JPS6134960A - 半導体装置用ステムの製造方法 - Google Patents
半導体装置用ステムの製造方法Info
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- JPS6134960A JPS6134960A JP3864285A JP3864285A JPS6134960A JP S6134960 A JPS6134960 A JP S6134960A JP 3864285 A JP3864285 A JP 3864285A JP 3864285 A JP3864285 A JP 3864285A JP S6134960 A JPS6134960 A JP S6134960A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的）
産業上の利用分野
本発明は、最終的な全面ニッケルメッキ工程を省略した
半導体装置用ステムの製造方法に関する。
半導体装置用ステムの製造方法に関する。
従来の技術
従来、半導体装置用ステムは、リード線をステム基体上
にガラス融着をした後は必ずニッケルメッキを全面に亘
り施すことを必要とした。即ち、先ず所定形状のステム
基体を、鉄板をプレス打ち抜きによって形成し、かつそ
れに銅メッキを施し、また銅製の放熱板をステム基体と
の接合時にロウ材として作用するニッケル無電メッキを
施して形成して、ステム基体に放熱板を圧入して嵌合さ
せ、かしめて一体とする。その後、ガラス融着によりリ
ードを配線するが、この時のガラス融着温度で上記ニッ
ケル無電メッキ層が溶解して放熱板とステム基体との間
隙を埋め１両者の密着度を高めることとなる。しかる後
、全体にニツウ゛ルメッキを施すことにより製造する方
法が行なわれていた。
にガラス融着をした後は必ずニッケルメッキを全面に亘
り施すことを必要とした。即ち、先ず所定形状のステム
基体を、鉄板をプレス打ち抜きによって形成し、かつそ
れに銅メッキを施し、また銅製の放熱板をステム基体と
の接合時にロウ材として作用するニッケル無電メッキを
施して形成して、ステム基体に放熱板を圧入して嵌合さ
せ、かしめて一体とする。その後、ガラス融着によりリ
ードを配線するが、この時のガラス融着温度で上記ニッ
ケル無電メッキ層が溶解して放熱板とステム基体との間
隙を埋め１両者の密着度を高めることとなる。しかる後
、全体にニツウ゛ルメッキを施すことにより製造する方
法が行なわれていた。
従来技術の欠点
上記の方法では、最終的な段階でステム全体にニッケル
メッキを施すので、その工程においてステムのリード線
に曲がり、損傷等が生じることがあり、またメッキ後に
それを選別する作業が必要であるという問題があった。
メッキを施すので、その工程においてステムのリード線
に曲がり、損傷等が生じることがあり、またメッキ後に
それを選別する作業が必要であるという問題があった。
しかし、メッキをしないで銅の素材が露出しているとペ
レットをステム基体に融着する場合に半田濡れ性が悪く
、またキャップをシールするときに抵抗溶接が非常に％
ｔしくなる。
レットをステム基体に融着する場合に半田濡れ性が悪く
、またキャップをシールするときに抵抗溶接が非常に％
ｔしくなる。
一方、ステム基体にリード線をガラス封着する以前に、
ステム基体と放熱板の夫々について、別個にニッケルメ
ッキを施した場合は、放熱板をステム本体に表金融着さ
せる際、放熱板の側面のニッケルメッキがステム基体の
面に多く流出し。
ステム基体と放熱板の夫々について、別個にニッケルメ
ッキを施した場合は、放熱板をステム本体に表金融着さ
せる際、放熱板の側面のニッケルメッキがステム基体の
面に多く流出し。
両者の間隙部に溜まらず、ロウ材として適当に作用しな
いのでステム基体と放熱板との嵌合部にロウ材の切れ目
が生じてしまい気密性が保持できなくなる。
いのでステム基体と放熱板との嵌合部にロウ材の切れ目
が生じてしまい気密性が保持できなくなる。
したがって９面倒でかつ材料も多く消費するにもかかわ
らず最終的なニッケルメッキ工程を省略することはでき
なかった。
らず最終的なニッケルメッキ工程を省略することはでき
なかった。
本発明は、かかる事情に鑑みてきれたものであって、最
終的な該ニッケルメッキ工程を省略でき、材料を節約し
た迅速な製造が可能な半導体装置用ステムの製造方法を
提供することを目的とする。
終的な該ニッケルメッキ工程を省略でき、材料を節約し
た迅速な製造が可能な半導体装置用ステムの製造方法を
提供することを目的とする。
（発明の構成〉
問題点を解決する手段
この目的を達成するために１本発明は次のような構成と
