JPS60241241A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60241241A JPS60241241A JP9645984A JP9645984A JPS60241241A JP S60241241 A JPS60241241 A JP S60241241A JP 9645984 A JP9645984 A JP 9645984A JP 9645984 A JP9645984 A JP 9645984A JP S60241241 A JPS60241241 A JP S60241241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- pellet
- semiconductor device
- leads
- tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、樹脂封止型半導体装置のコスト低減に適用し
て有効な技術に関するものである。
て有効な技術に関するものである。
し背景技術］
樹脂封止型半導体装置は、一般にリードフレームのタブ
にベレットを銀ペースト等で取りイ１け、該ベレットの
ポンディングパッドと内部リードとを金等のワイヤで電
気的に接続した後、樹脂モールドを行い、続いて外部リ
ードを折曲成形して形成される。
にベレットを銀ペースト等で取りイ１け、該ベレットの
ポンディングパッドと内部リードとを金等のワイヤで電
気的に接続した後、樹脂モールドを行い、続いて外部リ
ードを折曲成形して形成される。
通常、前記半導体装置は、電子機器製造用等の基板に確
実に実装を行えるように、および外部リードの表面保護
を目的に外部リードを折曲成形した後、錫または錫合金
である半田を該外部リード表面にめっき法等により被覆
する後処理が行われている。
実に実装を行えるように、および外部リードの表面保護
を目的に外部リードを折曲成形した後、錫または錫合金
である半田を該外部リード表面にめっき法等により被覆
する後処理が行われている。
後処理が行われる理由は、ワイヤポンディング工程、場
合によってはタブへのベレット取付工程がかなり高温度
で行われるため、予め表面に錫等が被覆されているリー
ドフレームを使用すると、表面が酸化され半田付実装が
困難になることにある。
合によってはタブへのベレット取付工程がかなり高温度
で行われるため、予め表面に錫等が被覆されているリー
ドフレームを使用すると、表面が酸化され半田付実装が
困難になることにある。
そして、この後処理をめっき法で行う場合は半導体装置
の組立が完了した後に別工程で行わなければならず、そ
れも通常は外注されることが多い。
の組立が完了した後に別工程で行わなければならず、そ
れも通常は外注されることが多い。
それ故、半導体装置が完成するまでに非常に長時間を要
し、かつ経費がかさむという問題がある。
し、かつ経費がかさむという問題がある。
また、前記半導体装置においては、タブ表面および少な
くともワイヤボンディングを行う内部リード先端部に予
め金等の貴金属を被着しておく必要があるため、材料費
の上でも経費がかさむという問題があることも、本発明
者により見い出された。
くともワイヤボンディングを行う内部リード先端部に予
め金等の貴金属を被着しておく必要があるため、材料費
の上でも経費がかさむという問題があることも、本発明
者により見い出された。
［発明の目的］
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の製造工程の合
理化に適用して有効な技術を提供することにある。
理化に適用して有効な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記半導体装置のコスト低減に適
用して有効な技術を提供することにある。
用して有効な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわら、予め半田付性良好な金属を表面に被覆したリ
ードフレームを用いることにより、（Ｈ脂モールドにて
パッケージを形成した後に行う外部リードへの前記金属
被覆工程を省略することができることにより、また、ペ
レットの電極部と内部リード先端部とを板状リードで電
気的接続を行うと同時にペレット取付をも行うことによ
り、貴金属の使用を回避することができ、前記目的を達
成するものである。
ードフレームを用いることにより、（Ｈ脂モールドにて
パッケージを形成した後に行う外部リードへの前記金属
被覆工程を省略することができることにより、また、ペ
レットの電極部と内部リード先端部とを板状リードで電
気的接続を行うと同時にペレット取付をも行うことによ
り、貴金属の使用を回避することができ、前記目的を達
成するものである。
［実施例］
図は、本発明による一実施例である樹脂封止型半導体装
置を、そのほぼ中心を通る切断面における断面図で示し
たものである。
置を、そのほぼ中心を通る切断面における断面図で示し
たものである。
本実施例の半導体装置は、表面のほぼ全体に錫１が被覆
されているリード２の内部リード先端とペレット３の金
等からなるバンプ電極４とを、銅箔で形成された板状リ
ード５を介して電気的に接続すると同時にペレット３を
固定し、その状態でエポキシ樹脂６でモールドすること
により形成されてなるものである。
されているリード２の内部リード先端とペレット３の金
等からなるバンプ電極４とを、銅箔で形成された板状リ
ード５を介して電気的に接続すると同時にペレット３を
固定し、その状態でエポキシ樹脂６でモールドすること
により形成されてなるものである。
前記半導体装置は、いわゆるテープキャリア技術を採用
してペレット３を板状リード５に取り付けた後、通常の
方法で容易に形成することができるものである。
してペレット３を板状リード５に取り付けた後、通常の
方法で容易に形成することができるものである。
すなわち、テープキャリアのフィンガーリード（図示せ
ず）のインナーリード部にペレット３をそのバンプ電極
４の熱融着により取り付けた後、該フィンガーリードの
アラクーリード部を予め錫１がめつき法等にて被覆され
ているリードフレームの内部リード先端部に、錫１にょ
る熱融着が、または他のろう材を併用して取り付けた後
、樹脂モールドおよび外部リードの切断折曲成形を通常
の方法で行うことにより完成されてなるものである。
ず）のインナーリード部にペレット３をそのバンプ電極
４の熱融着により取り付けた後、該フィンガーリードの
アラクーリード部を予め錫１がめつき法等にて被覆され
ているリードフレームの内部リード先端部に、錫１にょ
る熱融着が、または他のろう材を併用して取り付けた後
、樹脂モールドおよび外部リードの切断折曲成形を通常
の方法で行うことにより完成されてなるものである。
以上の如く、本実施例の半導体装置は、ペレット取付部
