している。このようＫ
して組立られた後、全面に電解ニッケルメッキまたは無
電解Ｎｉメッキが施されることによってステムは作られ
ていた。しかし、このステムは製造工程の合理化あるい
は価格に限界があった。
本発明は低価格で生産性の良いステムを提供することを
目的としている。上記目的を達成する本発明は、このヒ
ートシンク４の側面外周に実施していた燐を含む無電解
ニッケルメッキ３を削除した状態のヒートシンク９（菖
３図）を、電解ニッケルメッキ又は電解鋼メッキ７を施
した練製フラ□ ンジ８に設けた嵌合孔に嵌合かつカシメて取付けて、ガ
ラスピーズの７ランジ８への溶着時のｆ１度でもって、
ヒートシンク９の鋼とフランジ８の電解ニッケルメッキ
又は電解鋼メッキとを拡散接合しでなることを特徴とす
る。
目的としている。上記目的を達成する本発明は、このヒ
ートシンク４の側面外周に実施していた燐を含む無電解
ニッケルメッキ３を削除した状態のヒートシンク９（菖
３図）を、電解ニッケルメッキ又は電解鋼メッキ７を施
した練製フラ□ ンジ８に設けた嵌合孔に嵌合かつカシメて取付けて、ガ
ラスピーズの７ランジ８への溶着時のｆ１度でもって、
ヒートシンク９の鋼とフランジ８の電解ニッケルメッキ
又は電解鋼メッキとを拡散接合しでなることを特徴とす
る。
１）金属どうしを圧力をかけ密着させて、高温で加熱す
れば、相互拡散して固着することに着目し、ヒートシン
クの無電解Ｎｉメッキを廃止して、この拡散接合方式で
ヒートシンクとフランジを固着させる。２）圧力をかけ
密着させる工程は、カシメ工程で置き代えられ、又高温
に加熱する工程は、ガラス溶着工１で置き代えられる。
れば、相互拡散して固着することに着目し、ヒートシン
クの無電解Ｎｉメッキを廃止して、この拡散接合方式で
ヒートシンクとフランジを固着させる。２）圧力をかけ
密着させる工程は、カシメ工程で置き代えられ、又高温
に加熱する工程は、ガラス溶着工１で置き代えられる。
したがって従来プロセスをほとんど変更しないで、無電
解Ｎｉメッキを廃止できる。
解Ｎｉメッキを廃止できる。
第３図は本発明の一実施例によるステムの断面図である
。同図に示すようにフランジ８は略菱形状となり、鉄板
ＫＯ９５〜４−μｍ厚さの電解ニッケルメッキ膜又は電
解鋼メッキ膜７を表面に有している。この電解ニッケル
メッキ膜又は電解鋼メッキ膜７は７ランジ８やヒートシ
ンク嵌合孔内面にも設けられている。ヒートシンク９は
銅板（無酸素鋼）からなりその表面には何等のメッキ膜
も設けられていない。このステムを製造するＫは、フラ
ンジ８にヒートシンク９を嵌合した後カシメて固定し、
その後、フランジ９０図示しないリード取付孔にガラス
ピーズを嵌合し、このガラスピーズの中にリード１０を
挿し込む。つぎに、ガラスピーズを約１０００Ｃの温度
で溶融してリード１０を７ランジ８に溶着する。この加
熱時の温度でフランジ８の電解Ｎｔメッキ又は電解鋼メ
ッキ膜７のニッケル又は銅とヒートシンク９の銅が相互
に拡散して拡散接合する。この為、ヒートシンク９は、
７ランジ８に強固Ｋかつ気密的に固着される。
。同図に示すようにフランジ８は略菱形状となり、鉄板
ＫＯ９５〜４−μｍ厚さの電解ニッケルメッキ膜又は電
解鋼メッキ膜７を表面に有している。この電解ニッケル
メッキ膜又は電解鋼メッキ膜７は７ランジ８やヒートシ
ンク嵌合孔内面にも設けられている。ヒートシンク９は
銅板（無酸素鋼）からなりその表面には何等のメッキ膜
も設けられていない。このステムを製造するＫは、フラ
ンジ８にヒートシンク９を嵌合した後カシメて固定し、
その後、フランジ９０図示しないリード取付孔にガラス
ピーズを嵌合し、このガラスピーズの中にリード１０を
挿し込む。つぎに、ガラスピーズを約１０００Ｃの温度
で溶融してリード１０を７ランジ８に溶着する。この加
熱時の温度でフランジ８の電解Ｎｔメッキ又は電解鋼メ
ッキ膜７のニッケル又は銅とヒートシンク９の銅が相互
に拡散して拡散接合する。この為、ヒートシンク９は、
７ランジ８に強固Ｋかつ気密的に固着される。
またヒートシンク９の表面にはメッキ膜が設けられてい
ないので、ペレットを固定した場合に熱抵抗が増大する
ボイド郷はないととカ）ら、ペレットの電気特性は劣化
したり、不安定になったりしない。また、この実施例で
はヒートシンクにメッキ処理を施こさなくともよいこと
から、ステムの製造コストを低減することができる。
ないので、ペレットを固定した場合に熱抵抗が増大する
ボイド郷はないととカ）ら、ペレットの電気特性は劣化
したり、不安定になったりしない。また、この実施例で
はヒートシンクにメッキ処理を施こさなくともよいこと
から、ステムの製造コストを低減することができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。すなわち、
フランジ表面を被うメッキ膜はガラス溶着時に銅と相互
に拡散して拡散接合が図れる金属なら、他に支障がなけ
ればいかなる金属でもよい。
