JPS634711B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS634711B2
JPS634711B2 JP19653381A JP19653381A JPS634711B2 JP S634711 B2 JPS634711 B2 JP S634711B2 JP 19653381 A JP19653381 A JP 19653381A JP 19653381 A JP19653381 A JP 19653381A JP S634711 B2 JPS634711 B2 JP S634711B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
heat sink
copper
plating
glass
Prior art date
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Expired
Application number
JP19653381A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5897851A (ja
Inventor
Koichi Komoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP19653381A priority Critical patent/JPS5897851A/ja
Publication of JPS5897851A publication Critical patent/JPS5897851A/ja
Publication of JPS634711B2 publication Critical patent/JPS634711B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置の気密容器の一部とし
て用いられるステム、ベース、キヤツプ等の少な
くとも銅部材を有する金属部品の製造方法に関す
る。
半導体装置の気密容器には、導電性、熱伝導性
等の点で銅を用いるものが少なくない。例えば、
ステムとして、第1図および第2図に示す構造の
ものがある。図において、1は鉄製のステム基板
で略菱形状を呈し、長手方向の両端部にシヤーシ
等への取付孔2,2を有し、中央近傍にリード線
封着用の透孔3,3を有し、略中央部にヒートシ
ンク嵌合用の透孔4を有する。前記透孔3,3に
はそれぞれガラス5,5を介してリード線6,6
が気密かつ絶縁して封着され、一方透孔4には銅
製のヒートシンク7が銀ロウによつて気密に固着
されている。
この種のステムは従来次のようにして製造され
ていた。
第3図はその工程ブロツク図を示す。まず、鉄
板を打ち抜いてステム基板1を製作するととも
に、鉄・ニツケル合金製の線材を適当な長さに切
断してリード線6,6を製作する。また、ソーダ
バリウムガラス、ソーダライムガラス等のガラス
微粉末を有機バインダと共に混練し、所定形状に
プレス成型後、酸化性雰囲気中で約500℃程度に
加熱して有機バインダを焼失せしめてガラスタブ
レツト5a,5aを製作する。そして、上記のス
テム基板1、ガラスタブレツト5a,5aおよび
リード線6,6をグラフアイト製の封着治具を用
いて所定の関係位置に組み立て、中性または弱還
元性雰囲気中において、約950〜1050℃程度に加
熱して、前記ガラスタブレツト5a,5aを溶融
させて、ステム基板1の透孔33内にガラス5,
5を介してリード線6,6を気密かつ絶縁して封
着する。その後、ステム基板1の透孔4内に、銅
板を打ち抜いて製作したヒートシンク7を嵌合
し、かしめ加工を施して仮固定したのち、グラフ
アイト製の封着治具に載置し、ヒートシンク7の
周囲に銀ロウを配置して、中性または弱還元性雰
囲気中で約800〜900℃程度に加熱して銀ロウを溶
融せしめ、ヒートシンク7をステム基板1に気密
に固着する。次に、全体に電気または無電解ニツ
ケルメツキ等による仕上げメツキを施す。
ところで、ヒートシンク7を銅板より打ち抜い
たままでステム基板1にロウ付けすると、ヒート
シンク7の表面に付着している汚れ、油等が焼き
付いて、仕上げメツキの密着が悪くたり、外観不
良となる。そのため、仕上げメツキ前や打ち抜き
加工後にバレルで表面を研磨しているが、仕上げ
メツキ前の状態では銀ロウが溶解してヒートシン
ク7の表面を汚したり、硬いステム基板1との衝
突によつて軟いヒートシンク7の表面に傷が付き
やすいし、処理数が増やせないので能率が悪いと
いう問題点があつた。一方、プレス成型後のヒー
トシンク7のままでバレル研磨すると、前述の問
題点はなくなるものの、ヒートシンク7同士の衝
突による傷の発生は避けられなかつた。
なお、第1図および第2図に示すステムと同様
の構造を有するステムで、ヒートシンク7の表面
にあらかじめ無電解ニツケルメツキを施しておい
て、ステム基板1の透孔4にかしめにより仮固着
し、このステム基板1をグラフアイト治具を用い
て、前記同様にガラスタブレツト5a,5aおよ
びリード線6,6とともに所定の関係位置に組み
立て、ガラスタブレツト5a,5aを溶融してリ
ード線6,6をガラス封着すると同時に、ヒート
シンク7の表面に施した無電解ニツケルメツキを
溶融させて、ヒートシンク7をステム基板1に固
着する製造方法もある。この製造方法において
も、前記と同様の問題点がある。
それゆえに、この発明の主たる目的は、少なく
とも銅部材を有する金属部品を800〜1050℃の温
度で熱処理したのち仕上げメツキを施す金属部品
の製造方法において、仕上げメツキを良好に施す
ことが可能な製造方法を提供することである。
この発明は要約すると、銅部材を単体でその表
面に銅メツキを施したのちロウ付け、ガラス封着
等の熱処理を施すことを特徴とする。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明
する。
第4図はこの発明を第1図および第2図に示す
ステムの製造に適用した実施例の工程ブロツク図