であるタブを使用していないため、ペレット取付のため
に必要なタブ表面の貴金属の被着が不要で、しかもワイ
ヤボンディングを行っていないため内部リードのワイヤ
ボンディング部に貴金属を被着することをも回避するこ
とができる。
であるタブを使用していないため、ペレット取付のため
に必要なタブ表面の貴金属の被着が不要で、しかもワイ
ヤボンディングを行っていないため内部リードのワイヤ
ボンディング部に貴金属を被着することをも回避するこ
とができる。
また、内部リードにペレット３を銅箔５を介して取り付
ける場合、比較的低温で行うことができることにより、
予め錫が被覆されているリー）゛フレームを用いること
ができるので、樹脂モールドを行ってパッケージを形成
した後に、さらに外部リードの表面処理を行う必要もな
い。
ける場合、比較的低温で行うことができることにより、
予め錫が被覆されているリー）゛フレームを用いること
ができるので、樹脂モールドを行ってパッケージを形成
した後に、さらに外部リードの表面処理を行う必要もな
い。
さらに、テープキャリアを採用しているため、自動組立
の速度向上を図ることも可能である。
の速度向上を図ることも可能である。
また、前記組立が比較的低温工程で行うことができるた
め、半導体装置の信頼性向上も達成できる。
め、半導体装置の信頼性向上も達成できる。
［効果］
（１）、樹脂封止型半導体装置を、比較的低温で組み立
てることができることにより、予め半田付性良好な金属
が被覆されているリードフレームを用いて製造すること
ができるので、外部リード成形後に行う外部リードの前
記金属被覆処理を省略することができる。
てることができることにより、予め半田付性良好な金属
が被覆されているリードフレームを用いて製造すること
ができるので、外部リード成形後に行う外部リードの前
記金属被覆処理を省略することができる。
（２） ペレット取付を、銅等のフィンガーリードを備
えたテープキャリアを用いて行うことができることによ
り、ペレット取付部および内部リードのワイヤポンディ
ング部に貴金属被覆を行う必要がなく、半導体装置のコ
スト低減を図ることが可能である。
えたテープキャリアを用いて行うことができることによ
り、ペレット取付部および内部リードのワイヤポンディ
ング部に貴金属被覆を行う必要がなく、半導体装置のコ
スト低減を図ることが可能である。
（３）、ペレット取付を、テープキャリアを用いて行う
ことができることにより、ベレノ１−と外部端子との電
気的接続を短時間で行うことができる。
ことができることにより、ベレノ１−と外部端子との電
気的接続を短時間で行うことができる。
（４）、前記（１）および（３）により、半導体装置の
製造所要時間を大巾に短縮することができる。
製造所要時間を大巾に短縮することができる。
（５）、前記（１）、（２）および（４）により、半導
体装置のコストを大巾に低減することができる。
体装置のコストを大巾に低減することができる。
（６）、リードフレームを被覆する半田付性良好な金属
として錫または錫合金を使用することにより、半田イ旧
ト良好で信頼性の高い外部リードを提供するリードフレ
ームを安価に製造することができ以上本発明者によって
なされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本
発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨
を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまで
もない。
として錫または錫合金を使用することにより、半田イ旧
ト良好で信頼性の高い外部リードを提供するリードフレ
ームを安価に製造することができ以上本発明者によって
なされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本
発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨
を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまで
もない。
たとえば、リードフレームに被覆する金属としては錫に
ついて説明したが、錫合金その他半田付性を向上できる
ものであれば如何なるものであってもよい。
ついて説明したが、錫合金その他半田付性を向上できる
ものであれば如何なるものであってもよい。
また、ペレノｌをリード２と同一材料のタブに固着した
上で板状リードを用いてペレットとり一ド２とを接続し
てもよい。この場合、通常いわれるタブ下げ、すなわぢ
、タブの位置をリード２のインナーリードの下方に位置
せしめることを行うのがよい。
上で板状リードを用いてペレットとり一ド２とを接続し
てもよい。この場合、通常いわれるタブ下げ、すなわぢ
、タブの位置をリード２のインナーリードの下方に位置
せしめることを行うのがよい。
板状リードについても同様で、銅属外の銅合金またはそ
れ以外の金属で形成されるものであってもよい。
れ以外の金属で形成されるものであってもよい。
また、ペレットをリード２の下方に位置せしめた半導体
装置について説明したが、反対にリードの上方にペレッ
トが位置したもの（板状リードのり一ド２に接する面と
反対の面に半田バンブ４が形成されたもの）であっても
よいことはいうまでもない。
装置について説明したが、反対にリードの上方にペレッ
トが位置したもの（板状リードのり一ド２に接する面と
反対の面に半田バンブ４が形成されたもの）であっても
よいことはいうまでもない。
さらに、ペレットと板状リードとの接続固定をペレット
のバンプ電極を介して行った例を示したが、これに限る
ものでなく、たとえばテープキャリアのフィンガーリー
ド先端に形成したバンプ電極を介して接続することも当
然に可能である。
のバンプ電極を介して行った例を示したが、これに限る
ものでなく、たとえばテープキャリアのフィンガーリー
ド先端に形成したバンプ電極を介して接続することも当
然に可能である。
［利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分デｆであるいわゆるＤＩＰ型
半導体装置に適用した場合について′説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、いわゆるフラッ
トパッケージ型半導体装置に通用しても有効な技術であ
る。
をその背景となった利用分デｆであるいわゆるＤＩＰ型
半導体装置に適用した場合について′説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、いわゆるフラッ
トパッケージ型半導体装置に通用しても有効な技術であ
る。
