JPS624860B2 - - Google Patents
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- JPS624860B2 JPS624860B2 JP6106378A JP6106378A JPS624860B2 JP S624860 B2 JPS624860 B2 JP S624860B2 JP 6106378 A JP6106378 A JP 6106378A JP 6106378 A JP6106378 A JP 6106378A JP S624860 B2 JPS624860 B2 JP S624860B2
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームを用いたレジンモール
ド型半導体装置の組立法に関する。
ド型半導体装置の組立法に関する。
レジンモールド型半導体装置の組立に用いるリ
ードフレームは、一般に銅合金、コパール等で作
られ、回路素子を固定したりワイヤを固定したり
する部分は金めつきや銀めつきが施こされてい
る。しかし、この場合、組立後にモールド部から
突出するリード部分を錫や半田で被つてリードの
ソルダビリテイの向上を図る（この処理を説明の
便宜上完成品処理と称する。）必要が生じ、工数
増加による製品単価の高騰、処理時の熱膨張等に
よる耐湿性の劣化等が生じ好ましくない。
ードフレームは、一般に銅合金、コパール等で作
られ、回路素子を固定したりワイヤを固定したり
する部分は金めつきや銀めつきが施こされてい
る。しかし、この場合、組立後にモールド部から
突出するリード部分を錫や半田で被つてリードの
ソルダビリテイの向上を図る（この処理を説明の
便宜上完成品処理と称する。）必要が生じ、工数
増加による製品単価の高騰、処理時の熱膨張等に
よる耐湿性の劣化等が生じ好ましくない。
このような完成品処理を廃止するにはリードフ
レーム全体を金や銀で被えばよいのであるが、金
の場合は、金が高価であることから実際にはこの
方法は採用できない。そこで、リードフレーム全
体を銀で被う方法が多く採用されているが、この
場合には、製品となつて使用されている間、隣り
合うリード間のモールド部表面に水分が付着する
と、電気化学的反応が生じて銀が析出し、析出し
た銀が隣り合うリードを互いに接続してしまい、
シヨートさせるいわゆるマイグレーシヨンが発生
し好ましくない。
レーム全体を金や銀で被えばよいのであるが、金
の場合は、金が高価であることから実際にはこの
方法は採用できない。そこで、リードフレーム全
体を銀で被う方法が多く採用されているが、この
場合には、製品となつて使用されている間、隣り
合うリード間のモールド部表面に水分が付着する
と、電気化学的反応が生じて銀が析出し、析出し
た銀が隣り合うリードを互いに接続してしまい、
シヨートさせるいわゆるマイグレーシヨンが発生
し好ましくない。
したがつて、本発明の目的はマイグレーシヨン
防止をはかつた高信頼度のレジンモールド型半導
体装置の組立法を提供するものである。
防止をはかつた高信頼度のレジンモールド型半導
体装置の組立法を提供するものである。
このような目的を達成するために本発明は、回
路素子を取り付ける取付部および外部端子となる
複数のリードとを有するリードフレームの表面を
半田被覆で被つてなるものであつて、以下実施例
により本発明を説明する。
路素子を取り付ける取付部および外部端子となる
複数のリードとを有するリードフレームの表面を
半田被覆で被つてなるものであつて、以下実施例
により本発明を説明する。
第１図は本発明のリードフレームの一実施例を
示す。同図には回路素子１を取り付ける取付部
（タブ）２と、このタブ２の周縁に一端を突出さ
せる複数のリード３とが示されている。これらは
銅合金板等からプレスによる打ち抜きによつて形
作られる。また、これらタブ２およびリード３の
表面は半田めつきによる半田被膜４が形成されて
いる。はんだの組成は組立条件により適当に選択
する。またはんだの下地めつきは銅系素材の場合
Niめつき等を施した方がよい。
示す。同図には回路素子１を取り付ける取付部
（タブ）２と、このタブ２の周縁に一端を突出さ
せる複数のリード３とが示されている。これらは
銅合金板等からプレスによる打ち抜きによつて形
作られる。また、これらタブ２およびリード３の
表面は半田めつきによる半田被膜４が形成されて
いる。はんだの組成は組立条件により適当に選択
する。またはんだの下地めつきは銅系素材の場合
Niめつき等を施した方がよい。
このようなリードフレーム５にあつては、タブ
２上に回路素子１を載置して半田被膜を加熱し、
一時的に半田被膜を溶かして両者を一体化する。
なお、回路素子１はシリコンからなり、その取付
面は下層からチタン層、ニツケル層、銀層が順次
作られ、半田と銀とが溶け合うようになつてい
る。また、回路素子の各電極とリードの先端（内
端）とは一般に用いられているネイルヘツドワイ
ヤボンデイング法、超音波ワイヤボンデイング法
