JPS6041860B2 - 気密端子の製造方法 - Google Patents
気密端子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6041860B2 JPS6041860B2 JP3292680A JP3292680A JPS6041860B2 JP S6041860 B2 JPS6041860 B2 JP S6041860B2 JP 3292680 A JP3292680 A JP 3292680A JP 3292680 A JP3292680 A JP 3292680A JP S6041860 B2 JPS6041860 B2 JP S6041860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel plating
- lead wires
- glass
- stem
- outer ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属外環にリード線をガラス封止した気密端子
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
パワートランジスタ用ステムに使用される気密端子は、
例えば、第１図及び第２図に示すように、鉄製の略菱形
状の金属外環すなわちステム基板１の長手方向の両端部
にシャーシ等への取付孔２、２を設け、略中央部に銅製
のヒートシンク３を貫通固着し、中央部近傍の透孔４、
４にエミッタ及びベース用の鉄・ニッケル合金製のリー
ド線５、５をガラス６、６で封止した構造を有する。
例えば、第１図及び第２図に示すように、鉄製の略菱形
状の金属外環すなわちステム基板１の長手方向の両端部
にシャーシ等への取付孔２、２を設け、略中央部に銅製
のヒートシンク３を貫通固着し、中央部近傍の透孔４、
４にエミッタ及びベース用の鉄・ニッケル合金製のリー
ド線５、５をガラス６、６で封止した構造を有する。
尚、ヒートシンク３上には、図示しないが半導体ペレッ
トがマウントされ、更にこのペレットの上面電極とリー
ド線５、５とが金、アルミニウム等の金属細線でボンデ
ィング接続され、そして最後にステム基板１上に金属キ
ャップが溶接等により固着封止される。ところで、この
種気密端子は最終的にステム基板１とヒートシンク３と
リード線５、５の露出面がニッケルメッキ面番（なるよ
うにして、ペレットマウントやリード線の半田付けなど
の信頼性を得ている。
トがマウントされ、更にこのペレットの上面電極とリー
ド線５、５とが金、アルミニウム等の金属細線でボンデ
ィング接続され、そして最後にステム基板１上に金属キ
ャップが溶接等により固着封止される。ところで、この
種気密端子は最終的にステム基板１とヒートシンク３と
リード線５、５の露出面がニッケルメッキ面番（なるよ
うにして、ペレットマウントやリード線の半田付けなど
の信頼性を得ている。
ところが、このニッケルメッキの形成方法に従来は次の
問題点があつた。即ち、従来は第３図に示すように、ス
テム基板１とリード線５、５をメッキすることなくガラ
ス封止し、このガラス封止後に両面の露出面に電気ニッ
ケルメッキ層７を形成するようにしていた。しかし、こ
のようにすると、バレルメツキを採用すればメッキ作業
そのものは簡単ではあるが、ステム同士が絡み合つてリ
ード線５、５が折れ曲りガラス６、６にクラックが生じ
やすいし、仮りにクラックが発生しなくても後工程でリ
ード線５、５の修正作業が必要になる。一方バ【ノルメ
ツキを採用しない場合は、メッキ作業時にステム基板１
と共に各リード線５、５にも同じ電極端子を接続しなけ
ればならず、メッキ治具への取付け及び取外し作業が著
しく繁雑となつて、能率が非常に悪くなり、股座も難し
くて実用的でなかつた。又、別の方法として、ガラス封
止前にステム基板１とリード線５、５の表面に電気ニッ
ケルメッキを施してから、ステｌ、基板１にリード線５
、５をガラス封止する方法も知られている。ところがＪ
この場合、ガラス６、６はソーダバリウムガラスやソー
ダライムガラスが使用されて、リード線５、５の封止時
に約１０００℃に加熱されるが、この加熱時に電気ニッ
ケルメッキ層が酸化される。このようなニッケルメッキ
の酸化は後で酸洗いして丁も簡単には除去されずに残り
、ペレットのマウント性を悪くしていた。更に別の方法
としては、ガラス封止前あるいは封止後にステム基板１
とヒートシンク３とリード線５，５の表面に、無電解ニ
ッケルメッキ層を形成する方法も考えられる。
問題点があつた。即ち、従来は第３図に示すように、ス
テム基板１とリード線５、５をメッキすることなくガラ
ス封止し、このガラス封止後に両面の露出面に電気ニッ
ケルメッキ層７を形成するようにしていた。しかし、こ
のようにすると、バレルメツキを採用すればメッキ作業
そのものは簡単ではあるが、ステム同士が絡み合つてリ