図は、本発明による一実施例である樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。 １・・・錫、２・・ ・リード、３・・・ペレット、４
・・・バンプ電極、５・・・板状リード、６・・・エポ
キシ樹脂。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
置を示す断面図である。 １・・・錫、２・・ ・リード、３・・・ペレット、４
・・・バンプ電極、５・・・板状リード、６・・・エポ
キシ樹脂。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、樹脂封止型半導体装置において、リードが外部リー
ドから内部リードまで連続してほぼ全体的に半田付性良
好な金属で被覆され、該内部リード先端部とベレットの
電極部とが板状リードで電気的に接続されてなることを
特徴とする半導体装置。 ２、半田付性良好な金属が錫または錫合金からなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、板状リードが銅箔で形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４、ベレットの電極部がバンプ電極であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ５、内部リード先端部とベレットの電極部との電気的接
続が、テープキャリアによることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9645984A JPS60241241A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9645984A JPS60241241A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60241241A true JPS60241241A (ja) | 1985-11-30 |
Family
ID=14165608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9645984A Pending JPS60241241A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60241241A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029158A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | T & K Internatl Kenkyusho:Kk | 半導体素子の樹脂封止成形方法及びこれに用いられる半導体リードフレーム |
| JPH05315523A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-11-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5574310A (en) * | 1991-05-17 | 1996-11-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor package for surface mounting with reinforcing members on support legs |
| US5831332A (en) * | 1991-05-17 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor package for surface mounting |
| US6005287A (en) * | 1995-11-24 | 1999-12-21 | Nec Corporation | Semiconductor device, and lead frame used therefor |
| CN109637938A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-04-16 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种功率模组加工方法及功率模组 |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP9645984A patent/JPS60241241A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029158A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | T & K Internatl Kenkyusho:Kk | 半導体素子の樹脂封止成形方法及びこれに用いられる半導体リードフレーム |
| JPH05315523A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-11-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5574310A (en) * | 1991-05-17 | 1996-11-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor package for surface mounting with reinforcing members on support legs |
| US5831332A (en) * | 1991-05-17 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor package for surface mounting |
| US5861669A (en) * | 1991-05-17 | 1999-01-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor package for surface mounting |
| US6005287A (en) * | 1995-11-24 | 1999-12-21 | Nec Corporation | Semiconductor device, and lead frame used therefor |
| CN109637938A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-04-16 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种功率模组加工方法及功率模组 |
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