等によつて行ない、ワイヤ６は直接リード３の半
田被膜面に固定される。このようにボンデイング
を行なつたリードフレームは、第２図に示すよう
に、回路素子１、ワイヤ６、リード内端部をレジ
ンでモールドされ、モールド部７から突出するリ
ード３以外の不要リードフレーム部分は切断除去
されてフラツト型の半導体装置となる。また、必
要ならば、モールド部７から突出するリード３を
同一方向に折り曲げてデユアルインライン型の半
導体装置とする。このような半導体装置によれ
ば、リード３の表面は半田被膜で被われているた
め、ソルダピリテイは良好である。また、半田被
膜は銀のようなマイグレーシヨンは起きないので
信頼性も向上する。さらに、半田は金や銀に較べ
ると遥かに安価であるので製品コストの低減化も
図れる。
２上に回路素子１を載置して半田被膜を加熱し、
一時的に半田被膜を溶かして両者を一体化する。
なお、回路素子１はシリコンからなり、その取付
面は下層からチタン層、ニツケル層、銀層が順次
作られ、半田と銀とが溶け合うようになつてい
る。また、回路素子の各電極とリードの先端（内
端）とは一般に用いられているネイルヘツドワイ
ヤボンデイング法、超音波ワイヤボンデイング法
等によつて行ない、ワイヤ６は直接リード３の半
田被膜面に固定される。このようにボンデイング
を行なつたリードフレームは、第２図に示すよう
に、回路素子１、ワイヤ６、リード内端部をレジ
ンでモールドされ、モールド部７から突出するリ
ード３以外の不要リードフレーム部分は切断除去
されてフラツト型の半導体装置となる。また、必
要ならば、モールド部７から突出するリード３を
同一方向に折り曲げてデユアルインライン型の半
導体装置とする。このような半導体装置によれ
ば、リード３の表面は半田被膜で被われているた
め、ソルダピリテイは良好である。また、半田被
膜は銀のようなマイグレーシヨンは起きないので
信頼性も向上する。さらに、半田は金や銀に較べ
ると遥かに安価であるので製品コストの低減化も
図れる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。た
とえば、第３図に示すように、パワーIC等にあ
つては、熱伝導性の良好な銅や銅合金からなるヒ
ートシンク（取付部）８と、リードパターンを有
するリード部材９を共に半田めつきして表面を半
田被膜１０で被い、その後、リード部材９の下方
に突出する連結突片１１をヒートシンク８に重ね
合せ、連結突片１１とヒートシンク８との接合部
の半田を一時的に溶かし、半田を介して両者を固
定した構造のリードフレーム１２であつてもよ
い。このようなパワー用のリードフレームにあつ
ては、回路素子１３が多量の熱を発生するため、
回路素子１３の取付部である半田接合層１４があ
まり薄いと熱疲労のために劣化して放熱性が低下
し、半導体装置の特性が悪くなることから、ヒー
トシンク８の中央に別に半田を盛り込み、この半
田層を利用して回路素子１３を取り付ける場合も
ある。
とえば、第３図に示すように、パワーIC等にあ
つては、熱伝導性の良好な銅や銅合金からなるヒ
ートシンク（取付部）８と、リードパターンを有
するリード部材９を共に半田めつきして表面を半
田被膜１０で被い、その後、リード部材９の下方
に突出する連結突片１１をヒートシンク８に重ね
合せ、連結突片１１とヒートシンク８との接合部
の半田を一時的に溶かし、半田を介して両者を固
定した構造のリードフレーム１２であつてもよ
い。このようなパワー用のリードフレームにあつ
ては、回路素子１３が多量の熱を発生するため、
回路素子１３の取付部である半田接合層１４があ
まり薄いと熱疲労のために劣化して放熱性が低下
し、半導体装置の特性が悪くなることから、ヒー
トシンク８の中央に別に半田を盛り込み、この半
田層を利用して回路素子１３を取り付ける場合も
ある。
このようなリードフレームによれば、ヒートシ
ンクの接合は回路素子のヒートシンクへの取付時
に一緒に行なえばよいので、従来のようなヒート
シンクとリード部材とのカシメ作業は不要とな
り、製造コスト低減化も図れる。
ンクの接合は回路素子のヒートシンクへの取付時
に一緒に行なえばよいので、従来のようなヒート
シンクとリード部材とのカシメ作業は不要とな
り、製造コスト低減化も図れる。
以上のように、本発明のリードフレームによれ
ば、リードフレーム全体を半田被膜で被つてい
る。半田はソルダビリテイが良好であることか
ら、組立後の完成品処理は不要となる。また、半
田はマイグレーシヨンもできないことから、半導
体装置の信頼性（寿命）を低下させることもな
い。さらに、半田は金、銀等の貴金属に較べて遥
かに安価である。したがつて、本発明のリードフ
レームを用いた半導体装置等の電子部品は高信頼
度で、かつ安価なものとなる。
ば、リードフレーム全体を半田被膜で被つてい
る。半田はソルダビリテイが良好であることか
ら、組立後の完成品処理は不要となる。また、半
田はマイグレーシヨンもできないことから、半導
体装置の信頼性（寿命）を低下させることもな