ード線５、５が折れ曲りガラス６、６にクラックが生じ
やすいし、仮りにクラックが発生しなくても後工程でリ
ード線５、５の修正作業が必要になる。一方バ【ノルメ
ツキを採用しない場合は、メッキ作業時にステム基板１
と共に各リード線５、５にも同じ電極端子を接続しなけ
ればならず、メッキ治具への取付け及び取外し作業が著
しく繁雑となつて、能率が非常に悪くなり、股座も難し
くて実用的でなかつた。又、別の方法として、ガラス封
止前にステム基板１とリード線５、５の表面に電気ニッ
ケルメッキを施してから、ステｌ、基板１にリード線５
、５をガラス封止する方法も知られている。ところがＪ
この場合、ガラス６、６はソーダバリウムガラスやソー
ダライムガラスが使用されて、リード線５、５の封止時
に約１０００℃に加熱されるが、この加熱時に電気ニッ
ケルメッキ層が酸化される。このようなニッケルメッキ
の酸化は後で酸洗いして丁も簡単には除去されずに残り
、ペレットのマウント性を悪くしていた。更に別の方法
としては、ガラス封止前あるいは封止後にステム基板１
とヒートシンク３とリード線５，５の表面に、無電解ニ
ッケルメッキ層を形成する方法も考えられる。
ところが、無電解ニッケルメッキ層は次亜リン酸塩の還
元で作るため、この無電解ニッケルメッキ層中に各種ガ
スが吸蔵される。そのため、後工程のペレットマウント
時やベーキング時などに前記吸蔵ガスが無電解ニッケル
メッキ層から発生するし、また無電解ニッケルメッキ層
はリンを含有しているので融点が比較的低く、したがつ
てキャップの溶接時に無電解ニッケルメッキ層が溶融し
て湯玉となつて飛び散りやすいので、トランジスタ等の
動作特性を悪くすることがあつた。そこで本発明は上記
従来の問題点に鑑み、これを解決する方法として、まず
メッキを施してない金属外環に電気ニッケルメッキを施
したリード線をガラス封止し、その後に金属外環の露出
面に電気ニッケルメッキを施すようにした気密端子の製
造方法を提供する。
元で作るため、この無電解ニッケルメッキ層中に各種ガ
スが吸蔵される。そのため、後工程のペレットマウント
時やベーキング時などに前記吸蔵ガスが無電解ニッケル
メッキ層から発生するし、また無電解ニッケルメッキ層
はリンを含有しているので融点が比較的低く、したがつ
てキャップの溶接時に無電解ニッケルメッキ層が溶融し
て湯玉となつて飛び散りやすいので、トランジスタ等の
動作特性を悪くすることがあつた。そこで本発明は上記
従来の問題点に鑑み、これを解決する方法として、まず
メッキを施してない金属外環に電気ニッケルメッキを施
したリード線をガラス封止し、その後に金属外環の露出
面に電気ニッケルメッキを施すようにした気密端子の製
造方法を提供する。
例えば、上記したパワートランジスタ用ステムとしての
気密端子の製造に本発明を適用すると、次の順序で行な
う。まずリード線５，５の全表面に厚さ２〜７μ程度の
電気ニッケルを施す。
気密端子の製造に本発明を適用すると、次の順序で行な
う。まずリード線５，５の全表面に厚さ２〜７μ程度の
電気ニッケルを施す。
このメッキはバレル電気メッキ法等で行えば簡単で量産
が可能である。この場合、ガラス封止後のバレルメツキ
と異なり、リード線５，５は単純な形状をしているの，
で、リード線５，５の絡み合い現象がなく、かつ従つて
リード線５，５の折れ曲りは生じない。次にメッキ処理
したリード線５，５をヒートシンク３が固着されかつメ
ッキ処理していないステム基板１に従来同様な治具を使
つて第４図に示すよう５にガラス封止する。尚、第４図
の８はリード線５に予めメッキ処理した電気ニッケルメ
ッキ層を示す。この電気ニッケルメッキ層８の表面は光
沢面に仕上げるよりも、粗面の無光沢面に仕上げてガラ
ス６との封着性を良くしておくことが望まし５い。次に
ステム基板１の露出面をまず酸洗い等で酸化膜を除去し
ておいてから、第６図に示すように厚さ３〜７μ程度の
電気ニッケルメッキ層９を形成する。
が可能である。この場合、ガラス封止後のバレルメツキ
と異なり、リード線５，５は単純な形状をしているの，
で、リード線５，５の絡み合い現象がなく、かつ従つて
リード線５，５の折れ曲りは生じない。次にメッキ処理
したリード線５，５をヒートシンク３が固着されかつメ
ッキ処理していないステム基板１に従来同様な治具を使
つて第４図に示すよう５にガラス封止する。尚、第４図
の８はリード線５に予めメッキ処理した電気ニッケルメ
ッキ層を示す。この電気ニッケルメッキ層８の表面は光
沢面に仕上げるよりも、粗面の無光沢面に仕上げてガラ
ス６との封着性を良くしておくことが望まし５い。次に
ステム基板１の露出面をまず酸洗い等で酸化膜を除去し
ておいてから、第６図に示すように厚さ３〜７μ程度の
電気ニッケルメッキ層９を形成する。
この電気ニッケルメッキ層９の形成はステム基板１の取
付孔２を利用してラツキング法で容易にできる。又リー