している。
している。
所定形状のステム基体を形成し、またステム基体の透孔
の周囲に沿ってリング状に溝を形成して、透孔の周縁部
が内側に移動して透孔の内側径よりも、外側径が小さく
なるようにした後、全体にニッケルメッキを施し、一方
、所定形状に形成した放熱板の側面番−ロウ材となる無
電メッキを、また全体に電、気メッキ法によりニッケル
メッキを。
の周囲に沿ってリング状に溝を形成して、透孔の周縁部
が内側に移動して透孔の内側径よりも、外側径が小さく
なるようにした後、全体にニッケルメッキを施し、一方
、所定形状に形成した放熱板の側面番−ロウ材となる無
電メッキを、また全体に電、気メッキ法によりニッケル
メッキを。
さらに側面または全体に銅メッキを夫々施し９ しかる
後ステム基体の透孔に放熱板を嵌合させ、かしめて固定
して、さらにリード線をステム基体にガラス封着する。
後ステム基体の透孔に放熱板を嵌合させ、かしめて固定
して、さらにリード線をステム基体にガラス封着する。
作用
このような方法によれば、溝の形成により放熱板とステ
ム基体との密着度が向上し、かつそれらを別々にメッキ
してもメッキの仕方が異なるため、リード線のガラス封
着時において、放熱板に施した無電メッキがステム基体
の面に流れ出すことがなくなるから、ロウ材の切れが全
く生じなくなり、最終的に全面ニッケルメッキを施こさ
なくとも極めて高い気密性を保持できることになる。
ム基体との密着度が向上し、かつそれらを別々にメッキ
してもメッキの仕方が異なるため、リード線のガラス封
着時において、放熱板に施した無電メッキがステム基体
の面に流れ出すことがなくなるから、ロウ材の切れが全
く生じなくなり、最終的に全面ニッケルメッキを施こさ
なくとも極めて高い気密性を保持できることになる。
実施例
以下、添付図面に基づき本発明の実施例について詳述す
る。
る。
第１図、第２図は本発明に係る半導体装置用ステムの平
面図であり、第１図はステムの内側面を、第２図はその
外側面を示す。
面図であり、第１図はステムの内側面を、第２図はその
外側面を示す。
先ず、所定形状のステム基体１を、鉄板を打ち貫き形成
する。ステム基体１中において、２は放熱板６を嵌合す
る透孔、３はリード線であり、４はパワートランジスタ
ーをシャーシ等に取り付は固定したり、コレクターに結
線するプラグ端子等を取り付ける孔を夫々示す、この際
、第２図及び第３図に示すように、ステム基体１の透孔
２の周囲に沿ってリング状に溝５を形成するが、これに
よって透孔２の周縁部が僅かに内側に移動し、透孔２の
内側径よりも外側径が小さくなるようにする。その後全
体に電気メッキ法によりニッケルメッキを施す。
する。ステム基体１中において、２は放熱板６を嵌合す
る透孔、３はリード線であり、４はパワートランジスタ
ーをシャーシ等に取り付は固定したり、コレクターに結
線するプラグ端子等を取り付ける孔を夫々示す、この際
、第２図及び第３図に示すように、ステム基体１の透孔
２の周囲に沿ってリング状に溝５を形成するが、これに
よって透孔２の周縁部が僅かに内側に移動し、透孔２の
内側径よりも外側径が小さくなるようにする。その後全
体に電気メッキ法によりニッケルメッキを施す。
一方、所定形状に形成した放熱板６の側面にロウ材とな
る無電メッキを施した後、全体に電気メッキ法によりニ
ッケルメッキをかＣプる。また。
る無電メッキを施した後、全体に電気メッキ法によりニ
ッケルメッキをかＣプる。また。
さらにその側面または全体に銅メッキを施す、しかし、
この場合の各メッキの順序は任意であり。
この場合の各メッキの順序は任意であり。
また銅メッキはどの部位に施しても良い。
しかる後、ステム基体１の透孔２に放熱板６を嵌合させ
、かしめて固定する。さらにリード線３をステム基体１
にガラス封着する。この際、同時に放熱板側面の無電メ
ッキが溶解し、ロウ材として作用して放熱板とステム基
体の両者を密着させる。
、かしめて固定する。さらにリード線３をステム基体１
にガラス封着する。この際、同時に放熱板側面の無電メ
ッキが溶解し、ロウ材として作用して放熱板とステム基
体の両者を密着させる。
（発明の効果）
このような方法によって、放熱板６を嵌合させ、かしめ
て固定すれば両者の密着度が向上し。
て固定すれば両者の密着度が向上し。
また放熱板の無電メッキがステム基体のメッキに引っ張
られて流れ出ずことが、極めて少なくなり。
られて流れ出ずことが、極めて少なくなり。
それが間隙部を埋めるロウ材として程好く作用するよう
になる。したがって、さらに密着度が完全になるから、
最終的な段階でステム全体にニッケルメッキを施す必要
が無くなる。