い。さらに、半田は金、銀等の貴金属に較べて遥
かに安価である。したがつて、本発明のリードフ
レームを用いた半導体装置等の電子部品は高信頼
度で、かつ安価なものとなる。
第１図は本発明のリードフレームの一実施例を
示す一部断面図、第２図は本発明のリードフレー
ムを用いて作つた半導体装置の断面図、第３図は
本発明の他の実施例によるリードフレームの一部
断面図である。 １……回路素子、２……取付部（タブ）、３…
…リード、４……半田被膜、５……リードフレー
ム、６……ワイヤ、７……モールド部、８……ヒ
ートシンク、９……リード部材、１０……半田被
膜、１１……連結突片、１２……リードフレー
ム、１３……回路素子、１４……半田接合層。
示す一部断面図、第２図は本発明のリードフレー
ムを用いて作つた半導体装置の断面図、第３図は
本発明の他の実施例によるリードフレームの一部
断面図である。 １……回路素子、２……取付部（タブ）、３…
…リード、４……半田被膜、５……リードフレー
ム、６……ワイヤ、７……モールド部、８……ヒ
ートシンク、９……リード部材、１０……半田被
膜、１１……連結突片、１２……リードフレー
ム、１３……回路素子、１４……半田接合層。
Claims (1)
- １ 素子取付部および外部端子となる複数のリー
ドとを有し、それら主表面に半田被覆してなるリ
ードフレームを用意し、上記素子取付部に素子を
取り付け、しかる後素子および複数リードの一部
分を覆うようにレジンモールドしてなることを特
徴とするレジンモールド型半導体装置の組立法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6106378A JPS54152867A (en) | 1978-05-24 | 1978-05-24 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6106378A JPS54152867A (en) | 1978-05-24 | 1978-05-24 | Lead frame |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54152867A JPS54152867A (en) | 1979-12-01 |
| JPS624860B2 true JPS624860B2 (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=13160322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6106378A Granted JPS54152867A (en) | 1978-05-24 | 1978-05-24 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54152867A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02209622A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-21 | Nippon Seiko Kk | 静圧気体軸受 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960006710B1 (ko) * | 1987-02-25 | 1996-05-22 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 면실장형 반도체집적회로장치 및 그 제조방법과 그 실장방법 |
| TW401634B (en) * | 1997-04-09 | 2000-08-11 | Sitron Prec Co Ltd | Lead frame and its manufacture method |
| US6896976B2 (en) * | 2003-04-09 | 2005-05-24 | International Rectifier Corporation | Tin antimony solder for MOSFET with TiNiAg back metal |
-
1978
- 1978-05-24 JP JP6106378A patent/JPS54152867A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02209622A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-21 | Nippon Seiko Kk | 静圧気体軸受 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54152867A (en) | 1979-12-01 |
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