ド線５，５のガラス封止後のメッキであるから厚さの設
定が自由であり、而も表面の酸化の心配がなくなる。尚
、上記説明はステム基板１やリード線５，５の素地上に
直接電気ニッケルメッキ層８，９を形成する場合につい
て説明したが、下地メッキとして、例えば銅メッキが予
め施されてもよい。
付孔２を利用してラツキング法で容易にできる。又リー
ド線５，５のガラス封止後のメッキであるから厚さの設
定が自由であり、而も表面の酸化の心配がなくなる。尚
、上記説明はステム基板１やリード線５，５の素地上に
直接電気ニッケルメッキ層８，９を形成する場合につい
て説明したが、下地メッキとして、例えば銅メッキが予
め施されてもよい。
このノように銅の下地メッキが施されていると、図示例
のように銅製のヒートシンク３が有る場合にステム基板
１全体に均一な電気ニッケルメッキを施すことができる
のみならず、ガラス封止時にグラフフイト製の封着治具
からステム基板１に遊離炭素が浸入する浸炭現象が防止
できる。又、本発明は図示例のパワートランジスタ用ス
テムの気密端子に限らず、要は金属外環にリード線をガ
ラス封止したもので、且つ金属の露出表面にニッケルメ
ッキを必要とするものであれば全て適用し得るものであ
る。
のように銅製のヒートシンク３が有る場合にステム基板
１全体に均一な電気ニッケルメッキを施すことができる
のみならず、ガラス封止時にグラフフイト製の封着治具
からステム基板１に遊離炭素が浸入する浸炭現象が防止
できる。又、本発明は図示例のパワートランジスタ用ス
テムの気密端子に限らず、要は金属外環にリード線をガ
ラス封止したもので、且つ金属の露出表面にニッケルメ
ッキを必要とするものであれば全て適用し得るものであ
る。
以上説明したように、本発明によればメッキを施してい
ない金属外環に電気ニッケルメッキを施したリード線を
ガラス封止した後、金属外環に電気ニッケルメッキを施
すようにしたから、メッキ作業が容易で、酸化の恐れが
なくなり、而も厚さも自由にできるため、シール性やペ
レットのマウント性が向上する。
ない金属外環に電気ニッケルメッキを施したリード線を
ガラス封止した後、金属外環に電気ニッケルメッキを施
すようにしたから、メッキ作業が容易で、酸化の恐れが
なくなり、而も厚さも自由にできるため、シール性やペ
レットのマウント性が向上する。
又、電気ニッケルメッキを施したから、無電解ニッケル
メッキのようなガスの発生による特性劣下などのトラブ
ルが解消され、信頼性の良い気密端子が提供できる。
メッキのようなガスの発生による特性劣下などのトラブ
ルが解消され、信頼性の良い気密端子が提供できる。
第１図は気密端子の一例を示す平面図、第２図は第１図
■−■線に沿う断面図、第３図は従来製法による気密端
子の断面図、第４図及び第５図は本発明の詳細な説明す
るための各製造段階における気密端子の断面図てある。
■−■線に沿う断面図、第３図は従来製法による気密端
子の断面図、第４図及び第５図は本発明の詳細な説明す
るための各製造段階における気密端子の断面図てある。
Claims (1)
- １ メッキ処理をしてない金属外環に、電気ニッケルメ
ッキを施したリード線をガラス封止した後、金属外環の
露出面に電気ニッケルメッキを施すことを特徴とする気
密端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292680A JPS6041860B2 (ja) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | 気密端子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292680A JPS6041860B2 (ja) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | 気密端子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56129349A JPS56129349A (en) | 1981-10-09 |
| JPS6041860B2 true JPS6041860B2 (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=12372506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3292680A Expired JPS6041860B2 (ja) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | 気密端子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041860B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133165U (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-22 | ||