である。まず、従来と同様に、ステム基板1、リ
ード線6,6およびガラスタブレツト5a,5a
を製作しておき、これらをグラフアイト製の封着
治具を用いて所定の関係位置に組み立て、中性ま
たは弱還元性雰囲気中において、約900〜1050℃
程度に加熱して、ステム基板1の透孔3,3内に
ガラス5,5を介してリード線6,6を気密かつ
絶縁して封着する。一方、銅板を打ち抜いて銅部
材の一例としてのヒートシンク7を製作し、その
全面に厚さが1〜5μm程度の銅メツキを施してお
き、このヒートシンク7を上記ステム基板1の透
孔4に嵌合し、かしめにより仮固定したのち、ヒ
ートシンク7の周囲に銀ロウを配置して、中性ま
たは弱還元性雰囲気中において、約800〜900℃程
度に加熱して、ヒートシンク7をステム基板1に
気密に固着する。こののち、バレル研磨すること
なく、全体に厚さ2〜6μm程度の電気または無電
解ニツケルメツキまたは金メツキ等の仕上げメツ
キを施した。
上記の製造方法によると、熱処理前のヒートシ
ンク7に銅メツキを施すので、仮にメツキ前のヒ
ートシンク7の表面に汚れ、油等が付着していて
も、銅メツキは奇麗に付着し、表面が銅メツキで
保護された状態で熱処理を施すので、ヒートシン
ク7の表面に汚れや油が焼き付くことがなく、し
たがつて、熱処理後の仕上げメツキにおいて、メ
ツキの密着不良の問題が生じなくなる。
なお、上記実施例は、ステム基板1の透孔3,
3にガラス5,5を介してリード線6,6を封着
後、透孔4にヒートシンク7を銀ロウにより固着
する場合について説明したが、前述のとおり、ヒ
ートシンク7の周面にあらかじめ無電解ニツケル
メツキを施しておいて、ステム基板1の透孔3,
3にガラス5,5を介してリード線6,6を封着
すると同時に、透孔4にヒートシンク7をロー付
けする方法においても、同様に銅板より抜ち抜き
後のヒートシンク7の表面にあらかじめ銅メツキ
を施しておくことで同様の効果が得られる。
また、上記のステム以外に、例えば銅製のステ
ム基板のリード線封着用透孔内に鉄製のアイレツ
トをロウ付けし、このアイレツト内にガラスを介
してリード線を封着するとともに、ステム基板の
上面に鉄製のキヤツプ溶接用リングをロウ付けし
た構造のステムにおいても、あらかじめアイレツ
ト内にガラスを介してリード線を封着した気密端
子を製作しておき、この気密端子をステム基板の
透孔内に銀ロウ付けするとともに、ステム基板の
上面の環状溝内にキヤツプ溶接用リングを銀ロウ
付けする製造方法や、前記アイレツトの外周面お
よびキヤツプ溶接用リングの下面に無電解ニツケ
ルメツキを施しておいて、アイレツト内にガラス
を介してリード線を封着すると同時に、アイレツ
トおよびキヤツプ溶接用リングをステム基板にロ
ウ付けする製造方法のいずれにも適用することが
できる。
あるいは、上記のステムのように、リード線を
ガラス封着するもののみならず、鉄製有底筒体の
底面に透孔を設け、この透孔に銅製のヒートシン
クをロウ付けした半導体装置用ベース等にも適用
できる。
この発明は以上のように、少なくとも銅部材を
有する金属部品を800〜1050℃の温度で熱処理し
たのち仕上げメツキを施す金属部品の製造方法に
おいて、前記銅部材を単体でその表面に銅メツキ
を施したのち熱処理を施すものであるから、熱処
理時に銅部材の表面が銅メツキによつて保護され
ており、したがつて銅部材の表面に抜ち抜き加工
時の汚れ、油が焼き付くことが防止でき、仕上げ
メツキが奇麗にでき、しかも銅部材の表面に傷が
付くこともないという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は金属部品の一例として示
す半導体装置用ステムの平面図および第1図の
―線に沿う断面図、第3図は上記ステムの従来
の製造方法を説明するための工程ブロツク図、第
4図は上記ステムのこの発明の一実施例による製
造方法を説明するための工程ブロツク図である。 1……ステム基板、5……ガラス、5a……ガ
ラスタブレツト、6……リード線、7……銅部材
(ヒートシンク)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体装置の気密容器の一部として用いられ
    るステム、ベース、キヤツプ等の少なくとも銅部
    材を有する金属部品を800〜1050℃の温度で熱処
    理したのち仕上げメツキを施す金属部品の製造方
    法において、 前記銅部材の表面に銅メツキを施したのち熱処
    理を施すことを特徴とする金属部品の製造方法。
JP19653381A 1981-12-07 1981-12-07 金属部品の製造方法 Granted JPS5897851A (ja)

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JP19653381A JPS5897851A (ja) 1981-12-07 1981-12-07 金属部品の製造方法

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JP19653381A JPS5897851A (ja) 1981-12-07 1981-12-07 金属部品の製造方法

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JPS5897851A JPS5897851A (ja) 1983-06-10
JPS634711B2 true JPS634711B2 (ja) 1988-01-30

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JPS623939A (ja) * 1985-06-28 1987-01-09 三菱電線工業株式会社 複合金属板

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JPS5897851A (ja) 1983-06-10

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