になる。したがって、さらに密着度が完全になるから、
最終的な段階でステム全体にニッケルメッキを施す必要
が無くなる。
以上のように９本発明の方法によれば、全体ニッケルメ
ッキ工程、及びそれによって生じるリードの曲がり等の
チェックの手間が省略され、また薬品、材料等の節約と
なり生産コストを下げることができ９歩留９作業性の点
で大きく向上を図ることができる。
ッキ工程、及びそれによって生じるリードの曲がり等の
チェックの手間が省略され、また薬品、材料等の節約と
なり生産コストを下げることができ９歩留９作業性の点
で大きく向上を図ることができる。
第１図、第２図は９本発明に係る半導体装置用ステムの
平面図であり、第１図はステムの内側面を示し、第２図
はその外側面を示す、第３図は第１図のＡ−Ａ線による
断面図であり、第４図は。 第５図は、従来の半導体装置用ステムの構造を示す断面
図である。
平面図であり、第１図はステムの内側面を示し、第２図
はその外側面を示す、第３図は第１図のＡ−Ａ線による
断面図であり、第４図は。 第５図は、従来の半導体装置用ステムの構造を示す断面
図である。
Claims (1)
- 所定形状のステム基体（１）を形成し、またステム基
体（１）の透孔（２）の周囲に沿ってリング状に溝（５
）を形成して、透孔（２）の周縁部が内側に移動して透
孔（２）の内側径よりも外側径が小さくなるようにした
後、全体にニッケルメッキを施し、一方、所定形状に形
成した放熱板（６）の側面にロウ材となる無電メッキを
、また全体に電気メッキ法によりニッケルメッキを、さ
らに側面または全体に銅メッキを夫々施し、しかる後ス
テム基体（１）の透孔（２）に放熱板（６）を嵌合させ
、かしめて固定して、さらにリード線（３）をステム基
体（１）にガラス封着することを特徴とする半導体装置
用ステムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3864285A JPS6134960A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3864285A JPS6134960A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134960A true JPS6134960A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0122741B2 JPH0122741B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=12530896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3864285A Granted JPS6134960A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134960A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522172A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Method of fabricating stem |
| JPS5447478A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-14 | Hitachi Ltd | Substrate for mounting circuit element |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP3864285A patent/JPS6134960A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522172A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Method of fabricating stem |
| JPS5447478A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-14 | Hitachi Ltd | Substrate for mounting circuit element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122741B2 (ja) | 1989-04-27 |
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