| JPH029620A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-12 | Polyplastics Co | 熱可塑性樹脂成形品に対する金属インサート方法及び金属インサートの施された成形品 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577951A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Toshiba Component Kk | Manufacture of stem for semiconductor device needing no whole surface finishing nickel plating process |
-
1980
- 1980-03-14 JP JP3292680A patent/JPS6041860B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133165U (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-22 | ||
| JPH029620A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-12 | Polyplastics Co | 熱可塑性樹脂成形品に対する金属インサート方法及び金属インサートの施された成形品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56129349A (en) | 1981-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3729820A (en) | Method for manufacturing a package of a semiconductor element | |
| JPH0249021B2 (ja) | ||
| US4590672A (en) | Package for electronic device and method for producing same | |
| JPS6041860B2 (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| US4765528A (en) | Plating process for an electronic part | |
| US3743895A (en) | Copper plated base plate with nickel plated insert for semiconductor component housing | |
| JPS5828859A (ja) | リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド | |
| JPS5916353A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS5842764A (ja) | メツキ方法 | |
| JPS5926985A (ja) | ガラスまたはセラミツクスと銅とのろう付け結合方法 | |
| JPS58100967A (ja) | 金属部品の製造方法 | |
| JP2918676B2 (ja) | 気密封止用ステムの製造方法 | |
| JPS5837952B2 (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JP2826650B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS6214452A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6032773Y2 (ja) | 気密端子 | |
| JPS58509B2 (ja) | メツキホウホウ | |
| JPH1197577A (ja) | 半導体装置用ステムの製造方法 | |
| JPS6032774Y2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| JPH0157063B2 (ja) | ||
| JPH0227816B2 (ja) | ||
| JPH0455336B2 (ja) | ||
| KR830002575B1 (ko) | 기밀단자(氣密端子)의 제조방법 | |
| JP3311376B2 (ja) | バンプ形成方法 |