JPS6041860B2 - 気密端子の製造方法 - Google Patents

気密端子の製造方法

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JPS6041860B2
JPS6041860B2 JP3292680A JP3292680A JPS6041860B2 JP S6041860 B2 JPS6041860 B2 JP S6041860B2 JP 3292680 A JP3292680 A JP 3292680A JP 3292680 A JP3292680 A JP 3292680A JP S6041860 B2 JPS6041860 B2 JP S6041860B2
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JP
Japan
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nickel plating
lead wires
glass
stem
outer ring
Prior art date
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JP3292680A
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English (en)
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JPS56129349A (en
Inventor
純一 岡田
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NEC Home Electronics Ltd
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container

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  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金属外環にリード線をガラス封止した気密端子
の製造方法に関するものである。
パワートランジスタ用ステムに使用される気密端子は、
例えば、第1図及び第2図に示すように、鉄製の略菱形
状の金属外環すなわちステム基板1の長手方向の両端部
にシャーシ等への取付孔2、2を設け、略中央部に銅製
のヒートシンク3を貫通固着し、中央部近傍の透孔4、
4にエミッタ及びベース用の鉄・ニッケル合金製のリー
ド線5、5をガラス6、6で封止した構造を有する。
尚、ヒートシンク3上には、図示しないが半導体ペレッ
トがマウントされ、更にこのペレットの上面電極とリー
ド線5、5とが金、アルミニウム等の金属細線でボンデ
ィング接続され、そして最後にステム基板1上に金属キ
ャップが溶接等により固着封止される。ところで、この
種気密端子は最終的にステム基板1とヒートシンク3と
リード線5、5の露出面がニッケルメッキ面番(なるよ
うにして、ペレットマウントやリード線の半田付けなど
の信頼性を得ている。
ところが、このニッケルメッキの形成方法に従来は次の
問題点があつた。即ち、従来は第3図に示すように、ス
テム基板1とリード線5、5をメッキすることなくガラ
ス封止し、このガラス封止後に両面の露出面に電気ニッ
ケルメッキ層7を形成するようにしていた。しかし、こ
のようにすると、バレルメツキを採用すればメッキ作業
そのものは簡単ではあるが、ステム同士が絡み合つてリ
ード線5、5が折れ曲りガラス6、6にクラックが生じ
やすいし、仮りにクラックが発生しなくても後工程でリ
ード線5、5の修正作業が必要になる。一方バ【ノルメ
ツキを採用しない場合は、メッキ作業時にステム基板1
と共に各リード線5、5にも同じ電極端子を接続しなけ
ればならず、メッキ治具への取付け及び取外し作業が著
しく繁雑となつて、能率が非常に悪くなり、股座も難し
くて実用的でなかつた。又、別の方法として、ガラス封
止前にステム基板1とリード線5、5の表面に電気ニッ
ケルメッキを施してから、ステl、基板1にリード線5
、5をガラス封止する方法も知られている。ところがJ
この場合、ガラス6、6はソーダバリウムガラスやソー
ダライムガラスが使用されて、リード線5、5の封止時
に約1000℃に加熱されるが、この加熱時に電気ニッ
ケルメッキ層が酸化される。このようなニッケルメッキ
の酸化は後で酸洗いして丁も簡単には除去されずに残り
、ペレットのマウント性を悪くしていた。更に別の方法
としては、ガラス封止前あるいは封止後にステム基板1
とヒートシンク3とリード線5,5の表面に、無電解ニ
ッケルメッキ層を形成する方法も考えられる。
ところが、無電解ニッケルメッキ層は次亜リン酸塩の還
元で作るため、この無電解ニッケルメッキ層中に各種ガ
スが吸蔵される。そのため、後工程のペレットマウント
時やベーキング時などに前記吸蔵ガスが無電解ニッケル
メッキ層から発生するし、また無電解ニッケルメッキ層