フランジ表面を被うメッキ膜はガラス溶着時に銅と相互
に拡散して拡散接合が図れる金属なら、他に支障がなけ
ればいかなる金属でもよい。
又鉄又は鉄系金属より成るフランジは、メッキ膜が施さ
れていなくてもよい。なぜならば、銅又は銅を主体とす
る合金より成るヒートシンクは、そのフランジと相互拡
散して拡散接合されるからである。
れていなくてもよい。なぜならば、銅又は銅を主体とす
る合金より成るヒートシンクは、そのフランジと相互拡
散して拡散接合されるからである。
１）従来はヒートシンクの側面に無電解ニッケルメッキ
を施していたが、本発明による方法によればヒートシン
クの無電解ニッケルメッキを廃止できる。
を施していたが、本発明による方法によればヒートシン
クの無電解ニッケルメッキを廃止できる。
２）機能及び性能・従来方法と本発明による方法で有意
差ない。
差ない。
３）経済性・・・従来方法に比べ本発明は無電解ニッケ
ルメッキを廃止できるのでその分だけ有利。
ルメッキを廃止できるのでその分だけ有利。
（無電解ニッケルメッキ費用＝１．γＯ￥／ケ）４）簡
略化・・・本発明により無電解ニッケルメッキの工程が
廃止できるのでその分簡略化される。
略化・・・本発明により無電解ニッケルメッキの工程が
廃止できるのでその分簡略化される。
第１図は従来ステムの平面図、第２図は第１のＡ −ｒ
＠に油５断面図、第３図は本発明の−実施例によるステ
ムの断面図である。 １・・電解ニッケルメッキ膜又は電解鋼メッキ膜、２・
・フランジ、３・・無電解ニッケルメッキ膜（燐を１１
％含む）、４・・・ヒートシンク、５・・・ガラス、６
・・リード、７・・・電解ニッケルメッキ膜又は電解銅
メッキ膜、８・・フランジ、９・・・ヒートシンク、１
０・・・リード。 第 １ 図 σ 第 ３ 図
＠に油５断面図、第３図は本発明の−実施例によるステ
ムの断面図である。 １・・電解ニッケルメッキ膜又は電解鋼メッキ膜、２・
・フランジ、３・・無電解ニッケルメッキ膜（燐を１１
％含む）、４・・・ヒートシンク、５・・・ガラス、６
・・リード、７・・・電解ニッケルメッキ膜又は電解銅
メッキ膜、８・・フランジ、９・・・ヒートシンク、１
０・・・リード。 第 １ 図 σ 第 ３ 図
Claims (1)
- ７ランジに設けた嵌合孔にヒートシンクを嵌合かつカシ
メて取り付けてなるステムにおいて、前記ヒートシンク
は鋼又は銅を主体とする合金からなり、フランジは鉄又
は鉄系金属からなり、上記ヒートシンクは、前記嵌合孔
内面において拡散接合により前記フランジに対して固着
されていることを特徴とするステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11508781A JPS5817644A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11508781A JPS5817644A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817644A true JPS5817644A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14653870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11508781A Pending JPS5817644A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104621U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | ||
| US5477984A (en) * | 1993-04-27 | 1995-12-26 | Saraya Co., Ltd. | Liquid jetting apparatus for jetting liquid toward a hand for disinfection thereof |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11508781A patent/JPS5817644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104621U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | ||
| US5477984A (en) * | 1993-04-27 | 1995-12-26 | Saraya Co., Ltd. | Liquid jetting apparatus for jetting liquid toward a hand for disinfection thereof |
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