はリンを含有しているので融点が比較的低く、したがつ
てキャップの溶接時に無電解ニッケルメッキ層が溶融し
て湯玉となつて飛び散りやすいので、トランジスタ等の
動作特性を悪くすることがあつた。そこで本発明は上記
従来の問題点に鑑み、これを解決する方法として、まず
メッキを施してない金属外環に電気ニッケルメッキを施
したリード線をガラス封止し、その後に金属外環の露出
面に電気ニッケルメッキを施すようにした気密端子の製
造方法を提供する。
例えば、上記したパワートランジスタ用ステムとしての
気密端子の製造に本発明を適用すると、次の順序で行な
う。まずリード線5,5の全表面に厚さ2〜7μ程度の
電気ニッケルを施す。
このメッキはバレル電気メッキ法等で行えば簡単で量産
が可能である。この場合、ガラス封止後のバレルメツキ
と異なり、リード線5,5は単純な形状をしているの,
で、リード線5,5の絡み合い現象がなく、かつ従つて
リード線5,5の折れ曲りは生じない。次にメッキ処理
したリード線5,5をヒートシンク3が固着されかつメ
ッキ処理していないステム基板1に従来同様な治具を使
つて第4図に示すよう5にガラス封止する。尚、第4図
の8はリード線5に予めメッキ処理した電気ニッケルメ
ッキ層を示す。この電気ニッケルメッキ層8の表面は光
沢面に仕上げるよりも、粗面の無光沢面に仕上げてガラ
ス6との封着性を良くしておくことが望まし5い。次に
ステム基板1の露出面をまず酸洗い等で酸化膜を除去し
ておいてから、第6図に示すように厚さ3〜7μ程度の
電気ニッケルメッキ層9を形成する。
この電気ニッケルメッキ層9の形成はステム基板1の取
付孔2を利用してラツキング法で容易にできる。又リー
ド線5,5のガラス封止後のメッキであるから厚さの設
定が自由であり、而も表面の酸化の心配がなくなる。尚
、上記説明はステム基板1やリード線5,5の素地上に
直接電気ニッケルメッキ層8,9を形成する場合につい
て説明したが、下地メッキとして、例えば銅メッキが予
め施されてもよい。
このノように銅の下地メッキが施されていると、図示例
のように銅製のヒートシンク3が有る場合にステム基板
1全体に均一な電気ニッケルメッキを施すことができる
のみならず、ガラス封止時にグラフフイト製の封着治具
からステム基板1に遊離炭素が浸入する浸炭現象が防止
できる。又、本発明は図示例のパワートランジスタ用ス
テムの気密端子に限らず、要は金属外環にリード線をガ
ラス封止したもので、且つ金属の露出表面にニッケルメ
ッキを必要とするものであれば全て適用し得るものであ
る。
以上説明したように、本発明によればメッキを施してい
ない金属外環に電気ニッケルメッキを施したリード線を
ガラス封止した後、金属外環に電気ニッケルメッキを施
すようにしたから、メッキ作業が容易で、酸化の恐れが
なくなり、而も厚さも自由にできるため、シール性やペ
レットのマウント性が向上する。
又、電気ニッケルメッキを施したから、無電解ニッケル
メッキのようなガスの発生による特性劣下などのトラブ
ルが解消され、信頼性の良い気密端子が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は気密端子の一例を示す平面図、第2図は第1図
■−■線に沿う断面図、第3図は従来製法による気密端
子の断面図、第4図及び第5図は本発明の詳細な説明す
るための各製造段階における気密端子の断面図てある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 メッキ処理をしてない金属外環に、電気ニッケルメ
    ッキを施したリード線をガラス封止した後、金属外環の
    露出面に電気ニッケルメッキを施すことを特徴とする気
    密端子の製造方法。
JP3292680A 1980-03-14 1980-03-14 気密端子の製造方法 Expired JPS6041860B2 (ja)

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JPS56129349A JPS56129349A (en) 1981-10-09
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62133165U (ja) * 1986-02-12 1987-08-22
JPH029620A (ja) * 1988-06-29 1990-01-12 Polyplastics Co 熱可塑性樹脂成形品に対する金属インサート方法及び金属インサートの施された成形品

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JPS577951A (en) * 1980-06-18 1982-01-16 Toshiba Component Kk Manufacture of stem for semiconductor device needing no whole surface finishing nickel plating process

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